JPS6180521A - 垂直磁気記録体 - Google Patents
垂直磁気記録体Info
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- JPS6180521A JPS6180521A JP20038384A JP20038384A JPS6180521A JP S6180521 A JPS6180521 A JP S6180521A JP 20038384 A JP20038384 A JP 20038384A JP 20038384 A JP20038384 A JP 20038384A JP S6180521 A JPS6180521 A JP S6180521A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
l xt 減= L 4)(引 閾 L−1G与
1本発明は、軟質磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜t−積
層させたいわゆる2層垂直記録媒体を備え、垂直ヘッド
を用いて記録するに適した垂直磁気記録体に関する。
1本発明は、軟質磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜t−積
層させたいわゆる2層垂直記録媒体を備え、垂直ヘッド
を用いて記録するに適した垂直磁気記録体に関する。
(従来の技術)
最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式として垂
直磁気記録が注目され研究てれている。この方式に用い
られる磁気ヘッドとしては、垂直ヘッド(単磁極ヘッド
)とリングヘッドが考えられており、媒体としては做質
磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜をm層させた2層垂直記
録媒体が考えられて居る。
直磁気記録が注目され研究てれている。この方式に用い
られる磁気ヘッドとしては、垂直ヘッド(単磁極ヘッド
)とリングヘッドが考えられており、媒体としては做質
磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜をm層させた2層垂直記
録媒体が考えられて居る。
従来、垂直磁気記録に用いられる垂直磁化膜は、Ku、
≧2πMs2又はHah/Ha、≧1 + BrL/B
r p≧1の磁気特性をもつことが必要とされてきた
が、最近になって、0o−Or系垂直磁性瞑を用いた2
層垂直記録媒体を垂直ヘッドを用いて記録する場合には
、再生出力は上記の特性に依存せず、父磁界補正後のヒ
ステリシス曲線の角型比Mr■*/MsとHciに依存
するこつが分って^たへ而にて、該Mr?/M8とHO
>と金大きくしたCo−0r膜を用いた2層垂直記録媒
体型の垂直磁気記録体が得る試みがなされてきた。
≧2πMs2又はHah/Ha、≧1 + BrL/B
r p≧1の磁気特性をもつことが必要とされてきた
が、最近になって、0o−Or系垂直磁性瞑を用いた2
層垂直記録媒体を垂直ヘッドを用いて記録する場合には
、再生出力は上記の特性に依存せず、父磁界補正後のヒ
ステリシス曲線の角型比Mr■*/MsとHciに依存
するこつが分って^たへ而にて、該Mr?/M8とHO
>と金大きくしたCo−0r膜を用いた2層垂直記録媒
体型の垂直磁気記録体が得る試みがなされてきた。
(発明が解決しようとする問題点)
然し乍ら、従来提案の上記Co−0r膜を用いた2層媒
体型垂直磁気記録体は、0o−Or膜を蒸着法で作成し
ようとすると、OoとOrの蒸気圧が異なるため組成制
御が訃づかしいこと、高い垂直異方性の○o−Or膜を
得るためには高温に基材を加熱しておく必要があり、従
って室温基材では高い垂直異方性が得られないと共にポ
リイミドフィルムのような高価な耐熱性基材を使用しな
ければならないこと、更に、垂直異方性は、軟質磁性膜
として用いられるノ(−マロイ膜の結晶配向度に依存す
るので、Ti11等の下地を必要とする等の問題があり
、従来用いられてきたCo−0r 膜に用いる2層媒体
では、特に蒸着法での製造は実用上問題を生じた。
体型垂直磁気記録体は、0o−Or膜を蒸着法で作成し
ようとすると、OoとOrの蒸気圧が異なるため組成制
御が訃づかしいこと、高い垂直異方性の○o−Or膜を
