JPS6184809A - Ceramic capacitor - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はセラミックコンデンサ、特に高温時にあける
絶縁抵抗の劣化を防止した高信頼性のセラミックコンデ
ンサに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a ceramic capacitor, and particularly to a highly reliable ceramic capacitor that prevents deterioration of insulation resistance due to openings at high temperatures.
（従来の技術）
近年、電子部品の小型化、軽量化に伴ない、セラミック
コンデンサについても小型化、軽量化の追求が行われて
いる。特に、セラミックコンデンサについては、小型化
が進められるのと並行して大容量化の検対が行われてお
り、その手段として薄膜化が試みられている。(Prior Art) In recent years, as electronic components have become smaller and lighter, ceramic capacitors have also been pursued to be smaller and lighter. In particular, as ceramic capacitors are being made smaller, tests are being conducted to increase their capacity, and attempts are being made to make them thinner as a means of achieving this.
ヒラミックコンデンサの薄膜化の手段としては、次のよ
うな改良手段が考えられる。The following improvements can be considered as means for thinning the film of a Hiramic capacitor.
■スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法、気相蒸着法などの真空薄膜形成手段により薄膜状
の誘電体セラミック層を形成する方法。■A method of forming a thin dielectric ceramic layer using vacuum thin film forming methods such as sputtering, vacuum evaporation, ion blating, and vapor phase evaporation.
■誘電体セラミック材料の微結晶化を図って誘電体セラ
ミック層の膜厚をできるだけ薄膜状とする方法。■A method of making the dielectric ceramic layer as thin as possible by microcrystallizing the dielectric ceramic material.
■薄膜状の半導体セラミック層の結晶粒界に絶縁層を形
成して粒界絶縁型の誘電体セラミック層を得る方法。■A method to obtain a grain boundary insulated dielectric ceramic layer by forming an insulating layer at the grain boundaries of a thin semiconductor ceramic layer.
■上記■〜■の方法において、？！２数の誘電体セラミ
ック層の間に内部電極を形成し、積層型のセラミックコ
ンデンサを構成して、ざらに大容量化を図る方法などが
ある。■In the methods of ■～■ above, ? ! There is a method of forming internal electrodes between two dielectric ceramic layers to form a laminated ceramic capacitor to roughly increase the capacitance.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の方法により誘電体セラミック層を
薄膜化した上で、容量取出のための電極セラミックコン
デンサを構成した場合、種々のトラブルの発生が見られ
る。特に顕著に現われるのは高温使用時での絶縁抵抗の
劣化である。(Problems to be Solved by the Invention) However, when an electrode ceramic capacitor for taking out the capacitance is constructed by thinning the dielectric ceramic layer by the above method, various troubles occur. What is particularly noticeable is the deterioration of insulation resistance when used at high temperatures.
このトラブルの最も大きな原因となっているのは、誘電
体セラミックが金属酸化１カからなること一方電極が金
属からなることによるものである。The biggest cause of this trouble is that the dielectric ceramic is made of metal oxide and the electrodes are made of metal.
すなわち、このような組み合わせによると、誘電体セラ
ミックを構成する金属酸化物と電極を構成する金属とが
接触する界面において、酸素の授受が不可避的な現象と
して起こることが考えられる。That is, according to such a combination, it is considered that the exchange of oxygen inevitably occurs at the interface where the metal oxide constituting the dielectric ceramic and the metal constituting the electrode are in contact with each other.
この酸素の授受は常温においては認められにくいが、（
晶度が高くなるにつれて酸素の授受が行われるようにな
る。This exchange of oxygen is difficult to recognize at room temperature, but (
As the crystallinity increases, oxygen is exchanged more and more.
たとえば、誘電体セラミックがＴｉＯ２、電極がＣ＋１
からなるセラミックコンデンサを例にして説明すると、
品温状態、たとえば１５０°Ｃにおいて、ＴｌＯ２およ
びＣＩＪは次のように変化する。For example, the dielectric ceramic is TiO2 and the electrode is C+1.
