JPS6167228A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
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- JPS6167228A JPS6167228A JP59187916A JP18791684A JPS6167228A JP S6167228 A JPS6167228 A JP S6167228A JP 59187916 A JP59187916 A JP 59187916A JP 18791684 A JP18791684 A JP 18791684A JP S6167228 A JPS6167228 A JP S6167228A
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- JP
- Japan
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- silicon
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- carbon
- polyimide
- aromatic
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は微細パターン形成法に係シ、特に半導体集積回
路素子、薄膜エレクトロニクス素子等の絶縁層やパッシ
ベーション層として用いるポリイミド膜の微細パターン
形成法に関する。
路素子、薄膜エレクトロニクス素子等の絶縁層やパッシ
ベーション層として用いるポリイミド膜の微細パターン
形成法に関する。
半導体は、素子の高集積化に伴って、配線の微細化と共
に絶縁膜における穴にも微細化が必要である。ポリイミ
ド絶縁膜の微細加工法は、ＡＣ５Ｓｙｍｐ、 Ｓａｒ、
Ｉａ、ａ（１５’ａ２）でＧ、 ＳａｍＷｅｌｓｏｎ
によって”Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｆｏｒ ＭＬＬｌｔｉ
ｌｅｖｇｌ〆ｓｌｙＬａｒｇ＠−Ｓｃａｌｇ Ｉｒｈｔ
ｇｒａｔｉｏｎ （ＶＬＳＩ ） ” と題する文献
で論じられている。
に絶縁膜における穴にも微細化が必要である。ポリイミ
ド絶縁膜の微細加工法は、ＡＣ５Ｓｙｍｐ、 Ｓａｒ、
Ｉａ、ａ（１５’ａ２）でＧ、 ＳａｍＷｅｌｓｏｎ
によって”Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｆｏｒ ＭＬＬｌｔｉ
ｌｅｖｇｌ〆ｓｌｙＬａｒｇ＠−Ｓｃａｌｇ Ｉｒｈｔ
ｇｒａｔｉｏｎ （ＶＬＳＩ ） ” と題する文献
で論じられている。
この文献では、０．５〜３μ扉の微細穴あけを行なうの
に、ポリイミド膜の上にプラズマ加速Ｓｔ Ｏ！または
ＳＬＡを堆積させてドライエツチングに耐える無機膜を
薄く形成し、この膜のうえに更にレジスト膜のパターン
を形成し、このパターンをエツチングマスクとしてプラ
ズマエツチングによって前記無機膜をパターン化し、更
にこのパターンをエノチングマ７りとして反応性イオン
エツチングや反応性イオンミリング等の異方性ドライエ
ツチングによってポリイミドのパターンを形成し、最後
にプラズマエツチングによって上層無機膜を除去し、最
終的にポリイミドの穴あけパターンを形成する方法をと
っている。
に、ポリイミド膜の上にプラズマ加速Ｓｔ Ｏ！または
ＳＬＡを堆積させてドライエツチングに耐える無機膜を
薄く形成し、この膜のうえに更にレジスト膜のパターン
を形成し、このパターンをエツチングマスクとしてプラ
ズマエツチングによって前記無機膜をパターン化し、更
にこのパターンをエノチングマ７りとして反応性イオン
エツチングや反応性イオンミリング等の異方性ドライエ
ツチングによってポリイミドのパターンを形成し、最後
にプラズマエツチングによって上層無機膜を除去し、最
終的にポリイミドの穴あけパターンを形成する方法をと
っている。
また、５ｏｌｔｄ ５ｔａｔｅ ＴｅｃｈｒＬｏｌｏｇ
ｙ 日本版第６４頁（１９８Ｍ ）でＨｏＪ、Ｌｉル
は、「多膚しジヌトシステムとそのプロセス」と題して
、平坦な下地の上に薄いレジスト層を設けるとレジスト
解像性が極めて良くなる現象を応用して、基板下地の段
差を平坦化するのに十分な厚膜の有機層の上に感光性を
持つＧｇ Ｘ Ｓａ １−エカルコゲナイドガラス、電
子ビームやＤｇｇ ｐ −ＵＶ光に感応するポリシロキ
サンの薄膜を形成し、次いでこれらの高解像パターンを
形成し、次にこれらパターンをエツチングマスクとして
異方性エツチングすることによって高解像有機膜パター
ンを形成している。
ｙ 日本版第６４頁（１９８Ｍ ）でＨｏＪ、Ｌｉル
は、「多膚しジヌトシステムとそのプロセス」と題して
、平坦な下地の上に薄いレジスト層を設けるとレジスト
解像性が極めて良くなる現象を応用して、基板下地の段
差を平坦化するのに十分な厚膜の有機層の上に感光性を
持つＧｇ Ｘ Ｓａ １−エカルコゲナイドガラス、電
子ビームやＤｇｇ ｐ −ＵＶ光に感応するポリシロキ
サンの薄膜を形成し、次いでこれらの高解像パターンを
形成し、次にこれらパターンをエツチングマスクとして
異方性エツチングすることによって高解像有機膜パター
ンを形成している。
上記に示した方法は、いずれも微細なパターンを得るに
は極めて有効である。しかし前者は三層の膜を順次パタ
ーン化するので工程が繁雑であり、工程数が長かった。
は極めて有効である。しかし前者は三層の膜を順次パタ
ーン化するので工程が繁雑であり、工程数が長かった。
また後者は、異方性ドライエツチングのエツチングマス
クとして用いる上層パターンを除去する工程がおるため
工程数が多かった・ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、簡単に微細ポリイミドパターンを形成
