JPS6172058A - 紫外線により架橋可能なオルガノポリシロキサン材料および電子構成素子を埋込む方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は紫外線により架橋可能なオルガノポリシロキサ
ン材料および成子構成素子を埋込む方法に関する。

従来の技術 米国特ｆｐ第４２９０８６９号明細書（１９８２年９月
２２日発行、発明＃Ｒ，ビジョン（Ｐｉｇｅｏｎ）。

出願人ローン・デーレンク・インダストリー（Ｒｈ’１
ａｎｅ−Ｐｏｕｌｅｎｃ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ　）　
３から既に、ＳＩＣ−結合されたアクリルオキシアルキ
ル−まタハメタクリルオキクアルキル基ならびにメルカ
プトアルキル基を宵する、光重合可能なオルガノポリシ
ロキサン材料は公知である。この公知材料中には、既に
その夷造の次めに使用される成分の装造のＩＩＡ埋１遺
の最高４５重搬チのアルカ／　−ルー１）Ｅ　遊離され
てよいので、オルガノ＆　ＩＪ　シ０ギテンのほかに７
ランが存在する。前述の刊行物の、第８欄、第３６〜６
８行により、この種の組成物は、密閉された不透明な容
器中で約４８時間の貯蔵安定性を何する。米国’４？許
第４２９０８６９号明＃ｔｌＩ書による材料が電子構成
素子の埋込みのために適し′１：いることは、この刊行
物では主帳されていな℃ 本発明の線端は、密閉された容器中、元、珠に紫外線の
！！＠下に少なくとも６ケ月間貯蔵することができ、そ
の架橋の開始前は粘度が十分に低いので、比較的狭い間
隙中へも侵入するこ−とができ最終消費個所において２
成分系に必要な配量装置費を必要とせず、その最終的加
工のために使用される装置中で装置の停止の際には架橋
しえず、このためこの装置の清浄叱責が避けられ、不快
な臭気を発せず、紫外線の作用下に呈＠ないしは１００
°Ｃを越えない温度で急速に架橋し、その際空気中の酸
素による架橋は電子構成部品の埋込みのために許容しえ
ない程度には損なわれず、その架橋の際、透明で、軟か
く、ゲル状稠度から１自然治癒注（ａｅｌｂｓｔｈｅｉ
−１ｅｎｄ　　）“である生成物が生じる、即ちこれが
たとえば切断され、かつ切断により互−に分離された部
分が十分近くに密接している場合に再び合流し、その際
架橋生成物はそれにもかかわらずこの生成物がつ（られ
ている基体から流出しない材料を比較的容易に人手可能
な成分から製造することである。

この課題が本発明により解決されるので、本発明による
材料は電子構成素子の埋込みのために非常に適している
。

本発明の対象は、式： ％式％ 〔式中Ｒは場合によりノーｅＩｒン化された１価の炭化
水素基であり、Ｒ１は水素またを末場合によりハｃ２ｒ
ン化されたフェニル基であり、Ｒ”ｆ工水素または基ご
とに１〜４のＣ原子を有するアルキル基であり　Ｒ３は
／Ｎ　ｔ：１デン化され工いてよい、２価の炭化水素基
である〕の単位、ならびに式： ％式％ 〔式中ＲおよびＲ３に工それぞれ上述のものを表わし、
ａは０または１である〕の単位を富宵する、系外縁によ
り架橋可能なオルガノポリシロ中サン材料であり、これ
は生成分として、（ＡＪ　　式： ％式％ 〔式中Ｒ、Ｅｔ”　ｅ　Ｒ’およびＲ３は上述のものを
表わす〕の単位を有するオル、ガノポリシｏｄＰｆン、
その除成分（Ａ４１分子あたりこのようなシロキサン単
位２つが存在し、成分（、Ａ）中の残りのシロキサン単
位はその数の少なくとも８０％が式：〔式中Ｒは上述の
ものを表わす〕の単位から成り、かつ成分（Ａｌは２５
゛Ｃで２０〜５０００　ｍＰａ、ｓの粘度を有し、 （ＢＪ　　式：　Ｒ３５ｉＯＶ２［式中Ｒは上述のもの
を表わす］の単位により末端到鎖されたオルガノボリシ
ロキナン、その際成分（Ｂ）は式： ％式％ 〔式中Ｒ＋　Ｒ３およびａはそれぞれ上述のもめを表わ
すコの単位０．０５〜５モル％を有し、残りの−７ａキ
チン単位は、トυオルゴノ７Ｃｌキク基を除き〜少な（
とも９９モルチが式：　ａ、ｓｉ。

