JPS6182324A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
等によって非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成して
なるいわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に１−
Ｐｅ２ｏｓ　、　Ｃｏ　を含有する７　−Ｆｅ　ｚｏａ
　、　ＦｅａＯ＋、Ｃｏ　を含有するＦｅａＯ＋　、　
７−Ｆｅ２０ａとＦｅ３Ｏ４のベルトライド化合物、Ｃ
ｏを含有するベルトライド化合物、ＣｒＯ２等の酸化物
磁性粉末あるいはＦｅ。

Ｃｏ、Ｎｉ　等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末磁
性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散
せしめた磁性塗料を塗布、乾燥させることにより得られ
る塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。

近年高密度磁気記録への要求の高まりと共に、非磁性支
持体上に強磁性金属からなる金属磁性薄膜を真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メッキ
法等の手法を用いて直接被着形成した強磁性金属薄膜型
磁気記録媒体が注目を集めている。この強磁性金属薄膜
型磁気記録媒体は抗磁力Ｈｃや残留磁束密度Ｂｒが大き
いばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くすることが
可能であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく
小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バインダー
を混入する必要がないため磁性材料の充填密度を高める
ことができること等、磁気特性の点で数々の利点を有し
ている。

しかし強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、磁性層が金属
であるために、保存中、とくに高温ないし高湿下ｉこ放
置された場合、磁性層表面に腐食を生じやすく、このた
め飽和磁化量の如き磁気特性が経口的に劣化する問題が
あった。

そこで上記の強磁性金属薄膜上に防錆剤を付着させるこ
とにより磁気記録媒体の耐食性を改善することが試みら
れている。

例えば防錆剤として二価フェノール類を用いること（特
開昭５７−１５２５１７号）、ジアリルケトンを用いる
こと（特開昭５７−１５２５１８号）、アルキルフェノ
ールを用いること（特開昭５７−１５２５１９号）、ナ
フトール類を用いること（特開昭５７−１５２５２０号
）等が前記公報中に開示されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は高温ないし高湿下に於ても磁性層表面に錆がほ
とんど発生せず、磁気特性の経日縁変化の少ない強磁性
金属薄膜型の磁気記録媒体を提供することを目的とし、
更には新規な防錆剤を用いることにより、上述の問題点
を解決しようとするものである。

〔問題点を解決するだめの手段〕

すなわち本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上
に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性金属薄膜に、メ
ルカプト基を有する化合物を主成分とする防錆剤を付着
させたことを特徴とする籐５　　　−　　　ものである
。

本発明において、防錆剤として使用されるメルカプト基
を有する化合物としては、會＝十六≠す−−２−ベンゾ
オキ→ノープールチオ ール、チオフェノール、チオサリチル酸、プロパンチオ
ール、チオウラシル、２．３−キノキサリンジチオール
、ジチゾン、チオオキシン、２−ペンズイミダヅールチ
オール、６−チオグアニン。

５−ニトロ−２−ヘンスイミタソールチオール、５−ア
ミノ−１，３，４−チアゾール−２−ヂオール等が挙げ
られる。

上述の防錆剤は、強磁性金属薄膜の少なくとも表面、可
能であれば内部、あるいは強磁性金属薄膜が形成されて
いる下地との界面に接する状態で存在せしめることによ
り、その効果を発揮せしめる。その適量は磁気記録媒体
１ｉ当り０．５〜１００■程度である。

上述の防錆剤を強磁性金属薄膜に付着させる方法として
は、防錆剤を適当な溶媒に希釈して強磁性金属薄膜表面
に塗布する方法、あるいは防錆剤の蒸気を強磁性金属薄
膜表面にあてる方法等の手段を用いることができる。

また防錆剤とともに、通常の潤滑剤を併用してもかすわ
ない。前述の溶媒としては、例えばアセメ トン、メチルエチルケトン、逃チルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノー
ル、プロパツール、ブタノール等のアルコール類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸ク
リコールモノエチルエーテル等のエステル類、エチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレンクリコールエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メチレ
ンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロ
ロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン
等の塩素化炭化水素、トリクロロフルオロメタン、ジク
ロロジフルオロメタン、クロロトリフルオロメタン、ク
ロロジフルオロメタン、１，１．２−トリクロロ−１，
２゜２−トリフルオロエチレン、３−ジクロロテトラフ
ルオロエチレン等のフルオロ炭化水素、水及びこれらの
混合溶媒が挙げられる。

更に潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸
アミド、金属石ケン、脂肪族アルコール、パラフィン、
シリコーン、フッ素系界面活性剤等が使用できる。

脂肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール
酸、リルン酸等の炭素数が１２個以上のものが使用でき
る。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石ケンとしては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸等のＺｎ、Ｐｂ。

Ｎｉ　、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡＡ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃｕ等との塩
、ラウリル、パルミチル、ミリスチル、ステアリル、ベ
ヘニル、オレイル、リノール、リルン等のスルホン酸と
上記金属との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基才たはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

フッ素系界面活性剤としては、パーフロロアルキルカル
ボン酸及びパーフロロアルキルスルホン酸とＮａ、に、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ａ４．Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等との塩、パーフ
ロロアルキルリン酸エステル、パーフロロアルキルヘタ
イン、パーフロロアルキルトリメチルアンモニウム塩、
パーフロロエチレンオキ日ノ−イド、パーフロロアルキ
ル脂肪族エステル等が使用できる。

