JPS6164011A - テ−プ電線の製造方法 - Google Patents
テ−プ電線の製造方法Info
- Publication number
- JPS6164011A JPS6164011A JP18508784A JP18508784A JPS6164011A JP S6164011 A JPS6164011 A JP S6164011A JP 18508784 A JP18508784 A JP 18508784A JP 18508784 A JP18508784 A JP 18508784A JP S6164011 A JPS6164011 A JP S6164011A
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- JP
- Japan
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- resist
- film
- circuit
- thickness
- conductor
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- Pending
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テープ電線の製造方法に関し、特に基体プラ
スチックフィルムに強固に金属を蒸着させた可撓性を有
するテープ状またはシート状の電線を製造する方法に関
するものである。
スチックフィルムに強固に金属を蒸着させた可撓性を有
するテープ状またはシート状の電線を製造する方法に関
するものである。
従来の技術
従来、この種のテープ電線、つまりテープ状電線または
シート状の電気回路としては(1)テープに薄い銅箔を
張り付けてエツチングにより電気回路を形成して得られ
ている。(2)フラットな金属導体をシート等に整列さ
せて張りつけて得られていた。
シート状の電気回路としては(1)テープに薄い銅箔を
張り付けてエツチングにより電気回路を形成して得られ
ている。(2)フラットな金属導体をシート等に整列さ
せて張りつけて得られていた。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、この場合に用いられる導体の厚さは18
μ以上となりそれよりも薄い導体をフィルムやシートに
張り付けてエツチングすることは取扱上限界があった。
μ以上となりそれよりも薄い導体をフィルムやシートに
張り付けてエツチングすることは取扱上限界があった。
最近、エレクトロニツクスの分野において、極めて厚さ
の薄いテープ状又はシート状の電気回路が要望されてお
り、発明者らはこの要望に答えるぺぐ鋭意研究の結果、
本発明の製造方法を確立したものである。
の薄いテープ状又はシート状の電気回路が要望されてお
り、発明者らはこの要望に答えるぺぐ鋭意研究の結果、
本発明の製造方法を確立したものである。
すなわち、本発明の方法は(1)接着剤を用いてプラス
チックフィルムに金属を張り付ける必要がない。(2)
極薄なテープ電線が容易に得られる。(3)特別な前処
理によって基材と金属の密着力が優れている。(II)
エツチングによる回路形成が不要なため回路の寸法精度
が高い。(5)連続生産が可能である。
チックフィルムに金属を張り付ける必要がない。(2)
極薄なテープ電線が容易に得られる。(3)特別な前処
理によって基材と金属の密着力が優れている。(II)
エツチングによる回路形成が不要なため回路の寸法精度
が高い。(5)連続生産が可能である。
つまシ取扱上限界があった諸問題とエツチングの工程を
省略すると同時に寸法精度の優れた回路が得られるテー
プ電線の製造方法を提供しようとするもっである。
省略すると同時に寸法精度の優れた回路が得られるテー
プ電線の製造方法を提供しようとするもっである。
(問題を解決するための手段)
本発明によるテープ電線の製造方法は、プラスチックフ
ィルム表面に、回路に不必要な部分にレジストをコート
した地蒸発粒子エネルギーが1eV以上の物理的蒸着手
段により、前記フィルム表面に金属を300X〜50.
OOOXの厚さに付着せしめ、レジストを剥離するこ
とにより回路に必要な導体部を形成することを特徴とす
る。
ィルム表面に、回路に不必要な部分にレジストをコート
した地蒸発粒子エネルギーが1eV以上の物理的蒸着手
段により、前記フィルム表面に金属を300X〜50.