Taking a ceramic capacitor consisting of as an example,
At a product temperature, for example, 150°C, TlO2 and CIJ change as follows.
ＴｌＯ２」山＝ｐ Ｔ ｉ ０２−ｘ
Ｃｌｌ 」長色−〇ｕＯＸ
（０＜Ｘ ＜ ２）
このように誘電体セラミックと電極との間で酸素の授受
が起ると、誘電体セラミックの誘電率（ε）が変化する
のはもちろんのこと、絶縁抵抗（ＩＲ）が大きく変化し
、その値は概ね２桁以上低下する。TlO2' mountain = p T i 02-x Cll' long color - 〇uOX (0<X<2) When oxygen exchange occurs between the dielectric ceramic and the electrode in this way, the dielectric constant of the dielectric ceramic Not only (ε) changes, but also insulation resistance (IR) changes greatly, and its value generally decreases by two orders of magnitude or more.
このような減少は誘電体セラミック層を薄膜化したとぎ
に特に顕著に現われ、上記したセラミックコンデンサの
薄膜化のための改良手段■〜■によって１牙られたセラ
ミックコンデンサに当て嵌る事柄である。Such a reduction becomes particularly noticeable when the dielectric ceramic layer is made thinner, and applies to ceramic capacitors that have been improved by the above-mentioned improvement measures (1) to (3) for making the ceramic capacitor thinner.
（発明の目的）
したがって、この発明は高ン品使用時において誘電体セ
ラミックを還元させない＠造とすることにより、誘゛心
率の変化や絶縁抵抗の劣化が生じない高信頼性のセラミ
ックコンデンサを１旧供することを目的とする。(Objective of the Invention) Therefore, the present invention provides a highly reliable ceramic capacitor that does not cause changes in dielectric constant or deterioration of insulation resistance by using a @ structure that does not reduce the dielectric ceramic when using a high-voltage product. The purpose is to serve old people.
（発明の構成）
すなわち、この発明は誘電体セラミックと、該誘電体セ
ラミックの表面に形成された外部接続用電極との間に酸
化錫層を介在せしめｌζことを特徴とするセラミックコ
ンデンサでおる。(Structure of the Invention) That is, the present invention is a ceramic capacitor characterized in that a tin oxide layer is interposed between a dielectric ceramic and an external connection electrode formed on the surface of the dielectric ceramic.
ここで、誘電体セラミックとしては、たとえばチクン酸
バリウム系、チタン酸ストロンチウム系などの高誘電率
系のもの、またたとえば酸化チタン系、チタン酸マグネ
シウム系、酸化マグネシウム−酸化チタン系、酸化硅素
系、などの温度補償系のもの、あるいは半導体セラミッ
クの結晶粒界を絶代体化した粒界絶縁型の誘電体セラミ
ックなどが含まれる。Here, examples of dielectric ceramics include high dielectric constant ceramics such as barium ticunate and strontium titanate, titanium oxide, magnesium titanate, magnesium oxide-titanium oxide, silicon oxide, etc. These include temperature-compensated ceramics such as those of a temperature-compensated type, and grain-boundary insulated dielectric ceramics that have made the crystal grain boundaries of semiconductor ceramics into an ideal material.
また、Ａ ？５体セラミックのｊ′７みが５０μ０１以
下のものについて、酸化錫層を誘電体セラミックと外部
接続用型（伽の間に介在させた場合にその効果が強く現
われる。つまり、誘電体セラミックの厚みがＳｏ（１ｍ
を越えると、高温使用時において電極による誘電体セラ
ミックの還元が生じているとしても、誘電体セラミック
が十分な厚みを有するため、誘電率の変化や絶縁抵抗の
劣化が顕著には現れない。Also, A? For five-body ceramics with a j'7 value of 50μ01 or less, the effect is most pronounced when the tin oxide layer is interposed between the dielectric ceramic and the external connection mold. is So(1m
If the dielectric ceramic is reduced by the electrode during high-temperature use, the dielectric ceramic has a sufficient thickness, so changes in dielectric constant and deterioration in insulation resistance do not occur noticeably.