非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルロースＩ・リアセテート
、セルロースダイアセテ−１・、セルロースアセテート
ブチシー１−等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリチン等のビニル系樹脂、ボリカーホネー
ト、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック等
が挙げられる。また、上記非磁性支持体の形態としては
、フィルム、テープ、シート、ディスク、カード、ドラ
ム等のいずれでもよい。

強磁性金属薄膜の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の
金属あるいはＣｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、ｐｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、ｒｅ−Ｃｏ−Ｂ合金
、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｆｅ　−Ｂ合金あるいはこれらにＣｒ
。

ＡＡ等の金属が含有されたもの等が挙げられる。

上記強磁性金属薄膜材料の被着手段としては、真空蒸着
法、イオンブレーティング法、スパッタリング法等が挙
げられる。上記真空蒸着法は、１０〜１０　Ｔｏｒｒ　
　の真空下で上記強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱等により蒸発させ非磁性支持体上に
蒸発金属（強磁性金属材料）を沈着するというものであ
り、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別される。上記斜方
蒸着法は、高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して
上記強磁性金属材料を斜め蒸着するものであって、より
高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行な
うものも含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産
性を向上し、かつ高い抗磁力を得るだめに非磁性支持体
上にあらかじめＢｉ、Ｓｂ。

Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔ１等の
下地金属層を形成しておき、この下地金属層上に上記強
磁性金属材料を垂直に蒸着するというものである。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０〜１０　Ｔｏｒｒ　　の不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、Ｒ，Ｆグロー放電を起こし、放電中で上
記強磁性金属を蒸発させるというものである。上記スパ
ッタリング法は、１０−３〜１０”Ｔｏｒｒのアルゴン
ガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生
じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出
すというものであり、グロー放電の方法により直流２極
、３極スパック−法や、高周波スパッター法、またマグ
ネトロン放電を利用したマグネトロンスパッター法等が
ある。

〔作　用〕

以上述べたように、磁性層である強磁性金属薄膜の表面
、内部あるいは下地との界面等にメルカプト基を有する
化合物を付着せしめることにより、上記強磁性金属薄膜
での錆の発生が防止される。

〔実施例〕

以下本発明の具体的な実施例について説明するが、本発
明がこれら実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。

実施例１、 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコバルトＣＯを入射角５０°
〜９０°で斜方蒸着し、膜厚約１３０ＯＡの強磁性金属
薄膜を形成した。

次いで上記強磁性金属薄膜上に、チオフェノールをアセ
トンと水との混合溶媒（アセトン：水＝ｌ：１）に希釈
した溶液（Ｑ、１ｗｔ　％溶液）を塗布（塗布量２０ｍ
９／ｒｒｌ）し、サンプルテープを作成した。

実施例２゜ チオフェノールの代わりに２−ベンゾオキサゾールチオ
ールを用いた以外は、実施例１と同様にしてサンプルテ
ープを作成した。

実施例３゜ チオフェノールの代わりにチオサリチル酸を用いた以外
は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例４゜ チオフェノールの代わりにプロパンチオールを用いた以
外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した
。

実施例５ チオフェノールの代わりにチオウラシルを用いた以外は
、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例６ チオフェノールの代わりに２．３−キノキサリンジチオ
ールを用いた以外は、実施例１と同様にしてサンプルテ
ープを作成した。

以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成し
た。

実施例８゜ チオフェノールの代わりに２−ベンズイミダゾールチオ
ールを用いた以外は実施例１と同様にしてサンプルテー
プを作成した。

実施例９゜ チオフェノールの代わりに６−チオグアニンを用いた以
外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した
。

実施例１０ チオフェノールの代わりに２−チアゾリン−２チオール
を用いた以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープ
を作成した。

実施例１１゜ チオフェノールの代わりに５−ニトロ−２−ベンズイミ
ダゾールチオールを用いた以外は、実施例１と同様にし
てサンプルテープを作成した。

実施例１２゜ チオフェノールの代わりに５−アミノ−１１３゜４−チ
アゾール−２−チオールを用いた以外は、実施例１と同
様にしてサンプルテープを作成した。

比較例 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコノ＜ルトＣＯを入射角５０
〜９０°で斜方蒸着し、膜厚約１゛３００Ａの強磁性金
属薄膜を形成し、サンプルテープを作成した。

上記の実施例及び比較例により得られた各サンプルテー
プにつき、初期の保磁力（ＨＣＩ）及び飽和磁化量（Ｉ
ｓ＋　）と４５°Ｃ５８０％Ｒ’Ｈ下に１週間放置した
後の保磁力（ＨＯ２）及び飽和磁化量（ＩＳ２）とから
その変化率を求めた。

Ｈｃの変化率＝　（ＨＣＩ　　ＨＯ２）／ＨＣＩ　’Ｉ
ｓ　の変化率＝（■ｓｔ　　ｌ５２）／ＩＳＩ尚実施例
のサンプルテープ表面には錆の発生は認められなかった
。

上記表より本発明による磁気記録媒体は磁性層表面に錆
がほとんど発生せず、磁気特性の経口変化の少ないこと
がわかる。

〔発明の効果〕

上述の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜にメルカプト基を有する化合物を主成分
とする防錆剤を付着させているので、高温ないし高湿下
においても磁性層である強磁性金属薄膜表面での錆の発
生が防止され、保磁力や飽和磁化量等の磁気特性の経口
変化も少ないものとなる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
   金属薄膜にメルカプト基を有する化合物を主成分とする
   防錆剤を付着させたことを特徴とする磁気記録媒体。