JPS6182428A - 電荷ビ−ム光学鏡筒のレンズ調整方法 - Google Patents
電荷ビ−ム光学鏡筒のレンズ調整方法Info
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- JPS6182428A JPS6182428A JP59204828A JP20482884A JPS6182428A JP S6182428 A JPS6182428 A JP S6182428A JP 59204828 A JP59204828 A JP 59204828A JP 20482884 A JP20482884 A JP 20482884A JP S6182428 A JPS6182428 A JP S6182428A
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- Japan
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- aperture
- blanking
- lens
- mask
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、可変寸法ビームを用いる荷電ビーム露光技術
に係わり、特に荷電ビーム光学鏡筒のレンズ調整方法に
関する。
に係わり、特に荷電ビーム光学鏡筒のレンズ調整方法に
関する。
従来、半導体ウェハやマスク基板等の試料上にＩ２細パ
ターンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装
置が用いられている。そして、最近では、ビーム寸法を
可変することにより描画スルーブツトの向上をはかった
可変寸法ビーム方式の電子ご一ム露光装置が注目されて
いる。
ターンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装
置が用いられている。そして、最近では、ビーム寸法を
可変することにより描画スルーブツトの向上をはかった
可変寸法ビーム方式の電子ご一ム露光装置が注目されて
いる。
ところで、この種の装置に用いられる電子ビーム光学鏡
筒には、ビーム寸法を可変するための２つのビーム成形
用アパーチャマスク及びビーム成形用偏向器、ビームを
ブランキングするためのブランキング用偏向器及びブラ
ンキング板等が設けられている。そして、ビームをブラ
ンキングする場合には、ブランキング用偏向器によりビ
ームを層面し、ブランキング板によってビームを遮るよ
うにしている。
筒には、ビーム寸法を可変するための２つのビーム成形
用アパーチャマスク及びビーム成形用偏向器、ビームを
ブランキングするためのブランキング用偏向器及びブラ
ンキング板等が設けられている。そして、ビームをブラ
ンキングする場合には、ブランキング用偏向器によりビ
ームを層面し、ブランキング板によってビームを遮るよ
うにしている。
しかしながら、この種の電子ビーム光学鏡筒にあっては
次のような問題があった。即ち、ビームをブランキング
する過度時にターゲット上でビームが移動することがあ
り、ざらにブランキング過度時にターゲット上のビーム
寸法が変動するという問題があった。このため、上記の
電子ビーム光学鏡筒を電子ビーム露光装置に適用した場
合には、描画精度の低下を招くことになる。
次のような問題があった。即ち、ビームをブランキング
する過度時にターゲット上でビームが移動することがあ
り、ざらにブランキング過度時にターゲット上のビーム
寸法が変動するという問題があった。このため、上記の
電子ビーム光学鏡筒を電子ビーム露光装置に適用した場
合には、描画精度の低下を招くことになる。
また、上記の問題は電子ビームの代りにイオンビームを
用いるイオンビーム光学鏡筒についても同様に言えるこ
とである。
用いるイオンビーム光学鏡筒についても同様に言えるこ
とである。
〔発明の目的）
本発明の目的は、ビームのブランキング過度時にターゲ
ット上でビームの寸法変動及び位置変動が生じるのを防
止することができ、描画精度の向上等に寄与し得る荷電
ビーム光学鏡筒のレンズ調整方法を提供することにある
。
ット上でビームの寸法変動及び位置変動が生じるのを防
止することができ、描画精度の向上等に寄与し得る荷電
ビーム光学鏡筒のレンズ調整方法を提供することにある
。
本発明の骨子は、ビーム寸法可変のための２つのビーム
成形用アパーチャマスク間に配置されたレンズの調整と
して、ターゲット上でのビーム位置を基に調整すること
にある。
成形用アパーチャマスク間に配置されたレンズの調整と
して、ターゲット上でのビーム位置を基に調整すること
にある。
即ち本発明は、荷電ビーム放射源から放射された荷電ビ
ームをブランキングするブランキング用偏向器と、２つ
のビーム成形用アパーチャマスク及びこれらのマスク間
に配置され第１アパーチャマスクの７パーチヤ像を第２
のアパーチャマスク上に結像させるレンズとを備えた荷
電ビーム光学鏡筒において、前記ブランキング用偏向器
に電圧を印加した時の第１アパーチャマスクのアバ−チ
ル象のターゲット上での移動量が第２アパーチャマスク
のアパーチャ像のターゲット上での移動量に等しいか、