〔式中Ｒは上述のものを表わす〕の単位から成’）２＞
Ｔｈツ成分（Ｂａは２５℃テ５０〜２０００　ｍＰａ、
ｓの平均粘度を有し、かつ ＩＣ）　　ＭＳ増感剤 を含有し、その際式：　ＲＩ８１０の単位中に存在する
、Ｓｉ−結合ヒドａキフル基は式： ％式％ の基１つあたり最高ヒｆａキシル基０．２の量で存在し
、かつこの材料中に有機チタン−または有機スズ化合物
が、成分（ＡＪ　、　（Ｂ）および（Ｃ）の総重量に対
して合計最高０．０２重量％存在することを特徴とする
。

本発明による材料は、米国特許＠　４２９０８６９号明
ａ４Ｉによる材料とも、たとえばこれがこの刊行物に挙
げられていない。

式： ％式％ の単位を有し、ｔ−：　Ｒ２５１０の単位中に８１−結
合され比８１−Ｍ合とドロキシル基を含有しないかまた
は非常に僅かしか含有せず、かつ有機チタン−またはス
ズ化合物を含有しなｉか、非常に僅かしか含有しな−こ
とにより区別される。

瀧いたことに、紫外線に罎４する場合、本発明による材
料は、この相違にもかかわらず急速に架橋する。

炭化水素基Ｒの同は、メチル−、エテル−１−ｎ−７ｌ
″ロビルー、イソプロピル−１ｎ−プチル−および８−
ブチル基ならびにオフタデフル基のような、基ごとに１
〜１８の炭素原子を有するアルキル基；７クロヘキシル
ーおよびシクロアルキル基ならびにメチルシクロヘキフ
ル基のような、基ごとに５〜８の炭素原子な有するシク
ロアルキル基；ビニル基およびアリル基のような、脂肪
族炭素−炭素の二重結合を有しかっ基１つあ友り２〜１
８の炭素原子を有する基（その際この基は単独原子とし
て炭素原子および水Ｓ原子から構成されてＡる）；フェ
ニル基およびキセニル基のような、基ごとに６〜１２の
炭素原子を何するアリール基；トルイル基のような、基
ごとに７−１８の炭素原子を有するアルカリール基；お
よびベンゾルーおよびβ−フェニルエチル基のような、
基ごとに７〜１８の炭素原子を育するアラルキル基であ
る。

へｃＩｒノ化炭化水素基Ｒの例は、６−クロルデミピル
基および５．５．５−トリフルオａデａｆル基ならびに
０−１１）−およびｎ−クロルフェニル基である。

特に、既に容易な入手性のために、基Ｒの数の少な（と
も９５％はメチル基である。

持にＲ１は水素である。ハｃｌデン化フェニル基の列は
０−ｌｍ−およびｐ−クロルフェニル基である。

特にＲ１も水素である。しかし　Ｂ２はたとえばメチル
基であってよい。

特に、Ｂ３は式”　−（ＣＨａ）ｐ−Ｃ式中ｐは１〜６
の整数、妹に６である〕の基である。しかし、Ｒ３は九
とえば式：　−ＣＨ２Ｃ（ＣＨ５）２ＣＨ２−の基のよ
うな分枝アルキンン基、フェニレン基のようなアリーレ
ン基、式：　−（ＣＨａ）　８Ｃ６Ｈ４−の基のような
アルカリーレン基またをエトルイレン基のようなアラル
キレン基であってよ＾。

