JPS6177132A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野および発明の目的］この発明は磁気
記録媒体に関し、その目的とするところは、耐食性に優
れた磁気記録媒体を提供することにある、 〔従来の技術〕 一般に、磁性粉末を結合剤とともに基体フィルム上に塗
着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合金など
を真空蒸着等によって鵡体フィルム上に被着してつくら
れる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と激し
く店接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空蒸着等
によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記磁気体は、
高密度記録特性に優れろ反面、磁気ヘッドとの摩擦係数
が大きくてｓｐ耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々
に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化する
などの難点がある。

このため、磁性層上に種々の保ｆｆ！膜暦を設けて耐久
性を改善することが行われている。近年、たとえば、ケ
イ素系有機化合物のモノマーガスをプラズマ重合して、
ケイ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上
に形成することが試みられているが、未だ、耐食性を充
分に改善することができず、充分に満足できる結果は得
られていなし嘱。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明にかかる現状に鑑みてなされたもので。

磁性層上に少くともケイ素原子と炭素原子を含むケイ素
系有機化合物のプラズマ重合保護膜を設け、その保護層
中のケイ素原子に対する炭素原子の原子数比が約０．５
倍以上であることを特徴とするものである。

本発明におけるケイ素系有機化合物のプラズマ重合保′
ｒ！ｉ膜層は、具体的には１例えばケイ素原子と炭素原
子と酸素原子とを含むプラズマ重合物。

あるいはケイ素原子と炭素原子と酸素原子と水素原子と
を含むプラズマ重合物、またはケイ素原子と炭素原子と
！ｔｆｉ原子と水素原子と窒素原子とを含むプラズマ重
合物などから構成される。

炭素原子の含有量がケイ素原子に対して原子数比で０．
５倍よりも少くては、５ｉ−０結合が豊富になりすぎ、
気相中でケイ素系有機化合物でモノマーガスが反応して
粉末化したり１分解してＳ１０被膜ができるなどして充
分に緻密で強靭なケイ素系有機化合物のプラズマ重合保
：！！膜層が得られず、走行性、耐久性において欠ける
。また炭素原子の含有量がケイ素原子に対し、て原子数
比で２．０倍よりも多くては、Ｃ−Ｃ結合が豊富となり
、ケイ素原子と炭素原子が充分に架橋した構造をもつプ
ラズマ重合保護膜層が得られ難いため耐食性が充分でな
い。

また、水Ｓ原子は原子数ではケイ素原子の６〜９倍含有
させることが好ましく、窒素原子はいかなる含有量であ
ってもよい。さらに、ｅ＆素原子はプラズマ重合保護膜
層の形成過程において不純物程Ｊ捉に微量に含有されて
も、プラズマ重合保護膜層の摩擦係数および強度等に特
に悪影響を及ぼさないため、微量であれば含有されてい
ても差支えない。これに対し、ａ素原子を含有するケイ
素系原子系有機化合物のモノマーガスを使用したりして
プラズマ重合保護膜層中に酸素原子を含有させると、そ
の酸素含有量が多いため、気相中で反応したり、分解し
てＳｉＯ被膜ができるなどして。

充分に緻密で強靭なケイ素系有機化合物のプラズマ重合
保護ｆｆ！Ｊ層が得られず、摩擦係数も太き（なる。

このような少くともケイ素原子と炭素原子とを含み、か
つケイ素原子に対し原子数比で０，５倍以上の炭１ｆＵ
Ｒ子を含有するケイ素系有機化合物のプラズマ重合保護
膜層は、少くともケイ素原子。

炭素原子を含むケイ素系有機化合物の七ツマ〜ガスを高
周波によりプラズマ重合させることによって被着形成さ
れ、さらに高周波によりプラズマ重合させる際、高周波
の出力を調整するなどでプラズマ重合保護膜層の架橋密
度を調整することができる。

このようなケイ素系有機化合物のプラズマ重合保ｉｆ！
膜層を形成するのに使用するケイ素系有機化合物の七ツ
マーガスとしては、たとえば、テトラメチルシラン、ヘ
キサメチルジシラザン、ビニルトリメチルシラン、トリ
メチルシリルアセチレン等のケイ女系有機化合物のモノ
マーガスが使用されるにれらのケイ素系有機化合物のモ
ノマーガスは、高周波によりラジカルが生成され、この
生成さ九たラジカルが重合反応して被膜となる。

