JPS617633A - 半導体ウエハ−の純水洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハ−の純水洗浄装置Info
- Publication number
- JPS617633A JPS617633A JP12875284A JP12875284A JPS617633A JP S617633 A JPS617633 A JP S617633A JP 12875284 A JP12875284 A JP 12875284A JP 12875284 A JP12875284 A JP 12875284A JP S617633 A JPS617633 A JP S617633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- cleaning
- inert gas
- semiconductor wafer
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハーの純水洗浄を行なうための装置
の改良に関する。
の改良に関する。
ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置の製造に用いられるウェハ
ー状の半導体基板、即ち半導体ウェハーには高度の清浄
度が要求される。このため、半導体ウェハーはその中に
トランジスタ等の素子を形成する前に洗浄工程に回され
て清浄化されるが、この洗浄工程は薬品による洗浄およ
びその後の純水洗浄からなっている。
ー状の半導体基板、即ち半導体ウェハーには高度の清浄
度が要求される。このため、半導体ウェハーはその中に
トランジスタ等の素子を形成する前に洗浄工程に回され
て清浄化されるが、この洗浄工程は薬品による洗浄およ
びその後の純水洗浄からなっている。
ところで、上記純水洗浄は従来第２図に示す装置を用い
て行なわれている。同図において、１は洗浄槽である。
て行なわれている。同図において、１は洗浄槽である。
該洗浄４１１は上方が解放されており、且つ下部には純
水供給管２が連結されている。
水供給管２が連結されている。
この装置を用いた半導体ウェハーの洗浄は、ウェハー３
・・・をキャリア４ごと洗浄槽１内に収容し、供給管２
から純水を連続的に供給することにより行なう。これに
よって、図中矢印で示すように純水は半導体ウェハー３
・・・の下から洗浄槽１内を上昇してオーバーフローし
、半導体ウェハー３・・・に付着している薬品等の不純
物を洗い去る。この場合、半導体ウェハー３・・・がど
の程度洗浄されたかはオーバーフローした水の比抵抗値
を測定して判定され、この１直が供給された純水の比抵
抗値にまで低下したときに洗浄を完了する。
・・・をキャリア４ごと洗浄槽１内に収容し、供給管２
から純水を連続的に供給することにより行なう。これに
よって、図中矢印で示すように純水は半導体ウェハー３
・・・の下から洗浄槽１内を上昇してオーバーフローし
、半導体ウェハー３・・・に付着している薬品等の不純
物を洗い去る。この場合、半導体ウェハー３・・・がど
の程度洗浄されたかはオーバーフローした水の比抵抗値
を測定して判定され、この１直が供給された純水の比抵
抗値にまで低下したときに洗浄を完了する。
上記のオーバーフロ一式洗浄装置以外にも、−定ＦＲＩ
１１オーバーフローを行なった後に洗浄槽１内の純水を
全部流出させ、再度オーバーフローを行なうようにした
リピート方式の洗浄装置も従来使用されている。このリ
ピート方式の純水洗浄装置は、第１図のオーバーフロ一
式洗浄装置における洗浄槽１の一部に排水口を設け、該
排水口にタイマーで作動する受動開閉弁をとりつけた構
成になっている。
１１オーバーフローを行なった後に洗浄槽１内の純水を
全部流出させ、再度オーバーフローを行なうようにした
リピート方式の洗浄装置も従来使用されている。このリ
ピート方式の純水洗浄装置は、第１図のオーバーフロ一
式洗浄装置における洗浄槽１の一部に排水口を設け、該
排水口にタイマーで作動する受動開閉弁をとりつけた構
成になっている。
上記従来の純水洗浄装置は洗浄効率が低いという問題が
ある。例えば第２図のオーバーフロ一式洗浄装置の場合
、洗浄槽および治具の大きさや１回に洗浄する半導体ウ
ェハーの枚数、また純水の供給圧力にもよるが、過去の
実績によると洗浄完了までに約１５分以上の時間を要し
、その間に使用される純水の消費量も軽視し得ない状況
にある。
ある。例えば第２図のオーバーフロ一式洗浄装置の場合
、洗浄槽および治具の大きさや１回に洗浄する半導体ウ
ェハーの枚数、また純水の供給圧力にもよるが、過去の
実績によると洗浄完了までに約１５分以上の時間を要し
、その間に使用される純水の消費量も軽視し得ない状況
にある。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、洗浄時間の
短縮化および純水使用量の節減を可能とした半導体ウェ
ハーの純水洗浄装置を提供し、ひいては半導体ウェハー
のコスト低減をも可能とすることを目的とし、てなされ
たものである。
短縮化および純水使用量の節減を可能とした半導体ウェ
ハーの純水洗浄装置を提供し、ひいては半導体ウェハー
のコスト低減をも可能とすることを目的とし、てなされ
たものである。
本発明による半導体ウェハーの純水洗浄装置は、洗浄す
べき半導体ウェハーを収容する洗浄槽と、該洗浄槽内に
純水を供給する純水供給管と、前記半導体ウェハーの下
から洗浄槽内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管
とを具備し、洗浄槽内に純水を供給すると共に、該純水
中に不活性ガスをバブリングさせながら前記半導体ウェ
ハーを洗浄するようにしたことを特徴とするものである
。
べき半導体ウェハーを収容する洗浄槽と、該洗浄槽内に
純水を供給する純水供給管と、前記半導体ウェハーの下
から洗浄槽内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管
とを具備し、洗浄槽内に純水を供給すると共に、該純水
中に不活性ガスをバブリングさせながら前記半導体ウェ