する方法を提供するにある。
クとして用いる上層パターンを除去する工程がおるため
工程数が多かった・ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、簡単に微細ポリイミドパターンを形成
する方法を提供するにある。
卯ちポリイミド絶縁膜上に耐ドライエツチング性の良い
ドライエツチング時のマスクパターンを、パターン形成
能を有するポリイミド前駆体又はポリイミド前躯体組成
物で形成すれは、下層のポリイミド膜をドライエツチン
グしてから、上層のポリイミドマスクを剥離することな
く絶縁膜として使用できるため、レジスト剥離工程が不
要となシ工程が簡単になる。
ドライエツチング時のマスクパターンを、パターン形成
能を有するポリイミド前駆体又はポリイミド前躯体組成
物で形成すれは、下層のポリイミド膜をドライエツチン
グしてから、上層のポリイミドマスクを剥離することな
く絶縁膜として使用できるため、レジスト剥離工程が不
要となシ工程が簡単になる。
そして、具体的には上記第２層ポリイミドパターンを、
ケイ素を含み、かつ光または放射線に感応するポリイミ
ド前駆体または前駆体組成物で形成すれは、これらの膜
はパターン形成能を持ちかつポリイミドに転化した後の
パターンが酸素プラズマ耐性が良好となシ本発明が完成
する・ ケイ素を含むポリイミドを用いると酸素プラズマ耐性の
高いパターンになるのは、この膜の表層で酸素プラズマ
とポリイミドのケイ素成分が反応し、酸素プラズマ耐性
が著しく強い酸化ケイ素に類似し几構造の極薄膜が形成
されるためと考えられる。
ケイ素を含み、かつ光または放射線に感応するポリイミ
ド前駆体または前駆体組成物で形成すれは、これらの膜
はパターン形成能を持ちかつポリイミドに転化した後の
パターンが酸素プラズマ耐性が良好となシ本発明が完成
する・ ケイ素を含むポリイミドを用いると酸素プラズマ耐性の
高いパターンになるのは、この膜の表層で酸素プラズマ
とポリイミドのケイ素成分が反応し、酸素プラズマ耐性
が著しく強い酸化ケイ素に類似し几構造の極薄膜が形成
されるためと考えられる。
次に、本発明で使用する材料などについて説明する。光
または放射線に感応して溶剤不溶化する含ケイ素ポリイ
ミド前躯体は、一般式（１）の繰り返し単位で表わされ
る重合体、 一般式（１）の繰り返し単位と一般式（２）または（３
）または（４）の繰り返し単位の共重合体、または一般
式（２）と（３）の繰り返し単位の共重合体、または一
般式（２）と（３）と（４）の繰り返し単位の共重合体
、以 下 余 白 （但し、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ８、ＲＩＯは芳香族環を含む４
価の有機基、Ｒ２、Ｒ１１はケイ素を含む２価の有機基
、Ｒ５は３価の有機基、Ｒ９は芳香族環を含む２価の有
機基、Ｂｓ、Ｒ？は放射線または光に感応して架橋する
炭素、炭素多重結合または芳香族アジド基を含む有機基
、Ｒ６は水素またはＲ３を表わす）を用いる。そして光
ま之は放射線に感応して溶剤不溶化する含ケイ素ポリイ
ミド前躯体組成物は、上記した含ケイ素ポリイミド前駆
体又は一般式（４）の重合体又は一般式（３）と（４）
の共重合体と芳香族ビスアジド光架橋剤または芳香族ア
ジド基を持つアミン化合物、または炭素、炭素多重結合
を持つアミン化合物とから成るものである。
または放射線に感応して溶剤不溶化する含ケイ素ポリイ
ミド前躯体は、一般式（１）の繰り返し単位で表わされ
る重合体、 一般式（１）の繰り返し単位と一般式（２）または（３
）または（４）の繰り返し単位の共重合体、または一般
式（２）と（３）の繰り返し単位の共重合体、または一
般式（２）と（３）と（４）の繰り返し単位の共重合体
、以 下 余 白 （但し、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ８、ＲＩＯは芳香族環を含む４
価の有機基、Ｒ２、Ｒ１１はケイ素を含む２価の有機基
、Ｒ５は３価の有機基、Ｒ９は芳香族環を含む２価の有
機基、Ｂｓ、Ｒ？は放射線または光に感応して架橋する
炭素、炭素多重結合または芳香族アジド基を含む有機基
、Ｒ６は水素またはＲ３を表わす）を用いる。そして光
ま之は放射線に感応して溶剤不溶化する含ケイ素ポリイ
ミド前躯体組成物は、上記した含ケイ素ポリイミド前駆
体又は一般式（４）の重合体又は一般式（３）と（４）
の共重合体と芳香族ビスアジド光架橋剤または芳香族ア
ジド基を持つアミン化合物、または炭素、炭素多重結合
を持つアミン化合物とから成るものである。
なお上層のポリイミドに共重合体を用いる場合は、共重
合体中にケイＳｔ含む繰り返し単位が２０％以上含まれ
ることが望ましい。これより少ない場合は、含ケイ素ポ
リイミドとした時に十分な酸素プラズマ耐性が得られな
い。
合体中にケイＳｔ含む繰り返し単位が２０％以上含まれ
ることが望ましい。これより少ない場合は、含ケイ素ポ
リイミドとした時に十分な酸素プラズマ耐性が得られな
い。
上記一般式（１１〜（４）で示される繰り返し単位中Ｒ
１，Ｒ４，Ｒ”、ＲＩＧは具体的には以下のものである
。
１，Ｒ４，Ｒ”、ＲＩＧは具体的には以下のものである
。
舎１台Ｏ舎、舎Ｏ□Ｏ番
（寵ｏ２舎、Ω◎・（Ｘ）
ＣＢ。
ＣＥ。
（式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。） Ｒ２，Ｒ１１は具体的にに、以下の一般式（５１、（６
１％式％ Ｒｔ ａ ／＜ ｔ ａ（但し、 Ｒｌ
ｔ、Ｒ１４は低級アルキレン、フェニレン、Ｒ１１１は
低級アルキル基、芳香族基を表わしルは１〜５の整数で
ろる）。即ち、以下のものＲ６は具体的には以下のもの
である。