したがって、この発明における誘電体セラミックとして
は厚みが５０μｍ以下のものについて特に有す」である
。しかしながら、５０μｍを越える厚みの誘電体セラミ
ックについてこの発明を適用しても何ら不都合はなく、
誘電体セラミックと外部接続用型ｔａとの間に酸化錫層
を介在させることは任なである。Therefore, the dielectric ceramic according to the present invention has a thickness of 50 μm or less. However, there is no problem in applying this invention to dielectric ceramics with a thickness exceeding 50 μm.
It is optional to interpose a tin oxide layer between the dielectric ceramic and the external connection mold ta.
酸化３Ｂ ’３の形成手段としては、たとえばスパッタ
リング法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、気相
蒸着法 などの薄膜形成手段が用いられる
。このうちスパッタリング法て酸化錫層を形成する場合
、たとえば金属錫をターゲットとして用い、スパッタリ
ング中の雰囲気をアルゴンと酸素の混合気体とすること
により実施することができる。また真空蒸着法で酸化錫
層を形成する場合、たとえば金属錫または金属錫粉末を
加熱するとともに、酸素含有雰囲気中で蒸発させること
によって酸化錫層を形成することができる。As a means for forming the oxide 3B'3, a thin film forming means such as a sputtering method, an ion blating method, a vacuum evaporation method, a vapor phase evaporation method, etc. is used. When forming the tin oxide layer by sputtering, for example, metal tin can be used as a target and the atmosphere during sputtering can be a mixed gas of argon and oxygen. Further, when forming a tin oxide layer by a vacuum evaporation method, the tin oxide layer can be formed, for example, by heating metal tin or metal tin powder and evaporating it in an oxygen-containing atmosphere.
さらに気相ｆｆ１ｆｌ法の場合には、錫層を形成したの
ら、熱酸化により酸化錫層を形成することができる。Furthermore, in the case of the gas phase ff1fl method, after forming the tin layer, a tin oxide layer can be formed by thermal oxidation.
この酸化錫層の膜厚としては２μｍ以下の範囲で形成す
ることが好ましい。これは２μｍを越えるとＥ、Ｓ、Ｒ
が高くなるからである。The thickness of this tin oxide layer is preferably 2 μm or less. This is E, S, R when it exceeds 2 μm.
This is because it becomes high.
外部接続用重複としては、特に金属の種類を限定するも
のではなく、一般に用いられる金属、たとえば、Ａｆｌ
、’Ａｌｌ 、Ｃｒ 、 Ｚｒ 、Ｖ、Ｎｉ 、 Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ−８ｎ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ
、 Ｐｄ 、 Ａｇなどの一種あるいは２種以上の組み
合わせがあり、またこの外部接続用型（へは多層Ｒ’？
ｉ２ｉとしてもよく、その例としてはｃｒ−ｃｕ 、
ｃＩ・−Ｎｉ−△９などがある。There are no particular restrictions on the type of metal used for the external connection overlap, and commonly used metals such as Afl
, 'All, Cr, Zr, V, Ni, Z
n, Cu, Sn, Pb-8n, Mn, Mo, W, Ti
, Pd, Ag, etc., or a combination of two or more types, and this type for external connection (multilayer R'?
It may also be i2i, examples of which are cr-cu,
Examples include cI・-Ni-Δ9.
またこの発明にかかるセラミックコンデンサの構造例と
しては、単一層の誘電体セラミックからなるセラミック
コンデンサ、積層型のセラミックコンデンサなどがある
。また上記した各種のセラミックコンデンサを粒界絶縁
型とした場合にもこの発明が適用される。Examples of the structure of the ceramic capacitor according to the present invention include a ceramic capacitor made of a single layer of dielectric ceramic, and a multilayer ceramic capacitor. The present invention is also applicable to the case where the various ceramic capacitors described above are of the grain boundary insulation type.
