JPS6182323A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
等によって非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成して
なるいわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来よ゛り磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にγ
−ＦｅｚＯａ　、　Ｃｏを含有するｒ　−Ｆｅ　２０Ｂ
、　Ｆｅ　８０４、Ｃｏを含有するＦｅｇＯ＋、　γ−
ＦｅｚＯａとＦｅ３Ｏ４のベルトライド化合物、ＣＯを
含有するベルトライド・化合物、Ｃｒ０ｚ等の酸化物磁
性粉末あるいは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする合
金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有
機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥さ
せることにより得られる塗布型の磁気記録媒体が広く使
用されている。

近年高密度磁気記録への要求の高まりと共に、非磁性支
持体上に強磁性金属からなる金属磁性薄膜を真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メッキ
法等の手法を用いて直接被着形成した強磁性金属薄膜型
磁気記録媒体が注目を集めている。この強磁性金属薄膜
型磁気記録媒体は抗磁力Ｉ−Ｉ　ｃや残留磁束密度Ｂｒ
が大きいばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くする
ことが可能であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が
著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バイ
ンダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度を
高めることができること等、磁気特性の点で数々の利点
を有している。

しかし強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、磁性層が金属
であるために、保存中、とくに高温ないし高湿下に放置
された場合、磁性層表面に腐食を生じやすく、このため
飽和磁化量の如き磁気特性が経口的に劣化する問題があ
った。

そこで上記の強磁性金属薄膜上に防錆剤を付着させるこ
とにより磁気記録媒体の耐食性を改善することが試みら
れている。

例えば防錆剤として二価フェノール類を用いること（特
開昭５７−１５２５１７号）、ジアリルケトンを用いる
こと（特開昭５７−１５２５１　’８号）、アルキルフ
ェノールを用いること（特開昭５７−１５２５１９号）
、ナフトール類を用いること（特開昭５７−１５２５　
’２０号）等が前記公報中に開示されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は高温ないし高湿下に於ても磁性層表面に錆がほ
とんど発生せず、磁気特性の経口変化の少ない強磁性金
属薄膜型の磁気記録媒体を提供することを目的とし、更
には新規な防錆剤を用いることにより、上述の問題点を
解決しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上
に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性金属薄膜に、酸
素原子を含む複素環化合物を主成分とする防錆剤を付着
させたことを特徴とするものである。

本発明において、防錆剤として使用される酸素原子を含
む複素環化合物としては、トコフェロール、モリン、ケ
ルセチン、アスコルビン酸、無水１．８−ナックル酸、
レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢酸、オキサゾール
、３−アミンフタルイミド、４−アミノフタルイミド、
ウリジン、チミジン、グアノシン、無水イサト酸等が挙
げられる。

上述の防錆剤は、強磁性金属薄膜の少なくとも表面、可
能であれば内部、あるいは強磁性金属薄膜が形成されて
いる下地との界面に接する状態で存在せしめることによ
り、その効果を発揮せしめる。その適量は磁気記録媒体
１ｍ２当り０．５〜１００■程度である。

上述の防錆剤を強磁性金属薄膜に付着させる方法として
は、防錆剤を適当な溶媒に希釈して強磁性金属薄膜表面
に塗布する方法、あるいは防錆剤の蒸気を強磁゛性金属
薄膜表面にあてる方法等の手段を用いることができる。

また防錆剤とともに、通常の潤滑剤を併用してもかすわ
ない。前述の溶媒としては、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン類、メタノール、エタノール、プロパツー
ル、ブタノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエ
チルエーテル等のエステル類、エチレングリコールジメ
チルエーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル
、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキ
サン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メチレンクロライ
ド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、
エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等の塩素化
炭化水素、トリクロロフルオロメタン、ジクロロジフル
オロメタン、クロロトリフルオロメタン、クロロジフル
オロメタン、１，１．２−トリクロロ−１，２゜２−ト
リフルオロエチレン、３−ジクロロテトラフルオロエチ
レン等のフルオロ炭化水素、水及びこれらの混合溶媒が
挙げられる。

更に潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸
アミド、金属石ケン、脂肪族アルコール、パラフィン、
シリコーン、フッ素系界面活性剤等が使用できる。

脂肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール
酸、リルン酸等の炭素数が１２個以上のものが使用でき
る。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石ケンとしては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸等のＺｎ　、　Ｐｂ　。

Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡＡ？、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃｕ等トノ塩
、−ｙウリル、パルミチル、ミリスチル、ステアリル、
ベヘニル、オレイル、リノール、リルン等のスルホン酸
と上記金属との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

フッ素系界面活性剤としては、パーフロロアルキルカル
ボン酸及びパーフロロアルキルスルホン酸とＮａ、に、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等との塩、パーフ
ロロアルキルリン酸エステル、パーフロロアルキルベク
イン、パーフロロアルキルトリメチルアンモニウム塩、
パーフロロエチレンオキサイド、パーフロロアルキル脂
肪族エステル等が使用できる。