ハロゲン化され九基Ｒ３の例は、０−１ｐ−およびｍ−
クロルフェニレン基である。

成分囚中に、式： の単位に対して付加的に場合により存在していてよめ７
０キナン単位は、特に式’Ｒ８１０３／ｓｃ式中Ｒは上
述のものを表わすコまたは８１０４７２のようなもので
ある。これは成分（Ａ）中に、武：ＨＲ”Ｃ＝＝ＣＲ”
Ｃ００Ｒ３ＳＩＲ２１１３１０１，４の単位以外のクロ
キチン単位の数の合計２０１ｓまでの鎗で存在していて
よい。しかし特に、これは成分囚中の全’／Ｃｌキチン
単位の数の合計最高５ｓの象で存在するにすぎな−。

％に成分（Ａ）は、２５’Ｏで１００〜２０００ｍＰａ
　、　ｓの粘度を有する。

有機チタン−またはスズ化合物を一緒に使用しなめ成分
（ＡＪの製法（本発明による材料の裏道のために適当で
あるようにする几めには成分＋Ａ）からこれら化合物を
最初少なくとも十分に除去しなければならな−）は、公
知である。このためには、たとえば西ドイツ国特許出願
公開第２８２９３６７号Ｆ！Ａ細書１９７９年２月８日
公開、出願人パウシエ　＆　ロム（Ｂａｕｓｃｈ　＆ｂ
ｏｍｂ）　］および西げイツ国特許出願公開第３２２２
８３９号明ｄｌ＊ｃ１９８３年１２月２２日公−１出願
人ワツカー・ヒエミー（ｍａｋｅｒ−Ｃｈｅｍ↓ｅ　）
　ＧｍｂＨＪが援用される。

特に、成分（Ｂ）は、式：　ＨＳＲ３ＲａＳｉＯ３Ｒａ
８ｉ０３−、　　の単位０．５〜１モル悼ぞ言付する。

さらに、成分（Ｂ）は２５０で１００〜１０口ＱｍＰａ
、ｓのＭ［を宵するのが臀利である。

成分（Ｂ）中に式：　ＨＳＲ３ＲａＳｉＯ’Ｒａ５ｉＯ
Ｘ！−ｆｉおよびＲ２８１０一 の単位に対し付加的に存在していてよ＾シｃｔギテン単
位は、詩に同様に式：　Ｒ８１ＯｈＣ式中Ｒは上述のも
のを表わす〕また１工５１ｏ４／Ｊのようなものである
。

式：　Ｒ３５Ｌハ４の単位は、待に（ＣＨａ）　３８ｉ
　Ｏ１／２単位である。

有機チタン−またはスズ化合ｖＪを一緒に使用しない成
分（Ｂ）の製法（本発明による材料の製造の几めに適当
であるようにするためには成分＋８）からこれら化合＠
を最初に十分に除去しなければならない）は、公知であ
る。

このためには、米国特許第４０４６７９５号明細膏［１
９７７手９月６日発行、発明者Ｅ、ＦＬ、−マーテン（
Ｍａｒｔｌｎ）、出願人ＳＷ８７リコーンコーホｖ　−
シａ　ｙ　（５１１ｉｃｏｎｅｓ　ｃｏｒｐｏｒａｔｔ
ｏｎ８月および央国特軒第２０７６８４２号明＃ｉ沓〔
出願人ワラカー・ヒエミー（Ｗａｃｋｅｒ−Ｃｈｅｍｌ
ａ　）ＧｍｂＨ，ｉ明番Ｐ、ツーバー（）（ｕｂｅｒ　
）、１９８１年１２月７日公開〕が援用される。

特に、本発明による材料は成分囚）および（Ｂ）を、式
： ％式％ の単位ごとに式：　ＨＳＲ３ＲａＳｉＯ３Ｒａ５ｉ０３
−ａの単位０．５〜□ １０が存在するような凝沈で含有する。