（実施例）
以下、この発明を実施例にし１〔がって詳細に説明する
。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Example 1.
実施例１゜
セラミック誘電体原料わ）末として次に示す組成のもの
を準蒲した。Example 1 (Ceramic dielectric raw material) A powder having the following composition was prepared.
Ｎｄ２Ｔｉ２０７ ：６３モル％、ＢａＴｉＯｓ：１４
モル％、ＴｉＯ２：２３モル％
この原料粉末をバインダであるポリビニルアルコール、
界面活性剤、分散剤、水とともに混合してスラリーを作
成した。次いでこのスラリーを用いてトククーブレード
法により厚み３５μｍのせラミンフグリーンシートを作
成した。Nd2Ti207: 63 mol%, BaTiOs: 14
mol%, TiO2: 23 mol% This raw material powder was mixed with polyvinyl alcohol as a binder,
A slurry was prepared by mixing with a surfactant, a dispersant, and water. Next, using this slurry, a laminated green sheet having a thickness of 35 μm was prepared by the Tokuku blade method.
このセラミックグリーンシートを長さ７．０＋ｎｍ、幅
５、Ｏｍ ｍの大きさに切断し、このシート上にΔｇ７
０ｗｔ％、ｐ ｄ３０ｗｔ％のＡｇ−Ｐｄペーストを印
刷した。このように内部電極を形成したセラミックグリ
ーンシートを１１枚積み重ね、その積層体の端面に内部
電極が露出するようにした。この積層体を空気中１２５
０℃で焼成して焼結ユニットを冑た。得られた積層体の
各誘電体層の厚みは２０μｍであった。Cut this ceramic green sheet into a size of 7.0+nm in length and 50m in width, and place Δg7 on this sheet.
An Ag-Pd paste of 0wt% and pd30wt% was printed. Eleven ceramic green sheets with internal electrodes formed in this manner were stacked so that the internal electrodes were exposed at the end faces of the laminate. This laminate was placed in the air for 125 minutes.
The sintering unit was removed by firing at 0°C. The thickness of each dielectric layer of the obtained laminate was 20 μm.
次に、この積層焼結ユニットの内部電極が露出する端面
にスパッタリング法によりまず酸化錫層を形成した。Next, a tin oxide layer was first formed by sputtering on the end face of this laminated sintered unit where the internal electrodes were exposed.
この酸化錫層の形成は次の条件により行った。This tin oxide layer was formed under the following conditions.
スパッタ雰囲気：１０％の酸素を含有するアルゴン
圧力 ： ２ｘ １０”−３Ｔｏｒｒター
ゲット ：直径５インチ、厚み５ｍｍの錫板
電圧 ： ５００ＶＤ、 Ｃ。Sputtering atmosphere: Argon containing 10% oxygen Pressure: 2x 10"-3 Torr Target: 5 inch diameter, 5 mm thick tin plate Voltage: 500 VD, C.
電流 ： ２．ＯＡ
スパッタ時間 ： ５分
酸化錫層の膜厚： ３５００Ａ
続いて、酸化錫層の上に第１層の外部接続用電極どして
、まず半田耐熱層としてのＮ１層をスパッタリング法に
より形成した。Current: 2. OA sputtering time: 5 minutes Thickness of tin oxide layer: 3500A Subsequently, an N1 layer as a solder heat-resistant layer was first formed by sputtering on the tin oxide layer as a first layer external connection electrode.
このＮｉ層の形成は次のような条件により行った。This Ni layer was formed under the following conditions.
スパッタ雰囲気：アルゴン
圧力 ： ２ｘ１０ ”’３ Ｔｏｒｒタ
ーゲット ；直径５インチ、厚み２μｍ１箱のニッケ
ル板
電圧 ： ４８０ＶＤ、 Ｃ。Sputtering atmosphere: Argon Pressure: 2x10'''3 Torr target; 5 inch diameter, 2 μm thick 1 box nickel plate Voltage: 480VD, C.
