JPS6181229U - - Google Patents

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JPS6181229U
JPS6181229U JP16444185U JP16444185U JPS6181229U JP S6181229 U JPS6181229 U JP S6181229U JP 16444185 U JP16444185 U JP 16444185U JP 16444185 U JP16444185 U JP 16444185U JP S6181229 U JPS6181229 U JP S6181229U
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JP
Japan
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type mos
mos transistor
inverter
type
gate
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JP16444185U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による実施例を示す回路図、第
２図は同実施例の動作を説明するための信号波形
図、第３図は従来の回路図、第４図は同従来回路
を説明するための信号波形図である。 Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４：Ｅ型ＭＯＳトランジ
スタ、Ｑ０：Ｄ型ＭＯＳトランジスタ、ＣＢ：帰
還容量、ＣＧ：ゲート容量、ＣＬ：負荷容量。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 入力信号がゲートに与えられたＥ型ＭＯＳトラ
    ンジスタと、ゲートがソースに接続されたＤ型Ｍ
    ＯＳトランジスタからなるインバータと、 上記インバータのＤ型ＭＯＳトランジスタのド
    レイン側と電源に挿入された、ゲートがドレイン
    に接続されたＥ型ＭＯＳトランジスタと、 上記インバータの出力に一方のＥ型ＭＯＳトラ
    ンジスタのゲートが接続され、他方のＥ型ＭＯＳ
    トランジスタのゲートが入力端子に接続されたＥ
    ／Ｅ型プツシユプルバツフアを設け、 該プツシユプルバツフアの両ＭＯＳトランジス
    タ接続点と、上記インバータのＤ型ＭＯＳトラン
    ジスタと付加されたＥ型ＭＯＳトランジスタとの
    接続点間に帰還容量ＣＢを接続してなるブートス
    トラツパバツフア回路。
JP16444185U 1985-10-23 1985-10-23 Pending JPS6181229U (ja)

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JPS6181229U true JPS6181229U (ja) 1986-05-29

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