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。） Ｒ２，Ｒ１１は具体的にに、以下の一般式（５１、（６
１％式％ Ｒｔ ａ ／＜ ｔ ａ（但し、 Ｒｌ
ｔ、Ｒ１４は低級アルキレン、フェニレン、Ｒ１１１は
低級アルキル基、芳香族基を表わしルは１〜５の整数で
ろる）。即ち、以下のものＲ６は具体的には以下のもの
である。
Ｒ９は具体的には以下のものでおる。
−０−０舎Ｏ舎、舎ｏ−＞◎−Ｏや−
Ｒ３は具体的には以下のものである。
ＯＣＥ、ＯＣ１ｉ。
−ＮＥＣＥ、ＣＥｔＤＣＣ冨ＣＥ！、 −ＮＨＣＥ、
ＣＭ、 ＣＭ、 ＯＣＣ＝Ｏ０ −ＮＨＣＨ，ＣＭ２ＱＣＣＭ−ＣＢ２．−ＮＨＣＥ２Ｃ
Ｂ、ＣＭ、０ＣＣＥ、、、ＣＢ、。
ＣＭ、 ＣＭ、 ＯＣＣ＝Ｏ０ −ＮＨＣＨ，ＣＭ２ＱＣＣＭ−ＣＢ２．−ＮＨＣＥ２Ｃ
Ｂ、ＣＭ、０ＣＣＥ、、、ＣＢ、。
−ＮＥＣＥ２ＣＥ、ＣＨ２０ＣＣ１ｌ−ＣＥＣＨ日ＣＢ
２ 。
２ 。
一０ＣＲ，ＣＭ、０ＣＣＨ＝ＣＩｉＣＨ＝ＣＨ，。
−０ＣＲ，ＣＨ，ＣＭ、０ＣＣＥ＝ＣＥＣＥ−ＣＢ、。
Ｒ″は具体的には以下のものである。
−ＣＯＣＨ２Ｃ１ｉ、Ｃ１１２０ＣＣＨ＝ ＣＢ２．−
ＣＯＣＨ，ＣＥ、ＱＣ◎Ｎ、。
ＣＯＣＨ，ＣＥ、ＱＣ◎Ｎ、。
０ Ｅ ＯＣＲ５
ＩＩ Ｉ ＩＩ １−Ｃ
Ｎ−ＣＨ，ＣＥ、ＯＣＣ＝ＩＩＣＥ、。
Ｎ−ＣＨ，ＣＥ、ＯＣＣ＝ＩＩＣＥ、。
ＯＨＯＣ１ｉ。
ＩＩ Ｉ ＩＩ １−
ＣＮＣＨ，ＣＨＩＣＢ、 ＣＣｆｆｉ ＣＥ、 。
ＣＮＣＨ，ＣＨＩＣＢ、 ＣＣｆｆｉ ＣＥ、 。
Ｏｌｌ υ
１日 １ｌ
−ＣＮＣＥ Ｃ１ｉ ０ＣＣＩＩ ＝ＣＢ、。
ｔ
ＯＨＯ
ＩＩ Ｉ １１−
ＣＮ ＣＥ、 ＣＭ、 ＣＥ！ＯＣＣＢコＣＥ、。
ＣＮ ＣＥ、 ＣＭ、 ＣＥ！ＯＣＣＢコＣＥ、。
ＯＲ００Ｒ０
０Ｅ Ｏ
ＯＥ Ｏ
本発明で用いる光または放射線に感応して浴剤不溶化す
る含ケイ素ポリイミド前駆体組成物は、上記した含ケイ
素ポリイミド前駆体又は一般式（４）のポリイミド前駆
体又は一般式（３）と（４）の共重合体と感度向上を目
的とし比以下に詳述する添加剤と混合して用いる。
る含ケイ素ポリイミド前駆体組成物は、上記した含ケイ
素ポリイミド前駆体又は一般式（４）のポリイミド前駆
体又は一般式（３）と（４）の共重合体と感度向上を目
的とし比以下に詳述する添加剤と混合して用いる。
添加剤として用いる芳香族ビスアジド化合物としては以
下のものである。
下のものである。
０ＣＲ８
ＣＯＣＢ
配合割合は含ケイ素ポリイミド前駆体１００重量に対し
０．５重量部以上５０重量部以下で用いることが望しい
、この範囲を逸脱すると増感効果が得られなかっ次り、
成膜性に悪影響を及はす。
０．５重量部以上５０重量部以下で用いることが望しい
、この範囲を逸脱すると増感効果が得られなかっ次り、
成膜性に悪影響を及はす。
添加剤として用いる炭素、炭素多重結合を持つアミン化
合物は具体的には以下のものである。
合物は具体的には以下のものである。
ＣＭ、 ＝ ＣＭ −Ｃ０ＣＥ、 ＣＭ、Ｎ （ｃＥ、
） 、 。
） 、 。
ＣＲ，−ＣＢ−ＣＯＣｌｌ、ＣＥ、ＣＢ、Ｎ （ｃＭ、
）、 。
）、 。
ＣＭ、 Ｏ
Ｉ ＩＩ
Ｃ’Ｈ，＝ Ｃ−ＣＯＣＢ、Ｃ１ｉ、Ｎ （ｃＨ，）、
。
。
ＣＢ、 ０
りＨ，＝ Ｃ−Ｃ０ＣＥ、ＣＥ２ＣＥ、Ｎ（ｃＭ、）
２ 。
２ 。
ＣＭ、 Ｏ
ＣＭ、−Ｃ−Ｃ０ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ，ＣＢ、Ｎ（ｃＭ、
）、。
）、。
ＣＭ、−ＣＨｘＣＭ−ＣＯＣＨ，ＣＢ、Ｎ （ｃＢ、）
２゜Ｃ１ｌ、 −ＣＭツＣＨ−Ｃ０ＣＨ，ＣＨ，ＣＢ、
Ｎ（ｃＭ、）、。
２゜Ｃ１ｌ、 −ＣＭツＣＨ−Ｃ０ＣＨ，ＣＨ，ＣＢ、
Ｎ（ｃＭ、）、。
ＣＥ、−ＣＭコＣＨ−ＣＥ＝ＣＥ−Ｃ０ＣＨ，ＣＢ、Ｎ
（ｃＭ、）２゜ＣＭ、−ＣＭ−Ｃ１ｌ−ＣＨ譚ＣＭ−Ｃ
ＯＣＥ、ＣＢ、ＣＭ、Ｎ （ｃＢ、）、。
（ｃＭ、）２゜ＣＭ、−ＣＭ−Ｃ１ｌ−ＣＨ譚ＣＭ−Ｃ
ＯＣＥ、ＣＢ、ＣＭ、Ｎ （ｃＢ、）、。
配合割合は含ケイ素ポリイミド前＆体１００重量部に対
し、１０重量部以上２００重量部以下で用いることが望
しい、この範囲を逸脱すると増感効果が得られなかった
υ、成膜性に悪影響を及はす。
し、１０重量部以上２００重量部以下で用いることが望
しい、この範囲を逸脱すると増感効果が得られなかった
υ、成膜性に悪影響を及はす。
添加剤として用いる芳香族ビスアジド基を持つアミン化
合物は具体的には以下のものである。
合物は具体的には以下のものである。
ＱＨ
Ｃ’Ｎ
Ｎ
Ｎ
Ｎ、◎Ｃ００ＣＥｔＮＨ２，Ｎ、◎Ｃ００ＣＢ、ＣＭ、
ＨＥ、 。
ＨＥ、 。
Ｎ、◎Ｃ００ＣＢ、 ＣＥ２Ｎ （ｃＭ、 ）、 。
Ｎ、Ｓｏ、◎Ｃ００ＣＥｔＮＨ！。
Ｎ、５０．◎Ｃ００ＣＨ，ＣＢ、ＮＥ、 。
Ｎ、５０．◎Ｃ００ＣＨ，ＣＢ、Ｎ （ｃＭ、 ）、
。
。
Ｎ１Ｓ偽◎Ｃ００ＣＥ、ＣＭ、ＣＭ、Ｎ （ｃＭ、 ）
ｔ 。
ｔ 。
配合割合は含ケイ素ポリイミド前駆体１００重量部に対
し、１０重量部以上２００重量部以下で用いることが望
ましい。この範囲を逸脱すると増感効果が得られなかっ
たシ、感膜性に悪影響を及ぼす。
し、１０重量部以上２００重量部以下で用いることが望
ましい。この範囲を逸脱すると増感効果が得られなかっ
たシ、感膜性に悪影響を及ぼす。
芳香族ビスアジド化合物と炭素、炭素多重結合を持つア
ミン化合物を併用する場合、配合量４含ケイ素ポリイミ
ド前駆体１ＣＩＧ重量部に対し前者は０．５重量部以上
５０重量以下、後者は１０重量部以上２００重量部以下
の割合で配合することが望ましい、この範囲を逸脱する
と増感効果が得られなかったり成膜性に悪影響を及はす
。
ミン化合物を併用する場合、配合量４含ケイ素ポリイミ
ド前駆体１ＣＩＧ重量部に対し前者は０．５重量部以上
５０重量以下、後者は１０重量部以上２００重量部以下
の割合で配合することが望ましい、この範囲を逸脱する