光層感剤（Ｃ）としては任意の市販の増１惑剤を使用す
ることができる。、２−とドロ中７−２−メチルー１−
フェニルプロパン−１−オンおヨヒ２．４−ビス−（ト
リメチルＸ／ｃ１キ７）−ベンゾフェノンのような、成
分（Ｎおよび（ＢＪ中に可解である増感剤がり利である
。増感剤ｆｃ）の他の列レエ、ベンゾフェノンおよび置
美ベンゾフェノン、ベンゾインおよびｆｉｇベンゾイン
、アセトフェノンおよび置ｆ美アセト７二ノン、ペンシ
ルおよびｔ！Ｌ換ヘンシルである。Ｉ−々には欠のもの
が争げられる： アセトフエノン１．２−エトキシ−２−メチルアセトフ
ェノン、メ７チルオキ７ｒ１プロピオフェノン、ベンゾ
フェノン、キチントン、チオ牛テンドン、フルオレノン
、ベンズアルデヒド、フルオンン、アントラキノン、カ
ルバゾール、６−メチルアセトフェノン、４−メチルア
セトフェノ／、３−グａムアセトフェノン、４−メチル
ベンゾフェノン、４−クロルベンゾフェノン、４，４−
ジメトキシベンゾフェノン、４−クロル−４７−ベンプ
ルベンゾフェノン、６−クロルΦサントン、３．９−ゾ
クロルキ丈ントン、５−／Ｃ１ｋ−８−ノニル中サント
ン、クロルア／トラキノン、ミヒラーケトン、ケイ皮酸
、ベンゾインメチルエーテル、アントラキノ／−１，５
−ソスルホン鍍二ナトリウム塩、２−ナフタリンスルホ
ニルクロリド、ペンシル、ペンシルケタールおよびヒド
ロキ７ペンゾフエノ／。

胃利な増感剤は、友とえば名称“ダミクール（Ｄａｒｏ
ｃｕｒ　）　１１７５　’、“ダミクール１１１６”、
″ダミクール９５３’（メルク社製、西ｒイツ国ダルム
７ユタット在）で得られる（名称“ダミクール“【工登
録商標である）、。

成分（Ａ）およびｆＢ）の１重量に対し、０．０ｔ〜５
ｗ１ｔ％の増感剤量が十分である。生成分（Ａｔ　、　
（Ｂ）および（Ｃ）に対し付加的に、本発明による材料
は、場合により池の物質を含有していてよい。この櫨の
他の物質の例は、珠にデタンノオールゾアクリル酸エス
テルおよびｒ−グリ７ドオキシデロピルトリアセトー＋
７７ランのような、架橋されたオルガノボリシａキサン
の基体に対する付着改良剤である。

紫外線としては、２００〜４００　ｎｍ　（六ツメータ
ー）の範囲内の波長を何するようなものがり利である。

本発明による材料の架ｍは、更宜上、特に大気の圧力で
、従って１０２０　ｈＰａ　（絶対）または約１０２０
　ｈＰａ　（絶対）で実施丁Φ。しかし、所望の場合に
はこれより藁いかまたはより低い圧力ｋｍ用することも
できる。

架橋は、本発明による材料を病外巌に幡４する場合、０
．５〜２０秒内に行なわれる。

さらに、本発明の対象は、電子構成素子を埋込む方法で
あり、上述し之成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）からな
る材料を、その中へ電子構成素子を埋込んだ後、紫外線
に曝露することを特徴とする１本発明による方法によれ
ば、これまでもオルガノボクシαキサン中に埋込むこと
ができた任意の電子構成索子な埋込むことができる。こ
のような電子構成素子の例は、たとえば電子点火装置用
のハイブリッドスイッチ回路、モジュール、光起電力ソ
ーラー発゛心機および他の半導体装置である。

次列では、別記しないかぎり、部は直置に関する。

実施例 列　１ 成分（ＡＪとして、２５℃で６６０　ｍＰａ、；の粘度
を有する、武： Ｈ２Ｃ＝ＣｆＫ：ＣＯ（ＣＨ２）３　（ＣＨ３）２８ｉ
（ＸＳｉ　（ＣＨ３）２０Ｊ。ｓｔ　（ＣＨ３）２　（
ＣＦ（２）３億ｘＫＨ２〔式中すは平均２００である〕
のオルガノポリシロΦサン１０部を、成分（Ｂｌとして
、２５℃で２１０　ｍＰａ、ｓの粘度をりする。式コＨ
ＥＩ（ＣＦ（、ン３ＳｉＯ３／２の単ｔ［）、７７モル
チおよびジメチルシミキサン単位９９．２５モル係から
成り、トリメチル７０キク基により末端封鎖されたオル
がノボリフｃＩキサン（そこでメルカプトデミピル基対
アクリルオキ７デロピル基の比は２．６：　１である）
６０部および成分（Ｃ１として２−ヒダロキ７−２−メ
チルー１−フェニルｆｏパン−１−オン０．８部と混合
する。