得るためには高温に基材を加熱しておく必要があり、従
って室温基材では高い垂直異方性が得られないと共にポ
リイミドフィルムのような高価な耐熱性基材を使用しな
ければならないこと、更に、垂直異方性は、軟質磁性膜
として用いられるノ(−マロイ膜の結晶配向度に依存す
るので、Ti11等の下地を必要とする等の問題があり
、従来用いられてきたCo−0r 膜に用いる2層媒体
では、特に蒸着法での製造は実用上問題を生じた。
1方、発明者に、先に、蒸着法で室温基材でも作成し実
用的な垂直異方性硬質磁性膜とじてCo−0,0o−N
i−0,0o−Ni−IFe−0系の蒸着膜に関する各
種発明を提示した。
用的な垂直異方性硬質磁性膜とじてCo−0,0o−N
i−0,0o−Ni−IFe−0系の蒸着膜に関する各
種発明を提示した。
(問題点全解決するための手段)
本発明は、従来のCo−(!r膜を用いる上記の不都合
を回避し、先に提案し7’CCo−Ni−0蒸着膜につ
き、再生出力の高い2層型垂直磁気記録体への応用を検
討し、その実用的な垂直磁気記録体tl−提供するもの
で、非磁性基材面上に、軟質磁性膜と垂直異方性硬質磁
性膜とから成る2NI垂直記録媒体を備えた垂直磁気記
録体において、この垂直異方性硬質磁性膜は、その組成
が(Oo、−−Ni、 )s−yOy (但、O≦x≦
0.3、0.10≦y≦0.35)で表わされ、Ha工
≧50006* M rh 7M B2O,9(iでM
r二はH=Ho/Mrより求める実効的反磁界係数を用
いて補正した時の残留磁化の値ヲ示す)を有する磁気特
性を備えた膜であシ、該垂直異方性硬質磁化膜の表面と
界面との中間に存在する厚さ方向の領域での酸素組成0
.のyの変動Δ、は土0.05以内であ夛、且つその柱
状組成結晶粒の平均短軸粒径は50A以上であることを
特徴とする。
を回避し、先に提案し7’CCo−Ni−0蒸着膜につ
き、再生出力の高い2層型垂直磁気記録体への応用を検
討し、その実用的な垂直磁気記録体tl−提供するもの
で、非磁性基材面上に、軟質磁性膜と垂直異方性硬質磁
性膜とから成る2NI垂直記録媒体を備えた垂直磁気記
録体において、この垂直異方性硬質磁性膜は、その組成
が(Oo、−−Ni、 )s−yOy (但、O≦x≦
0.3、0.10≦y≦0.35)で表わされ、Ha工
≧50006* M rh 7M B2O,9(iでM
r二はH=Ho/Mrより求める実効的反磁界係数を用
いて補正した時の残留磁化の値ヲ示す)を有する磁気特
性を備えた膜であシ、該垂直異方性硬質磁化膜の表面と
界面との中間に存在する厚さ方向の領域での酸素組成0
.のyの変動Δ、は土0.05以内であ夛、且つその柱
状組成結晶粒の平均短軸粒径は50A以上であることを
特徴とする。
弦で、Mr:7M8は、実効的な反磁界係数を用いて補
正したヒステリシス曲線の角型性を示すもので、その求
め方に、岩崎、大内氏等により発表された(昭和59年
度電子通信学会総合全国大会溝演論文集1−209F参
照)っ (実施例) 次に本発明実施例を添付図面に基づき説明する。第1図
は、本発明実弛の1例のテープ式の活直磁気記録体を示
し、aに4嘔12μmのポリエステルフィルムなどから
成る非磁性基材、bにその上面に蒸着した厚さ5000
Aのノく一マロイ膜などから成る軟質磁性膜、Cは、そ
の軟質磁性膜(21上面に蒸着積層した厚さ2000A
のQo−Ni−0垂育異方性硬質磁性膜である。該0o
−Ni−0垂直異方性硬質磁性膜Cの0o−Ni−0膜
の敲索組成Oyのy値が50.即ち50at%までに垂
直異方性が大きくなることが分っている。又一般の垂直
砒性膜として、垂直異方性が大きい膜:1ど、角型比h
ir/Msと保磁力HCLは大きい瞭が得られると考え
られているが、多くの実験研究の結果、Co−Ni−0
膜については、特異であり、たしかにHaの値は酸素組
成がyw50at%付近までは増大するが、Mr:7M
8の値は、酸素組成が3+−0,55以上、即ち35
at%以上でhm素組成が増加するほど低下してしまう
ことが分った。
正したヒステリシス曲線の角型性を示すもので、その求
め方に、岩崎、大内氏等により発表された(昭和59年
度電子通信学会総合全国大会溝演論文集1−209F参
照)っ (実施例) 次に本発明実施例を添付図面に基づき説明する。第1図
は、本発明実弛の1例のテープ式の活直磁気記録体を示
し、aに4嘔12μmのポリエステルフィルムなどから
成る非磁性基材、bにその上面に蒸着した厚さ5000