と増感効果が得られなかったり成膜性に悪影響を及はす
。
本発明で用いる含ケイ素ポリイミド前駆体または前駆体
組成物は、適当な有機溶剤に溶解した溶液状態で用いる
が、この場合用いる溶剤は溶解性の観点から非プロトン
性極性溶媒が望しく、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ
−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ。
組成物は、適当な有機溶剤に溶解した溶液状態で用いる
が、この場合用いる溶剤は溶解性の観点から非プロトン
性極性溶媒が望しく、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ
−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ。
Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−アセチル−６−カ
プロラクタム、ジメチルイミダゾリジノンなどが例とし
て挙げられる。これらは単独で用いても良いし、混合し
て用いることも可能である。
キサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−アセチル−６−カ
プロラクタム、ジメチルイミダゾリジノンなどが例とし
て挙げられる。これらは単独で用いても良いし、混合し
て用いることも可能である。
現像液としてはＮ−メチル−２−ピロリドンＮ−アセチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチルイミダゾ
リジノン、Ｎ−ベンジル−２−に’ａリドン、Ｎ−アセ
チル−１−カプロラクタム、ｒ−ブチロラクトンなどの
非プロトン性極性溶媒を単独あるいはメタノール、エタ
ノール、インプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン
、キシレン、メチルセロンルブ、水などのポリアミド酸
の非溶媒との混合液として用いることができる。
ル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチルイミダゾ
リジノン、Ｎ−ベンジル−２−に’ａリドン、Ｎ−アセ
チル−１−カプロラクタム、ｒ−ブチロラクトンなどの
非プロトン性極性溶媒を単独あるいはメタノール、エタ
ノール、インプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン
、キシレン、メチルセロンルブ、水などのポリアミド酸
の非溶媒との混合液として用いることができる。
現像によって形成したレリーフ・パターンは次いでリン
ス液によって洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液に
は現像液との混和性の良いポリアミド酸の非溶媒を用い
るが、メタノールエタノール、インプロピルアルコール
、水、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロンル
プなどが好適な例として挙けられる。
ス液によって洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液に
は現像液との混和性の良いポリアミド酸の非溶媒を用い
るが、メタノールエタノール、インプロピルアルコール
、水、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロンル
プなどが好適な例として挙けられる。
次に微細ポリイミドパターン形成工程について説明する
。
。
図の（α）に示すように基板１上に下層ボリミイドＮ２
をスピンコードなどの周知技術で形成し図の（ｂ）に示
すように光または放射線に感応して溶剤不溶化する含ケ
イ素ポリイミド前駆体または前駆体組成物の浴液をポリ
イミド層２上に塗布し、５０°Ｃ以上１２０℃以下の温
度で乾燥して上層ポリイミド層３を形成する。この上層
ポリイミド層３にＵＶ光やＤｅｅｐ −ＵＶ光などの光
または電子線、Ｘ線などの放射線を所望の場所、に照射
して溶剤不溶化せしめ、溶媒で非照射部分を溶解除去し
、リンスして図の（ｃ）に示すように含ケイ素ポリイミ
ド前駆体又は前躯体組成物被膜４のパターンを形成する
。この時、高解像パターンを得るために０，０５〜２μ
ｍ程度の薄い膜とすることが望しい０次に図の（ｄ）に
示すように溶剤不溶化した含ケイ素ポリイミド前駆体ま
たは前躯体組成物を１５０“０以上ｓｏｏ’ｏ以下の温
度で加熱硬化し、含ケイ素ポリイミド層５のパターンに
転化する。次に図の（りに示すように酸素プラズマ処理
によって含ケイ素ポリイミドの表面に耐酸素プラズマ層
６を形成すると同時に含ケイ素ポリイミドをエツチング
する。その後口のび）に示すようにエツチングを進めて
基板面までＴ１ポリイミドを除去して完全にパターン化
し、耐酸素プラズマ層、含ケイ素ポリイミド層、下層ポ
リイミド層の３層から成る微細ポリイミドパターンを得
る。この時、高解像パターンを得るには平行平板反応性
イオンエツチング（ＲＩＥ）や電子シンクロトロン共鳴
反応性イオンエツチング（ＥＣＲ、ＲＩＥ ）等の異方
性酸素プラズマエツチング法を用いることが望しい。
をスピンコードなどの周知技術で形成し図の（ｂ）に示
すように光または放射線に感応して溶剤不溶化する含ケ
イ素ポリイミド前駆体または前駆体組成物の浴液をポリ
イミド層２上に塗布し、５０°Ｃ以上１２０℃以下の温
度で乾燥して上層ポリイミド層３を形成する。この上層
ポリイミド層３にＵＶ光やＤｅｅｐ −ＵＶ光などの光
または電子線、Ｘ線などの放射線を所望の場所、に照射
して溶剤不溶化せしめ、溶媒で非照射部分を溶解除去し
、リンスして図の（ｃ）に示すように含ケイ素ポリイミ