またこれらのモノマーガスをプラズマ重合する際、さら
にアルゴンガスおよびヘリウムガス等のキャリアガスを
併存させると、さらにプラズマ重合保？ｓ膜層が速い速
度で被着されるため、これらのキャリアカスを併存させ
て行うのが好ましい。

これらのアルゴンガスおよびヘリウムガス等のキャリア
ガスを併存させる際、その組成割合はキャリアガス対前
記ケイ素系有機化合物のモノマーガスと炭化水素系化合
物のモノマーガスの混合ガスの容積比にして４対Ｉの割
合で併存させるのが好ましい。これらのキャリアガスが
少なすぎると被着速度が低下し、多すぎると七ツマーガ
スが少なくなってプラズマ重合反応に支障をきたす。

プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の出力は
、ガス圧を０．（］（１５〜Ｏ，ｌＯトール範囲内とし
、高周波出力を０　、３〜３　Ｗ／ｅＩ１１の範囲内と
するのが／ＪＦ１ニジい、ガス圧を高くしすぎると、プ
ラズマ重合保護＋＋＊　＊Ｖが架（凸山度が低くＣ柔か
く。

炭ｆｌ原子がケイ素原子に対して原子数比で多くなりす
ぎ、Ｓｉ　　Ｃ結合がほとんど見られないものとなり、
ガス圧を低（しすぎると放電が起こらない。また、高周
波出力を大きくしすぎるとＳｉ−〇結合が豊富になりす
ぎ、気相中でケイ素系有機化合物のモノマーガスが反応
して粉末化したり分解してＳｉＱ被膜ができるなどして
充分にＦＩＬ密で強靭なケイ素系有機化合物のプラズマ
重合保ｉｉＷ膜層が得られず、高周波出力を小さくしす
ぎると放電が安定しない。

二のようにしてプラズマ重合によって被着形成される少
なくともケイ素原子と炭素原子を含み。

かつケイ素原子に対し原子数比で０．５以上の炭素原子
を含有するケイ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層
は、５ｉ−Ｃ，５ｉ−０結合をバランスよく豊富にもち
、またケイ素原子と炭素原子が充分に架橋した構造をも
つため、この種のケイ素系有機化合物のプラズマ重合保
護膜層が形成されると耐食性が一段と向上する。二のよ
うなケイ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層の膜厚
は２０〜１０００人の範囲内であることが好ましく。

膜厚が薄すぎると二の保護膜層による耐久性の効果が充
分に発揮されず、厚すぎるとスペーシングロスが大きく
なりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。

基体上に形成される磁性層は、γ−Ｆ　ｅ　：　０３粉
末、Ｆｅ５Ｏｊ粉末、Ｃｏ含有ｙ　−Ｆ　ｅ　：　０３
粉末、Ｃｏ含有Ｆｅ５Ｏ４ｆｌＪ末、ｒｅ扮末、Ｇ。

粉末、Ｆｅ−Ｎｉ粉末などの磁性粉末を結合剤成分およ
び有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、或い
は、Ｇｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ。

Ｇｏ−Ｃｒ、Ｇｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎ　Ｉ−Ｐなどの強磁性
材を真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
、メッキ等の手段によって基体上に被着するなどの方法
で形成される。

また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルｊ、
、ｆＪ：どの合成虜脂フィルムを基体とする磁気テープ
、円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラム
など、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形３を包含オ
ろ６ 〔実施例〕 次に本発明の実権例について説明する。。

実施例１ 厚さ１０　ｙｔ　ｒｎのポリエステルフィル１１を真空
蒸着装置Ｉ′！に１々填１、々ＸＩＱ−’　　トールの
真空下でコバｔし１−を加熱蒸発させて、ポリエステル
フィルム上にＱさ＋　０００人のコバルト・からなる強
磁性金属薄ｎ層を形成した１次いで、哨１図に示すプラ
ズマ処！！！Ｉ情はを使用し、　この強磁性金属薄明層
を形成したポリエステルフィル？、１を処理槽２内（こ
西己Ｕ’２　ｔ’た些仮３　Ｆ、にセットし、ガスｉ減
人管４からテトラメチルシランＣハモノフーガスを７０
　ｓｃｒｍの流猷で導入し、ガス圧を０．０１トーｌし
で［ｗ３５により１３．５６Ｍド２の高周波を３Ｗ／ｄ
で１分間印加し、プラズマ重合保１ＩＩＩ層を形成した
。

