JPS6182449A - プラスチツクモ−ルド型半導体装置 - Google Patents
プラスチツクモ−ルド型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6182449A JPS6182449A JP59205005A JP20500584A JPS6182449A JP S6182449 A JPS6182449 A JP S6182449A JP 59205005 A JP59205005 A JP 59205005A JP 20500584 A JP20500584 A JP 20500584A JP S6182449 A JPS6182449 A JP S6182449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plastic
- glass
- metal ring
- ultraviolet
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はプラスチックモールド型半導体装置に関し、
たとえばＥＰＲＯＭのようにプラスチックパッケージに
紫外線透過ガラスを嵌め込んだようなプラスチックモー
ルド型半導体装置の改良に関する。
たとえばＥＰＲＯＭのようにプラスチックパッケージに
紫外線透過ガラスを嵌め込んだようなプラスチックモー
ルド型半導体装置の改良に関する。
［従来の技術］
ＥＦＲＯＭは、情報を一度記憶すると、電源を遮断して
もその記憶内容が消えることがなく、紫外線を照射する
と記憶内容が簡単に消えるメモリであり、紫外線を透過
する窓ガラスを備えている。
もその記憶内容が消えることがなく、紫外線を照射する
と記憶内容が簡単に消えるメモリであり、紫外線を透過
する窓ガラスを備えている。
窓ガラスの材料としては、石英ガラスやサファイヤガラ
スが使用されている。ところが、この窓ガラス材料とパ
ッケージ材料の温度変化に対する接合が困難であり、従
来はセラミックによるパッケージが行なわれていた。
スが使用されている。ところが、この窓ガラス材料とパ
ッケージ材料の温度変化に対する接合が困難であり、従
来はセラミックによるパッケージが行なわれていた。
第４図は従来のセラミックパッケージで形成された半導
体ｉａｉの断面図である。まず、第４図を参照して、従
来のセラミックパッケージの半導体ＶＲ＠の構成につい
て説明する。セラミックベース１には、低鵬点ガラス２
により銀めっき板３が接着され、ざらにその上にチップ
４がはんだ付けされている。チップ４は金１１５によっ
てリードフレーム６にワイヤポンディングされる。そし
て、セラミック蓋７が低融点ガラス２により封着されて
いる。チップ４の上部には、セラミック蓋７に紫外線透
過用の窓ガラス８が取付けられている。
体ｉａｉの断面図である。まず、第４図を参照して、従
来のセラミックパッケージの半導体ＶＲ＠の構成につい
て説明する。セラミックベース１には、低鵬点ガラス２
により銀めっき板３が接着され、ざらにその上にチップ
４がはんだ付けされている。チップ４は金１１５によっ
てリードフレーム６にワイヤポンディングされる。そし
て、セラミック蓋７が低融点ガラス２により封着されて
いる。チップ４の上部には、セラミック蓋７に紫外線透
過用の窓ガラス８が取付けられている。
従来のセラミックパッケージ型ＥＰＲＯ￥は上述のごと
く構成されているが、一般にセラミック樹脂は価格が高
く、生産性が悪いという欠点があった。そこで、最近で
は、相対的に価格の安いプラスチックパッケージ型にす
ることが考えられている。
く構成されているが、一般にセラミック樹脂は価格が高
く、生産性が悪いという欠点があった。そこで、最近で
は、相対的に価格の安いプラスチックパッケージ型にす
ることが考えられている。
第５図および第６図はプラスチックパッケージ型ＥＦＲ
ＯＭの製造方法を説明するための図である。次に、第５
図および第６図を参照して、プラスチックパッケージ型
ＥＦＲＯＭの製造方法について説明する。まず、第５図
に示すように、下型９に紫外線透過ガラス８と、逆にし
たリードフレーム６をセットし、ニッケル箔１ｏとサン
ドイッチしたプリプレグ樹脂１１を高温において溶胆す
る。下型９にはマグネット１４が組み込まれていて、こ
のマグネット１４によりニッケル箔１０が吸引される。
ＯＭの製造方法を説明するための図である。次に、第５
図および第６図を参照して、プラスチックパッケージ型
ＥＦＲＯＭの製造方法について説明する。まず、第５図
に示すように、下型９に紫外線透過ガラス８と、逆にし
たリードフレーム６をセットし、ニッケル箔１ｏとサン
ドイッチしたプリプレグ樹脂１１を高温において溶胆す
る。下型９にはマグネット１４が組み込まれていて、こ
のマグネット１４によりニッケル箔１０が吸引される。
そのために、溶融した樹脂１１はリードフレーム６の間
隙１３から流れ込んで凝固し、空洞１５が作成される。
隙１３から流れ込んで凝固し、空洞１５が作成される。
次に、上型１６により、リードフレーム６を締め込んで
