JPS6180843A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6180843A
JPS6180843A JP59203778A JP20377884A JPS6180843A JP S6180843 A JPS6180843 A JP S6180843A JP 59203778 A JP59203778 A JP 59203778A JP 20377884 A JP20377884 A JP 20377884A JP S6180843 A JPS6180843 A JP S6180843A
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JP
Japan
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heat sink
mold
semiconductor device
island
semiconductor element
Prior art date
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JP59203778A
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English (en)
Inventor
Kenji Uesugi
上杉　賢次
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、比較的熱放散の大きいパッケージを備えた
半導体装置に関する。
（ロ）従来技術 いわゆるパワーＩＣや発光ダイオード駆＋ＪＪ用ｌＣ等
では、比較的熱放散の大きいパッケージが用いられる。
そのため、従来このようなパッケージは種々提案実施さ
れている。例えば、 ■　半導体素子がグイボンディングされるヒートシンク
の裏面をモールド部下面に露出させたもの、■　半導体
素子がダイボンディングされるヒートシンクの端部をモ
ールド部から外部へ導出して熱放散を図るもの、 ■　半導体素子を封止するモールド部に放熱板を接着し
、モールド樹脂を介して熟成１ｔｉを行うもの等がある
。
しかしながら、■及び■の半導体装置は、比較的大きい
ヒートシンクがモールド部から導出される結果、熱放散
は良好であるが、モールド樹脂と導出しされたヒートシ
ンクの界面から′Ｅ−ルド内への湿気の浸入が多く、耐
湿性に劣るという欠点がある。
■の半導体装置は、厚い樹脂を介して熱放散を行う関係
上、熱放散が小さく、特に過渡熱抵抗が大きくなるとい
う欠点がある。
（ハ）目的 この発明は、耐湿性を下げることがなく、比較的熱放散
の大きいパッケージを備えた半導体装置を提（Ｊ（する
ことを目的としている。
（ニ）構成 この発明に係る半導体装置は、半導体素子が固着された
アイランドの下面にモールド樹脂の薄肉部を残すように
、モールド部の一方面にヒートシンクを取りつけ、この
ヒートシンクの片側面を露出させたこと特徴としている
。
（ホ）実施例 第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の構成を
１略示した説明図である。同図はいわゆるＤＴＰタイプ
の半導体装置であって、同図（ａｌはその部分縦断面図
、同図（ｂｌは部分横断面図を示している。
同図において、１はエポキシ系樹脂等＞；　（Ｉｔ：圧
１〜ランスファーモールドして形成されるモールド金型
を示す。モールド部１内にはアイランド２にグイボンデ
ィングされた半導体素子３かある。半導体素子３はアイ
ランド２の周囲に配設されたリード４の一端部（インナ
ーリード）に極細の金線５でワイヤボンディングされて
いる。アイランド２は綱長い支持部材６で両端部が支持
されている。支持部材６とアイランド２の連結部分は、
アイランド２がインナーリードよりも下方になるように
折り曲げられている。
７はモールド部１の下面に形成される凹所を示す。凹所
７の深さは、アイランド２下部のモールド樹脂の薄肉部
８の厚みが略０．５　ｍｍの厚さになるような高さに設
定される。この凹所７はモールド金型の下型キャビティ
底面に凸部を形成しておくことにより、モールド時に形
成される。
１！５ｒｌｔ＃＆；！ニア７ｕゝ”″”等０金属（ゝ”
Ｎ　６　ｆ、；　Ｚ′１矩形状のヒートシンクである。
ヒートシンク９の一方面には前記モールド部の凹所７に
対応した凸部が例えば、切削加工によって形成されてい
る。
この凸部をモールド部の凹所７にはめ込むことにより、
ヒートシンク９がモールド部１に取りつけられる。この
ときモールド部の凹所７の底面とヒートシンククの凸部
上面は、熱放散を良好にするため密着していることが望
ましい。そのために、ヒートシンク９とモールド部１と
の間にシリコン樹脂またはエポキシ接着剤等を介在させ
ることも好ましい。
上述した実施例では、ヒートシンク９をモールド成型後
（多くはプリント基板実装前）に取りつけている。した
がって、ヒートシンク９を取りつける前のパッケージの
側面形状は通常のＤＩＰと同じになる。半；９（＊組立
工程においてモールド成型以後の工程例えば、リード部
の切断や電気特性の測定用の装置はパッケージの側面形
状に合わせて製作されることが多い。したがって、この
実施例においてヒートシンク９をプリント基板への実装
置ｊｉに取りつけるようにすれば、この半導体装置と°
ＤＩＰとの間で前述した組立設備の兼用を図ることがで
きるので設備投資を少なくできろ。
なお、この発明は上述した実施例で説明したように、ヒ
ートシンク９をモールド成型後に取りつげるものに限ら
れるものではない。モールド時に金型キャビティー内（
前記実施例のように凸部は形成されていない）にヒート
シンク９を予め入れおいてモルードすることにより、ヒ
ートシンク９を取りつけるものであってもよい。、二の
場合、第２図に示すようにヒートシンク９の凸部の測面
に（ｔＱ斜部１０を設けるか、あるいはヒートシンク９
にその裏面例に向かって径か小さく成っている孔ＩＩを
設けて、モールド樹脂との結合を強固にするのが望まし
い。このようにすることによりモールド後にヒートシン
ク９を取りつける手間を省き得ろとともに、ヒートシン
ク９とモールド（，１１脂との密着が良好になるから熱
放散を高めるごとができる。　−ヒートシンクは同図に
示したようにプレス加工によってその凸部を形成される
ものであってもよい。
さらに、」二連の実施例ではＤＩＰについて説明したが
、この発明はこれに限られず例えば、リードがモールド
部の一側面からのみ導出されるいわゆるＳＩＰにも用い
られ得ることは勿論である。
（へ）効果 この発明に係る半導体装置は、半導体素子がヒートシン
ク上にグイボンディングされていないから、ヒートシン
クとモールド樹脂との界面に沿って湿気が浸入してきて
も、半導体素子がこの湿気にさらされることはない。し
たがって、この発明によれば半導体装置の耐湿性を低下
させることなく熱放散を高めることができる。
また、この発明に係る半導体装置は、半導体素子がダイ
ボンディングされたアイランドとヒートシンクとの間に
モールド樹脂の薄肉部を形成したから、単にモールド表
面に金属板を取りつげていた従来の装置に比較して熱放
散を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の１ｊζ
成を黙示した説明図、第２図はその他の実施例の説明図
である。 １・・・モールド部、２・・・アイランド、３・・・半
導体素子、７・・・凹所、９・・・ヒートシンク。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子が固着されたアイランドの下面にモー
    ルド樹脂の薄肉部を残すように、モールド部の一方面に
    ヒートシンクを取りつけ、このヒートシンクの片側面を
    露出させたこと特徴とする半導体装置。
  2. （２）前記ヒートシンクはモールド部の一方面に形成さ
    れた凹所にヒートシンクの一方面に形成された凸部を嵌
    め合わせて取りつけられるものであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  3. （３）前記ヒートシンクはモールド部の成型と同時に取
    りつけられるものであることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の半導体装置。
JP59203778A 1984-09-27 1984-09-27 半導体装置 Pending JPS6180843A (ja)

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JP59203778A JPS6180843A (ja) 1984-09-27 1984-09-27 半導体装置

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ID=16479622

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0786807A1 (en) * 1996-01-25 1997-07-30 STMicroelectronics S.r.l. Plastic body surface-mounting semiconductor power device having dimensional characteristics optimized for use of standard shipping and testing modes

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