JPS6163516A - 高純度モノシランの貯蔵方法 - Google Patents

高純度モノシランの貯蔵方法

Info

Publication number
JPS6163516A
JPS6163516A JP18277484A JP18277484A JPS6163516A JP S6163516 A JPS6163516 A JP S6163516A JP 18277484 A JP18277484 A JP 18277484A JP 18277484 A JP18277484 A JP 18277484A JP S6163516 A JPS6163516 A JP S6163516A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monosilane
nitrogen
storing high
ppm
boiling point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18277484A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0443844B2 (ja
Inventor
Atsuhiko Hiai
日合 淳彦
Kazuo Wakimura
脇村 和生
Masao Tanaka
田中 将夫
Nobuhiro Fukuda
福田 信弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority to JP18277484A priority Critical patent/JPS6163516A/ja
Publication of JPS6163516A publication Critical patent/JPS6163516A/ja
Publication of JPH0443844B2 publication Critical patent/JPH0443844B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、高純度モノシランの貯蔵方法に関する。更に
詳しくは、酸素、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、メ
タン等のモノシランより沸点の低いガスヲ含有しないモ
ノシランとして貯槽内に貯蔵する方法に関する。
〔従来技術〕
エレクトロニクス産業市場の急成長に伴いモノシランは
、IC5太陽電池、光感光体ドラム等における半導体薄
膜を形成するための原料ガスとして近年急激に需要が増
加している。モノシランガスの製造方法としては四塩化
硅素又は三塩化硅素等のクロロシラン類をアルカリ金属
ノ・イドライド又はアルギルアルミニウムハイドライド
で還元する方法あるいは、Mf2S+等の合金と塩酸又
は塩化アンモニウム等を反応させる方法が一般的である
これらの方法により得られるモノシランガスは。
活性炭やモレキーラーシープ等の吸着剤を用いて吸着精
製したり、蒸留により精製したり、あるいは、これらを
組み合わせて精製し、実用に供していた。これらの精製
法は、モノシランの沸点(−112℃)よりも高い沸点
の不純物に対しては、充分な精製効果があるが、酸素、
窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、メタン等の、モノシ
ランより沸点の低い不純物に対しては、充分な精製効果
が得られない。従って、このような微量の不純物の混入
したまま、通常はモノシランの沸点以下の温度で製品タ
ンクに貯蔵され、ボンベ等の容器に充填されて各種用途
に使用されていた。
〔発明の目的〕
しかしながら、高純度を要求される半導体、太陽電池、
光感光体ドラム等の用途には、製品モノシランガス中の
酸素、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、メタン等の低
沸点物質の不純物の混入は、当該用途における製品の品
質に大きな影響を与える。本発明者らは、とくに、非晶
質シリコン太陽電池用には、原料モノシラン中に酸素や
窒素等の不純物が、非常に微小量存在しただけで該電池
の性能、と(に経日劣化特性に著しい影響を及ぼすこと
を見い出した。
しかして1本発明の目的は、かかる非晶質シリコン太陽
電池のごとき特に高品質を要求される分野に好適に使用
できるように高純度のモノシラノガスを容器に充填貯蔵
する方法を提供することである。
〔発明の開示〕
本発明の上記目的は液体モノシランの貯槽内でモノシラ
ンの還流下に保持することにより達成される。
以下1本発明の詳細な説明する。
本発明の適用しうるモノシランは、クロロシラン類を還
元剤を用いて還元して製造したものも、M P2 S 
tのごとき合金と塩酸又は塩化アンモニウム等を反応さ
せて製造したものも、いずれでもよい。いかなる製造プ
ロセスを経るにせよ、精製された水素を同伴しているモ
ノシランは、凝縮されて製品ホルダー鉾槽)に貯液され
る。
本発明においては、この貯槽内で、モノシランをMK下
、好ましくは、モノシランの沸点である一112℃付近
に保持するものである。しかるのち、貯槽から好適には
貯槽の下部から、ポンプで抜き出し、気化器で加熱して
ボンベ等の容器に充填され、出荷される。ポンプで抜き
出す際には、モノシランを液状で抜出してもよいが、ま
た、還流下に保持した貯槽の気相部からモノシランを圧
縮器で抜出し、容器に充填してもよい。
〔実施例〕                    
   1以下本発明を実施例により具体的に説明する。
(実施例1) 401!のジャケット付液体シランホルダーに3イの伝
熱面積を有する逆流コンデンサーを設置した。逆流コン
デンサーは、5kg/FQの圧力の液体窒素で冷却した
。ホルダ一部分は、75順厚のウレタンフオームで保冷
した。ホルダ一部分のジャケットには液体窒素を流さな
い。このホルダーに、毎時1ON−のキャリアガス(窒
素1500ppm、酸素とアルゴン1 o o ppm
を含有する水素)を用(・て毎時1.2 kgのシラン
な10時間供給し、液体シラン12kgを貯液した。
ホルダー内のシランは沸騰状態に保持され逆流コンデン
サーで還流される。
この貯槽下部からポンプにより液体シランを抜き出し、
気化させたのち、471ボンベ2本にシランガスを充填
した。ボンベ中の不純物を分析したところ、窒素o、7
ppm、酸素とアルゴンの和0.3ppm、水素5 p
pm、メタン不検出であった。
(比較例1) ホルダーのジャケットに液体窒素を通して。
−120℃に保持した以外は実施例1と同様にしてモノ
シランをボンベに充填した結果、ボンベ中の不純物は、
窒素12 ppm、酸素とアルゴンの和41)l)mで
あった。
〔発明の効果及び産業上の利用可能性〕本発明方法忙よ
り貯蔵されたモノシランを、例えば「471!ボンベ」
に充填した場合、窒素の混入量は、1 ppm以下、酸
素の混入量は、0.5 ppm以下とすることができ、
水素も10 ppm以下となり、さらに、アルゴン、ヘ
リウム、メタン等は不検出というような超高純度シリコ
ンを容器に充填することが可能となる。したがって、こ
のようにして容器に充填されたモノシランは、IC,太
陽電池、光感光体ドラム等の用途に効果的に供されるも
のである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)液体モノシランの貯槽内でモノシランの還流下に
    保持することを特徴とする高純度モノシランの貯蔵方法
JP18277484A 1984-09-03 1984-09-03 高純度モノシランの貯蔵方法 Granted JPS6163516A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18277484A JPS6163516A (ja) 1984-09-03 1984-09-03 高純度モノシランの貯蔵方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18277484A JPS6163516A (ja) 1984-09-03 1984-09-03 高純度モノシランの貯蔵方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6163516A true JPS6163516A (ja) 1986-04-01
JPH0443844B2 JPH0443844B2 (ja) 1992-07-17