電流 ： ２．ＯＡ
時間 ：１５分
膜厚 ： ５０００Ａ
さらに、Ｎｉ層の上に第２層の外部接続用電極としてＡ
Ｑ層をスパッタリング法により形成した。Current: 2. OA time: 15 minutes Film thickness: 5000A Furthermore, A was added as a second layer external connection electrode on the Ni layer.
The Q layer was formed by sputtering.
このＡＣ３層は半田付は可能’３ ＦＡどしての１９割
を果たすものである。This AC3 layer can be soldered, but it fulfills 190% of the soldering potential of '3FA.
Ａ（ｌｆｆｌの形成は次のような条件により行った。A(lffl was formed under the following conditions.
スパッタ雰囲気：アルゴン
圧力 ： ２ｘｌＯ−３１−ｏｒｒターゲ
ット ：直径５インチ、厚み５ｍｍのへ〇板
電圧 ： ５４０Ｖ（）、Ｃ。Sputtering atmosphere: Argon Pressure: 2xlO-31-orr Target: 5 inch diameter, 5 mm thick plate Voltage: 540V (), C.
電流 ： ２．ＯＡ
時間 二 ６分
膜厚 ： １μｍ
上記した工程を経て得られた積層コンデンサにつき次の
条件で高温加速負荷寿命試験を行った。Current: 2. OA time: 26 minutes Film thickness: 1 μm A high temperature accelerated load life test was conducted on the multilayer capacitor obtained through the above steps under the following conditions.
つまり、このコンデンサを１５０°Ｃの温度雰囲気に設
置し、定格電圧（５０Ｖ）の６倍の電圧である３ルＤ
ＯＯＶを印比し、１００時間後の絶縁抵抗（Ｉ Ｒ）を
測定したところ１０１１ Ωであった。ちなみに、こ
の積層コンデンサの絶縁抵抗（ＴＲ）の初期１直は１０
１１ Ωであった。また、温度４５℃相対温度９５％
の雰囲気に設置し、定格電圧５０Ｖを印加し、５００時
間後の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定したところ１０１１Ωで
あり、初期値のそれにくらべて変化が見られなかった。In other words, when this capacitor was installed in a temperature atmosphere of 150°C, a voltage of 3D OOV, which is 6 times the rated voltage (50V), was applied, and the insulation resistance (I R) was measured after 100 hours. It was 1011 Ω. By the way, the initial insulation resistance (TR) of this multilayer capacitor is 10
It was 11 Ω. Also, the temperature is 45℃ relative temperature 95%
The insulation resistance (IR) was measured after 500 hours by installing it in an atmosphere of
比較例 １
実施例１で得られた積層焼結ユニットに酸化錫層を形成
せずに、実施例１と同じ条件で第１層の外部接続用電極
であるＮ１図および第２層の外部ＩＳ続用電愼である１
１層を形成し、積層コンデンサを作成した。Comparative Example 1 Without forming a tin oxide layer on the laminated sintered unit obtained in Example 1, the N1 diagram, which is the external connection electrode of the first layer, and the external IS of the second layer were prepared under the same conditions as in Example 1. 1 which is continuous use
One layer was formed to create a multilayer capacitor.
この積層コンデンサについて実施例１と同様に試験を行
ったところ、絶縁抵抗（［Ｒ）は１０時間後に１０９Ω
に低下し、２５時間後には１０６Ωにまで劣化した。When this multilayer capacitor was tested in the same manner as in Example 1, the insulation resistance ([R) was 109Ω after 10 hours.
25 hours later, it deteriorated to 106Ω.
