JPS5843449A - 感光性重合体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は耐−性ポリイミドを与える新規な感光性重合体
組成物に関するものである。

従来、□耐熱性ポリイミドの前駆体たるポリアミド酸に
光感応性を付与する方法とじ−では（α）ポ１゜リアミ
ド酔に感光性添加剤として１〜５重量％′の重クロム酸
塩を力りえる方法（０５Ｐ　−５６２５８７０）（ｈ）
式（１）に示す感光基を有ｊ′るジカルボン酸ジ。

クロライド誘導体の異性体の混合物と式（２）に示。

−す多官能性環式 ＝ｃＨ＠＞ Ｈ２Ｎ−＠−ｏ−＠−ＮＨ２−（２） 化合物を付加重合又は重縮合させ、エステル残基に感光
基を有するポリアミド酸とする方法（１）Ｅ−Ｏ５２５
０８８５０’）。

（Ｃ）ポリアミド酸に化学線により２量化又は重合可能
な炭素−炭素二重結竺及び７ミ′基又はそ０四級化塩を
含む化合物を添加す、る方法（特開昭５４−１４５７９
４　）などが知られている。

これら′はいずれ越適当な有機溶剤に溶解したワンス状
態で基板に塗布し、乾燥して塗膜とした後、必要な場合
には適轡なフォトマスクを介しリフ・パターンを得てい
る。これらのパターンをさらに適当な加熱処理を行なう
事によりポリイミド化し、耐熱性（有する被膜としてい
る０ ポリイミド膜は半導体工業←おいて固体素子の絶縁層１
パツシベ一シヨン層として利用されているか、特に多層
配線に利用する場合、絶縁層に小孔を形成して上下の導
体層との導通を行なう必要があるが、これら素子には一
般に非常に微細な配線を要するためにその加工法として
はフォトレジストを用い−た微細加工技術を応用してい
る。例えば、ポリ２イミド層の上に７オトレジストのパ
ターンを形成し、その後１ポリイミドを化学エツチング
処理してしかる後にラオトレジスト′剥離液によって７
オトレジストを除去しポリイミドのレリーフ・パターン
Ｅ作って目的としている配線構造体に提供している。し
かしながらこれら微細加工プロセスは全体として非常に
繁雑番あるために、フォトレジスト膜１：に） の形成及びそ　”Ｉ！離プロセスを省略し得る方法とし
てポリイミドの前駆体に感光性を付与し、この塗膜を光
で直接微細化工し得る方法が望まれており、これを可能
ならしめる材料の開発が望まれで来た。これらの目的の
ため←開発された材料が上記（α）　、　（ｂ）　、　
（ｃ）に記したものであるがこれらのうち（α）に記し
た材料は、フェスとした時の液安定性が著しく悪く、シ
かも加工後のポリイミド竺、膜中に無機イオンが残るた
め絶縁性にも問題があり、また（ｂ）に記した材料の場
合上記（す、（２ンの化学物は粘調で、精製困難であり
、また得られたりしても高価になることや脱塩醗によっ
て生じる塩！イオンが、そのまま４中に残るため半導体
用途では信頼性に悪影響を及ぼす可能性があり好適では
なか−った。（Ｃ）に記した。Ｉｔ料はこれらの欠点を
改良した材料であるが、これらにおいても、感光感度が
低く一度の高い好率仲な材料の開発が望ま９て−いる。

ポリアミド酸を形成するポリマ主鎖はいずれも芳香環を
その鎖中に含んでおり、これらの基は自身紫外線を吸収
する。

たとえば式（５）に示すポリアミド酸はおおよそ５２０
ｎｍ　以下の紫外線を吸収する。このようなｌすの基に
よる紫外線吸収のために、感光基に供与される光量が制
限されることが感光性ポリアミド酸の低感度であること
の原因であると考えられた０増感剤による感度向上化も
、特に厚膜の場合、次の、ポリマ膜による光吸収の関係
膠（４）（永松・乾「感光性高分子」講談社）かｌらも
明らかなように効果が少い。

