JPS61104425A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、耐食
性に優れた磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性材を記録素子として使用する磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などからなる強磁性金
属薄膜層を真空蒸着等によって基体上に被着するかある
いは強磁性金属粉末を結合剤樹脂とともに基体上に塗布
、乾燥してつくられ、高密度記録に適した特性を有する
が、反面、磁性層が空気中の酸素や水分によって酸化さ
れ易く、徐々に酸化を受けて最大磁束密度が劣化するな
どの難点がある。

このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐食性を改善することが行われており、近年、
たとえば、オクタメチルシクロテトラシロキサンの七ツ
マーガスをキャリアガスの窒素ガスとともに使用し、プ
ラズマ重合して、ケイ素系有機化合物のプラズマ重合保
護膜層を強磁性金属薄膜層上に設けること［飯島哲生、
花房廣明、電気通信学会論文誌、Ｊ６７−Ｃ，Ｎｏｌ　
（’８４）］が提案されている。　　。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、この種のケイ素系有機化合物のプラズマ重合
保護膜層は、酸素原子を多く含むために原子間の間隙が
多くなり、空気中の水分がこの保護膜層を容易に透過し
て、この透過した水分により磁性層が腐食されるという
難点があり、未だ耐食性は充分に改善されていない。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明は、かかる現状に鑑み種々検討を行った結果な
されたもので、磁性層上に塩素を含有するプラズマ重合
保護膜層を形成することによって１．塩素の立体障害に
より原子間の間隙を塞いで、プラズマ重合保護膜層の水
分の透過を効果的に抑制するとともに、塩素により水素
引抜き反応を促がし、ラジカルの生成を容易にして、プ
ラズマ重合保護膜層の架橋密度を高くし、耐食性を充分
に改善したものである。

この発明において、磁性層上に形成される塩素を含有す
るプラズマ重合保護膜層は、塩素を含有する有機化合物
のモノマーガス、あるいは塩素を含有する有機化合物の
モノマーガスと他の有機化合物の七ツマーガスとの混合
ガス、もしくは塩素ガスと他の有機化合物のモノマーガ
スとの混合ガ′スなどのモノマーガスのプラズマ中に、
磁性層をさらして、プラズマ重合することにより形成さ
れる。このプラズマ重合保護膜層は、塩素という大きな
置換基を有するため、この置換基の立体障害により原子
間の間隙が閉塞されて水分子の透過が困難となり、また
塩素の存在により水素の引抜き反応が促進されて、プラ
ズマ重合の際のラジカルの生成が容易になり、プラズマ
重合保護膜層の架橋密度が向上されて、耐食性が充分に
向上された磁気記録媒体が得られる。このようにして、
形成されるプラズマ重合保護膜層中における塩素の含有
量は、プラズマ重合保護膜層を構成する全構成原子に対
して０．１〜１０モル％の範囲内であることが好ましく
、少なすぎては所期の効果が得られず、多すぎると架橋
密度が低６すぎて耐食性が向上されない。

このようなプラズマ重合に使用する塩素を含有する有機
化合物の七ツマーガスとしては、たとえば、塩化ビニリ
デン、塩化エチリデン、塩化エチレン、塩化ビニル等が
好適なものとして使用され、この他これらの塩素を含有
する有機化合物のモノマーガスと他の有機化合物のモノ
マーガスの混合ガス、さらに塩素ガスと他の有機化合物
のモノマーガスとの混合ガスが好適に使用される。ここ
で、混合して使用される他の有機化合物の七ツマーガス
としては、たとえば、プロパン、エチレン、プロピレン
などの炭化水素系化合物のモノマーガス、Ｃ２Ｆ　４　
、Ｃ３Ｆ　６などのフッ素系有機化合物のモノマーガス
およびテトラメチルシラン、オクタメチルシクロテトラ
シロキサン、ヘキサメチルジシラザンなどのケイ素系有
機化合物のモノマーガス等が好ましく使用される。混合
割合は、塩素を含有する有機化合物のモノマーガスと混
合する場合、これらの有機化合物の七ツマーガス対塩素
を含有する有機化合物のモノマーガスにして、容積比で
θ対１〜１対３の範囲内となるようにするのが好ましく
、塩素を含有する有機化合物のモノマーガスが少なすぎ
ると所期の効果が得られない、また塩素ガスと混合する
場合、これらの有機化合物のモノマーガス対塩素ガスに
して、容積比で１０対１〜３対１の範囲内となるように
するのが好ましく、塩素ガスが少なすぎると所期の効果
が得られず、多すぎるとプラズマ重合反応が支障をきた
し、プラズマ重合保護膜層が形成されにくくなる。