ド前駆体又は前躯体組成物被膜４のパターンを形成する
。この時、高解像パターンを得るために０，０５〜２μ
ｍ程度の薄い膜とすることが望しい０次に図の（ｄ）に
示すように溶剤不溶化した含ケイ素ポリイミド前駆体ま
たは前躯体組成物を１５０“０以上ｓｏｏ’ｏ以下の温
度で加熱硬化し、含ケイ素ポリイミド層５のパターンに
転化する。次に図の（りに示すように酸素プラズマ処理
によって含ケイ素ポリイミドの表面に耐酸素プラズマ層
６を形成すると同時に含ケイ素ポリイミドをエツチング
する。その後口のび）に示すようにエツチングを進めて
基板面までＴ１ポリイミドを除去して完全にパターン化
し、耐酸素プラズマ層、含ケイ素ポリイミド層、下層ポ
リイミド層の３層から成る微細ポリイミドパターンを得
る。この時、高解像パターンを得るには平行平板反応性
イオンエツチング（ＲＩＥ）や電子シンクロトロン共鳴
反応性イオンエツチング（ＥＣＲ、ＲＩＥ ）等の異方
性酸素プラズマエツチング法を用いることが望しい。
下層ポリイミドに用いるものは、ケイ素を含まないもの
であれは良いが、絶縁層として用いる場合高耐熱性が必
要なことから全芳香族ポリイミドが望ましい、これらは
多種類が市販されておυ、これらの中から適宜選択でき
る。
であれは良いが、絶縁層として用いる場合高耐熱性が必
要なことから全芳香族ポリイミドが望ましい、これらは
多種類が市販されておυ、これらの中から適宜選択でき
る。
以下、本発明を実施例によって更に説明する。
実施例１
シリコン基板上に全芳香族系ポリイミド（日立化成製、
商品名ＰＩＱ ）を２μｍの淳さに形成し友。
商品名ＰＩＱ ）を２μｍの淳さに形成し友。
次に式（７）の繰り返し単位で表わされる含ケイ素ポリ
イミド前駆体のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形
分濃度２０％）をスピンナで上記 れポリイミド層
の上に回転塗布し、次いで７０°Ｃで し３０分間
乾燥してα５μｍの被膜を得た。 微ｊ実
１ ・・・（７） ド Ｘｔ−ｊｉｇ灯を照射源とするＤｇｇｐ−ＵＶ投影露光
装置を照射装置として用い、照射量５００−／−“（２
５４ｒＬｒＩＬ）のＤｔｅＰ−ＵＶ光を場所的に照射し
、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３容、メタノール２容か
らなる現像液で現像した後、エタノールでリンスして最
小寸法０．８μｍのストライブ状ノくターンを得た。
シ次に３５０℃で
３０分間加熱（Ｎ！中）し、上記ポリ たイミド前
駆体のパターンをポリイミドのノくター 順ン転化
した。 し次に平
行平板形反応性イオンエツチング装置を用い、酸素圧２
ｍＴｏｒｒ、流量５０ ｚｃｃｍ 、投入電力密度０．
６５ Ｗ／−の条件で酸素プラズマによる異方性エツチ
ングを行ない、上層にパターン化さｔ含ケイ素ポリイミ
ドパターンを忠実に転写を最小寸法０．８μｍ膜厚２．
２μｍのストライプ状四ポリイミドパターンを得た。
イミド前駆体のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形
分濃度２０％）をスピンナで上記 れポリイミド層
の上に回転塗布し、次いで７０°Ｃで し３０分間
乾燥してα５μｍの被膜を得た。 微ｊ実
１ ・・・（７） ド Ｘｔ−ｊｉｇ灯を照射源とするＤｇｇｐ−ＵＶ投影露光
装置を照射装置として用い、照射量５００−／−“（２
５４ｒＬｒＩＬ）のＤｔｅＰ−ＵＶ光を場所的に照射し
、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３容、メタノール２容か
らなる現像液で現像した後、エタノールでリンスして最
小寸法０．８μｍのストライブ状ノくターンを得た。
シ次に３５０℃で
３０分間加熱（Ｎ！中）し、上記ポリ たイミド前
駆体のパターンをポリイミドのノくター 順ン転化
した。 し次に平
行平板形反応性イオンエツチング装置を用い、酸素圧２
ｍＴｏｒｒ、流量５０ ｚｃｃｍ 、投入電力密度０．
６５ Ｗ／−の条件で酸素プラズマによる異方性エツチ
ングを行ない、上層にパターン化さｔ含ケイ素ポリイミ
ドパターンを忠実に転写を最小寸法０．８μｍ膜厚２．
２μｍのストライプ状四ポリイミドパターンを得た。
電例２〜７
廓１表にム２〜７に示した含ケイ素ボリイミ肪躯体を用
いた実験例を示す。
いた実験例を示す。
Ｆ式で示されるポリイミド前駆体のＮ−メチ−２−ピロ
リドン溶液（固形分濃度１５％）をＯ リコン基板上にスピンナを用いて回転塗布し汝２００℃
３０分間、３５０℃３０分間（Ｎ、中）の【加熱して２
μｍ厚の下層ポリイミド層を形成た。
リドン溶液（固形分濃度１５％）をＯ リコン基板上にスピンナを用いて回転塗布し汝２００℃
３０分間、３５０℃３０分間（Ｎ、中）の【加熱して２
μｍ厚の下層ポリイミド層を形成た。
以 下 余 白
次に第１表屋２〜７に示し次官ケイ素ポリイミド前駆体
のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃度２０チ
）を上記ポリイミド層の上にスピンナで回転塗布し、８
０゛０で３０分間乾燥して０．４〜０，６μｍの被膜を
形成し次。
のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃度２０チ
）を上記ポリイミド層の上にスピンナで回転塗布し、８
０゛０で３０分間乾燥して０．４〜０，６μｍの被膜を
形成し次。
次にＸ５−Ｂｙ灯を光源とするＤｅｅｐ−ＵＶ投影露光
装置を用いて第１表に示す照射量をそれぞれ場所的に照
射し、Ｎ−メチル−２ピロリドン５容、エタノール３容
から成る現像液で現像し、エタノールでリンスして最小
寸法０．８〜１．０μｍのストライプ状パターンを得た
。
装置を用いて第１表に示す照射量をそれぞれ場所的に照
