JPS6182322A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
等によって非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成して
なるいわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ　
−Ｆｅ２０ａ、　Ｃｏを含有する１　−Ｆｅ２０ａ、　
Ｐｅ５０４　、　Ｃｏを含有するＦｅ５Ｏ４，ｒ−Ｆｅ
２０ａとＦｅａＯ＋のベルトライド化合物、ＣＯを含有
するベルトライド化合物、Ｃｏ等の酸化物磁性粉末ある
いはＦｅ。

Ｃｏ　、　Ｎｉ等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末
磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエス
テル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分
散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥させることにより得ら
れる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。

近年、高密度磁気記録への要求の高まりと共（乙卯磁性
支持体上に強磁性金属からなる金属磁性薄膜を真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メッ
キ法等の手法を用いて直接被着形成した強磁性金属薄膜
型磁気記録媒体が注目を集めている。この強磁性金属薄
膜型磁気記録媒体は抗磁力Ｈｃや残留磁束密度Ｂｒが大
きいばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くすること
が可能であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著し
く小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バインダ
ーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度を高め
ることができること等、磁気特性の点で数々の利点を有
している。

しかし強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、磁性層が金属
であるために、保存中、とくに高温ないし高湿下に放置
された場合、磁性層表面に腐食を生じやすく、このため
飽和磁化量の如き磁気特性が経口的に劣化する問題があ
った。

そこで上記の強磁性金属薄膜上に防錆剤を付着させるこ
とにより磁気記録媒体の耐食性を改善することが試みら
れている。

例えば防錆剤として二価フェノール類を用いること（特
開昭５７−１５２５１７号）、ジアリルケトンを用いる
こと（特開昭５７−１５２５１８号）、アルキルフェノ
ールを用いること（特開昭５７−１５２５１９号）、ナ
フトール類を用いること（特開昭５７−１５２５２０号
）等が前記公報中に開示されている。

〔発明が解決しようとする問題点］ 本発明は高温ないし高湿下に於ても磁性層表面に錆がほ
とんど発生せず、磁気特性の経口変化の少ない強磁性金
属薄膜型の磁気記録媒体を提供することを目的とし、更
には新規な防錆剤を用いることにより、上述の問題点を
解決しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上
に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性金属薄膜に、硫
黄原子を含む複素環化合物を主成分とする防錆剤を付着
させたことを特徴とするものである。

本発明において、防錆剤として使用される硫黄原子を含
む複素環化合物としては、スルホラン、３−ヒドロキシ
スルホラン、３−メチルスルホラン、スルホレン、３−
ヒドロキシスルホレン、３−メチルスルホレン、ローダ
ニン、３−アミノロータニン、チアゾリン−４−カルボ
ン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビオチン、３．６−チ
オキサンチンジアミン、３，６〜チオキサンチンジアミ
ン−１０，１０−ジオキシド等が挙げられる。

上述の防錆剤は、強磁性金属薄膜の少なくとも表面、可
能であれば内部、あるいは強磁性金属薄膜が形成されて
いる下地との界面に接する状態で存在せしめることによ
り、その効果を発揮せしめる。その適量は磁気記録媒体
１ぜ轟り０．５〜１００ｍ７程度である。

上述の防錆剤を強磁性金属薄膜に付着させる方法として
は、防錆剤を適当な溶媒に希釈して強磁性金属薄膜表面
に塗布する方法、あるいは防錆剤の蒸気を強磁性金属薄
膜表面にあてる方法等の手段を用いることができる。

また防錆剤とともに、通常の潤滑剤を併用してもかまわ
ない。前述の溶媒としては、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン類、メタノール、エタノール、フロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエ
チルエーテル等のエステル類、エチレンクリコールジメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキ
サン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メチレンクロライ
ド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、
エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等の塩素化
炭化水素、トリクロロフルオロメタン、ジクロロジフル
オロメタン、クロロトリフルオロメタン、クロロジフル
オロメタン、１，１．２−トリクロロ−１，２゜２−ト
リフルオロエチレン、３−ジクロロテトラフルオロエチ
レン等のフルオロ炭化水素、水、及びこれらの混合溶媒
が挙げられる。

更に潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、ミ 脂肪酸アキド、金属石ケン、脂肪族アルコール、パラフ
ィン、シリコーン、フッ素系界面活性剤等が使用できる
。

脂肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール
酸、リルン酸等の炭素数が１２個以上のものが使用でき
る。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石ケンとしては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸等のＺｎ　、　Ｐｂ　。

Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡＣＭｇ、Ｓｒ、Ｃｕ　等トノ塩、
ラウリル、パルミチル、ミリスチル、ステアリル、ベヘ
ニル、オレイル、リノール、リルン等のスルホン酸と上
記金属との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

フッ素系界面活性剤としては、パーフロロアルキルカル
ボン酸及びパーフロロアルキルスルホン酸とＮａ、に、
Ｍｇ、Ｚｎ、ＡＣＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等トノ塩、パーフロ
ロアルキルリン酸エステル、パーフロロアルキルベクイ
ン、パーフロロアルキルトリメチルアンモニウム塩、パ
ーフロロエチレンオキサイド、パーフロロアルキル脂肪
族エステル等が使用できる。