非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、
セルロースダイアセテート、セルロースアセテ−＋−フ
チレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、
ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック等が挙
げられる。また、上記非磁性支持体の形態としては、フ
ィルム、テープ、シート、ディスク、カード、ドラム等
のいずれでもよい。

強磁性金属薄膜の材料としては、Ｆｅ　、　Ｃｏ　、　
Ｎｉ等の金属あるいはＣｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金
、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｆ”ｅ−Ｂ合金あるいはこれ
らにＣｒ。

Ａ１等の金属が含有されたもの等が挙げられる。

上記強磁性金属薄膜材料の被着手段としては、真空蒸着
法、イオンブレーティング法、スパッタリング法等が挙
げられる。上記真空蒸着法は、１０〜１０　　Ｔｏｒｒ
の真空下で上記強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱
、電子ビーム加熱等により蒸発させ非磁性支持体上に蒸
発金属（強磁性金属材料）を沈着するというものであり
、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別される。上記斜方蒸
着法は、高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上
記強磁性金属材料を斜め蒸着するものであって、より高
い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行なう
ものも含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性
を向上し、かつ高い抗磁力を得るために非磁性支持体上
にあらかじめＢｉ、Ｓｂ。

Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔ＃等の
下地金属層を形成しておき、この下地金属層上に上記強
磁性金属材料を垂直に蒸着するというものである。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０　〜１０　　Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、ＲＦグロー放電を起こし、放電中で上記
強磁性金属を蒸発させるというものである。上記スパッ
タリング法は、１０〜１０　　Ｔｏｒｒのアルゴンガス
を主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じた
アルゴンイオンでクーゲット表面の原子をたたき出すと
いうものであり、グロー放電の方法により直流２極、３
１＝スパツター法や、高周波スパッター法、またマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパッター法等があ
る。

〔作　用〕

以上述べたように、磁性層である強磁性金属薄膜の表面
、内部あるいは下地との界面等に酸素原子を含む複素環
化合物を付着せしめることにより、上記強磁性金属薄膜
での錆の発生が防止される。

〔実施例〕

以下本発明の具体的な実施例について説明するが、本発
明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う才
でもない。

実施例１゜ 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコバルｌ−Ｃ。

を入射角５０°〜９０°で斜方蒸着し、膜厚約１３０Ｏ
Ａの強磁性金属薄膜を形成した。

次いで上記強磁性金属薄膜上に、モリンをアセトンと水
との混合溶媒（アセトン：水−１＝１）に希釈した溶液
（０，ｘｗｔ％溶液）を塗布（塗布量２０”！？／ｍ）
Ｌ、サンプルテープを作成した。

実施例２ モリンの代わりにトコフェロールを用いた以外は、実施
例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例３ モリンの代わりにケルセチンを用いた以外は、実施例１
と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例４゜ モリンの代わりにアスコルビン酸を用いた以外は、実施
例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例５ モリンの代わりに無水１，８−ナフタル酸を用いた以外
は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例６ モリンの代わりにレゾルフィンを用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例７ モリンの代わりにコウジ酸を用いた以外は、実施例１と
同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例８゜ モリンの代わりにデヒドロ酢酸を用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例９ モリンの代わりにオキサゾールを用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１０ モリンの代わりに３−アミノフタルイミドを用いた以外
は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１１ モリンの代わりに４−アミノフタルイミドを用いた以外
は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１２ モリンの代わりにウリジンを用いた以外は、実施例１と
同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１３ モリンの代わりにチミジンを用いた以外は、実施例１と
同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１４ モリンの代わりにグアノシンを用いた以外は、実施例１
と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１５ モリンの代わりに無水イサト酸を用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープを作成した。

比較例 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコバルトＣ００Ａの強磁性金
属薄膜を形成し、サンプルテープを作成した。

上記の実施例及び比較例により得られた谷サンプルテー
プにつき、初期の保磁力（ＨＣＩ）及び飽和磁化量（Ｉ
ｓｔ　）と５４５℃、８０％ＲＨ下に１週間放置した後
の保磁力（Ｈｃ２）及び飽和磁化量（ＩＳ２）とからそ
の変化率を求めた。

Ｈｃの変化率−（ｆ（ｃｚ−Ｈｃ２）／ＨＣｔＩｓの変
化率−（Ｉｓｌ−ＩＳ２）／ＩＳＩ次表にその結果を示
す。

尚実施例のサンプルテープ表面には錆の発生は認められ
なかった。

上記表より本発明による磁気記録媒体は硼性層表面に錆
がほとんど発生せず、磁気特性の経日変化の少ないこと
がわかる。

〔発明の効果〕

上述の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜に酸素原子を含む複素環化合物を主成分
とする防錆剤を付着させているので、高温ないし高湿下
においても磁性層である強磁性金属薄膜表面での錆の発
生が防止され、保磁力や飽和磁化量等の磁気特性の経口
変化も少ないものとなる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
   金属薄膜に酸素原子を含む複素環化合物を主成分とする
   防錆剤を付着させたことを特徴とする磁気記録媒体。