Aのノく一マロイ膜などから成る軟質磁性膜、Cは、そ
の軟質磁性膜(21上面に蒸着積層した厚さ2000A
のQo−Ni−0垂育異方性硬質磁性膜である。該0o
−Ni−0垂直異方性硬質磁性膜Cの0o−Ni−0膜
の敲索組成Oyのy値が50.即ち50at%までに垂
直異方性が大きくなることが分っている。又一般の垂直
砒性膜として、垂直異方性が大きい膜:1ど、角型比h
ir/Msと保磁力HCLは大きい瞭が得られると考え
られているが、多くの実験研究の結果、Co−Ni−0
膜については、特異であり、たしかにHaの値は酸素組
成がyw50at%付近までは増大するが、Mr:7M
8の値は、酸素組成が3+−0,55以上、即ち35
at%以上でhm素組成が増加するほど低下してしまう
ことが分った。
これは、0O−Ni−0膜に固有の現象である。膜中の
酸素組成が余り増大すると00粒子が極めて微細化され
、超常磁性粒子が1部混在するようになるためと解され
る。この関係を定量的に検討した所、0O−N1柱状粒
子の短軸方向の平均粒径が、soX以上であれば良いこ
とが分った。従って、0o−Ni粒子の粒径2soK以
上維持するには、膜中の酸素組成はy≦0.35以下即
ち55&t%以下である必要がある。而して、0o−N
i粒子の平均粒径が50x以上となるようにすれば、M
rL/Mliの値は0.90以上を保ち、優れた記録再
生特性が得られることが分った。又、多くの試験研究に
より、該膜中の酸素組成は、y≧0.10即ち10at
%以下となるときは、高い再生出力が得られないことが
分った。これは、0O−Ni強磁性粒子が非強磁性酸化
物(Coo−N1p)で充分隔離できなくなり、垂直異
方性が小さくなり、Mrb/MsとHaフの値が挙式〈
な力すぎるためである。Oat%が10at%での柱状
0o−Ni粒子の平均粒径は500Aであった。以上の
結果から、酸素組成値に0.10≦y≦0.35の範囲
で高再生出力が得られることが分った。1方、Co−N
i−0膜中のOoとN1の組成比について検討すると、
0o−Ni組成中のN1成分は、30at%以下である
必要が多くの試験検討の結果分った。即ち、0o−Ni
−0垂直磁性膜では、析出する磁性粒子がHcpである
必要があるが、50&t%を超えるとFOO相が混在し
て来て\これに伴ないMr・/Maの値が0.9−未満
となるからである。
酸素組成が余り増大すると00粒子が極めて微細化され
、超常磁性粒子が1部混在するようになるためと解され
る。この関係を定量的に検討した所、0O−N1柱状粒
子の短軸方向の平均粒径が、soX以上であれば良いこ
とが分った。従って、0o−Ni粒子の粒径2soK以
上維持するには、膜中の酸素組成はy≦0.35以下即
ち55&t%以下である必要がある。而して、0o−N
i粒子の平均粒径が50x以上となるようにすれば、M
rL/Mliの値は0.90以上を保ち、優れた記録再
生特性が得られることが分った。又、多くの試験研究に
より、該膜中の酸素組成は、y≧0.10即ち10at
%以下となるときは、高い再生出力が得られないことが
分った。これは、0O−Ni強磁性粒子が非強磁性酸化
物(Coo−N1p)で充分隔離できなくなり、垂直異
方性が小さくなり、Mrb/MsとHaフの値が挙式〈
な力すぎるためである。Oat%が10at%での柱状
0o−Ni粒子の平均粒径は500Aであった。以上の
結果から、酸素組成値に0.10≦y≦0.35の範囲
で高再生出力が得られることが分った。1方、Co−N
i−0膜中のOoとN1の組成比について検討すると、
0o−Ni組成中のN1成分は、30at%以下である
必要が多くの試験検討の結果分った。即ち、0o−Ni
−0垂直磁性膜では、析出する磁性粒子がHcpである
必要があるが、50&t%を超えるとFOO相が混在し
て来て\これに伴ないMr・/Maの値が0.9−未満
となるからである。
このように、0o−Ni−0@垂直磁性膜の膜中の酸素
組成は、0.10≦y≦0.35の範囲でなければなら
ないが、その膜厚方向における酸素組成の変動が、大き
すぎると角型比M r: /MBに悪影響を与えること
があることが分った。
組成は、0.10≦y≦0.35の範囲でなければなら
ないが、その膜厚方向における酸素組成の変動が、大き
すぎると角型比M r: /MBに悪影響を与えること
があることが分った。
この点を検討した所、角型比M rh /MSの値0.