これらの塩素を含有する有機化合物の七ツマーガス、あ
るいは塩素を含有する有機化合物のモノマーガスと他の
有機化合物のモノマーガスとの混合ガス、もしくは塩素
ガスと池の有機化合物のモノマーガスとの混合ガスなど
の七ツマーガスは、高周波によりプラズマ重合が行われ
ると、高周波によりラジカルが生成され、この生成され
たラジカルが反応し重合して被膜となる。このように、
これらのモノマーガスをプラズマ重合する際、アルゴン
ガスおよびヘリウムガス等のキャリアガスを併存させる
とモノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比べて
３〜５倍の一速度で析出されるため、これらのキャリア
ガスを併存させて行うのが好ましい。これらのキャリア
ガスと併存させる際、その組成割合はキャリアガス対前
記モノマーガスの容積比にして１対１〜２０対１の範囲
内で併存させるのが好ましく、キャリアガスが少なすぎ
ると析出速度が低下し、多すぎるとモノマーガスが少な
くなってプラズマ重合反応に支障をきたす。

このようなプラズマ重合を行う場合のガス圧および高周
波の電力は、ガス圧が高くなるほどプラズマ重合保護膜
層の析出速度が速くなる反面上ツマーガスが比較的低い
架橋度でプラズマ重合されて硬い保護膜層が得られず、
また、ガス圧を低くして高周波電力を高くすると析出速
度が遅くなる反面高架橋化された比較的硬い保護膜層が
得られる。ところが、ガス圧を低くして高周波電力を高
くしすぎると、七ツマーガスが粉末化してしまいプラズ
マ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を０．００
３〜５トールの範囲内とし、高周波電力を０．０３〜Ｉ
Ｗ／＋ｆの範囲内とするのが好ましく、ガス圧をｏ、ｏ
ｏｓ〜０．１トールとし、高周波電力を０．０５〜０．
５　Ｗ／、ｆｆｌの範囲内とするのがより好ましい。こ
のようにしてプラズマ重合を行うことによって析出形成
されるプラズマ重合保護膜層は、塩素の存在によって水
素引抜き反応が促進され、ラジカルが良好に発生されて
架橋密度が高くなり、また塩素という大きな置換基を含
むため、この置換基の立体障害により原子間の間隙が閉
塞されて、水分の透過が極めて良好に防止され、耐食性
が一段と向上される。このようなプラズマ重合保護膜層
の膜厚は、２０〜１０００人の範囲内であることが好ま
しく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐食性の効
果が充分に発揮されず、厚すぎるとスペーシングロスが
大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。

金属磁性材を記録素子とする磁性層は、Ｆｅ粉末、Ｇｏ
粉末、Ｆｅ−Ｎｉ粉末などの金属磁性粉末を、結合剤成
分および有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか
、あるいは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐなどの
強磁性材を、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリング、メッキ等の手段によって基体上に被着するな
どの方法で形成される。

また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。

〔実施例〕

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１ 厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、５×１０′５トールの真空下でコバルト−ニッケ
ル合金（重量比８：２）を加熱蒸発させてポリエステル
フィルム上に厚さ１０００人のコバルト−ニッケル合金
からなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第１図
に示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性金属薄膜層を
形成したポリエステルフィルム１を処理槽２内の上部に
配設した基板３の下面にセットし、処理槽２に取りつけ
たガス導入管４から塩化ビニリデンの七ツマーガスを４
　ｓｅｃｍの流量で導入してガス圧を０．０３　）−ル
とし、電極５の電力密度０．２Ｗ／ｃｉでプラズマ重合
を行い、厚さが３００人のプラズマ重合保護膜層を形成
した。しかる後、所定の巾に裁断して第２図゛に示すよ
うなポリエステルフィルム１上に強磁性金属薄膜層８お
よび′プラズマ重合保護膜層９を順次に積層形成した磁
気テープＡをつくった。なお、図中６は処理槽２内を減
圧するための排気系であり、７は電極５に高周波を印加
するための高周波電源である。