射し、Ｎ−メチル−２ピロリドン５容、エタノール３容
から成る現像液で現像し、エタノールでリンスして最小
寸法０．８〜１．０μｍのストライプ状パターンを得た
。
次に３５０℃で３０分間加熱し、上記ポリイミド前駆体
のパターンをポリイミドのパターンに転化した。
のパターンをポリイミドのパターンに転化した。
次に平行平板形反応性イオンエツチング装置を用い、酸
素圧２ｍＴｏｒｒ 、流ｉ ５Ｑ ｚｃｃｍ 、投入電
力密度０．６５Ｗ／−の条件で酸素プラズマによる異方
性エツチングを行なった。
素圧２ｍＴｏｒｒ 、流ｉ ５Ｑ ｚｃｃｍ 、投入電
力密度０．６５Ｗ／−の条件で酸素プラズマによる異方
性エツチングを行なった。
第１表に示すようにＡ２〜７のいずれにおいても上層に
パターン化された含ケイ素ポリイミドパターンを忠実に
転写し友最小寸法０．８〜１μｍのストライプ状微細ポ
リイミドパターンを得ることができ九。
パターン化された含ケイ素ポリイミドパターンを忠実に
転写し友最小寸法０．８〜１μｍのストライプ状微細ポ
リイミドパターンを得ることができ九。
実施例８〜１３
第２表にＡ８〜１３に示し九含ケイ素ポリイミド前駆体
組成物を用いた実険例を示す。
組成物を用いた実険例を示す。
下式で示されるポリイミド前躯体のＮ−メチル−２−ピ
ロリドン溶液（固形分濃度１５％）をシリコン基板上に
スピンナを用いて回転塗布した後２００“０３０分間、
３５０℃３０分間（Ｎ、中）の順に加熱して２μｍ厚の
下層ポリイミド層を形成しｔｏ 以 下 余 白 次に第２表Ａ８〜１３に示した含ケイ素ポリイミド前駆
体組成物のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃
度２０％）を上記ポリイミド層の上にスピンナで回転塗
布し、８０”０で３０分間乾燥して０．４〜０．６μｍ
の被膜を形成した。
ロリドン溶液（固形分濃度１５％）をシリコン基板上に
スピンナを用いて回転塗布した後２００“０３０分間、
３５０℃３０分間（Ｎ、中）の順に加熱して２μｍ厚の
下層ポリイミド層を形成しｔｏ 以 下 余 白 次に第２表Ａ８〜１３に示した含ケイ素ポリイミド前駆
体組成物のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃
度２０％）を上記ポリイミド層の上にスピンナで回転塗
布し、８０”０で３０分間乾燥して０．４〜０．６μｍ
の被膜を形成した。
次にＡ８〜１１に対しては高圧水銀灯を光源とする１／
１ｏ縮小投影露光装置、Ａ１２，１３に対しては実施例
１〜７で用いたＩｈａｐ−（ＪＶ露光装置を用いてそれ
ぞれ第２表に示した紫外線またはＤａｍｐ−ＵＶ光の照
射量を場所的に照射し、Ｎ−メチル−２−ピｃｔ ＩＪ
トン４容、水１容から成る現像液で現像し、エタノール
でリンスして最小寸法０．５〜１μｍのストライブ状パ
ターンを得ｆＣ６次に３５０℃で３０分間加熱し、上記
ポリイミド前駆体組成物のパターンをポリイミドのパタ
ーンに転化した。
１ｏ縮小投影露光装置、Ａ１２，１３に対しては実施例
１〜７で用いたＩｈａｐ−（ＪＶ露光装置を用いてそれ
ぞれ第２表に示した紫外線またはＤａｍｐ−ＵＶ光の照
射量を場所的に照射し、Ｎ−メチル−２−ピｃｔ ＩＪ
トン４容、水１容から成る現像液で現像し、エタノール
でリンスして最小寸法０．５〜１μｍのストライブ状パ
ターンを得ｆＣ６次に３５０℃で３０分間加熱し、上記
ポリイミド前駆体組成物のパターンをポリイミドのパタ
ーンに転化した。
次に平行平板形反応性イオンエツチング装置を用い、酸
素圧２ｍＴｏｒｒ 、流量５０ ｒｃｃｉｎ 、投入電
力密度０．６５Ｆ／−の条件で酸素プラズマによる異方
性エツチングを行なった。
素圧２ｍＴｏｒｒ 、流量５０ ｒｃｃｉｎ 、投入電
力密度０．６５Ｆ／−の条件で酸素プラズマによる異方
性エツチングを行なった。
第２表に示すようにＡ８〜１３のいずれにおいても上層
にパターン化され次官ケイ素ポリイミドパターンを忠実
に転写し７ｔ＊小寸法０．５〜１μｍのストライプ状ポ
リイミドパターンを得ることができ次。
にパターン化され次官ケイ素ポリイミドパターンを忠実
に転写し７ｔ＊小寸法０．５〜１μｍのストライプ状ポ
リイミドパターンを得ることができ次。
実施例１４〜１９
第３表にＡＩ４〜１９に示した含ケイ素ポリイミド前駆
体を用い、電子線描画によって上層パターンを形成する
実験例を示す。
体を用い、電子線描画によって上層パターンを形成する
実験例を示す。
下式で示されるポリイミド前駆体のＮ−メチル−２−ピ
ロリドン浴液（固形分濃度１５％）をシリコン基板上に
ヌビ／すを用いて回転塗布した後２００℃３０分間、３
５０℃３０分間（Ｎ２中）の順に加熱して１．５μｍ厚
の下層ポリイミド層を形成した。
ロリドン浴液（固形分濃度１５％）をシリコン基板上に
ヌビ／すを用いて回転塗布した後２００℃３０分間、３
５０℃３０分間（Ｎ２中）の順に加熱して１．５μｍ厚
の下層ポリイミド層を形成した。
以 下 余 白
次に第３表４１４〜１９に示した含ケイ素ポリイミド前
駆体のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃度２
０％）を上記ポリイミド層の上にスピンナで回転塗布し
、８０℃で６０分間乾燥して０．４〜０．６μｍの被膜
を形成し友。
駆体のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃度２
０％）を上記ポリイミド層の上にスピンナで回転塗布し
、８０℃で６０分間乾燥して０．４〜０．６μｍの被膜
を形成し友。
次に電子線描画装置を用い、第３表に示した照射量で場
所的に電子線照射し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５容
、エタノール３容から成る現像液で現像し、エタノール