9以上を確保するに汀、該酸素組成のyの変動は±0.
05以内であることが必要であることが分つ九即ち、そ
の変動が±0.05以上であると柱状粒子構造が乱れ、
Mrz /Ms値が0.9以下になることか分った。而
して表面及び界面に形成される酸化層を除く膜の厚さ方
向に於ける酸素組成のyの変動は±0.05の範囲内に
と(めるようにする。
9以上を確保するに汀、該酸素組成のyの変動は±0.
05以内であることが必要であることが分つ九即ち、そ
の変動が±0.05以上であると柱状粒子構造が乱れ、
Mrz /Ms値が0.9以下になることか分った。而
して表面及び界面に形成される酸化層を除く膜の厚さ方
向に於ける酸素組成のyの変動は±0.05の範囲内に
と(めるようにする。
その場合裏面および界面に形成てれる酸化層の厚さは数
10〜数100人であった。この膜厚方向の酸素組成y
の変動を±0.05の範囲にと!めるには、0o−Ni
の蒸着中の酸素分圧を一定に保つことが好ましく、この
方法として第2図示の蒸発室分離型装置を用いて作成す
ると目的とする再生出力の大きい垂直磁気記録体が得ら
れる。
10〜数100人であった。この膜厚方向の酸素組成y
の変動を±0.05の範囲にと!めるには、0o−Ni
の蒸着中の酸素分圧を一定に保つことが好ましく、この
方法として第2図示の蒸発室分離型装置を用いて作成す
ると目的とする再生出力の大きい垂直磁気記録体が得ら
れる。
第2図示の装置は、先の出願において詳細に説明してめ
るので、詳細は省略する。即ち、真空処理室(1)内を
、区劃壁(2)によって、酸素導入管t31 t−含む
真空蒸着M(1&)と金属材料蒸発室(1b)とに区劃
され、七の各室(1&)(1b)に夫々真空ポンプに排
気調節弁+41 (51を介して接続せしめて夫々独立
した排気を行なえるようにし、該蒸着室(1a)内の酸
素供給量が一定の割合に行なえるようにした。(6)は
電子ビームガン、(7)は蒸発材料a’2入れた容器(
8)は1対のまき出し及びまき取りロール、(9)はそ
の水冷キャン、こ11らロール(8)間にキャン(9)
の川面を介してまたがり、軟質磁性膜&をもつグラスチ
ックテープ基材b2かけ渡す。該真空蒸着室(1a)は
その上部に仕切壁(101を設けその上部区劃室(1C
)に形成し、その室(1C)の上端に排気調節弁C12
1を介して真空ポンプに接続し、七の室(1C)内を浄
化せしめるようにした。
るので、詳細は省略する。即ち、真空処理室(1)内を
、区劃壁(2)によって、酸素導入管t31 t−含む
真空蒸着M(1&)と金属材料蒸発室(1b)とに区劃
され、七の各室(1&)(1b)に夫々真空ポンプに排
気調節弁+41 (51を介して接続せしめて夫々独立
した排気を行なえるようにし、該蒸着室(1a)内の酸
素供給量が一定の割合に行なえるようにした。(6)は
電子ビームガン、(7)は蒸発材料a’2入れた容器(
8)は1対のまき出し及びまき取りロール、(9)はそ
の水冷キャン、こ11らロール(8)間にキャン(9)
の川面を介してまたがり、軟質磁性膜&をもつグラスチ
ックテープ基材b2かけ渡す。該真空蒸着室(1a)は
その上部に仕切壁(101を設けその上部区劃室(1C
)に形成し、その室(1C)の上端に排気調節弁C12