ハーを洗浄するようにしたことを特徴とするものである
。
本発明における不活性ガスとしては、アルゴンやヘリウ
ム等の稀ガス類の他、窒素ガス（Ｎ２）を使用すること
ができる。
ム等の稀ガス類の他、窒素ガス（Ｎ２）を使用すること
ができる。
本発明の純水洗浄装置を用いて半導体ウェハーの洗浄を
行なえば、上記不活性ガスのバブリングによる強制的な
洗浄作用が加わるため、純水のオーバーフローのみの場
合に比較して半導体ウェハーの表面から薬品等の付着物
をより効率的に除去することができる。
行なえば、上記不活性ガスのバブリングによる強制的な
洗浄作用が加わるため、純水のオーバーフローのみの場
合に比較して半導体ウェハーの表面から薬品等の付着物
をより効率的に除去することができる。
なお、本発明はオーバーフロ一方式およびリピート方式
の何れの装置にも適用することが可能である。
の何れの装置にも適用することが可能である。
以下に本発明の一実施例を説明する。 ′第１図は
、本発明を適用したリピート方式による半導体ウェハー
純水洗浄装置の一実施例を示している。同図において、
１１は洗浄槽である。該洗浄槽１１の下部には純水供給
管１２および不活性ガス供給管１３が連結されており、
不活性ガス供給管１３は洗浄槽１１の底部に配設された
パンチングパイプに接続されている。また、洗浄槽１１
の下部には排水管１４が連結されており、該排水管には
自動開閉弁１５が設けられている。該自動開閉弁１５は
所定の時間間隔で開閉し、洗浄槽１１内に満たされた洗
浄水を排出するようになっている。１６は洗浄槽内に設
けられたメツシュ状の載置台である。
、本発明を適用したリピート方式による半導体ウェハー
純水洗浄装置の一実施例を示している。同図において、
１１は洗浄槽である。該洗浄槽１１の下部には純水供給
管１２および不活性ガス供給管１３が連結されており、
不活性ガス供給管１３は洗浄槽１１の底部に配設された
パンチングパイプに接続されている。また、洗浄槽１１
の下部には排水管１４が連結されており、該排水管には
自動開閉弁１５が設けられている。該自動開閉弁１５は
所定の時間間隔で開閉し、洗浄槽１１内に満たされた洗
浄水を排出するようになっている。１６は洗浄槽内に設
けられたメツシュ状の載置台である。
上記実施例の純水洗浄装置を用いて半導体ウェハーを洗
浄するには、キャリア３′に収納したままで半導体ウェ
ハー４・・・を載置台１６上に載せ、供給管１２から純
水を導入すると共に供給管１３から不活性ガスを導入し
、リピート方式により洗浄を行なう。その際、純水がフ
ローされると同時に、パンチングパイプからは不活性ガ
スが気泡状態となってキャリア３′および半導体ウェハ
ー４・・・の表面に衝撃を与える。こうして不活性ガス
による物理的な洗浄作用が加わる結果、純水による洗浄
がより効果的に作用し、不活性ガスの吹込みを採用しな
い従来の単なるリピート方式の純水洗浄装置に較べて高
い洗浄効率が得られる。
浄するには、キャリア３′に収納したままで半導体ウェ
ハー４・・・を載置台１６上に載せ、供給管１２から純
水を導入すると共に供給管１３から不活性ガスを導入し
、リピート方式により洗浄を行なう。その際、純水がフ
ローされると同時に、パンチングパイプからは不活性ガ
スが気泡状態となってキャリア３′および半導体ウェハ
ー４・・・の表面に衝撃を与える。こうして不活性ガス
による物理的な洗浄作用が加わる結果、純水による洗浄
がより効果的に作用し、不活性ガスの吹込みを採用しな
い従来の単なるリピート方式の純水洗浄装置に較べて高
い洗浄効率が得られる。
上記第１図の実施例になる純水洗浄装置を用いて半導体
ウェハーの洗浄を行ない、洗浄完了までに要する時間を
流去洗浄水の比抵抗値を測定して追跡したところ、第３
図の曲線Ａに示す結果が得られた。なお、同図にはオー
バーフロ一方式による従来の純水洗浄装置（曲線Ｘ）、
′リピート方式による従来の純水洗浄装置（曲線Ｙ）の
夫々について行なった同様の追跡結果を併記しである。
ウェハーの洗浄を行ない、洗浄完了までに要する時間を
流去洗浄水の比抵抗値を測定して追跡したところ、第３
図の曲線Ａに示す結果が得られた。なお、同図にはオー
バーフロ一方式による従来の純水洗浄装置（曲線Ｘ）、
′リピート方式による従来の純水洗浄装置（曲線Ｙ）の
夫々について行なった同様の追跡結果を併記しである。
この結果から明らかなように、上記実施例の洗浄装置に
よれば従来のオーバーフロ一方式の洗浄装置の約１／２
、従来のリピート方式の洗浄装置の約２／３の洗浄時間
で純水洗浄を完了できることが可能となった。
よれば従来のオーバーフロ一方式の洗浄装置の約１／２
、従来のリピート方式の洗浄装置の約２／３の洗浄時間
で純水洗浄を完了できることが可能となった。
以上詳述したように、本発明による半導体ウェハーの純
水洗浄装置を用いれば、洗浄時間の短縮化および純水使
用量の節減を可能とし、ひいては半導体ウェハーのコス
ト低減が可能となる等、顕著な効果が得られるものであ
る。
水洗浄装置を用いれば、洗浄時間の短縮化および純水使
用量の節減を可能とし、ひいては半導体ウェハーのコス
ト低減が可能となる等、顕著な効果が得られるものであ
る。
第１図は本発明による半導体ウェハー純水洗浄装置の一
実施例を示す説明図、第２図はオーバーフロ一方式によ
る従来の純水洗浄装置を示す説明図、第３図は第１図の
実施例になる純水洗浄装置および従来の洗浄装置の夫々
について、半導体ウェハーの洗浄完了までの様子を流去
水の比抵抗値を測定することにより追跡した結果を示す
線図である。 １１・・・洗浄槽、１２・・・純水供給管、１３・・・
不活性ガス供給管、１４・・・排水管、１５・・・自動
開閉弁、１６・・・載置台、３′・・・ウェハーキャリ
ア、４・・・半導体ウェハー
実施例を示す説明図、第２図はオーバーフロ一方式によ
る従来の純水洗浄装置を示す説明図、第３図は第１図の
実施例になる純水洗浄装置および従来の洗浄装置の夫々
について、半導体ウェハーの洗浄完了までの様子を流去
水の比抵抗値を測定することにより追跡した結果を示す
線図である。 １１・・・洗浄槽、１２・・・純水供給管、１３・・・
不活性ガス供給管、１４・・・排水管、１５・・・自動
開閉弁、１６・・・載置台、３′・・・ウェハーキャリ