しかる後、所定の巾に裁断して、第２図に示すようなポ
リエステルフィルムｌ上に強磁性金属薄膜層６およびプ
ラズマ重合保護薄膜７を順次に積層形成した磁気テープ
Ａをつくった。このときのプラズマ重合保護膜層の厚み
は３００人であった。

なお１図中８は処理槽２内を減圧するための排気系であ
り、９は電極５に高周波を印加するための高周波電源で
ある。

実施例２ 実施例１のプラズマ重合保護膜層の形成において、高周
波電力密度と１．５Ｗ／ＣＡどした以外は実施例１と同
様にして磁気テープＡをつ（つた。

このときのプラズマ重合保ｆｆ！膜層の厚みは２５０人
であった。

実施例３ 実施例りのプラズマ重合保護膜層の形成において、ガス
圧を０．０５トールとした以外は実施例１と同様にして
磁気テープＡをつくった。このときのプラズマ重合保護
膜層の厚みは３２０人であった。

実施例４ 実ｍ例２のプラズマ重合保護膜層の形成にむいて、ガス
圧を０．０５）−−ルとした以外は実施例２と同棲にし
て磁気テープＡをつくった。二のときのプラズマ重合保
護［１！ａ層のＪダみは２８０大、であった。

実７６五例；う 実施（′、１１４のプラズマ重合保護膜層の形成におい
て、テトラメチルソランの千ツマーガスに代えてヘキサ
メチルジンラザンのモノマーガスを１００５　ＣＣｍの
流量で導入し、た以外は実施例４と同様にして磁気テー
プＡをつくった。このときのプラズマ重合保護膜層の厚
みは２５０人であった。

比較例！ 実施例１のプラズマ重合保護膜層の形成において、高周
波電力密度を３　、５　Ｗ／ｃ＋Ｊとした以外は実施例
１と同様にして磁気テープをつくった。二のときのプラ
ズマ重合保護膜層厚みは３２０人であった。

比較例２ 実施例１のプラズマ重合保護膜層の形成において、ガス
圧を０．２トールとした以外は実施例！と同様にして磁
気テープをつくった。このときのプラズマ重合保護膜層
の厚みは３５０人であった。

比較例３ 実施例１のプラズマ重合保げ膜Ｐの形成において、テト
ラメチルソランのモノマーガスに代えてエチレンの千ツ
マーガス”ｒ−８０ｓｅｃｍの流量で６人した以外は実
施例１ど同様にして磁気テープをつくった。このときの
プラズマ重合保護膜層の厚みは３５０人であった。

比較例４ 実施例１において、プラズマ重合保護膜層の形成を省い
た以外は実施例１と同棲にし、て磁気テープをつくった
。

〔発明の効果〕

各実施例および各比較例で得られた磁気テープについて
、オージェ電子分光計を用いて、プラズマ重合保護膜層
中のケ・（素原子と炭素原子の原子数比を測定した。ま
た、耐食性試験として得られた磁気テープを６０℃、９
０％Ｒ１（の条件下に７口開放置しＣ最大シλ東南度を
測定し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を１１）０
％とし、これと比較した値でその劣化率を調へた。

上表力１ら明らかなように、この発明で得られた磁気テ
ープ（実施例！、２，３．４および５）は、いずれも比
軸例１．２．３および４で得られた磁気テープに比し、
最大磁束密度の劣化率が小さく、この二とから二の発明
によって得られる磁気記録媒体は、耐食性が一段と向上
さ４れでいることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図はプラズマ重合保、７ｆ嗅層を形成する際に使用
するプラズマ処理袋はの一例を示す概略断面図、第２図
は二の発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面
図である。 ■・・・・・ポリエステルフ・ｒルム（苓体）、６・・
・・・・強磁性金属薄膜層（磁性だ）、７・・・・・プ
ラズマ剪合保護嘆層、Ａ・・・・磁気テープ（磁気記録
媒体）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に磁性層を形成し、この磁性層上に少なくと
   もケイ素原子と炭素原子とを含むケイ素系有機化合物の
   プラズマ重合保護層を設け、その保護層中のケイ素原子
   に対する炭素原子の原子数比が約０．５倍以上であるこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、前記プラズマ
   重合保護層中のケイ素原子に対する炭素原子の原子数比
   が約１．５〜２．０倍の範囲に規制されていることを特
   徴とする磁気記録媒体。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記プラズマ重合
   保護層がケイ素原子、炭素原子、酸素原子、水素原子な
   らびに窒素原子を含有していることを特徴とする磁気記
   録媒体。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記磁性層が金属
   強磁性体からなることを特徴とする磁気記録媒体。