1を介して真空ポンプに接続し、七の室(1C)内を浄
化せしめるようにした。
次に、不発明の磁気記録体の#造f@Jt−説明する。
表面平滑なポリエステルフィルムテープの上面に5oo
oX厚のパーマロイ膜5000A を常法により形成す
る。この膜のHaは50eX最大透磁率は500でめっ
た。この膜の表面に梠々の組成の0o−Ni−0垂直異
方性硬質磁性膜を形成した。
oX厚のパーマロイ膜5000A を常法により形成す
る。この膜のHaは50eX最大透磁率は500でめっ
た。この膜の表面に梠々の組成の0o−Ni−0垂直異
方性硬質磁性膜を形成した。
膜厚はzoaoXの一定とした。この磁性膜を抗層形成
するに第2図示の装置を使用した。即ち、予め前記50
00λ厚のパーマロイ膜を備えた前記テープ(8)を前
記真空処理室内に図示のように装填し、1万に一定速度
で移行させる1方、Co。
するに第2図示の装置を使用した。即ち、予め前記50
00λ厚のパーマロイ膜を備えた前記テープ(8)を前
記真空処理室内に図示のように装填し、1万に一定速度
で移行させる1方、Co。
Co−10,20,30,40at%N1合金の夫々1
!:蒸発材料として夫々用意しその夫々を蒸発源として
蒸発でせ、1lli!/素導入管(31より02ガスを
導入し酸素組成を色々に変えた媒体の作成するに応じた
一定士の供給下で垂直蒸着を行なった。この時の真空蒸
発室(1a)の到達真空度はI X 10−’Torr
、その酸素導入量は10〜40cc/mmに維持した。
!:蒸発材料として夫々用意しその夫々を蒸発源として
蒸発でせ、1lli!/素導入管(31より02ガスを
導入し酸素組成を色々に変えた媒体の作成するに応じた
一定士の供給下で垂直蒸着を行なった。この時の真空蒸
発室(1a)の到達真空度はI X 10−’Torr
、その酸素導入量は10〜40cc/mmに維持した。
テープ走行速度は11−電子ビーム出力は7KW一定と
した。
した。
このようにして、巻き取りロールに得られた各磁性膜の
組成の異なる垂直異方性硬質磁性膜とパーマロイ膜の2
層金備えた各他の磁気記録体を得た。この記録テープを
%インチ幅にスリットシ、補助磁極励磁型垂直ヘッドを
用いて記録再生上行なった。主磁極厚に0.3μmであ
る。記録密度を50 KBPニ一定にして、各媒体につ
いて岐適電流を求め記録し、その再生出力を比較した。
組成の異なる垂直異方性硬質磁性膜とパーマロイ膜の2
層金備えた各他の磁気記録体を得た。この記録テープを
%インチ幅にスリットシ、補助磁極励磁型垂直ヘッドを
用いて記録再生上行なった。主磁極厚に0.3μmであ
る。記録密度を50 KBPニ一定にして、各媒体につ
いて岐適電流を求め記録し、その再生出力を比較した。
Oo、−、Oy糸膜の場合の結果を第6F;!!Ja、
b、cに示す。これから、yが0.1〜0.55の領域
で高い再生出力が得られることが分る。その時のHot
の値1j300008以上、 Mr、 /Ma ’d
O,9以上である。H+1の値はyが0.5まで増加し
てゆくが、Mr :/M8の値+−!yが0.35以上
で減少する。これは、粒径が50A以下となるためで、
超常磁性粒子が混在するためと考えられる。粒径はyの
下限噴0.1より、粒径5ooXまでとな〕。
b、cに示す。これから、yが0.1〜0.55の領域