このようにして得られた混合物は、遮光下に゛冷開容器
中で室温での６ケ月の貯坂後も、積置１３よび透明反ｌ
Ｌらびに全ての池の′持重に関し完全に不変であるウモ
ゾユールがその中に存在する深さ５間のポリメタクリル
ガ゛ラス／ヤーンを、この材料で元たし、この材料をこ
こで、元元長ＩＣ７ｎＬｈ、＝ｔ９８０ワットの厄力お
よび３６６　ｎｍで最大出力を何する、水銀中庄沼外線
ランプを用イテ１０ｃＩｒＬの＝ｍで一元する。５秒後
に液体は完全に透明で、もはや流動性でない、ゲル状稠
度を有する生成物に架橋する。この材料はランプの熱放
射により、たんに３０’ＯＫ加温されたにすぎない。

例　２ 例１に記載した方法を繰返すが、成分（Ｂｌ　３０部の
代わりに成分（８１２０部を使用しく従ってメルカデト
デａビル基対アクリルオキシデａビル基の比１．５４　
：　１である）、成分（Ｃ’３０．８部の代わりに成分
（Ｃ）０．６部を使用する。紫外線−元の際の架嘴時間
は、５秒である。架橋された生成物は完全に透明で、も
はや流＃ｌ注でなくかつゲル状稠度を膏する。これは列
１により製造され九架橋生成物よりも若干硬くかつ若干
低い粘度を有する。

例　６ 列１で詳述され之成分（ＡＪ１０部を、同１で詳述され
た成分＋Ｂ）１５部および例１に記載されたｉ類の成分
（Ｃ１Ｏ，１５ｇと混合する。このようにして得られた
材料中へ、）・イブリッタスイッチ回路を６Ｒ１４の最
大層厚まで埋込み、例１に記載されているように−ｌ光
する。架橋時間＆′Ｌ６抄である。架橋生成物は、無色
♂明で、もは−？流動性でなくかつデル状稠度を何する
。架橋され九生酸物を、７０′Ｃに４週間加熱した銑、
その稠度の変化しな＾ことが４認された。

架（＃された生成物の一気的試験直に欠のとおりである
： 層厚２１ｍ５２３’ｃでの乾式測定でのＤＩＮ　５３４
１：ｉ２によるＩｒＩＡ有絶碌抵抗：　５．２　・Ｉ　
Ｑｌｓｒ−ム、　ｃｍＤＩＮ　５５４８１　Ｋよる破Ｉ
ＡＩｊ！圧：　２１　ＫＶ／１１１１ＤＩＮ　５５４８
３による５　Ｑ　Ｈｚから５　ＭＨｚの周彼数馳囲内で
２６′Ｃにおける誘゛蹴ギε：２．９〜３．２ ＤｆＮ　５３８４３　Ｋよる２　５　’（ＤＫ、ｓ；Ｉ
ｔｊ７：ｒｒａ’ｔｆｊＡ４ｔｇ　　Δ　： ５０　Ｈｚ　　　　　５　ＫＨｚ　　　　　５　Ｍ）（
ｚ１１５・１０−’２０・１０−’ｉｎ・１０−４列１
〜６で使用した成分（７１Ｊはべの方法により製造しｆ
ｃ＝ １分子あたり平均７０のケイ素原子を何する、末端単位
中に８１−結合ヒーａキシル基１つずつを何するクメチ
ルボリシロキサン２１３０ｇ（２８，７８モル）、式： ％式％ のオルがノボリクａキチン１４７．９（０，１３モル）
および酸処理されたモンモリロナイト６９ｇから成る混
合物を５時間、攪拌しながら１００゛Ｃに加熱する。引
続きモンモリロナイトを濾別する。ｕ＠液は成分＋ＡＪ
である。

