JPS616876A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS616876A JPS616876A JP59127775A JP12777584A JPS616876A JP S616876 A JPS616876 A JP S616876A JP 59127775 A JP59127775 A JP 59127775A JP 12777584 A JP12777584 A JP 12777584A JP S616876 A JPS616876 A JP S616876A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H10F30/2255—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers form heterostructures, e.g. SAM structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は逆バイアス動作の半導体装置に関するもので、
特に光検出器として高速、高感度、低雑音で信頼性の萬
いフォト・ダイオード（以下ＦＤと呼ぶ）あるいはアバ
ランシェ・フォトダイオード（以下ＡＰＤと呼ぶ）の構
造に関するものである。
特に光検出器として高速、高感度、低雑音で信頼性の萬
いフォト・ダイオード（以下ＦＤと呼ぶ）あるいはアバ
ランシェ・フォトダイオード（以下ＡＰＤと呼ぶ）の構
造に関するものである。
（従来技術とその問題点）
半導体光検出器の中でＰＤあるいはＡＰＤは高速かつ高
感度で光通信システムにおける光検出器として重要なも
のであシ、光源である半導体レーザと共にその開発が活
発に進められている。
感度で光通信システムにおける光検出器として重要なも
のであシ、光源である半導体レーザと共にその開発が活
発に進められている。
半導体レーザの発振波長は可視域から赤外域に至る広い
波長域のものが得られつつあシ、轟然のことなからｍ−
ｖ化合物半導体によって広い波長域に渡ってのＦＤある
いはＡＰＤの実用化が待望される。特に暗電流が低く過
剰雑音が小さなＰＤあるいはＡＰＤはＳｉやＧｅに依存
していただけでは半導体レーザの広い発振波長域をカバ
ーできない。ここにｍ−ｖ化合物半導体ＡＰＤが要求さ
れる理由がある。しかし化合物半導体材料では結晶成長
、あるいはプロセス技術や表面安定化技術の発達が未熟
であシ、高い逆バイアス印加によ多安定したアバランシ
ェ動作を行なわしめることは困離である。
波長域のものが得られつつあシ、轟然のことなからｍ−
ｖ化合物半導体によって広い波長域に渡ってのＦＤある
いはＡＰＤの実用化が待望される。特に暗電流が低く過
剰雑音が小さなＰＤあるいはＡＰＤはＳｉやＧｅに依存
していただけでは半導体レーザの広い発振波長域をカバ
ーできない。ここにｍ−ｖ化合物半導体ＡＰＤが要求さ
れる理由がある。しかし化合物半導体材料では結晶成長
、あるいはプロセス技術や表面安定化技術の発達が未熟
であシ、高い逆バイアス印加によ多安定したアバランシ
ェ動作を行なわしめることは困離である。
こうした中で画期的に低雑音で高い逆バイアス動作を行
なうことのできるＡＰＤ構造が提案された。
なうことのできるＡＰＤ構造が提案された。
その第１は特願昭５３−８７８５６号の明細書あるいは
特願昭５３−８７３５８号の明細書に示されるように、
光吸収層の上に光透過用の窓を形成したベテロ構造によ
るものであり、 その第２は光吸収層とはすくなくも離れだ増倍域をもつ
もので特願昭５４−３９１６９号において提案された。
特願昭５３−８７３５８号の明細書に示されるように、
光吸収層の上に光透過用の窓を形成したベテロ構造によ
るものであり、 その第２は光吸収層とはすくなくも離れだ増倍域をもつ
