JPS6170734A - プロ−ブカ−ド - Google Patents

プロ−ブカ−ド

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Publication number
JPS6170734A
JPS6170734A JP59192217A JP19221784A JPS6170734A JP S6170734 A JPS6170734 A JP S6170734A JP 59192217 A JP59192217 A JP 59192217A JP 19221784 A JP19221784 A JP 19221784A JP S6170734 A JPS6170734 A JP S6170734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
wafer
probe card
probes
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59192217A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Iizuka
恒夫 飯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59192217A priority Critical patent/JPS6170734A/ja
Publication of JPS6170734A publication Critical patent/JPS6170734A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハ試験において、半導体ウェハ上の
チップを複数個同時に試験するときの測定探針の配置に
関する。
各種半導体装置は、通常ウニハエ程終了後、ウェハ試験
が行われる。
ウェハ試験は、チップ上の電極(パッド)と測定探針(
プローブ)との接触により行われるためブロービング・
テストとも呼ばれている。
ウェハ試験により、ウェハ上に形成された全チップの電
気的特性の試験を行い、不良チップに対してはマーキン
グ装置によりチップ表面にインクや引っ掻き傷等をつけ
てマーキングする。
第2図はウニ八試験装置のプローブ回りを模式的に示す
断面図である。
図において、ウェハ1を、直交する2方向にチップ毎に
フィードができ、かつフィードされた位置で上下動がで
きる構造のステージ2の上に載せる。
ウェハ1上に間隔をおいて、チップ上のバンドの配列に
合わせてプローブ3を取り付けたブローブカード4を、
テストヘッド5に取り付けられたリングインサートと称
する保持具6に装着する。
7はマーキング装置で、チップが不良のときは測定され
たチップにマーキングを行う。
試験はプローブ3からプローブカード4、テストヘッド
5を経由してテスタ8までを電気的に接続して測定する
ことにより行う。
近年大規模集積回路(LSI)の高機能化にともないチ
ップ上のパッド数が増え、しかもこれらのチップを複数
個同時にすべてのパッドがプローブとコンタクトでき、
かつマーキング可能な構造の装置が望まれている。
〔従来の技術〕
第3図は従来例による複数個のチップが同時に測定でき
るプローブカードの平面図である。
図において、プローブカード4の中央部にチップ3個分
に対応する孔9を開け、3チップ分のプローブ3をこの
孔の周囲に配列して取り付ける。
この場合は被測定3チツプの内の中央チップのA、  
B部のパッドに対するプローブは取り付けることはでき
ない。
またマーキング装置がチップに対して大き過ぎてマーキ
ングができなくなることがある。
第4図は他の従来例による複数個のチップが同時に測定
できるプローブカードの平面図である。
図において、プローブカード4の中央部に斜め隣のチッ
プに対応する孔10.11を開け、それぞれの孔に1チ
ツプ分のプローブ3をこれらの孔の周囲に配列して取り
付ける。
この場合はプローブを取り付ける配置に対する制約はや
や解消されるが、ウェハの移動範囲は第3図の例と同様
にウェハ全域にわたって行わねばならず、測定時間の短
縮には寄与できない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の構造はプローブカードの同じ場所からプローブを
出していた。このため多ピンのデバイスに対してはプロ
ーブをパッドにコンタクトさせることができないことが
あった。またチップ面積の小さいデバイスに対してはマ
ーキング装置の構造上マーキングできないことがあった
さらにチップ毎の測定のためのウェハ移動範囲は・ウェ
ハ全域にわたって行うため、測定時間が長くなる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、半導体ウェハに形成されたチップ
を複数個同時に試験する測定探針を保持するプローブカ
ードにおいて、チップの配列間隔の2ピッチ以上の間隔
をおいて、チップ毎にまとめられた測定探針を設けてな
る本発明によるプローブカードにより達成される。
特に、lチップ分のプローブをまとめて、これをプロー
ブカード上において、略ウェハの半径を1辺とする正方
形の各頂点に配置すれば、ウェハの移動範囲は1/4で
、全ウェハをカバーすることができる。
さらに1チツプ分のプローブをまとめて、これを略ウェ
ハの半径を1辺とする正方形を、1方向に各辺が等間隔
になるようにずらせたn個の正方形の各頂点に配置すれ
ば、ウェハの移動範囲はl/ 4 nで、全ウェハをカ
バーすることができる。
(作用〕 プローブカード上の離れた別の場所に1チツプ分のプロ
ーブをまとめて取り付けることにより、上記の3つの問
題点を解決することができる。
即ち、プローブは1チツプ分ずつ、おたがいに離れた場
所に配置されているため、無理をしないでプローブカー
ドに取り付けることができる。
またマーキング装置の移動に対しても空間的な余裕がで
きる。
pぎに1チツプ分のプローブをまとめて、これを略ウニ
への半径を1辺とする正方形の各頂点に配置することに
より、ウェハの移動範囲は1/4で全ウェハをカバーで
きる。
さらに1チツプ分のプローブをまとめて、これを略ウェ
ハの半径を1辺とする正方形を、1方向に各辺が等間隔
になるようにずらせたn個の正方形の各頂点に配置すれ