成分（ＡＪの装造のために便用される酸処理されたモン
モリロナイトは、市場で得られる。これは二酸化ケイ素
、酸化アルミニウム、酸化鉄（２）、酸化マグネ／ラム
、酸化ナトリウムおよび酸化カリウムから構成され、矢
の″特注値を有する：かさ密度　　　４５０１／１ 裁とう田度　　６７０９／ノ 比　　藏　　　　　　　　２．４す／１さ水層（１１０
”Ｏで２時間）：最高７貢瀘％灼熱減盾（１（３００℃
）［高７直綾チ１０　重ｔ％水ｆｉａ／ＩＱ中ノｐＨ：
　２．９９７重量％が１５０マイクロメーターの網目大
きさを有するフルイを通る。

列１〜３で匣用した成分（Ｂ）　’を工、次の方法によ
り製造した： 攪拌機、温度計およびユ１流冷却器を備える４１−三頚
フラスコ中で、攪拌しながら、Ｓｌ−結合ヒーロキシル
基６．５重献％を何する、末端単位ｖｃＳｉ−結合ヒＶ
ロキシル基１つずつを有するゾメチルボリシロキテ７　
７８２．５１（１０，５モル）ｒ−メルカデトデ口ピル
トリメトキ７７ラン５１．６　、？　（０，２６モル） ドルオール　　　　　　　　　１７０ｇ燕”水塩化カル
／ラム（反応の際に生成する水の結合のための） および 上述の特注値を宵する酸処理され之モンモリロナイ）３
Ｉ！かう成る混合物を、６０分間７０′Ｃに加熱し、７
０”Ｏで２時間保ち、その後２時間１００℃に加熱する
。８０′Ｃに冷部した後、フラスコ内容物を２５℃で１
００　ｍＰａ、ｓの粘度な［−ｊる、）リメチルシａキ
シ基により末端封鎖され几ジメチルボリシａキチン１５
５０　Ｎ　（１８，２モル）、上述の％性櫃を何する酸
処理されたモンモリロナイト７０Ｆおよび無水塩化カル
７ウム２０Ｉと混合し、６時間１　（］　Ｑ　’Ｏに加
熱する、冷却し次後、固形成分を濾別する。濾液は成分
（Ｂ）である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式：ＨＲ＾１Ｃ＝ＣＲ＾２ＣＯＯＲ＾３ＳｉＲ＿２
   Ｏ＿１＿／＿２〔式中Ｒは場合によりハロゲン化された
   １価の炭化水素基であり、Ｒ＾１は水素または場合によ
   りハロゲン化されたフェニル基であり、Ｒ＾２は水素ま
   たは基ごとに１〜４のＣ原子を有するアルキル基であり
   、Ｒ＾はハロゲン化されていてよい２価の炭化水素基で
   ある〕の単位ならびに式： ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ＿３＿−＿ａ＿／＿２〔式中Ｒお
   よびＲ＾３はそれぞれ上述のものを表わし、ａは０また
   は１である〕の単位を有する、紫外線により架橋可能な
   オルガノポリシロキサン材料において、これが生成分と
   して、 （Ａ）式：ＨＲ＾１Ｃ＝ＣＲ＾２ＣＯＯＲ＾３ＳｉＲ＿
   ２Ｏ＿１＿／＿２〔式中Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は
   それぞれ上述のものを表わす〕の単位を有するオルガノ
   ポリシロキサン、その際成分（Ａ）の分子ごとにこのよ
   うなシロキサン単位２つが存在し、成分（Ａ）中の残り
   のシロキサン単位はその数の少なくとも８０％が式：Ｒ
   ＿２ＳｉＯ 〔式中Ｒは上述のものを表わす〕の単位から成り、かつ
   成分（Ａ）は２５℃で２０〜５０００ｍＰａ．Ｓの平均
   粘度を有し、 （Ｂ）式：Ｒ＿３ＳｉＯ＿１＿／＿２〔式中Ｒは上述の
   ものを表わす〕の単位により末端封鎖されたオルガノポ
   リシロキサン、その際成分（Ｂ）は式： ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ＿（＿３＿−＿ａ＿）＿／＿２〔
   式中Ｒ、Ｒ＾３およびａはそれぞれ上述のものを表わす