もので特願昭５４−３９１６９号において提案された。
第１図は特願昭５４−３９１６９号の「半導体装置」に
示された構造の断面図であＦ） 、ＩｎＰ −ＩｎＧａ
ＡｓＰ系材料を用いて製作した一例である。まずｎ＋−
ＩｎＰ基板１１の上に液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法
等によシ数μｍの厚さのｎ＋ＩｎＰ層１２を層成２、次
に膜厚５μｍ１不純物濃度２ Ｘ １０”儒−３のｎ形
ＩｎＯ，７９ＧａＯ，ｌ！Ｉ Ａｓ（１，４７ｐｏ、ｌ
ｌｓ層１３（以下ＩｎＧａＡｓＰと略記する。）さらに
不純物濃度Ｉ Ｘ １０１６ｆｆｉ−３のｎ形ＩｎＰ層
１４をエピタキシャル成長する。次にＳ ｉ ３ Ｎ４
％Ｓ ｉｏｚ等の選択拡散マスク１５をつけ、Ｃｄ拡散
を行ないＰ影領域１６とｐ−ｎ接合面１７がえられる。
示された構造の断面図であＦ） 、ＩｎＰ −ＩｎＧａ
ＡｓＰ系材料を用いて製作した一例である。まずｎ＋−
ＩｎＰ基板１１の上に液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法
等によシ数μｍの厚さのｎ＋ＩｎＰ層１２を層成２、次
に膜厚５μｍ１不純物濃度２ Ｘ １０”儒−３のｎ形
ＩｎＯ，７９ＧａＯ，ｌ！Ｉ Ａｓ（１，４７ｐｏ、ｌ
ｌｓ層１３（以下ＩｎＧａＡｓＰと略記する。）さらに
不純物濃度Ｉ Ｘ １０１６ｆｆｉ−３のｎ形ＩｎＰ層
１４をエピタキシャル成長する。次にＳ ｉ ３ Ｎ４
％Ｓ ｉｏｚ等の選択拡散マスク１５をつけ、Ｃｄ拡散
を行ないＰ影領域１６とｐ−ｎ接合面１７がえられる。
さらに再び絶縁用８ ｉ ３ Ｎ４・あるいは５ｉ０２
膜１５１を形成し、電極域シ出し窓をパターニングした
後ｐ形電極１９を形成、さらにｎ形電極２０をＩｎＰ基
板１１の裏面に形成する。２１はリード線を示している
。
膜１５１を形成し、電極域シ出し窓をパターニングした
後ｐ形電極１９を形成、さらにｎ形電極２０をＩｎＰ基
板１１の裏面に形成する。２１はリード線を示している
。
こうして作られたＡＰＤの構造上の特徴はｐ−ｎ接合１
７がＩｎＰ層１層中４中り、かつ、逆バイアス印加時に
おいてはじめてＩｎＧａＡｓＰ層１３中に空乏層が広が
る程に位置していることにある。
７がＩｎＰ層１層中４中り、かつ、逆バイアス印加時に
おいてはじめてＩｎＧａＡｓＰ層１３中に空乏層が広が
る程に位置していることにある。
こうするととによりすぐれたブレーク・ダウン特性を有
するＡＰＤが得られることは前記特願昭５４−３９１６
９号に詳しいが、要約すればＩｎＰがＩｎＧａＡｓＰに
較べ禁制帯幅が太きくｐ−ｎ接合１７０周辺部における
逆バイアス印加時における空乏層の曲率を有した広がり
が主にＩｎＰ層１層内４内こり、ブレーク・ダウン電圧
を高める一方、ｐ−ｎ接合１７の周辺部をのぞいた部分
ではＩｎＧａＡｓＰ１３に空乏層が達し、禁制帯幅が小
さいだけ低電圧でのブレーク・ダウンが生じるという理
由、すなわちガードリング効果が第１図の構造によシ得
られるためである。
するＡＰＤが得られることは前記特願昭５４−３９１６
９号に詳しいが、要約すればＩｎＰがＩｎＧａＡｓＰに
較べ禁制帯幅が太きくｐ−ｎ接合１７０周辺部における
逆バイアス印加時における空乏層の曲率を有した広がり
が主にＩｎＰ層１層内４内こり、ブレーク・ダウン電圧
を高める一方、ｐ−ｎ接合１７の周辺部をのぞいた部分
ではＩｎＧａＡｓＰ１３に空乏層が達し、禁制帯幅が小
さいだけ低電圧でのブレーク・ダウンが生じるという理
由、すなわちガードリング効果が第１図の構造によシ得
られるためである。
しかし、第１図に示した構造のＡＰＤの製造歩留シはき
わめて悪い。なぜならば第１図中ｄで示したｐ−ｎ接合
面１７とＩｎＰ層１４とＩｎＧａＡｓＰ層１３のへテロ
界面１８の距離にブレーク・ダウン特性が大きく依存す
るからであり、ＡＰＤ動作時に１０３倍をこえる高い増