実施例２ 実施例１の強磁性金属薄膜層の形成において、コバルト
−ニッケル合金に代えてコバルトを使用した以外は、実
施例１と同様にしてコバルトからなる強磁性金属薄膜層
を形成し、磁気チー゛ブＡをつくった。

実施例３ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、塩化ビニリデンのモノマーガスに代えて、塩化ビニル
のモノマーガスを同量使用した以外は実施例１と同様に
して、厚さが３００人のプラズマ重合保護膜層を形成し
、磁気テープＡをつくった。

実施例４ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、塩化ビニリデンの七ツマーガスの流量を４　ｓｅｃｍ
から３　ｓｅｃ＋ｗに変更するとともにｃ２Ｆ４のモノ
マーガスを１　ｓｅｃｍの流量で導入して全圧を０．０
２　）−ルとし、電力密度を０．３Ｗ／ｃｍとした以外
は、実施例１と同様にして厚さが３００人のプラズマ重
合保護膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。

実施例５ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、塩化ビニリデンのモノマーガスに代えて、塩化ビニル
のモノマーガスを５　ｓｅｃｍの流量で導入するととも
に、塩素ガスをｌ　ｓｅｃｍの流量で導入して全圧を０
．０２　）−ルとし、電力密度を０．３Ｗ／−とした以
外は、実施例１と同様にして厚さが３００人のプラズマ
重合保護膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。

実施例６ α−Ｆｅ磁性粉末　　　　　　　６００重量部エスレフ
クＣＮ（種水化学工業　　８０　　〃社製、塩化ビニル
−酢酸ビニ ル共重合体） バンデフクスＴ−５２５０（大　　３０μ日本インキ社
製、ウレタンエ ラストマー） コロネートしく日本ポリウレタ　　１０〃ン工業社製、
三官能性低分子 量イソシアネート化合物） メチルイソブチルケトン　　　　４００〃トルエン　　
　　　　　　　　　４００〃この組成物をボールミル中
で７２時間混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗
料を厚さ１０μのポリエステルフィルム上に乾燥厚が４
μとなるように塗布、乾燥して磁性層を形成した０次い
で、この磁性層上に、実施例１と同様にして厚さが３０
０人のプラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープＡを
つくった。

比較例１ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、塩化ビニリデンのモノマーガスに代えて、オクタメチ
ルシクロテトラシロキサンのモノマーガスを４　ｓｃｃ
ｍの流量で導入するとともに、窒素ガスをｌ　５ｃｃａ
＋の流量で導入して全圧を０．０５　）　−ルとし、電
力密度を０．３Ｗ／ｌｊとした以外は、実施例１と同様
にして厚さが３００人のプラズマ重合保護膜層を形成し
、磁気テープをつくった。

比較例２ 実施例１において、プラズマ重合保護膜層の形成を省い
た以外は、実施例１と同様にして磁気テープをつくった
。

各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
耐食性を試験した。耐食性試験は得られた磁気テープを
６０℃、９０％ＲＨの条件下に７日間放置して最大磁束
密度を測定し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を１
００％とし、これと比較した値でその劣化率を調べて行
った。

下表はその結果である。

上表から明らかなように実施例工ないし６で得られた磁
気テープは、いずれも比較例１および２で得られた磁気
テープに比し、劣化率が小さく、このことからこの発明
によれば、一段と耐食性に優れた磁気記録媒体が得られ
るのがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のプラズマ重合保護膜層を形成する
際に使用するプラズマ処理装置の１例を示す概略断面図
、第２図はこの発明によって得られた磁気テープの部分
拡大断面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、８・・・強磁
性金属ｉ膜層、９・・・プラズマ重合保護膜層、Ａ・・
・□　磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人　　日立マクセル株式会社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基体上に磁性層を形成し、この磁性層上に塩素を含
   有するプラズマ重合保護膜層を設けたことを特徴とする
   磁気記録媒体。