Family

ID=16124181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18277484A Granted JPS6163516A (ja) 1984-09-03 1984-09-03 高純度モノシランの貯蔵方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6163516A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0443844B2 (ja) 1992-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5118485A (en) Recovery of lower-boiling silanes in a cvd process
CA2851242C (en) Apparatus and method for the condensed phase production of trisilylamine
RU2368568C2 (ru) Способ получения кремния
EP2812279A1 (en) Liquid phase synthesis of trisilylamine
TW200302205A (en) Purification of group IVb metal halides
CN105731465A (zh) 一种氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼磷的方法和设备
US9764961B2 (en) Cyclohexasilane
AU2020100042A4 (en) Purification process of polycrystalline silicon raw material
TW460626B (en) A process for producing high-purity nitrogen trifluoride gas
CN117966264B (zh) 一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法
JPH0443844B2 (ja)
JPH0459518B2 (ja)
JPS6163517A (ja) モノシランの精製方法
Lorenz Survey of the preparation, purity, and availability of silanes
JPS63239288A (ja) ハロゲン化アルキルアルミニウムの回収方法
JPS63303807A (ja) ハロゲン化水素化シランの製造方法
JPH0535084B2 (ja)
CN223069100U (zh) 一种降低多晶硅中施、受主杂质的氯硅烷原料提纯系统
JP3281635B2 (ja) 窒化アルミニウム粉末
JPH04231317A (ja) ジクロルシランの精製方法
JPS6163515A (ja) モノシランの製造方法
CA1151395A (en) High purity silane and silicone production
JP2536027B2 (ja) ジシランの製造方法
JP5215600B2 (ja) N−アルキルボラジンの製造方法
JPH0339005B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term