倍率をえるにはｄは約０．８μｍから約０．４μｍとし
なければならない。これはｄが０．８μｍ以上はなれる
とｐ−ｎ接合面１７の周辺部でのブレーク・ダウンが中
心部に先立ち生じるし、ｄが０．３μｍ以下では該周辺
部においてもＩｎＧａＡｓＰ層１３中に空乏層が重大に
広がり、ガードリング効果をもたせられないためである
。従ってとのＡＰＤが優れた特性を示すためにはｐ−ｎ
接合の深さ制御がきわめて強く要求される。
わめて悪い。なぜならば第１図中ｄで示したｐ−ｎ接合
面１７とＩｎＰ層１４とＩｎＧａＡｓＰ層１３のへテロ
界面１８の距離にブレーク・ダウン特性が大きく依存す
るからであり、ＡＰＤ動作時に１０３倍をこえる高い増
倍率をえるにはｄは約０．８μｍから約０．４μｍとし
なければならない。これはｄが０．８μｍ以上はなれる
とｐ−ｎ接合面１７の周辺部でのブレーク・ダウンが中
心部に先立ち生じるし、ｄが０．３μｍ以下では該周辺
部においてもＩｎＧａＡｓＰ層１３中に空乏層が重大に
広がり、ガードリング効果をもたせられないためである
。従ってとのＡＰＤが優れた特性を示すためにはｐ−ｎ
接合の深さ制御がきわめて強く要求される。
（発明の目的）
本発明の目的はきわめて安定な動作を可能とする製造歩
留９の大幅な向上をもたらすＰ Ｄ 、 Ａ、 ＰＤの
構造を提供することにある。ｐ−ｎ接合深さの制御が重
要でないことは以下に示すものである。
留９の大幅な向上をもたらすＰ Ｄ 、 Ａ、 ＰＤの
構造を提供することにある。ｐ−ｎ接合深さの制御が重
要でないことは以下に示すものである。
（発明の構成）
本発明によれば第１の半導体層上の所望の場所に、実効
的禁制帯幅、び該第１の半導体層の禁制帯幅に較べ大き
くかつ給１の半導体層と同じ導電形を示す半導体超格子
層が設けられ、この半導体超格子層の周囲にこの超格子
層とほぼ同一の組成の混晶層が設けられ、第１の半導体
層および前記半導体超格子層とは逆導電形の領域が、第
１の半導体層と前記超格子層との界面には達しない深さ
で、しかも前記超格子層を含みｐｎ接合が周囲の混晶層
表面で終端するように形成されていることを特徴とする
半導体装置が得られる。
的禁制帯幅、び該第１の半導体層の禁制帯幅に較べ大き
くかつ給１の半導体層と同じ導電形を示す半導体超格子
層が設けられ、この半導体超格子層の周囲にこの超格子
層とほぼ同一の組成の混晶層が設けられ、第１の半導体
層および前記半導体超格子層とは逆導電形の領域が、第
１の半導体層と前記超格子層との界面には達しない深さ
で、しかも前記超格子層を含みｐｎ接合が周囲の混晶層
表面で終端するように形成されていることを特徴とする
半導体装置が得られる。
（構成の詳細な説明）
次に本発明を一実施例にもとづいて説明する。
第２図は本発明の基本的構造を示すＡＰＤの横断面図で
ある。１ ｎ＋ＧａＡ、ｓ基板２２１の上にｒｌ＋ Ｑ ａ Ａ
ｓ層２２２、ｎ−形ＱａＡｓ ｆｆｊ ２２３さらにｎ
−形を示すＧａＡｓ ／ＡｌＡｓ超格子層２２４を形成
する。実施例でのＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超格子層２２４は
Ｇ ａ Ａ ｓ層２０ＸとＡ】Ａｓ １３１が交互に積
層した９００層から滅シ全層厚約１．５μｍとした。
ある。１ ｎ＋ＧａＡ、ｓ基板２２１の上にｒｌ＋ Ｑ ａ Ａ
ｓ層２２２、ｎ−形ＱａＡｓ ｆｆｊ ２２３さらにｎ
−形を示すＧａＡｓ ／ＡｌＡｓ超格子層２２４を形成
する。実施例でのＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超格子層２２４は
Ｇ ａ Ａ ｓ層２０ＸとＡ】Ａｓ １３１が交互に積
層した９００層から滅シ全層厚約１．５μｍとした。