で高い再生出力が得られることが分る。その時のHot
の値1j300008以上、 Mr、 /Ma ’d
O,9以上である。H+1の値はyが0.5まで増加し
てゆくが、Mr :/M8の値+−!yが0.35以上
で減少する。これは、粒径が50A以下となるためで、
超常磁性粒子が混在するためと考えられる。粒径はyの
下限噴0.1より、粒径5ooXまでとな〕。
Co−Ni−0系膜の同様の結果全第4図乃至第5図に
示す。図で斜線によう囲まれた領域において高い再生出
力と、0.9以上のiAr:/!As値と、3000s
以上のHCl値を得られることが分る。
示す。図で斜線によう囲まれた領域において高い再生出
力と、0.9以上のiAr:/!As値と、3000s
以上のHCl値を得られることが分る。
第7図は、00゜6500.115の膜を作成する際の
析出速度全変化させることにより粒径を変化させその時
のMrb/MS k測定した結果を示す。粒径50X以
下でMr、”/Msの値は0.9以下に急激に減少する
ことが分る。
析出速度全変化させることにより粒径を変化させその時
のMrb/MS k測定した結果を示す。粒径50X以
下でMr、”/Msの値は0.9以下に急激に減少する
ことが分る。
第8図及び第9図は酸素組成yの変動ΔyとMrj/M
sとの関係を示す。即ち第8図は、1例として”0−7
I Oo、25膜(31= 0.25) i作成したと
き、その表面層と裏面Rtl−除く、膜厚方向の領域の
酸化組成の変動△yをオーシュ分析により求めた結果全
示し、これとMr:/Msとの関係’に洞定した結果を
第9図に示す。これから明らかなように、△yが±0.
05以上となると急激に角型比が悪くなる。このように
、粒径及び酸素変動により同じ組成の膜でも角型比Mr
↓/Msは大きく影響を受けることが分り、膜ヲMr二
/M a値0・9以上とするためには、粒度は50膜以
上で、膜厚方向の内部層のyの変動は所足値より±0.
05以内である必要がある。尚上記の優れた結果は、ス
パッタ法、イオンプレーティ′ング法によっても得られ
た。
sとの関係を示す。即ち第8図は、1例として”0−7
I Oo、25膜(31= 0.25) i作成したと
き、その表面層と裏面Rtl−除く、膜厚方向の領域の
酸化組成の変動△yをオーシュ分析により求めた結果全
示し、これとMr:/Msとの関係’に洞定した結果を
第9図に示す。これから明らかなように、△yが±0.
05以上となると急激に角型比が悪くなる。このように
、粒径及び酸素変動により同じ組成の膜でも角型比Mr
↓/Msは大きく影響を受けることが分り、膜ヲMr二
/M a値0・9以上とするためには、粒度は50膜以
上で、膜厚方向の内部層のyの変動は所足値より±0.
05以内である必要がある。尚上記の優れた結果は、ス
パッタ法、イオンプレーティ′ング法によっても得られ
た。
(発明の効果)
このように不発明によるときは、…ノ記2層垂直記録体
において用いられる垂直異方性硬質磁性膜k (OO+
−zNi:I:)1−3103’ (但、0≦x≦0.
6゜0.10≦y≦0.35)に構成したので、HCh
≧3000e。
において用いられる垂直異方性硬質磁性膜k (OO+
−zNi:I:)1−3103’ (但、0≦x≦0.