ば、ウェハの移動範囲は1/ 4 nで全ウェハをカバ
ーすることができ、測定時間の短縮が可能となる。
〔実施例〕
第1図(a)、 (bl、 (C)はそれぞれ本発明に
よる複数個のチップが同時に測定できるプローブカード
の平面図と、ウェハとプローブカードの相対関係を示す
平面図である。
第1図(alにおいて、プローブカード40点対称の位
置に略ウェハの半径を1辺とする正方形の各頂点に、1
チツプに対応する孔12.13.14.15を開け、そ
れぞれの孔に1チツプ分のプローブ3をこれらの孔の周
囲に配列して取り付ける。
第1図(b)において、X、Yはウェハの移動距離を示
す。
この場合はプローブを取り付ける配置に対する制約は完
全に解消され、またマーキング装置の配置も余裕をもっ
て行うことができる。
さらに、ウェハの移動範囲は1/4で全ウェハをカバー
できる。
第1図(C)において、1チツプ分のプローブをまとめ
て、これを略ウェハの半径を1辺とする正方形を、1方
向に各辺が等間隔になるようにずらせた2個の正方形の
各頂点12〜19に配置すれば、ウェハの移動範囲は1
/(4X2)で全ウェハをカバーすることができる。
一般化してn個の正方形の各頂点に配置すれば、ウェハ
の移動範囲は1/4nで全ウェハをカバーすることがで
き、さらに測定時間の短縮が可能となる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、多ピンのデ
バイスに対してもプローブを全パッドにコンタクトさせ
ることができ、またチップ面積の小さいデバイスに対し
てもマーキング装置装置の構造上マーキングできなくな
るということはなくなった。
さらにチップ毎の測定のためのウェハ移動範囲は少な(
てよく、測定時間の短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (b)、 (C)はそれぞれ本発明に
よる複数個のチップが同時に測定できるプローブカード
の平面図と、ウェハとプローブカードの相対関係を示す
平面図、 第2図はウェハ試験装置のプローブ回りを模式%式% 第3図は従来例による複数個のチップが同時に測定でき
るプローブカードの平面図、 第4図は他の従来例による複数個のチップが同時に測定
できるプローブカードの平面図である。 図において、 1はウェハ、     2はステージ、3はプローブ、
    4はプローブカード、5はテストヘッド、  
6はリングインサート、7はマーキング装置、8はテス
タ、 9はチン13個分憾対応する孔、 10、11は斜め隣のチップに対応する孔、12.13
.14.15はそれぞれ正方形の頂点に配置された1チ
フプに対応する孔 16.17.18.19はそれぞれ第2の正方形の頂点
に配置された1チツプに対応する 孔 を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハに形成されたチップを、複数個同時
    に試験する測定探針を保持するプローブカードにおいて
    、チップの配列間隔の2ピッチ以上の間隔をおいて、チ
    ップ毎にまとめられた測定探針を設けてなることを特徴
    とするプローブカード。
  2. (2)1チップ分のプローブをまとめて、これを略ウェ
    ハの半径を1辺とする正方形の各頂点に配置してなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプローブカ
    ード。
  3. (3)1チップ分のプローブをまとめて、これを略ウェ
    ハの半径を1辺とする正方形を、1方向に各辺が等間隔
    になるようにずらせた複数の正方形の各頂点に配置して
    なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプロ
    ーブカード。
JP59192217A 1984-09-13 1984-09-13 プロ−ブカ−ド Pending JPS6170734A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59192217A JPS6170734A (ja) 1984-09-13 1984-09-13 プロ−ブカ−ド

Applications Claiming Priority (1)

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JP59192217A JPS6170734A (ja) 1984-09-13 1984-09-13 プロ−ブカ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6170734A true JPS6170734A (ja) 1986-04-11

Family

ID=16287607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59192217A Pending JPS6170734A (ja) 1984-09-13 1984-09-13 プロ−ブカ−ド

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JP (1) JPS6170734A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435926A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Tokyo Electron Ltd Reliability testing system for semiconductor element
JP2013044552A (ja) * 2011-08-22 2013-03-04 Denso Corp ウエハ検査方法及びウエハマップ

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435926A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Tokyo Electron Ltd Reliability testing system for semiconductor element
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