Ｅａ（、ｘ）＝　ｔｙｌｏａａ７”　　　　　−（４）
（ＥａＣｘ）　：厚さＸにおける光エーネルギ、ｔ；時
間、ν；膜の密度、Ｉｏ、；入射光強度、α；定数（通
常、時間の関数で経時と供に減少するが増感剤が介在す
る光反応の場合、経時変化しない）、ｅ；自然対数）テ
な、わち、増感剤を用いる場合には膜上層での光、吸収
の好率が経時と供に減少する事がないのマ、膜下層への
光がさえぎられ、従って膜下要部での光架橋の効率が低
下するという問題点があった。

本発明の目的は前記した従来技術の欠点をなくシ、安価
でしかも高性能な感光性重合体組成物・を提供す、るに
ある。特に感光感度の向上を目的とする。

感光性樹脂の感光感度を向上せしめる方法としては、一
般に感光基の光吸収効率を高めることを目的とする増感
剤を添加する方法が知られているが、上述した理由から
特に厚膜の、場合この方法は好適でない。他の方法とし
て、ポリマのくり返し単位あたりの感光基数を増加させ
、感光基密度を増加させることによって感度を向上させ
ることが可能である。この方法では−たん光吸収によっ
て反応した感光基は架橋鎖となって、古び光吸収基とは
成り得ないので、厚膜の場合においても有効である。本
発明ではポーリマ主鎖に感光基を有するポリアミド酸に
対してざらに同一分子内にポリアミド酸のカルボキシル
基とイオン結合し得るアジノ基と感光基を併゛い せもつ感光剤を添加することにより感光基密度の増大を
可能ならしめ、感度・ｊｔ、向上化を可能としている。

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明は一般式 （但し、式中Ｒ１＠Ｒ２、Ｒ３は芳香族環状基、Ｒ４は
水素又はアンモニウムイオン、Ｙは光によって重合又は
２量化する基、ＸはＲ３とＹをつなぐ２価の基、Ｗは水
素又はｘ−ｙＴｔ表わす。ｎは１又は２．：ｔは５以上
１００以下の数である。

１：０ＯＲ４はアミド基に対してオルト又は）ぐう位に
結合している）で表わされる光によって重合又は２鰍゛
化する基を有するポリアミド酸あるいはポリアミド酸誘
導体と一般式ｚ−Ｒｈ−ＮＲｅｍｔ　（ＩＩ　］（但し
式中２は光によって重合又は２量化する基、ＲｓはＺと
Ｎをつなぐ２価の基　ＨｓはＺ７１５、Ｈ１ＣｋＨ孟寵
、±、（ｋは１から５まで？整数）のうちから選ば高一
つの基　ＢｙはＺ−Ｒ５＋。

Ｂ　＊　Ｃｅ８１ｇ＋１　（ｌは１から５までの整数）
のうちから選ばれた１つの基である）で表わされる光に
よって重合又はＺｆｉ化する基を有するアミン又はＺ　
−Ｒ５−Ｎ　Ｒ６Ｒ１・ＨＲ”　（ＩＩＩ）　（但し、
Ｒ８はハロゲン原子、　Ｒ９Ｃ００ＣＲ９はアルキル基
）のうちから選一ばれた１つの基である）で表わされる
そのアン−ニウム塩と必要に応じて加える増感剤から成
ることを特徴とするものである０表わされる光によって
重合又は２量化する基を有するポリアミド酸又はポリア
ミド酸誘導体は式中のルは、１又は２・Ｘは５以上１０
０以下の数Ｒ１＠Ｒ２、Ｒ３は芳香族環状基、Ｒ４は水
素又はアンモニウムイオン、ＸはＲ３とＹをつなぐ２働
の基であって一〇〇〇−，−ＣＯＮＨ＝　、−Ｃｏ−。

−ＣＨ，Ｏ−のう７ちから選ばれた１つの基、Ｗは水素
又は−Ｘ　　Ｙ、Ｙは光によって重合又は２量化する基
であってＸが一〇〇〇−、−ＣＯＮＨ−１ ＲｌＯはアルキレン、ヒドロキシアルキレン、Ｒ１１は
水素、メチル基　／（１２は水素、シアノ基、Ｒ１３は
水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基Ｒ１４は水
素、フェニル基を表わす。