或いは両者共略零になるよう前記レンズの励起電流を調
整するようにした方法である。
ームをブランキングするブランキング用偏向器と、２つ
のビーム成形用アパーチャマスク及びこれらのマスク間
に配置され第１アパーチャマスクの７パーチヤ像を第２
のアパーチャマスク上に結像させるレンズとを備えた荷
電ビーム光学鏡筒において、前記ブランキング用偏向器
に電圧を印加した時の第１アパーチャマスクのアバ−チ
ル象のターゲット上での移動量が第２アパーチャマスク
のアパーチャ像のターゲット上での移動量に等しいか、
或いは両者共略零になるよう前記レンズの励起電流を調
整するようにした方法である。
□ 〔発明の効果〕
本発明によれば、ターゲット上でのビーム位置を測定す
るのみでレンズ条件を決定できるので、レンズ調整を高
精度で且つ短時間に行うことができ、さらにこの調整の
自動化も容易となる。しかも、ブランキング過度時のビ
ーム移動及びビーム寸法変動がないので、露光装置に適
用した場合高精度の描画が可能となる。
るのみでレンズ条件を決定できるので、レンズ調整を高
精度で且つ短時間に行うことができ、さらにこの調整の
自動化も容易となる。しかも、ブランキング過度時のビ
ーム移動及びビーム寸法変動がないので、露光装置に適
用した場合高精度の描画が可能となる。
第１図は本発明の一実施例方法を適用した電子ビーム光
学鏡筒を示す概略構成図である。図示しない電子銃から
放射された電子ビームは第１のコンデンサレンズ１１及
び第２のコンデンサレンズ１２を介して第１の７バーチ
ヤマスク（ご−ム成形用アパーチャマスク）１３に照射
される。アパーチャマスク１３のアパーチャ像は投影レ
ンズ１４により第２のアパーチャマスク（ビーム成形用
アパーチャマスク）１５上に結像される。そして、第２
のアパーチャマスク１５のアパーチャ像が縮小レンズ１
６及び対物レンズ１７を介してターゲット１８上に照射
されるものとなっている。
学鏡筒を示す概略構成図である。図示しない電子銃から
放射された電子ビームは第１のコンデンサレンズ１１及
び第２のコンデンサレンズ１２を介して第１の７バーチ
ヤマスク（ご−ム成形用アパーチャマスク）１３に照射
される。アパーチャマスク１３のアパーチャ像は投影レ
ンズ１４により第２のアパーチャマスク（ビーム成形用
アパーチャマスク）１５上に結像される。そして、第２
のアパーチャマスク１５のアパーチャ像が縮小レンズ１
６及び対物レンズ１７を介してターゲット１８上に照射
されるものとなっている。
一方、前記第２のコンデンサレンズ１２と第１のアパー
チャマスク１３との間には第１及び第２のブランキング
用偏向器２１．２２が配置され、前記第２のアパーチャ
マスク１５と縮小レンズ１６との間にはブランキング板
２３が配置されている。そして、偏向器２１．２２によ
りビームを偏向し、ブランキング板２３によってビーム
を遮ることによって、ビームをブランキングするものと
なっている。また、前記第１の７バーチヤマスク１３と
投影レンズ１４との間には、ビーム成形用偏向器２４が
配置されている。そして、この偏向器２４によりビーム
を偏向することにより、第１及び第２のアパーチャマス
ク１３．１５のアパーチャの光学内型なりが変えられ、
ビームの寸法が可変されるものとなっている。なお、図
中２５゜２６はＸ方向及びＹ方向のビーム走査用偏向器
、２７は反射ビームを検出する反射電子検出器を示して
いる。
チャマスク１３との間には第１及び第２のブランキング
用偏向器２１．２２が配置され、前記第２のアパーチャ
マスク１５と縮小レンズ１６との間にはブランキング板
２３が配置されている。そして、偏向器２１．２２によ
りビームを偏向し、ブランキング板２３によってビーム
を遮ることによって、ビームをブランキングするものと
なっている。また、前記第１の７バーチヤマスク１３と
投影レンズ１４との間には、ビーム成形用偏向器２４が
配置されている。そして、この偏向器２４によりビーム
を偏向することにより、第１及び第２のアパーチャマス
ク１３．１５のアパーチャの光学内型なりが変えられ、
ビームの寸法が可変されるものとなっている。なお、図
中２５゜２６はＸ方向及びＹ方向のビーム走査用偏向器
、２７は反射ビームを検出する反射電子検出器を示して
いる。
次に、上記構成の電子光学鏡筒におけるブランキング方
法レンズ調整方法について説明する。
法レンズ調整方法について説明する。
ブランキング用偏向器２１．２２には電圧比の異なるブ
ランキング電圧が印加され、第１の偏向器２１により偏
向されたビームがＭ２の層向器２２により振り戻される
。ここで、上記の電圧比を調整することによって、第１
図に破線で示す如くブランキング時の偏向中心を丁度第
１アパーチャマスク１３のアパーチャ中心位置に調整で
きるので、ブランキング過度時のビーム位置変動を無く
すことができる。
ランキング電圧が印加され、第１の偏向器２１により偏
向されたビームがＭ２の層向器２２により振り戻される
。ここで、上記の電圧比を調整することによって、第１
図に破線で示す如くブランキング時の偏向中心を丁度第
１アパーチャマスク１３のアパーチャ中心位置に調整で
きるので、ブランキング過度時のビーム位置変動を無く