OOOXの厚さに付着せしめ、レジストを剥離するこ
とにより回路に必要な導体部を形成することを特徴とす
る。
本発明における基体となる前記プラスチックは例えば、
ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイ
ミド、ポリカーボネート、フッ素系樹脂、ポリオレフィ
/その他等の熱可塑性や熱硬化性の樹脂などが使用でき
るが、特にフッ素系樹脂が好ましい。
ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイ
ミド、ポリカーボネート、フッ素系樹脂、ポリオレフィ
/その他等の熱可塑性や熱硬化性の樹脂などが使用でき
るが、特にフッ素系樹脂が好ましい。
基体フィルムの厚さは2〜100μで、通常は5〜50
μ程度のものが用いられている。
μ程度のものが用いられている。
本発明では、上記プラスチックフィルム上に用いるレジ
ストとしてフォトレジストやレジストインキ等により、
回路に不必要な部分にレジス、・をコーp)勺も−)ゆ
−っ コートするレジストとして、フォトレジストはポジタイ
プ、ネガタイプでフェノール系、ゴム系、ポリビニルア
ルコール等で、レジストインキとしてはエツチングレジ
スト、メツキレシスト、ノルダーレジスト等でレジスト
の厚さは05〜50μで蒸発する導体厚さによりレジス
ト膜厚が決定される。
ストとしてフォトレジストやレジストインキ等により、
回路に不必要な部分にレジス、・をコーp)勺も−)ゆ
−っ コートするレジストとして、フォトレジストはポジタイ
プ、ネガタイプでフェノール系、ゴム系、ポリビニルア
ルコール等で、レジストインキとしてはエツチングレジ
スト、メツキレシスト、ノルダーレジスト等でレジスト
の厚さは05〜50μで蒸発する導体厚さによりレジス
ト膜厚が決定される。
本発明における物理的蒸着手段とは、通常の真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の化学変化を
伴なわない各種の金属蒸気によるコーティング方法を指
すもので、通常、1σ“Torr以下の真空圧力下で何
等かの手段により金属を原子状態あるいは集合状態でイ
オン化しつつあるいは、原子のままで飛ばすことにより
基体フィルム上にコーティングするものである。
スパッタリング、イオンブレーティング等の化学変化を
伴なわない各種の金属蒸気によるコーティング方法を指
すもので、通常、1σ“Torr以下の真空圧力下で何
等かの手段により金属を原子状態あるいは集合状態でイ
オン化しつつあるいは、原子のままで飛ばすことにより
基体フィルム上にコーティングするものである。
蒸発粒子エネルギーは方法により異なるが、1eV
以上とすると、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法等が相当する方法である。
以上とすると、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法等が相当する方法である。
これらの蒸着方法において、本発明では、プラスチック
フィルム上に金属を強い付着力をもって付着させるため
、粒子の有するエネルギーが大きいことが望ましいのは
そのためである。しかし、さらに基体の清浄化が極めて
重要である。物理的蒸着手段に先立ち基体に金属を密着
性よく付着させるには、先ず1σ’Torr以下の真空
の圧力下で基体フィルムを加熱することにより、基体フ
ィルム中の水分、ガス、モノマー等の脱ガス処理を行な
う。この時の基体フィルム温度は60℃以上にすること
が望ましく、基体フィルムにできるだけ影響を与えない
程度に温度を高くすることが望ましい。又、加熱時間は
15秒〜300秒程度で基体フィルムの特性より最適条
件を設定するものである。
フィルム上に金属を強い付着力をもって付着させるため
、粒子の有するエネルギーが大きいことが望ましいのは
そのためである。しかし、さらに基体の清浄化が極めて
重要である。物理的蒸着手段に先立ち基体に金属を密着
性よく付着させるには、先ず1σ’Torr以下の真空
の圧力下で基体フィルムを加熱することにより、基体フ
ィルム中の水分、ガス、モノマー等の脱ガス処理を行な
う。この時の基体フィルム温度は60℃以上にすること
が望ましく、基体フィルムにできるだけ影響を与えない
程度に温度を高くすることが望ましい。又、加熱時間は
15秒〜300秒程度で基体フィルムの特性より最適条
件を設定するものである。
次に、ボンバードによりフィルム表面にミクロエツチン
グ処理を行なうが、加熱脱ガス処理同様10−“T o