ア、４・・・半導体ウェハー
Claims (1)
- 洗浄すべき半導体ウェハーを収容する洗浄槽と、該洗浄
槽内に純水を供給する純水供給管と、前記半導体ウェハ
ーの下から洗浄槽内に不活性ガスを供給する不活性ガス
供給管とを具備し、洗浄槽内に純水を供給すると共に、
該純水中に不活性ガスをバブリングさせながら前記半導
体ウェハーを洗浄するようにしたことを特徴とする半導
体ウェハーの純水洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12875284A JPS617633A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体ウエハ−の純水洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12875284A JPS617633A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体ウエハ−の純水洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617633A true JPS617633A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14992584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12875284A Pending JPS617633A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体ウエハ−の純水洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458527A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Ebara Res Co Ltd | 洗浄方法 |
| JP2020136537A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP12875284A patent/JPS617633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458527A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Ebara Res Co Ltd | 洗浄方法 |
| JP2020136537A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5656097A (en) | Semiconductor wafer cleaning system | |
| US5950645A (en) | Semiconductor wafer cleaning system | |
| US5810940A (en) | Method for cleaning semiconductor wafers | |
| US6626189B2 (en) | Method of processing substrates using pressurized mist generation | |
| KR20000077428A (ko) | 반도체 웨이퍼의 메가소닉 클리닝을 위한 탈이온수의 온도제어된 탈기화 | |
| JP2005183791A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| US6273107B1 (en) | Positive flow, positive displacement rinse tank | |
| US6372051B1 (en) | Positive flow, positive displacement rinse tank | |
| JPS617633A (ja) | 半導体ウエハ−の純水洗浄装置 | |
| JP7560354B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPS59104132A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2001271188A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100363755B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| US7731801B2 (en) | Semiconductor wafer treatment method and apparatus therefor | |
| JPH08195372A (ja) | 洗浄装置およびその方法 | |
| JPS62156659A (ja) | 洗浄方法及び装置 | |
| JP2902757B2 (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| JPH03124028A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH07297164A (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| JP3488158B2 (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| KR100199376B1 (ko) | 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 방법 | |
| JP2005039002A (ja) | 洗浄装置および方法 | |
| KR19980054453A (ko) | 웨이퍼 헹굼 방법 | |
| JPS5866334A (ja) | 半導体基板の処理装置 | |
| JP2000133632A (ja) | 多孔質体のエッチング方法及び多孔質体のエッチング装置 |