次に５ｉ０２あるいはＳｉ３Ｎ、膜等をＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓ超格子層２２４０表面に３００ ’Ｃ程度の低温で
プラズマＣＶＤ法を用い形成した。この後、ウェーハ面
内５００μｍピッチで互盤目状に２００μｍ直径島状領
域を除いた周辺領域全域をスポット径５μｍＫ集束した
アルゴン・レーザ・ビームを走査した。アルゴンレーザ
の出力は４ｗであり、走査線ノ間隔は５μｍとし走査は
プログラマブルな自動走査機構を用いる。次に前記し７
ｔＳｉＯ２膜あるいはＳｉ３Ｎ４膜上にフォトレジスト
をぬシ、前記２００μｍ直径の島状領域を同心円状に含
むように２５０μｍ径の拡散用の窓をあける。さらにこ
の２５０μｍの拡散用窓よりＧａＡｓ ： Ｚｎ擬二元
拡散（第２５回応用物理学関係連合講演会予稿集２７ａ
−８−９、Ｐ４１９．１９７８年）により５３０℃でＺ
ｎを表面より１μｍの深さ棟で拡散してｐ領域２２５を
得た。さて前記したアルゴンレーザ走査部は超格子構造
がくずれた混晶部２２４１と変化しており、このことは
ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超格子層２２４のホトルミネッセン
スピーク波長が７０００ Ｘであったのに対し混晶部２
２４１で６５００ Ｘとなっていることから確認された
。ｐ−ｎ接合２２６の表面への露出部２２７は従って混
晶部２２４１にあシ超格子層であるところの島状超格子
層２２４２の実効的禁制帯幅に較べ広い禁制帯幅をもっ
た混晶部２２４１に終端している。
Ａｓ超格子層２２４０表面に３００ ’Ｃ程度の低温で
プラズマＣＶＤ法を用い形成した。この後、ウェーハ面
内５００μｍピッチで互盤目状に２００μｍ直径島状領
域を除いた周辺領域全域をスポット径５μｍＫ集束した
アルゴン・レーザ・ビームを走査した。アルゴンレーザ
の出力は４ｗであり、走査線ノ間隔は５μｍとし走査は
プログラマブルな自動走査機構を用いる。次に前記し７
ｔＳｉＯ２膜あるいはＳｉ３Ｎ４膜上にフォトレジスト
をぬシ、前記２００μｍ直径の島状領域を同心円状に含
むように２５０μｍ径の拡散用の窓をあける。さらにこ
の２５０μｍの拡散用窓よりＧａＡｓ ： Ｚｎ擬二元
拡散（第２５回応用物理学関係連合講演会予稿集２７ａ
−８−９、Ｐ４１９．１９７８年）により５３０℃でＺ
ｎを表面より１μｍの深さ棟で拡散してｐ領域２２５を
得た。さて前記したアルゴンレーザ走査部は超格子構造
がくずれた混晶部２２４１と変化しており、このことは
ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超格子層２２４のホトルミネッセン
スピーク波長が７０００ Ｘであったのに対し混晶部２
２４１で６５００ Ｘとなっていることから確認された
。ｐ−ｎ接合２２６の表面への露出部２２７は従って混
晶部２２４１にあシ超格子層であるところの島状超格子
層２２４２の実効的禁制帯幅に較べ広い禁制帯幅をもっ
た混晶部２２４１に終端している。
従って今、混晶部２２４１、島状超格子層２２４、さら
にｎ −ＧａＡｓ層２２３の順番で禁制帯幅は大から小
に変化しておシかつｐ−ｎ接合は結晶ウェーハの内部で
は中間の禁制帯幅をもつ島状超格子層２２４内に表面で
は最も禁制帯幅の大なる混晶部２２４１に形成された構
造をもつことになる。ｎ−ＧａＡｓ ／ ＡｌＡｓ超格
子層２２４の電子濃度を１０σ−３とした例では島状超
格子層２２４２の中につくられたｐ−ｎ接合の逆方向ブ
レークダウン電圧９０Ｖに対し、混晶部２２４１表面に
終端したｐ−ｎ接合のブレークダウン電圧は１０５■と
見つもることかできた。したがって混晶部２２４１はき
わめて安定したガードリング構造を与えたことになり、
鋭い逆方向ブレークダウン特性とこれに裏付けられる安
定したアバランシェ動作を示す素子が得られる。
にｎ −ＧａＡｓ層２２３の順番で禁制帯幅は大から小