実施例２
３ｒ −ｒｉ ｏ３ ： ９９，３ｒル％、Ｙ２０３
： ０．３モル％、Ｓｉ Ｑ２ ： ０．２モ
ル％、八り２０３：０゜２モル％の組成となるように、
各成分を秤吊し、この秤量原料に有義バイングを１０重
塁％加え、ボールミルにて１６時間回転し、十分に置台
、ｆ５）砕を行った。これを造粒後、１００ＯＫ（１／
ｃｍ２の圧力で成形して円板状の成形体を１−Ｉだ。こ
の成形体を１３５０℃、２峙間の条件で焼成した。得ら
れた磁器の表面にＰｌ）、Ｂｉなどの金属Ｉ’ｌｔｉ化
物を塗布し、１０００〜１２００℃の温度で゛熱処理を
行い、Ｅｅｌ Ｚｉの結晶粒界を絶縁体化し、粒界絶縁
型半導体磁器素体を作成した。Example 2 3r-rio3: 99.3r%, Y203
: 0.3 mol%, SiQ2: 0.2 mol%, and 203:0°2 mol%.
Each component was weighed and hung, 10 weight percent of significant weight was added to the weighed raw material, and the mixture was rotated in a ball mill for 16 hours to thoroughly crush the material on a stand. After granulating this, 100 OK (1/
1-I is molded at a pressure of cm2 to form a disc-shaped molded product. This molded body was fired at 1350° C. under two conditions. A metal I'lti compound such as Pl) or Bi is applied to the surface of the obtained porcelain, and heat treatment is performed at a temperature of 1000 to 1200°C to convert the grain boundaries of Eel Zi into an insulator, forming a grain boundary insulated semiconductor. A porcelain body was created.
この半導体磁器素諺を用い、実施例１と同様の方法によ
りその表面に酸化錫層、第１層の外部接続用電極および
第２囮の外部接続用電極を形成し、粒界絶縁型半導体６
１器コンデンサを作成した。Using this semiconductor ceramic material, a tin oxide layer, a first layer external connection electrode, and a second decoy external connection electrode were formed on its surface by the same method as in Example 1, and a grain boundary insulated semiconductor 6
I made a single capacitor.
このコンデンサについて、実ｆｉｌりＪ１に記載の高温
加速負荷寿命試験を行った。その結果、初期値の絶縁抵
抗（ＩＲ）が１０１０Ωであったのに対し、１００時間
後のそれは１０１０Ωであり、はとんど絶縁抵抗＜ｌＲ
）の劣化がないことが１１ｆ認できた。This capacitor was subjected to a high temperature accelerated load life test as described in J1. As a result, while the initial value of insulation resistance (IR) was 1010Ω, it was 1010Ω after 100 hours, and insulation resistance <lR
) It was confirmed on 11f that there was no deterioration.
比較例２゜
実施例２で１巳１られた粒界絶縁型半導体磁器素体を用
い、この磁器素体の表面に酸化錫ν）を形成せずに、実
施例１と同じ条件で第１ＶＪの外部接続用電極であるＮ
ｉ層および第２層の外部接続用電極で必るＡｇ層を形成
し、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを作成した。Comparative Example 2 Using the grain-boundary insulated semiconductor porcelain body prepared in Example 2, the first VJ was produced under the same conditions as in Example 1 without forming tin oxide ν) on the surface of the porcelain body. N is the external connection electrode for
A grain boundary insulated semiconductor ceramic capacitor was fabricated by forming an Ag layer necessary for the i-layer and the second layer of external connection electrodes.
このコンデンサについて実施例 １と同様に試験を１１
つだところ、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０時間後に１０′ｒ
Ωに低下し、２５時間後には１０！５ Ｑにまで劣化し
ｊこ 。Test 11 was carried out on this capacitor in the same manner as in Example 1.
However, the insulation resistance (IR) is 10'r after 10 hours.
Ω, and after 25 hours it had deteriorated to 10!5 Q.