   〕の単位を有し、残りのシロキサン単位は、トリオルガ
   ノシロキシ基を除き、少なくとも９９モル％が式：Ｒ＿
   ２ＳｉＯ〔式中Ｒは上述のものを表わす〕の単位から成
   り、かつ成分（Ｂ）は２５℃で５０〜２０００ｍＰａ．
   Ｓの平均粘度を有し、 （Ｃ）光増感剤 を含有し、その際式：Ｒ＿２ＳｉＯの単位中に存在する
   Ｓｉ−結合ヒドロキシル基は、式： ＨＲ＾１Ｃ＝ＣＲ＾２ＣＯＯＲ＾３− の基１つあたりヒドロキシル基０．２の量で存在し、か
   つこの材料中に有機チタン−または有機スズ化合物が、
   成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の総重量に対して合計
   最高０．０２重量％存在することを特徴とする、紫外線
   により架橋可能なオルガノポリシロキサン材料。 ２、成分（Ｂ）が式：ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ＿（＿３＿
   −＿ａ＿）＿／＿２〔式中Ｒ、Ｒ＾３およびａはそれぞ
   れ上述のものを表わす〕の単位０．５〜１モル％を含有
   する、特許請求の範囲第１項記載の材料。 ３、成分（Ａ）が２５℃で１００〜２０００ｍＰａ．ｓ
   の粘度を有する、特許請求の範囲第１項または第２項記
   載の材料。 ４、成分（Ｂ）が２５℃で１００〜１０００ｍＰａ．ｓ
   の粘度を有する、特許請求の範囲第１項から第３項まで
   のいずれか１項記載の材料。 ５、式：ＨＲ＾１Ｃ＝ＣＲ＾２ＣＯＯＲ＾３ＳｉＲ＿２
   Ｏ＿１＿／＿２の単位あたり式：ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ
   ＿（＿３＿−＿ａ＿）＿／＿２の単位０．５〜１０が存
   在する、特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれ
   か１項記載の材料。 ６、式：ＨＲ＾１Ｃ＝ＣＲ＾２ＣＯＯＲ＾３ＳｉＲ＿２
   Ｏ＿１＿／＿２〔式中Ｒは場合によりハロゲン化された
   １価の炭化水素基であり、Ｒ＾１は水素または場合によ
   りハロゲン化されたフェニル基であり、Ｒ＾２は水素ま
   たは基ごとに１〜４のＣ原子を有するアルキル基であり
   、Ｒ＾３はハロゲン化されていてよい２価の炭化水素基
   である〕の単位ならびに 式：ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ＿（＿３＿−＿ａ＿）＿／＿
   ２〔式中ＲおよびＲ＾３はそれぞれ上述のものを表わし
   、ａは０または１である〕の単位を有する、紫外線によ
   り架橋可能なオルガノポリシロキサン材料を、その中に
   電子構成素子を埋込んだ後、紫外線により架橋すること
   を特徴とする、電子構成素子を埋込む方法。 ７、成分（Ｂ）が式：ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ＿（＿３＿
   −＿ａ＿）＿／＿２〔式中Ｒ、Ｒ＾３およびａはそれぞ
   れ上述のものを表わす〕の単位０．５〜１モル％を含有
   する材料を、その中へ電子構成素子を埋込んだ後、紫外
   線により架橋する、特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８、式：ＨＲ＾１Ｃ＝ＣＲ＾２ＣＯＯＲ＾３ＳｉＲ＿２
   Ｏ＿１＿／＿２の単位あたり式：ＨＳＲ＾３ＲａＳｉＯ
   ＿（＿３＿−＿ａ＿）＿／＿２の単位０．５〜１０が存
   在する材料をその中に電子構成素子を埋込んだ後、紫外
   線により架橋する、特許請求の範囲第６項または第７項
   記載の方法。