、一般式Ｚ　−Ｒ６−ＮＲ６Ｒ’（ｎ）で表わされる光
によって重合又は２量化する基を有するアミンは、式中
Ｒ５はアルキレン基、ヒドロキシアルキ−さＮＨ−４１
５−’（式中Ｒ１１１はアルキレン基を表わす）から選
ばれた２とＮをっなぐ２価の第９Ｒ６はｌ　　７？’　
ｅ　Ｚｆ　ｅ　　ＣｋＨｔｋ＋＋　’−には１から５ま
での整数）のうちから選ばれた一つの基　７２ｙハＺ　
　Ｒ５−、Ｈｅ　ＣｇＨ２１＋ｌ（ｌ　ハｌ　カラ’５
　ｔテの整数）のうちから選ばれた一つの基、Ｚは光に
よって重合又は２量化する基であってＲ５が１１　　　
　　　キシアルキ レン基　　Ｑ−Ｒ１５−の場合、　（−（：＝ＣＨ，。

であり、かつこれらの式中７？１６は水素、メチル基。

Ｒ１７は水素、シアノ基、　ＲｌＢは水素、〕為ロゲン
・アルキル基、アルコキシ基　ｆｉｌｅは水素、７エ二
ル基か°ら選ば本た基を表わす。一般式Ｚ−Ｒ５−ＮＲ
６Ｒ，□）外ｆｆＲ８（ｍ）　　で表わされるプンモニ
ウム塩はＲら・１ハロゲン原子、　Ｒ９Ｃ０Ｏ−（Ｒ９
はアルキル基）から選ばれた一つの基を表わすｐ上記Ｃ
Ｉ）　＜中、Ｒ１は芳香族環状基であってＣＯＯＲ４が
アミド基に対してオルト又はノぐうの位置に結合してい
るものである。同様の結合をし得る芳゛香族性複素環で
あってもよい。Ｒ１の例としては、フェニル基、ナフタ
レン基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルスルホン基
、２゜２−ジフェニルプロパン基、ベンゾフェノン基な
どが挙げられるが１．これらに限定されない。

フェニル基、′ベンゾフェノン基が特ニ好マシイ。

またＲ１はこれらのうちの２種以上から構成される共重
合体の形であってもさしつかえないｏＲ２゜Ｒ３は芳香
族環状基である。Ｒ”、Ｒ３の例と′シテハフェニル基
、ジフェニルエーテル基、ジフェニルメタン基、ジフェ
ニルスル“ホン基、２゜２−ジフェニルプロパン基など
が典型的な例として挙げられる。ｌｉ２．Ｒ８はこれら
の基の２種以上から成る共重合体であっても良く、Ｒ２
はさらにアミ７基、アミド基、カルボキシル基、スルホ
ン酸基を有していてもさしつかえない。

上記（１）　、　（ｍ）式で表わされる感光基を有する
アミン又はそのアンモニウム塩はポリアミド酸のカルボ
キシル基５対して０．１　　当量以上５当量以下で用い
ることが望ましくさらに望ましくはα５以上２当量以下
の範囲で用いるのが好ましい。この範囲を逸脱すると現
像性、耐熱性に悪影響をもたらす。

上記ポリアミド酸（１）は加熱あるいは適当な触媒によ
りポリイミドと成り得るものであり、これらポリイミド
は耐熱性を有する◇ □　上記ポリアミド酸（１）は感光基を有する芳香族ジ
アミンと芳香族酸二無水物、あるいは感光基を有する芳
香族ジアミンに５％以上の感光基を持たない芳香族ジア
ミンを配合し、これと芳香族酸二無水物とを極性溶媒中
でそれぞれ１：１の割合で反応させることによって得ら
れる。

ポリアミド酸の繰り返し単位中’Ｒ１・Ｒ２，７ｊ３・
の量、種類はポリマの感光性、耐熱性を損なわない範囲
で選択することが望ましい。これら・の・例はＵ、Ｓ、
Ｐ、Ｓ、１７９．６１４．　Ｕ、Ｓ、Ｐ、５．７１４０
．ＳＯ５，特公昭４８−２９５６号に示されている。耐
熱性としては最終の加熱処理によって得られるポリイミ
ドのパターンが窒素雰囲気中、２５０〜４００°Ｃに１
時間加熱してもパターンが保持されかつ熱減量を生じな
いものが望ましい。感光性としてはポリアミド酸の塗膜
の膜厚に対して現像後の膜厚を規格化した値で０．５と
なる紫外線照射量で５００　ｔ、ｄ／ｄｉ　　（５００
ＦＸｇ−Ｈｌ　灯＠　用イタ場合）５６５ｎｍで測定し
た値）以下の感度を持つものが望ましい。