すことができる。
次いで、第２図（ａ）に示す如くターゲット１８の位置
に、例えば金の微粒子３２を設け、この微粒子３２を電
子ビーム３１で走査した時の反射電子信号を検出器２７
で検出する。ここで、微粒子３２をビーム３１の寸法よ
りも十分小さいものとしておくと、第２図（ｂ）に示す
如くビーム形状に応じた反射電子信号を得ることができ
る。
に、例えば金の微粒子３２を設け、この微粒子３２を電
子ビーム３１で走査した時の反射電子信号を検出器２７
で検出する。ここで、微粒子３２をビーム３１の寸法よ
りも十分小さいものとしておくと、第２図（ｂ）に示す
如くビーム形状に応じた反射電子信号を得ることができ
る。
この反射電子信号をＣＲＴに入力し該信号で輝度変調を
かけることによって、ターゲット１８上のビーム像をＣ
ＲＴ上に表示する。このビーム像のうち、第１アパーチ
ャマスク１３によるビーム辺をアパーチャマスク１３を
傾けた（回転させた）時に傾くかく回転するか）どうか
等で確認する。
かけることによって、ターゲット１８上のビーム像をＣ
ＲＴ上に表示する。このビーム像のうち、第１アパーチ
ャマスク１３によるビーム辺をアパーチャマスク１３を
傾けた（回転させた）時に傾くかく回転するか）どうか
等で確認する。
この第１７バーチヤマスク１３のＣＲＴ上の象をＣＲＴ
のカーソルに合わせビームが完全にブランキングされな
いが、多少弱くなる程度の電圧を印加する。この際、ブ
ランキング用偏向器２１゜２２に印加する電圧比を少し
ずつ変動させると、第１アパーチャマスク１３のアパー
チャ像は最初移動していた方向から逆の方向に移動し始
める。
のカーソルに合わせビームが完全にブランキングされな
いが、多少弱くなる程度の電圧を印加する。この際、ブ
ランキング用偏向器２１゜２２に印加する電圧比を少し
ずつ変動させると、第１アパーチャマスク１３のアパー
チャ像は最初移動していた方向から逆の方向に移動し始
める。
その移動方向が逆転する電圧比の時に第１アパーチヤ像
は動かないので、この値に上記電圧比を固定する。
は動かないので、この値に上記電圧比を固定する。
次に、ＣＲＴ上のビーム像のうち、第２アパーチャマス
ク１５の７バーチヤ像を上と同様の方法で確認する。第
２アパーチヤ像をＣＲＴ上のカーソルに合わせ、上と同
様のブランキング電圧を印加する。第２７パーチヤ像は
一般にはある距離移動するが、ここで投影レンズ１４の
励起電流を調整し、この移動量が小ざくなる方向に変化
させる。
ク１５の７バーチヤ像を上と同様の方法で確認する。第
２アパーチヤ像をＣＲＴ上のカーソルに合わせ、上と同
様のブランキング電圧を印加する。第２７パーチヤ像は
一般にはある距離移動するが、ここで投影レンズ１４の
励起電流を調整し、この移動量が小ざくなる方向に変化
させる。
移動日が零になりさらに逆方向に移動するのが観測され
る。この零になる値に投影レンズ１４の励起電流を調整
する。
る。この零になる値に投影レンズ１４の励起電流を調整
する。
かくして調整された電子ビーム光学鏡筒にあっては、ビ
ームのブランキングに際しその過度時にもターゲット１
８上のビーム移動及びビーム寸法変動が生じることはな
い。このため、電子ビーム露光装置に適用した場合、ブ
ランキング過度時における描画精度の低下を招くことな
く、描画精度の向上をはかり得る。また、レンズ調整（
投影レンズ１４の励起電流の調整）を焦点合わせでなく
、位置合わせで行うことが可能になるので、その調整が
容易で且つ自動調整を行うにも有効である。
ームのブランキングに際しその過度時にもターゲット１
８上のビーム移動及びビーム寸法変動が生じることはな
い。このため、電子ビーム露光装置に適用した場合、ブ
ランキング過度時における描画精度の低下を招くことな
く、描画精度の向上をはかり得る。また、レンズ調整（
投影レンズ１４の励起電流の調整）を焦点合わせでなく
、位置合わせで行うことが可能になるので、その調整が
容易で且つ自動調整を行うにも有効である。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。前記ブランキングを高速度で行える場合は、ブ
ランキング過度時にターゲット上でビームが僅かに移動
しても殆ど問題ない場合もある。その場合でもビーム寸
法が過度的に大きくなるとパターン精度は悪くなる。従
って、第１７パーチヤ像の移動量及び方向とが第２アパ
ーチヤ像の移動量及び方向とに一致するよう投影レンズ
を調整してもよい。ざらに、第１図に示す電子ビーム光
学鏡筒に限るものではなく、ブランキング用偏向器、ビ
ーム成形用アパーチャマスク及び該アパーチャマスク間
のレンズ等を備えた各種の電子ビーム光学鏡筒に適用す
ることができる。また、電子ビームの代りにイオンビー
ムを用いるイオンビーム光学鏡筒に適用することも可能
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
はない。前記ブランキングを高速度で行える場合は、ブ
ランキング過度時にターゲット上でビームが僅かに移動
しても殆ど問題ない場合もある。その場合でもビーム寸
法が過度的に大きくなるとパターン精度は悪くなる。従
って、第１７パーチヤ像の移動量及び方向とが第２アパ