に変化しておシかつｐ−ｎ接合は結晶ウェーハの内部で
は中間の禁制帯幅をもつ島状超格子層２２４内に表面で
は最も禁制帯幅の大なる混晶部２２４１に形成された構
造をもつことになる。ｎ−ＧａＡｓ ／ ＡｌＡｓ超格
子層２２４の電子濃度を１０σ−３とした例では島状超
格子層２２４２の中につくられたｐ−ｎ接合の逆方向ブ
レークダウン電圧９０Ｖに対し、混晶部２２４１表面に
終端したｐ−ｎ接合のブレークダウン電圧は１０５■と
見つもることかできた。したがって混晶部２２４１はき
わめて安定したガードリング構造を与えたことになり、
鋭い逆方向ブレークダウン特性とこれに裏付けられる安
定したアバランシェ動作を示す素子が得られる。
以上本発明はＧａＡｓ ／ ＡｌＡｓ系を材料とする半
導体装置の実施例について述べたが本発明は逆バイアス
動作するペテロ接合を有した半導体装置全てに対しブレ
ーク・ダウン特性の改善に有効であることは明らかでＩ
ｎＰ −ＩｎＧａＡｓ等の化合物半導体結晶に対しても
適用することができる。
導体装置の実施例について述べたが本発明は逆バイアス
動作するペテロ接合を有した半導体装置全てに対しブレ
ーク・ダウン特性の改善に有効であることは明らかでＩ
ｎＰ −ＩｎＧａＡｓ等の化合物半導体結晶に対しても
適用することができる。
さらに上記発明においてｐ領域とある所をｎに０とある
ところをｐに変換しても同様の効果はあることも明らか
である。
ところをｐに変換しても同様の効果はあることも明らか
である。
寸だ前記実施例ではレーザアニールを用いたが、電子ビ
ームアニールでもよいし、ＨｅｙＨｊＯ等のイオンビー
ムラ中性粒子例えば原子（例えば最初イオンとして発生
させ、途中で電荷を与えて中性粒子にして照射する）や
中性子を照射してもよい。
ームアニールでもよいし、ＨｅｙＨｊＯ等のイオンビー
ムラ中性粒子例えば原子（例えば最初イオンとして発生
させ、途中で電荷を与えて中性粒子にして照射する）や
中性子を照射してもよい。
また混晶化の工程においてレーザの出力変動等によって
、超格子層２２４が下層のｎ −ＧａＡｓ層２２３に届
くように混晶化しなかったり、逆にｎＧａＡｓ層２２３
の一部を混晶化したシすることがあるが、それでも本発
明の目的は達成できる。
、超格子層２２４が下層のｎ −ＧａＡｓ層２２３に届
くように混晶化しなかったり、逆にｎＧａＡｓ層２２３
の一部を混晶化したシすることがあるが、それでも本発
明の目的は達成できる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によればｐ−ｎ接合面全面に
わたシ均一なブレーク・ダウンを生じ暗電流が小さく逆
方向特性、増倍特性の優れた半導体装置を再現性と歩留
りの著しい向上を達成しうる構造かえられた。これは禁
制帯幅の最も広い層でｐ−ｎ接合の表面露出端が終るこ
とによるガードリング効果に基ずくものである。しかも
製造プロセスとしては構成の詳細な説明に述べた如くビ
ームアニール工程を付加すればよく、大きな工程の変化
もないので、製作再現性にもすぐれている。
わたシ均一なブレーク・ダウンを生じ暗電流が小さく逆
方向特性、増倍特性の優れた半導体装置を再現性と歩留
りの著しい向上を達成しうる構造かえられた。これは禁
制帯幅の最も広い層でｐ−ｎ接合の表面露出端が終るこ
とによるガードリング効果に基ずくものである。しかも
製造プロセスとしては構成の詳細な説明に述べた如くビ
ームアニール工程を付加すればよく、大きな工程の変化
もないので、製作再現性にもすぐれている。
第１図および第２図はそれぞれ従来のＡＰＤ。
本発明のＡ、 Ｆ Ｄの構造を示す断面図である。各図
で、 １１はｎ十形ＩｎＰ基板 １２はｎ十形ＩｎＰ層 １３はｎ−形ＩｎｏａＡｓＰ層 １４はｎ−形ＴｎＰ層 １５は５ｉ０２又はＳｉ３Ｎ４膜 １５１はＳ ｉ ３ Ｎ４又ｉｉ、 Ｓ ｉ ０２膜１