本感光材料に用いる（１）式で表わされるポリアミド酸
は通常ジアミン化合物に酸二無水物を当モル量反応させ
ることによって得られるが、この場合に用いる反応溶媒
としてはポリアミド酸の溶解性の面から主に非プロトン
性極性溶媒が望ましい。非プロトン性極性溶媒の例とし
ては■−メチルー２−ピロリドン、Ｎ、Ｎジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメコ子ルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、へ辱サメチルホスｏ　、　、　ア　よ　
、　、　■−ア、ヤ１バ≠　２−　、。　、　、ンなど
が挙げられる。

本感光材料は通常ポリアミド酸ＣＩ）と添加剤（Ｉ［）
あるいは（ｍ）を適当な有機溶剤に溶解し′たフェス状
態で使用されるが、この場合に用いらレル溶剤としては
ポリアミド酸と添加剤のいずれも溶解する溶媒であるこ
と、が必要であり、この面から主として非プロトン性極
性溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒の例としては
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、■−アセチルー２−ピロ
リドン、Ｎ、ｌＶ−ジメチルホルムアミド。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどが挙げられる。

これらは単独、または混合して用いることも可能である
。

本発明の感光性重合体組成物には必要に応じて増感剤を
添加しても良いが、その量は（１）と（ＩＩ）あるいは
［ＩＩＩ）の化合物の総重量の２０％以下であることが
望まし□く、これより多量用いると現像性および硬化膜
：・メ特性に悪影響を及ぼす。

好ましい増感剤とじ似ま例えば、アントラキノン、２−
メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、ベ
ンゾキノン、１．２−す７）キノン、１．４−す７トキ
ノン、１．２−ベンゾアントラキノン、ベンゾフェノン
、　ｐ　、　ｐ’　−ジメチルベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフ
テン。

４−ニトロ−１−ナフチルアミン、アントロン１１．９
−ヘンズアントロン、ベンゾインエーテル。

４．４′−ビス（ジエチ゛ルアミノ）ベンゾフェノン、
ジベンザルアセトンなどが挙げられる。

本発□明の感光性重合体組成物の塗膜と各種の支持基板
との接着性を向上させるために、適宜接着助剤を用いる
ことも可′能である。接着助剤としてはビニルトリエト
キシシラン、ｒ−メタクリルオキシプロビルト・１リメ
トキシシラン、ｒ−アミノプ・ピルトリハ牛ジシラン、
オキシプロピルトリメトキシシランなどの有機ケイ素化
合物が例として挙げられる。この他にアルミニウムキレ
ート化合物も用いられ、その例は特開昭５０−１５４７
６６に示されている。

本発明に用いる支持体の材質としては、例えば金属、ガ
ラス、半導体（例えばシリコン）。

セラミック、プラスチック、紙、’道電膜（例工ば１３
ｆｆｉＯ８）、金属酸化物絶縁体（例えばｒｉｏ、　。

Ｔａ、　０．　、　Ｓｉｎ、など）、窒化ケイ素などが
挙げられる。

本発明の感光性重合体組成物は通常の微細加工技術でパ
ターン加工できる。

上記支持体への感光性重合体組成物の塗布にはスピンナ
ーを用いた回転塗布・浸漬・噴霧パ印刷ケどの手段が可
能であり、目的に応じて適宜撰択Ｔることができる。塗
布膜厚 は塗布手段・感光性重合体組成物のワンスの呵・形分濃
度、粘度によって調節が可能である、上記支持体上で塗
゛膜と成った本発明による感光材料に、フォトマスクを
介して紫外線を照射する。