ーチヤ像の移動量及び方向とに一致するよう投影レンズ
を調整してもよい。ざらに、第１図に示す電子ビーム光
学鏡筒に限るものではなく、ブランキング用偏向器、ビ
ーム成形用アパーチャマスク及び該アパーチャマスク間
のレンズ等を備えた各種の電子ビーム光学鏡筒に適用す
ることができる。また、電子ビームの代りにイオンビー
ムを用いるイオンビーム光学鏡筒に適用することも可能
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実・施例方法を適用した電子ビーム
光学鏡筒を示す概略構成図、第２図は上記光学鏡筒にお
けるビーム検出方法を説明するための模式図である。 １１．１２・・・コンデンサレンズ、１３．１５・・・
ビーム成形用アパーチャマスク、１４・・・投影レンズ
、１６・・・縮小レンズ、１７・・・対物レンズ、１８
・・・ターゲット、２１．２２・・・ブランキング用偏
向器、２３・・・ブランキング板、２４・・・ビーム成
形用偏向器、２５．２６・・・ビーム走査用偏向器、２
７・・・反射電子検出器、３１・・・ビーム、３２・・
・金の微粒子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
光学鏡筒を示す概略構成図、第２図は上記光学鏡筒にお
けるビーム検出方法を説明するための模式図である。 １１．１２・・・コンデンサレンズ、１３．１５・・・
ビーム成形用アパーチャマスク、１４・・・投影レンズ
、１６・・・縮小レンズ、１７・・・対物レンズ、１８
・・・ターゲット、２１．２２・・・ブランキング用偏
向器、２３・・・ブランキング板、２４・・・ビーム成
形用偏向器、２５．２６・・・ビーム走査用偏向器、２
７・・・反射電子検出器、３１・・・ビーム、３２・・
・金の微粒子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (3)
- （１）荷電ビーム放射源から放射された荷電ビームをブ
ランキングするブランキング用偏向器と、２つのビーム
成形用アパーチャマスク及びこれらのマスク間に配置さ
れ第１アパーチャマスクのアパーチャ像を第２アパーチ
ャマスク上に結像させるレンズと、ビーム成形用偏向器
とを備えた荷電ビーム光学鏡筒において、前記ブランキ
ング用偏向器に電圧を印加した時の第１アパーチャマス
クのアパーチャ像のターゲット上での移動量が第２アパ
ーチャマスクのアパーチャ像のターゲット上での移動量
に等しいか、或いは移動量が略零になるように前記レン
ズの励起電流を調整することを特徴とする荷電ビーム光
学鏡筒のレンズ調整方法。 - （２）前記ブランキング用偏向器は、第１アパーチャマ
スクより荷電ビーム放射源側に少なくとも２個配置され
、ビーム放射源側の偏向器でビームを偏向し第１アパー
チャマスク側の偏向器でビームを振り戻すことにより第
１アパーチャマスクのアパーチャ中心をブランキングの
偏向中心とするものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の荷電ビーム光学鏡筒のレンズ調整方法
。 - （３）前記ターゲット上に反射電子放出率の大なる微粒
子を配置しておき、この微粒子をビームで走査したとき
の反射電子信号に基いてターゲット上でのビームをＣＲ
Ｔに表示し、この表示画像によつて前記レンズの励起電
流を調整することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の荷電ビーム光学鏡筒のレンズ調整方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204828A JPS6182428A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電荷ビ−ム光学鏡筒のレンズ調整方法 |
| US06/778,243 US4684809A (en) | 1984-09-29 | 1985-09-20 | Method of adjusting optical column in energy beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204828A JPS6182428A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電荷ビ−ム光学鏡筒のレンズ調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182428A true JPS6182428A (ja) | 1986-04-26 |
| JPH0414490B2 JPH0414490B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16497054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59204828A Granted JPS6182428A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電荷ビ−ム光学鏡筒のレンズ調整方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4684809A (ja) |