６はｐ影領域 １７はｐ−ｎ接合 １８けＴｎＰとＩｎＧａＡｓＰ層の界面１９はｐ形電極 ２０はｎ形’ｄ’ｉ、 ４ＫＩ ２１はリード線 ２２１はｎ＋ＧａＡｓ基板 ２２２はｎ＋（３ａ Ａ ｓ層 ２２３はｎ−ＧａＡｓ層 ２２４はｎ−ＧａＡｓ ／ ＡｌＡｓ超格子層２２４１
は超格子層の混晶化部 ２２４２は島状超格子層 ２２５はＺｎ拡散ｐ形領域 ２２６はｐ−ｎ接合 ２２７はｐ−ｎ接合表面露出部 を表わす。 オ １ 図 Ｉ ７１′２ 図
で、 １１はｎ十形ＩｎＰ基板 １２はｎ十形ＩｎＰ層 １３はｎ−形ＩｎｏａＡｓＰ層 １４はｎ−形ＴｎＰ層 １５は５ｉ０２又はＳｉ３Ｎ４膜 １５１はＳ ｉ ３ Ｎ４又ｉｉ、 Ｓ ｉ ０２膜１
６はｐ影領域 １７はｐ−ｎ接合 １８けＴｎＰとＩｎＧａＡｓＰ層の界面１９はｐ形電極 ２０はｎ形’ｄ’ｉ、 ４ＫＩ ２１はリード線 ２２１はｎ＋ＧａＡｓ基板 ２２２はｎ＋（３ａ Ａ ｓ層 ２２３はｎ−ＧａＡｓ層 ２２４はｎ−ＧａＡｓ ／ ＡｌＡｓ超格子層２２４１
は超格子層の混晶化部 ２２４２は島状超格子層 ２２５はＺｎ拡散ｐ形領域 ２２６はｐ−ｎ接合 ２２７はｐ−ｎ接合表面露出部 を表わす。 オ １ 図 Ｉ ７１′２ 図
Claims (1)
- 第１の半導体層上の所望の場所に、実効的禁制帯幅が該
第１の半導体層の禁制帯幅に較べ大きくかつ第１の半導
体層と同じ導電形を示す半導体超格子層が設けられ、こ
の半導体超格子層の周囲にこの超格子層とほぼ同一の組
成の混晶層が設けられ、第１の半導体層および前記半導
体超格子層とは逆導電形の領域が、第１の半導体層と前
記超格子層との界面には達しない深さで、しかも前記超
格子層を含みｐｎ接合が周囲の前記混晶層表面で終端す
るように形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127775A JPH065786B2 (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127775A JPH065786B2 (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616876A true JPS616876A (ja) | 1986-01-13 |
| JPH065786B2 JPH065786B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=14968380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127775A Expired - Lifetime JPH065786B2 (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065786B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274918A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路付光デバイス装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59127775A patent/JPH065786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274918A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路付光デバイス装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065786B2 (ja) | 1994-01-19 |
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