、トランスファ成型によりプラスチック１７をパッケー
ジする。このようにして成型したＥＰＲＯＭ、よ第６図
、示すよう１、チップ部が空洞になる。
、トランスファ成型によりプラスチック１７をパッケー
ジする。このようにして成型したＥＰＲＯＭ、よ第６図
、示すよう１、チップ部が空洞になる。
［発明が解決しようとする問題点］
上述の製造方法で製造されたプラスチックパッケージ型
ＥＰＲＯＭは、樹脂１１と紫外Ｉ透過ガラス８との熱膨
張計数が異なるため、ヒートショック試論により、紫外
線透過ガラス８に割れ１２を生じたり、紫外線透過ガラ
ス８とモールドしたプラスチック１７との界面１８にす
き間が生じるという問題点があった。
ＥＰＲＯＭは、樹脂１１と紫外Ｉ透過ガラス８との熱膨
張計数が異なるため、ヒートショック試論により、紫外
線透過ガラス８に割れ１２を生じたり、紫外線透過ガラ
ス８とモールドしたプラスチック１７との界面１８にす
き間が生じるという問題点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述の問題点を
除去するためになされたものであり、プラスチックと窓
ガラスとの接合部にすき間を生じたり窓ガラス材料が割
れたりすることのないようなプラスチックモールド型半
導体装置を提供することである。
除去するためになされたものであり、プラスチックと窓
ガラスとの接合部にすき間を生じたり窓ガラス材料が割
れたりすることのないようなプラスチックモールド型半
導体装置を提供することである。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、トランスファ成型により半導体素子をプラ
スチックモールドする際に、紫外線透過ガラスの周囲に
粗面化した金属リングを固着したものである。
スチックモールドする際に、紫外線透過ガラスの周囲に
粗面化した金属リングを固着したものである。
［作用］
この発明では、紫外線透過用窓ガラス材の周囲に金属リ
ングを嵌め゛込み、化学的処理または機械的処理を施す
ことにより、プラスチックと窓ガラス材料との熱膨張係
数のａ１］を図ることができ、ざらにプラスチックと金
属リングとの接着強度を向上することができる。
ングを嵌め゛込み、化学的処理または機械的処理を施す
ことにより、プラスチックと窓ガラス材料との熱膨張係
数のａ１］を図ることができ、ざらにプラスチックと金
属リングとの接着強度を向上することができる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例の断面図であり、第２因は
紫外線透過ガラスの周囲に金属リングを嵌め込んだ状態
を示す図であり、第３図は紫外線透過ガラスとそれに嵌
め込まれた金属リングの要部拡大図である。
紫外線透過ガラスの周囲に金属リングを嵌め込んだ状態
を示す図であり、第３図は紫外線透過ガラスとそれに嵌
め込まれた金属リングの要部拡大図である。
第１図において、この発明の一実施例では、紫外線透過
ガラス８の周囲に金属リング１９を嵌め込む。すなわち
、−例として嵌め合い公差に縛り嵌めを用いた場合、ま
ず紫外線透過ガラス８の外９としてアルミニウムを用い
、その内径を８．００に加工する。この状態では、紫外
線透過ガラス８はアルミリング１９に入らないため、ア
ルミリング１９を４００℃に加熱する。すると、アルミ
リ線透過ガラス８を嵌め込む。そして、紫外線透過ガラ
ス８とアルミリング１９は常温に戻るときの線膨張差に
よって気密シールされる。
ガラス８の周囲に金属リング１９を嵌め込む。すなわち
、−例として嵌め合い公差に縛り嵌めを用いた場合、ま
ず紫外線透過ガラス８の外９としてアルミニウムを用い
、その内径を８．００に加工する。この状態では、紫外
線透過ガラス８はアルミリング１９に入らないため、ア
ルミリング１９を４００℃に加熱する。すると、アルミ
リ線透過ガラス８を嵌め込む。そして、紫外線透過ガラ
ス８とアルミリング１９は常温に戻るときの線膨張差に
よって気密シールされる。
次に、嵌め込みを行なったアルミリング１９に化学的処
理または機械的処理を施し、第５図に示すようにその表
面を粗面化する。このように紫外線透過ガラス８の周囲
に金属リング１９を嵌め込んだものを用いて、前述の第
５図および第６図を説明した製造方法により、半導体素
子をプラスチックモールドする。それによって、第１図
に示すように、プラスチックモールドされた半導体装置
を構成できる。
理または機械的処理を施し、第５図に示すようにその表
面を粗面化する。このように紫外線透過ガラス８の周囲
に金属リング１９を嵌め込んだものを用いて、前述の第
５図および第６図を説明した製造方法により、半導体素
子をプラスチックモールドする。それによって、第１図
に示すように、プラスチックモールドされた半導体装置
を構成できる。
なお、上述の化学的処理または機械的処理された金属リ
ング１９はプラスチック１７と強い接着力を有する。
ング１９はプラスチック１７と強い接着力を有する。
また、この発明の一実施例における紫外Ｉ！透過ガラス
８としては、石英ガラス、サファイヤガラス、８珪酸ガ