でリンスして最小寸法０．５〜０．８μｍのストライプ
状パターンを得た。
所的に電子線照射し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５容
、エタノール３容から成る現像液で現像し、エタノール
でリンスして最小寸法０．５〜０．８μｍのストライプ
状パターンを得た。
次に３５０℃で３０分間加熱し、上記ポリイミド前駆体
のパターンをポリイミドのパターンに転化した。
のパターンをポリイミドのパターンに転化した。
次に電子シンクロトロン共鳴反応性イオンエツチング装
置を用い、酸素圧１ｍＴ ｏｒｒ 、流量５０ｓｃｃｍ
、マイクロ波人力８Ｗの条件で酸素プラズマによる異方
性エツチングを行なっ友。
置を用い、酸素圧１ｍＴ ｏｒｒ 、流量５０ｓｃｃｍ
、マイクロ波人力８Ｗの条件で酸素プラズマによる異方
性エツチングを行なっ友。
第６表に示すようにＡＩ４〜１９のいずれにおいても上
層にパターン化された含ケイ素ポリ−ｆミドパターンを
忠実に転写した最小寸法０．５〜０．８μｍのストライ
プ状ポリイミドパターンを得ることができた。
層にパターン化された含ケイ素ポリ−ｆミドパターンを
忠実に転写した最小寸法０．５〜０．８μｍのストライ
プ状ポリイミドパターンを得ることができた。
以上詳述したように、本発明によれば少ない工数で微細
なポリイミドパターンを形成することができるので高集
積半導体素子等の価格低減に大きく寄与することができ
る。
なポリイミドパターンを形成することができるので高集
積半導体素子等の価格低減に大きく寄与することができ
る。
形成法を工程順に示し几断面図でるる。
１・・・・・・・・・・・・基板
２・・・・・・・・・・・・下部ポリイミド層３・・・
・・・・・・・・・光または放射線に感応する含ケイ素
ポリイミド前駆体または前駆体被膜 ４・・・・・・・・・・・・溶剤不溶化した含ケイ素ポ
リイミド前駆体また前駆体組成物被膜
・・・・・・・・・光または放射線に感応する含ケイ素
ポリイミド前駆体または前駆体被膜 ４・・・・・・・・・・・・溶剤不溶化した含ケイ素ポ
リイミド前駆体また前駆体組成物被膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にポリイミド絶縁膜を形成する工程と、該ポ
リイミド絶縁膜上に光または放射線に感応して溶剤不溶
化する含ケイ素ポリイミド前駆体又は前駆体組成物の溶
液を塗布し、５０℃以上１２０℃以下の温度で乾燥して
含ケイ素ポリイミド前駆体又は前駆体組成物被膜を形成
する工程と、これら被膜の所望の場所に光または放射線
照射して溶剤に対して不溶化せしめる工程、溶剤現像す
る工程、リンスして所望の含ケイ素ポリイミド前駆体ま
たは前駆体組成物のパターンを形成する工程、１５０℃
以上５００℃以下の温度で加熱硬化して上記の含ケイ素
ポリイミド前駆体または前駆体組成物のパターンを含ケ
イ素ポリイミドパターンに転化する工程、酸素プラズマ
処理で上記含ケイ素ポリイミドパターン表層に酸素プラ
ズマ耐性に優れた表面層を形成すると同時にこの表面層
を酸素プラズマに対するエッチングマスクとし、含ケイ
素ポリイミドパターンに覆われていない下層ポリイミド
層をエッチング除去し、上層の含ケイ素ポリイミドと下
層のポリイミドよりなる二層構造を持つポリイミド絶縁
膜のパターンを形成する工程とからなることを特徴とす
る微細パターン形成法。 ２、前記の光または放射線に感応して溶剤不溶化する含
ケイ素ポリイミド前駆体が、 （ａ）一般式（１）の繰り返し単位のみからなる重合体
、 （ｂ）一般式（１）、（２）の繰り返し単位よりなる共
重合体、 （ｃ）一般式（１）、（３）の繰り返し単位よりなる共
重合体、 （ｄ）一般式（１）、（４）の繰り返し単位よりなる共
重合体、 （ｅ）一般式（２）、（３）の繰り返し単位よりなる共
重合体、もしくは （ｆ）一般式（２）、（３）、（４）の繰り返し単位よ
りなる共重合体、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（２） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（３） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（４） （但し、Ｒ＾１、Ｒ＾４、Ｒ＾８、Ｒ＾１＾０は芳香族
環を含む価の有機基、Ｒ＾２、Ｒ＾１＾１はケイ素を含
む２価の有機基、Ｒ＾５は３価の有機基、Ｒ＾９は芳香
族環を含む２価の有機基、Ｒ＾３、Ｒ＾７は放射線また
は光に感応して架橋する炭素、炭素多重結合または芳香
族アシド基を含む有機基、Ｒ＾６は水素またはＲ＾３を
表わす）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の微細パターン形成法。 ３、前記の光または放射線に感応して溶剤不溶化する含
ケイ素ポリイミド前駆体組成物が、（ａ）一般式（１）
の繰り返し単位のみからなる重合体、 （ｂ）一般式（１）、（２）の繰り返し単位よりなる共
重合体、 （ｃ）一般式（１）、（３）の繰り返し単位よりなる共
重合体、 （ｄ）一般式（１）、（４）の繰り返し単位よりなる共
重合体、 （ｅ）一般式（２）、（３）の繰り返し単位よりなる共
重合体、もしくは （ｆ）一般式（２）、（３）、（４）の繰り返し単位よ
りなる共重合体と、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（２） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（３） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（４） （但し、Ｒ＾１、Ｒ＾４、Ｒ＾８、Ｒ＾１＾０は芳香族