rr以下の真空圧力下で基体フィルムを、ヘリウム、ア
ルゴン、ネオン、チッソ、酸素等のRFプラズマ、DC
グロー放電等の1種又は2種以上にて処理する。基体フ
ィルムをプラズマ中に入れると基体フィルムの表面は電
子やイオンによりボンバードされて、ミクロエツチング
される。
グ処理を行なうが、加熱脱ガス処理同様10−“T o
rr以下の真空圧力下で基体フィルムを、ヘリウム、ア
ルゴン、ネオン、チッソ、酸素等のRFプラズマ、DC
グロー放電等の1種又は2種以上にて処理する。基体フ
ィルムをプラズマ中に入れると基体フィルムの表面は電
子やイオンによりボンバードされて、ミクロエツチング
される。
これらにより、この基体表面に金属を蒸着せしめ時に高
い付着力を発揮できるものである。
い付着力を発揮できるものである。
ボンバード時間は5〜300秒程度で、僅な時間でも処
理することにより付着力は極めて高くなるものである。
理することにより付着力は極めて高くなるものである。
特にフッ素樹脂4列えばFEP等を用いた場合の付着力
を高める手段として最適である。
を高める手段として最適である。
次に蒸発粒子エネルギーが1 eV以上の物理的蒸着手
段により金属を300A〜50. OOOA付着せしめ
て、回路に不必要な部分のレジストを剥離することによ
り導体部を作成しテープ状あるいは7−ト状の電線が得
られるものである。レジストの剥離方法は、アルカリ水
溶液、有機溶剤等に浸〉賛させることにより、容易にレ
ジストを剥離できるものである。
段により金属を300A〜50. OOOA付着せしめ
て、回路に不必要な部分のレジストを剥離することによ
り導体部を作成しテープ状あるいは7−ト状の電線が得
られるものである。レジストの剥離方法は、アルカリ水
溶液、有機溶剤等に浸〉賛させることにより、容易にレ
ジストを剥離できるものである。
本発明の物理的蒸着手段により形成する金属層の厚みは
300A〜50. OOOAであるが、50OA以上で
ある必要性は導体の眠気特性上必要である。F−5:、
04 OA以工蒸看すると、ひずみを生コた9、1曲性
が悪くなるからであるっ次、て実施例について説明する
。
300A〜50. OOOAであるが、50OA以上で
ある必要性は導体の眠気特性上必要である。F−5:、
04 OA以工蒸看すると、ひずみを生コた9、1曲性
が悪くなるからであるっ次、て実施例について説明する
。
(実施例)
実施例1
ポリイミドフィルム(厚さ5oμ)に回路として1ピツ
チ1511mmとして導体中を1咽としたアルカリ剥離
タイプのメツキレシストを1μコートした。(メンキレ
ジストコートL54+n+n巾、コートなし1閉巾)、
次に、真空槽で100℃2分の加熱を行ない、さらにD
Oグロー放電を1分処理した後、スパッタリングにより
銅を10. OQ Q Aの厚さにコートも4した。こ
れを真空槽から取り出してアルカリ水溶液中に浸漬しな
がら超音波処理したところ、レジスト膜が剥離して、ポ
リイミドフィルム上に、1ピッチ2.5 n mm、導
体中1輔の導体回路が形成された。
チ1511mmとして導体中を1咽としたアルカリ剥離
タイプのメツキレシストを1μコートした。(メンキレ
ジストコートL54+n+n巾、コートなし1閉巾)、
次に、真空槽で100℃2分の加熱を行ない、さらにD
Oグロー放電を1分処理した後、スパッタリングにより
銅を10. OQ Q Aの厚さにコートも4した。こ
れを真空槽から取り出してアルカリ水溶液中に浸漬しな
がら超音波処理したところ、レジスト膜が剥離して、ポ
リイミドフィルム上に、1ピッチ2.5 n mm、導
体中1輔の導体回路が形成された。
実施例2
フッ素系フィルム〔四フッ化エチレンー六フッ化プロピ
レン共重合体(以下FEPと略称)〕の〕フィルム5″
JprnF−1実力例と旦様〒メツ謳レジストを用いて
回路として1ピツチ254〒、導体中1咽としてレジス
トを10μmコートした。
レン共重合体(以下FEPと略称)〕の〕フィルム5″
JprnF−1実力例と旦様〒メツ謳レジストを用いて
回路として1ピツチ254〒、導体中1咽としてレジス
トを10μmコートした。
(メツキレシストコートL5’4+m巾、コートなし1
咽巾)、次に、真空槽中で90℃1分の加熱を行ない、
さらに、DCグロー放電で1分処理した後、スパッタリ
ングにより銅を10. OOOAの厚さにコートした。
咽巾)、次に、真空槽中で90℃1分の加熱を行ない、
さらに、DCグロー放電で1分処理した後、スパッタリ
ングにより銅を10. OOOAの厚さにコートした。
これを真空槽から取り出してアルカリ水溶液中に浸漬し
ながら超音波処理を行なったところ、レジスト膜が剥離