次に未露光部を現像液で溶解除去するごとによりレリー
フ・パターンを得る０光源は紫外線に限らず可視光線、
Ｘ線、電子線などであっても良い。

現像液は感光性重合体組成物の溶剤であ、るＮ−メチル
−２−ピロリドン、■−アセチルー２−ピロリドン、Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどを単独あるいは
メタノール、−１−！ノール、イ゛ソプロビルアルコー
ル、ベンゼン、トルエン。

′　キシレン等の感光材料の非溶媒の混合液として用い
ることができる。

現像によって形成したレリーフ・パターンは次いでリン
−液により洗浄し現像溶媒を除去する。リンス液には現
像液との、混和性の良いメタノール、エタノールイソプ
ロビルアルコール、ベンゼン争トルエン、キシレンなど
が好適な例として挙げられる。

上記の処理によって得られたレリーフ・パターンのポリ
マは耐熱ポリアミド酸ド駆体であり、加熱処理すること
によってイミド環や他の環状”°”°″゛′”゛４本１
“゛。

上記耐熱ポリマは、　、導体のバッジベージ璽ン膜、多
層集積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田付保護膜
、液晶用配向膜などに供せられる。さらに高耐熱性を生
して耐ドライエツチング性フォトレジスト、耐ドライエ
ツチング性放射線レジストとしての利用も可能である。

以下、本発明を実施例により説明する。

実施例１゜ 窒素ｉｍ下２’−メタク２リロイルオキシエチル５１５
′−ジアミノ安息香酸２．６４　ｊｌ　（０，０１モル
）’ｉ　４８：２　ｊｉのｌ’ｉ−／　ｆヤー之−ピヮ
、）、ア、溶解しアミン溶液を調合した。窒素気流下、
水冷に依り溶液潤度を約１５℃に保った。この溶液にピ
ロメリット酸二無水物ｔｌ！１（０，００５モル）’　
、　５．：ｓ′。

４．４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１
．６１！Ｉ（０，００５モル）を攪拌下に粉状にて反応
温度が１５°Ｃ以下となるように調節しながら徐々に添
加した。添加後、ざらに約１５°Ｃで５時間反応させて
粘度１００ｃＰ（測定温度２５″Ｃ）のポリアミド酸溶
竺［，４）ご得た。

溶液（Ａ）　ｊ：１１に＋４．ｓｙ　　にジエチルアミ
ンエチルメタクリレート５．７ｇ　（０，００２モル）
を溶解し、次いで５μｍ孔のフィルタを用いて加圧口過
した。

得られた溶液をスピンナでシリコンウェハ上に塗布し、
次いで９０°Ｃ１５０分乾燥して２．６μｍの塗膜を得
た。この塗膜は平担でむらがなく、かつ基板に十分密着
していた。この塗膜を縞模様のマスクで密着被覆し、５
００ＦのＸｓ　−Ｈｇ灯で紫外線を照射した。露光面で
の紫外線強度は５６５ｎｒ５の波長域で２５７ｆ／ｌＩ
！であった。露光後、Ｎ−メ、チルー２−ピロリドン５
容、エタノール２容がら成る混液で現像し、次いでリン
ス液（エタノ−／Ｉ／）で洗浄しレリーフ・パターンを
得た。

残存膜厚の経時変化を測定し特性曲Ｓを得た（第１図）
。黴布膜厚で残存膜厚を規格化した値で０．５を与える
露光量を感度として、２５０♂・ｄＦ’／ａｌを得た。

感度の４倍の露光量＋　００　ｑ　ｓ　ｉｍＷ／ａｉの
露光テシャープな端面のレリーフ・パターンを得た。こ
のパターンを５００℃、５０分加熱処理する事によ、り
耐熱性のレリーフ・パタ、−ンを得た。

このパターンを２００℃で１時間熱処理してもパターン
のぼやけも熱減量もなかった。

実施例２〜１５ 実施例２〜１５は表１〜４に試料の調合割合、反応溶媒
、現像液等の条件と感光性、耐熱性等の結果を示し、他
の反応条件、操作は下記に示すように行なった。

実施例１に示した如く、窒素気流下に約１５°Ｃで非プ
ロトン性極性極性溶媒にジアミン化合物を溶解し、ジア
ミン溶液を調整した。窒素気流攪拌下に反応温度を約１
５℃に保ちながら、粉状に粉砕した酸二無水物を加えた
。酸二無水物を加え終えてからさらにＳ時間、１５°Ｃ
で反応させてポリアミド酸溶液を調整した。