環を含む４価有機基、Ｒ＾２、Ｒ＾１＾１はケイ素を含
む２価の有機基、Ｒ＾５は３価の有機基、Ｒ＾９は芳香
族環を含む２価の有機基、Ｒ＾３、Ｒ＾７は放射線また
は光に感応して架橋する炭素、炭素多重結合または芳香
族アジド基を含む有機基、Ｒ＾６は水素またはＲ＾３を
表わす。） （ｇ）芳香族ビスアジド光架橋剤、芳香族ビスアジド基
を持つアミン化合物、炭素、炭素多重結合を有するアミ
ン化合物、もしくは芳香族ビスアドド光架橋剤と炭素、
炭素多重結合を持つアミン化合物よりなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の微細パターン形成法。 ４、前記の光または放射線に感応して溶剤不溶化するポ
リイミド前駆体組成物が、 （ｈ）一般式（４）の繰り返し単位よりなる重合体と、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（４） （但し、Ｒ＾１＾０は芳香族環を含む４価の有機基、Ｒ
＾１＾１はケイ素を含む２価の有機基を表わす。）（ｇ
）芳香族ビスアジド光架橋剤、芳香族ビスアジド基を持
つアミン化合物、炭素、炭素 多重結合を持つアミン化合物、もしくは芳 香族ビスアジド光架橋剤と炭素、炭素多重 結合を持つアミン化合物よりなることを特 徴とする特許請求の範囲第１項記載の微細 パターン形成法。 ５、前記の光または放射線に感応して溶剤不溶化するポ
リイミド前駆体組成物が、 （ｉ）一般式（３）、（４）の繰り返し単位よりなる共
重合体と、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（３） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（４） （但し、Ｒ＾８、Ｒ＾１＾０は芳香族環を含む４価の有
機基、Ｒ＾９は芳香族環を含む２価の有機基、Ｒ＾１＾
１はケイ素を含む２価の有機基を表わす。） （ｇ）芳香族ビスアジド光架橋剤、芳香族ビスアジド基
を持つアミン化合物、炭素、炭素多重結合を有するアミ
ン化合物、もしくは芳香族ビスアジド光架橋剤と炭素、
炭素多重結合を持つアミン化合物よりなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の微細パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187916A JPS6167228A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187916A JPS6167228A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167228A true JPS6167228A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16214446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59187916A Pending JPS6167228A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167228A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0679633A1 (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-02 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Diaminobenzene derivatives and polyimides prepared therefrom |
| EP0477890A3 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-18 | Canon Kk | Processing method and apparatus |
| WO2021137599A1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP59187916A patent/JPS6167228A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477890A3 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-18 | Canon Kk | Processing method and apparatus |
| EP0908782A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method |
| US6025115A (en) * | 1990-09-26 | 2000-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method for etching a substrate |
| EP0679633A1 (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-02 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Diaminobenzene derivatives and polyimides prepared therefrom |
| WO2021137599A1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
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