して、FEPフィルム上に1ピッチ2.54 trrm
、導体中1間の導体回路が形成された。
ながら超音波処理を行なったところ、レジスト膜が剥離
して、FEPフィルム上に1ピッチ2.54 trrm
、導体中1間の導体回路が形成された。
比較例1
実施例2のFEPフィルムを用いて、耐メツキレシスト
により回路を形成した後、真空槽中での前処理をせず、
スパッタリングにより銅を10.00OAの厚さにコー
トした。これを真空槽から取り出しアルカリ水溶液中に
浸漬しながら超音波処理を行なったところ、レジスト膜
と銅が剥離してしまいFEPフィルム上には回路が形成
されなかった。
により回路を形成した後、真空槽中での前処理をせず、
スパッタリングにより銅を10.00OAの厚さにコー
トした。これを真空槽から取り出しアルカリ水溶液中に
浸漬しながら超音波処理を行なったところ、レジスト膜
と銅が剥離してしまいFEPフィルム上には回路が形成
されなかった。
実施例5
ポリエステルフィルム(厚さ50μm)Kフルカリ剥離
タイプのエツチングレジストを1ピッチメジ4間として
導体中をL 27 rmn (エツチングレジストコー
ト127mm巾コートなしL 27 tma )で厚さ
5μmにコートした9次に、真空槽中で90℃で2分加
熱し、さらに、DCグロー放電を1分処理した後、スパ
ッタリングにより銅を5. OOOAの厚さにコートし
た。これを真空槽から取シ出してアルカリ水溶液中に浸
漬しながら超音波処理したところレジスト膜が剥離して
ポリイミドフィルム上に、1ピッチ2.54mm導体巾
L27+mnの導体回路が形成された。
タイプのエツチングレジストを1ピッチメジ4間として
導体中をL 27 rmn (エツチングレジストコー
ト127mm巾コートなしL 27 tma )で厚さ
5μmにコートした9次に、真空槽中で90℃で2分加
熱し、さらに、DCグロー放電を1分処理した後、スパ
ッタリングにより銅を5. OOOAの厚さにコートし
た。これを真空槽から取シ出してアルカリ水溶液中に浸
漬しながら超音波処理したところレジスト膜が剥離して
ポリイミドフィルム上に、1ピッチ2.54mm導体巾
L27+mnの導体回路が形成された。
(発明の効果)
本発明方法によれば寸法精度に優れた導体回路をもった
極薄のテープ電線が連続的に製造できるものでありその
工業的価値は極めて大きいものである。
極薄のテープ電線が連続的に製造できるものでありその
工業的価値は極めて大きいものである。
Claims (1)
- プラスチックのフィルム表面に、回路に不必要な部分に
レジストをコートした後、蒸発粒子エネルギーが1eV
以上の物理的蒸着手段により前記フィルム表面に金属を
300Å〜50,000Åの厚さに付着せしめ、ついで
レジストを剥離することにより回路に必要な導体部を形
成することを特徴とするテープ電線の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18508784A JPS6164011A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | テ−プ電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18508784A JPS6164011A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | テ−プ電線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164011A true JPS6164011A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16164599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18508784A Pending JPS6164011A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | テ−プ電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164011A (ja) |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP18508784A patent/JPS6164011A/ja active Pending
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