非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、
セルロースダイアセテート、セルロースアセテートブチ
レート 誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニ
ル系樹脂、ポリカーボネー１−、ポリイミド、ポリアミ
ドイミド等の′プラスチック等が挙げられる。また、上
記非磁性支持体の形態としては、フィルム、テープ、シ
ート、ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

強磁性金属薄膜の材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の
金属あるいはＣｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ　合金、Ｆｅ
−Ｎｉ　合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ　　合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｆｅ−Ｂ合金あるいはこれら
にＣｒ。

へ１等の金属が含有されたもの等が挙げられる。

上記強磁性金属薄膜材料の被着手段としては、真空蒸着
法、イオンブレーティング法、スパッタリング法等が挙
げられる。上記真空蒸着法は、１６４〜１０　　Ｔｏｒ
ｒの真空下で上記強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱等により蒸発させ非磁性支持体上に
蒸発金属（強磁性金属材料）を沈着するというものであ
り、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別される。上記斜方
蒸着法は、高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して
上記強磁性金属材料を斜め蒸着するものであって、より
高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行な
うものも含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産
性を向上し、かつ高い抗磁力を得るために非磁性支持体
上にあらかじめＢｉ　、Ｓｂ，Ｐｂ，Ｓｎ。

Ｇａ，Ｉｎ，Ｃｄ　、Ｇｅ，Ｓｉ　、Ｔｊ？　等の下地
金属層を形成しておき、この下地金属層上に上記強磁性
金属材料を垂直に蒸着するというものである。上記イオ
ンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり、１　０
−’　〜１０　”Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中テＤＣ
グロー放電、ＲＦグロー放電を起こし、放電中で上記強
磁性金属を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０”〜１０”Ｔｏｒｒのア
ルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電ヲ起こ
し、生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をた
たき出すというものであり、グロー放電の方法により直
流２極，３極スパツター法や、高周波スパッター法、ま
たマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッター
法等がある。

〔作　用〕

以上述べたように、磁性層である強磁性金属薄膜の表面
、内部あるいは下地との界面等に硫黄原子を含む複素環
化合物を付着せしめることにより、上記強磁性金属薄膜
での錆の発生が防止される。

〔実施例〕

以下本発明の具体的な実施例について説明するが、本発
明がこれら実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。

実施例１゜ 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコバルトＣＯを入射角５０°
〜９０°で斜方蒸着し、膜厚約１３０ＯＡの強磁性金属
薄膜を形成した。

次いで上記強磁性金属薄膜上に、スルホランをアセトン
と水との混合溶媒（アセトン：水＝ｌ：ｌ）に希釈した
溶液（０，１ｗｔ’４溶液）を塗布（塗布量２０”！Ｉ
Ｆ／ｍ）Ｌ、、サンプルテープを作成した。

実施例２゜ スルホランの代わりに３−ヒドロキシスルホランを用い
た以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成
した。

実施例３゜ スルホランの代わりに３−メチルスルホランを用いた以
外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した
。

実施例４゜ スルホランの代わりにスルホレンを用いた以外は、実施
例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例５゜ スルホランの代わりに３−ヒドロキシスルホレンを用い
た以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成
した。

実施例６゜ スルホランの代わりに３−メチルスルホレンを用いた以
外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した
。

実施例７゜ スルホランの代わりにローダニンを用いた以外は、実施
例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例８ スルホランの代わりに３−アミノローダニンを用いた以
外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した
。

実施例９゜ スルホランの代わりにチアン゛りソー４−カルボン酸を
用いた以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを
作成した。

実施例１０゜ スルホランの代わりに４Ｈ−１，４−チアジンを用いた
以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成し
た。

実施例１１゜ スルホランの代わりにビオチンを用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１２゜ スルホランの代わりに３，６−チオキサソツアミンを用
いた以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作
成した。

実施例１３゜ スルホランの代わりに３，６−チオキサンチンジアミン
−１０，１０ジオキシドを用いた以外は、実施例１と同
様にしてサンプルテープを作成した。

比較例 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコバルトＣＯを入射角５０°
〜９０°で斜方蒸着し、膜厚約１３０ＯＡの強磁性金属
薄膜を形成し、サンプルテープを作成した。

上記の実施例及び比較例により得られた各サンプルテー
プにつき、初期の保磁力（Ｈｃｌ）及び飽和磁化量（ｌ
５１）と４５℃、８０ＳＲＨ下に１週間放置した後の保
磁力（ＨＣ２）及び飽和磁化量（ＩＳ’２）とからその
変化率を求めた。

Ｈｃの変化率−（Ｈｃｌ−ＨＣ２）　／　Ｈｃ　ｌ■ｓ
　の変化率＝　（ＩＳＩ−ＩＳ２）／ＩＳＩ次表にその
結果を示す。

また実施例のサンプルテープ表面には錆の発生は認めら
れなかった。

上記表より本発明による磁気記録媒体は磁性層表面に錆
がはきんと発生せず、磁気特性の経口変化の少ないこと
がわかる。

〔発明の効果〕

上述の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属簿膜に硫黄原子を含む複素環化合物を主成分
とする防錆剤を付着させているので、高温ないし高湿下
においても磁性層である強磁性金属薄膜表面での錆の発
生が防止され、保磁力や飽和磁化量等の磁気特性の経口
変化も少ないものとなる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
   金属薄膜に、硫黄原子を含む複素環化合物を主成分とす
   る防錆剤を付着させたことを特徴とする磁気記録媒体。