ラスなどが用いられるが、中でも熱膨張係数の大きな硼
珪酸ガラスを用いるのが最も好ましい。また、金属リン
グ１９としては、銅。
８としては、石英ガラス、サファイヤガラス、８珪酸ガ
ラスなどが用いられるが、中でも熱膨張係数の大きな硼
珪酸ガラスを用いるのが最も好ましい。また、金属リン
グ１９としては、銅。
アルミニウム、クロムなどの金属が掲げられるが、中で
もアルミニウムはプラスチック１２との接着強度が大き
いので好ましい。また、金属リング１９の化学的処理と
しては、ケミカルエツチングなどの薬品処理を用い、機
械的処理としてはショツトブラストなどを用いるのがよ
い。
もアルミニウムはプラスチック１２との接着強度が大き
いので好ましい。また、金属リング１９の化学的処理と
しては、ケミカルエツチングなどの薬品処理を用い、機
械的処理としてはショツトブラストなどを用いるのがよ
い。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、紫外線透過ガラスの
周囲に金属リングを固着してトランスファ成型により半
導体素子をプラスチックモールドするようにしたので、
紫外Ｓ透過ガラスとプラスチックパッケージとの熱膨張
係数の総和を図ることができ、さらに化学的処理または
機械的処理によりプラスチックとの強い接着力が得られ
る。したがって、ヒートショック試験またはプレッシャ
ークツカー試験に対して耐えられる安価なプラスチック
モールド型半導体装置を得ることができる。
周囲に金属リングを固着してトランスファ成型により半
導体素子をプラスチックモールドするようにしたので、
紫外Ｓ透過ガラスとプラスチックパッケージとの熱膨張
係数の総和を図ることができ、さらに化学的処理または
機械的処理によりプラスチックとの強い接着力が得られ
る。したがって、ヒートショック試験またはプレッシャ
ークツカー試験に対して耐えられる安価なプラスチック
モールド型半導体装置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の縦断面図である。
第２図は紫外線透過ガラスに金属リングを嵌め込んだ状
態を示す図である。第３図は紫外線透過ガラスとそれに
嵌め込まれた金属リングの要部拡大図である。第４図は
この発明の背景となるＥＰＲＯＭの断面図である。第５
図および第６図は従来のＥＰＲＯＭの製造方法を示す図
である。 図において、１はセラミックベース、４はチップ、５は
金線ワイヤ、６はリードフレーム、８は紫外線透過用窓
ガラス、１０はニッケル箔、１１はプリプレグ［１，１
５は空洞、１７はプラスチック、１９は金属リングを示
す。 代 理 人 大 岩 増 雄冥１
図 冥２図 第３図 第４図 第６図 手続補正書（自発） ８６８１６０年１ ．４７ 日 １、事件の表示 特願昭５９−２０５００５号２、
発明の名称 プラスチックモー〃ド聾半導体装置 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第５頁第１０行、第７頁第２０行の「総
和」を「緩和」に訂正する。 （２） 明細書第６頁第１３行の「第５図」を「第３図
」に訂正する。 以上
態を示す図である。第３図は紫外線透過ガラスとそれに
嵌め込まれた金属リングの要部拡大図である。第４図は
この発明の背景となるＥＰＲＯＭの断面図である。第５
図および第６図は従来のＥＰＲＯＭの製造方法を示す図
である。 図において、１はセラミックベース、４はチップ、５は
金線ワイヤ、６はリードフレーム、８は紫外線透過用窓
ガラス、１０はニッケル箔、１１はプリプレグ［１，１
５は空洞、１７はプラスチック、１９は金属リングを示
す。 代 理 人 大 岩 増 雄冥１
図 冥２図 第３図 第４図 第６図 手続補正書（自発） ８６８１６０年１ ．４７ 日 １、事件の表示 特願昭５９−２０５００５号２、
発明の名称 プラスチックモー〃ド聾半導体装置 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第５頁第１０行、第７頁第２０行の「総
和」を「緩和」に訂正する。 （２） 明細書第６頁第１３行の「第５図」を「第３図
」に訂正する。 以上
Claims (2)
- （１）プラスチックパッケージに紫外線透過ガラスを嵌
め込んだプラスチックモールド型半導体装置において、 トランスファ成型により半導体素子をプラスチックモー
ルドする際に、前記紫外線透過ガラスの周囲に粗面化し
た金属リングを固着したことを特徴とする、プラスチッ
クモールド型半導体装置。 - （２）前記金属リングはアルミニウムである、特許請求