調整したポリアミド酸に対して、光感応添加剤（感光基
を有するアミン）を加え、不飽和アミン、増感剤を添加
する場合にはさらに上記溶液に添加し、溶解して均質な
溶液とした。次いで５μｍ孔フィルタを用いて加圧ろ過
し感光ワニ１スを調整した。表２．４の増感剤の欄に示
した重量％とはジアミン、酸二無水物、光感応添加剤、
増感剤の総重量和を増感剤重量で徐して１００を掛けた
ものである。

上記の如く調桑した感光性フェスを、スピンすにより各
種基板に回転栖布し、次いで９０°Ｃで５０分間加熱乾
燥し、塗膜とした後編模様のフォトマスクを介し、５０
０７Ｆ’　Ｘｓ　−１ｈｌ灯で紫外線照射し、現像、リ
ンス（エタノール）した後５５０℃に１時間キュアした
。

表２．４に示した感光性は感度（塗布膜厚で現像後膜厚
を規格化した値で０．５を与える照射量９強度測定は５
６５　ｎｍ＞で５００１６ｍ１Ｆ’／ｃｄ以下のものを
良好とし表した。

耐熱性は５５０℃で１時間キーアした揚台にパターンの
ぼやけかないものを良好とした。

（￥／、”Ｆ＆’ｅ） ・１・、′） １ 比較例１ 第１図からも明らかなように、感光基を有すルホリアミ
ド醗にさらに感光基を有するアミンを添加することによ
り、感光基密度の増大をはかった本発明による材料は従
来品に比べ感光感度が５〜４倍向上し、良好な増感効果
が認めら表わされるポリアミド酸にカルボキル基と当量
を加えた重合体組成物の感度曲線であり、Ｃはで表わさ
れる重合体組成物の感度曲線である。

ＡはＣの重合体組成物にＢで用いられた添加剤をカルボ
キシル基の当量加えた重合体組成物の感度曲線である。

本発明の重合体組成物の特徴は耐熱ポリイミドを与える
感光性重合体組成物を増感剤に依らずに増感し感度の向
上化をはかつている点にある。これにより、従来品に比
べ、５〜４倍の感度向上が達成された。

【図面の簡単な説明】

第１図は感光材料の光感応性を表わす照射特性曲線であ
る。 Ｉ →）１゜ 代理人弁理士　薄　１）利Ａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 □〔１〕 （但し、（１）式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は芳香族環状基、
   Ｒ４は水素又はアンモニウムイオン、Ｙは光によって重
   合又は２量化する基、ＸはＲ３とＹをつなぐ２価の基、
   Ｗは水素又はＸ−Ｙを表わす。ルは１又は２、ｘは５以
   上１００以・下の数である。ＣＯＯＲ４はアミド基に対
   してオルト又はパラ位に結合しでいる）で表わされる光
   によって重合又は２量化する基を有するポリアミド酸あ
   るいはポリアミド酸誘導体と一般弐Ｚ−Ｒ５−ＮＲ６Ｒ
   ’　（韮〕Ｌ但し式中Ｚは光によって重合又は２量化す
   る基、ＲＩＩはＺとＮをつなぐ２価の基、Ｒ６はＺ−Ｒ
   ｒｌ＋−１ｇ。 ＣｋＨ２に＋１　（ｋは１から５までの整数）のうちか
   ら選ばれた１つの基、Ｒ７はＺ−ＲＩＩ−９Ｈ９Ｃε”
   ２ｇ４１　（ａは１から５までの整数）、のうちから選
   ばれた１つの基である）で表わされる光によって重合ま
   たは２ｉｉ化する基を有するアミン又はＺ−Ｒ５−ＮＲ
   ６Ｒ７・ＥＲＲ（ＩＩＩ）　（但し、Ｒ８はハロゲーン
   原子、Ｒ９ＣＯＯＣＲ９はアルキル基）のうちから選ば
   れた１つの基である１で表わされるそのアンモニウム塩
   と必要に応じて加える増感剤から成木ことを特徴とする
   ｉ光性重合体組成物。