6゜0.10≦y≦0.35)に構成したので、HCh
≧3000e。
M rL/Ms≧0.9を有する磁気特性をもたらし、
高再生出力をもたらす垂直磁気記録体に得られ、その膜
内の厚さ方向の嗜素組成yの所定の値の変動を±0.0
5以内と踵粒径soX以上としたものは、HQL≧30
00s、 Mr、”/Ms≧0.9全確保し得られ、又
室温蒸着法でも高再生出力をもつ垂直磁気記録体が得ら
れる等の効果を有する。
高再生出力をもたらす垂直磁気記録体に得られ、その膜
内の厚さ方向の嗜素組成yの所定の値の変動を±0.0
5以内と踵粒径soX以上としたものは、HQL≧30
00s、 Mr、”/Ms≧0.9全確保し得られ、又
室温蒸着法でも高再生出力をもつ垂直磁気記録体が得ら
れる等の効果を有する。
第1図は本発明実態の1例の1部の裁断面図、第2図は
、本発明の垂直磁気記録体t−膜製造る装賓の裁断側面
線図、第5図a、 b、 cは、夫々垂直異方性硬質磁
性膜(Co”yoy) CD 酸素組成。 と再生出力、保磁力角型比、磁性粒子粒径との関係の各
特性曲線、第4図乃至第6図は、夫々垂直異方性硬質磁
性膜0o−Ni−0の酸素組成と再生出力、角型比、保
磁力との関係の各特性曲線、渠7図は0oO−650に
3Bの粒、径と角型比の開田曲線、第8図’l’X o
oo−?fl oO−25膜の厚さ方向の各位σてにお
ける酸素組成yの変動△y値七表わす図、第9図は酸素
組成の変動Δyと角型比との関係曲綴図を示す。 a・・・・・・非磁性基材 b・・・・・・軟質磁
性膜C・・・・・・垂直異方性硬質磁性膜 外2名 第1図 第2図 第3図 Y (Cot−y Oy ) 第4図 C。 Q (at’/6) 内生出力(50KBPI’) 第5図 C。 O(at’/J 角型比−4゜ 手続補正比(方式) 昭和■、2ン7日
、本発明の垂直磁気記録体t−膜製造る装賓の裁断側面
線図、第5図a、 b、 cは、夫々垂直異方性硬質磁
性膜(Co”yoy) CD 酸素組成。 と再生出力、保磁力角型比、磁性粒子粒径との関係の各
特性曲線、第4図乃至第6図は、夫々垂直異方性硬質磁
性膜0o−Ni−0の酸素組成と再生出力、角型比、保
磁力との関係の各特性曲線、渠7図は0oO−650に
3Bの粒、径と角型比の開田曲線、第8図’l’X o
oo−?fl oO−25膜の厚さ方向の各位σてにお
ける酸素組成yの変動△y値七表わす図、第9図は酸素
組成の変動Δyと角型比との関係曲綴図を示す。 a・・・・・・非磁性基材 b・・・・・・軟質磁
性膜C・・・・・・垂直異方性硬質磁性膜 外2名 第1図 第2図 第3図 Y (Cot−y Oy ) 第4図 C。 Q (at’/6) 内生出力(50KBPI’) 第5図 C。 O(at’/J 角型比−4゜ 手続補正比(方式) 昭和■、2ン7日
Claims (1)
- 非磁性基材面上に、軟質磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜
とから成る2層垂直記録媒体を備えた垂直磁気記録体に
おいて、この垂直異方性硬質磁性膜は、その組成が(C
o_1−_xNi_x)_1_−_yO_y(但、0≦
x≦0.3、0.10≦y≦0.35)で表わされ、H
c_■≧300Oe、Mr_■^*/Ms≧0.9(■
でMr_■^*はN=Hc/Mrより求める実効的反磁
界係数を用いて補正した時の残留磁化の値を示す)を有
する磁気特性を備えた膜であり、該垂直異方性硬質磁化
膜の表面と界面との中間に存在する厚さ方向の領域での
酸素組成Oyのyの変動Δyは±0.05以内であり、
且つその柱状組織結晶粒の平均短軸粒径は50Å以上で
あることを特徴とする垂直磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200383A JPH0648533B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200383A JPH0648533B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180521A true JPS6180521A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH0648533B2 JPH0648533B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16423404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200383A Expired - Lifetime JPH0648533B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648533B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163810A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59200383A patent/JPH0648533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163810A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648533B2 (ja) | 1994-06-22 |
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