の範囲第１項記載のプラスチックモールド型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205005A JPS6182449A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | プラスチツクモ−ルド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205005A JPS6182449A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | プラスチツクモ−ルド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182449A true JPS6182449A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16499872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205005A Pending JPS6182449A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | プラスチツクモ−ルド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182449A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150127046A (ko) * | 2013-01-18 | 2015-11-16 | 예일 유니버시티 | 적어도 하나의 인클로저를 구비한 초전도 디바이스를 제조하는 방법 |
| KR20150127045A (ko) * | 2013-01-18 | 2015-11-16 | 예일 유니버시티 | 적어도 하나의 인클로저를 구비하는 초전도 디바이스 |
| US10468740B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-11-05 | Yale University | Techniques for coupling planar qubits to non-planar resonators and related systems and methods |
| US11223355B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-01-11 | Yale University | Inductively-shunted transmon qubit for superconducting circuits |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59205005A patent/JPS6182449A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150127046A (ko) * | 2013-01-18 | 2015-11-16 | 예일 유니버시티 | 적어도 하나의 인클로저를 구비한 초전도 디바이스를 제조하는 방법 |
| KR20150127045A (ko) * | 2013-01-18 | 2015-11-16 | 예일 유니버시티 | 적어도 하나의 인클로저를 구비하는 초전도 디바이스 |
| JP2016511534A (ja) * | 2013-01-18 | 2016-04-14 | イェール ユニバーシティーＹａｌｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 少なくとも１つの囲いを有する超伝導デバイスを製造するための方法 |
| US10424711B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-09-24 | Yale University | Superconducting device with at least one enclosure |
| US10424712B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-09-24 | Yale University | Methods for making a superconducting device with at least one enclosure |
| US10468740B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-11-05 | Yale University | Techniques for coupling planar qubits to non-planar resonators and related systems and methods |
| US11223355B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-01-11 | Yale University | Inductively-shunted transmon qubit for superconducting circuits |
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