| JP (1) | JPS6182428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014138175A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、試料面へのビーム入射角調整方法、および荷電粒子ビーム描画方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0304525A1 (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-01 | FISONS plc | Pulsed microfocused ion beams |
| JPH02258689A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Canon Inc | 結晶質薄膜の形成方法 |
| US5920073A (en) * | 1997-04-22 | 1999-07-06 | Schlumberger Technologies, Inc. | Optical system |
| US6365897B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-04-02 | Nikon Corporation | Electron beam type inspection device and method of making same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322375A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Jeol Ltd | Beam blanking device |
| JPS5349957A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Fujitsu Ltd | Focusing method for electronic beam exposure device |
| US4560878A (en) * | 1980-05-19 | 1985-12-24 | Hughes Aircraft Company | Electron and ion beam-shaping apparatus |
| JPS5740927A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-06 | Fujitsu Ltd | Exposing method of electron beam |
| JPS5760841A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-13 | Toshiba Corp | Exposure device for electron beam |
| JPS5760842A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-13 | Toshiba Corp | Electron beam exposure device |
| EP0049872B1 (en) * | 1980-10-15 | 1985-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam exposure system |
| US4423305A (en) * | 1981-07-30 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape |
| JPS5979525A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光装置 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59204828A patent/JPS6182428A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-20 US US06/778,243 patent/US4684809A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014138175A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、試料面へのビーム入射角調整方法、および荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0414490B2 (ja) | 1992-03-13 |
| US4684809A (en) | 1987-08-04 |
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