実施例３゜
アルミナ阜板上に、下部電極としてＡＣＩ層、Ｎ１層を
実施例１と同様の方法により順次形成し、さらに酸化錫
層をこれも実施例１と同様の方法により形成した。Example 3 An ACI layer and an N1 layer were formed as a lower electrode on an alumina plate in the same manner as in Example 1, and a tin oxide layer was also formed in the same manner as in Example 1.
次いで、酸化錫層の上に誘電体セラミックである３ｉ０
２膜を８周波スパッタリング法により５０００Ａの厚み
に形成した。Next, 3i0, which is a dielectric ceramic, is deposited on the tin oxide layer.
Two films were formed to a thickness of 5000 Å by an 8-frequency sputtering method.
なお、ＳｉＯ２膜を高周波スパッタリング法により形成
する条件は次のとおりである。The conditions for forming the SiO2 film by high frequency sputtering are as follows.
スパッタ雰囲気： ５％の酸素を含有するアルゴン
圧力 ： ５ｘ１０−３ Ｔｏｒｒターゲ
ット ：直径５インチ、厚み５ｍｍの石英板
投入電力 ： ５００Ｗ
時間 ： １００分
５ｉ０２膜厚 ： ５０００人
そののち、ＳｉＯ２膜の上に１１ｉ化錫層を実施例１と
同様の方法により形成し、さらにその上にＮｉＩＭ、Ａ
（１層を実施例１と同様の方法により順次形成し、３ｉ
０２からなる薄膜コンデンサを作成した。Sputtering atmosphere: Argon containing 5% oxygen Pressure: 5x10-3 Torr Target: Quartz plate with a diameter of 5 inches and a thickness of 5 mm Input power: 500 W Time: 100 minutes 5i02 film thickness: 5000 people After that, on the SiO2 film A 11i tin oxide layer was formed by the same method as in Example 1, and NiIM, A
(One layer was formed sequentially by the same method as in Example 1, and 3i
A thin film capacitor consisting of 02 was fabricated.
このコンデンサについて実ｔｆｆＡ例１に記載の高温加
速負荷寿命試験を行った。その結果、初１組値の絶縁抵
抗（ＩＲ）が１０１３Ωであったのに対し、１００時間
後のそれは１０１３Ωであった。This capacitor was subjected to the high temperature accelerated load life test described in Actual TFFA Example 1. As a result, while the insulation resistance (IR) of the first set was 1013Ω, it was 1013Ω after 100 hours.
比較例３゜
実施例３による薄膜コンデンサを作成する際において、
酸化錫層を形成せずに、その他については実施例３に記
載の方法を実施することによって薄膜コンデンサを作成
した。Comparative Example 3 In preparing the thin film capacitor according to Example 3,
A thin film capacitor was fabricated by carrying out the method described in Example 3 without forming a tin oxide layer.
このコンデンサについて実施例１と同様に試験を行った
ところ、絶縁抵抗は１０８Ωにまで低下した。When this capacitor was tested in the same manner as in Example 1, the insulation resistance was reduced to 108Ω.
（効果）
以上のようにこの発明によれば、誘電体セラミックと外
部接続用′電極との間に酸化ｍ層を介在させることによ
り、高温使用時において見られる電）＾（による誘電体
セラミックの遷元を防止することかでき、その情（ｋ電
気特性の劣化、特に絶縁抵抗の劣化を生じさけないとい
う効果をもたらすものである。(Effects) As described above, according to the present invention, by interposing the oxidized layer between the dielectric ceramic and the external connection electrode, the dielectric ceramic This has the effect of preventing deterioration of electrical characteristics, especially deterioration of insulation resistance.
特 許 出 願 人 株式会社村田製作所Patent applicant Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (6)
に形成された外部接続用電極とを含むセラミックコンデ
ンサにおいて、前記誘電体セラミックと前記外部接続用
電極との間に酸化錫層が形成されていることを特徴とす
るセラミックコンデンサ。(1) In a ceramic capacitor including a dielectric ceramic and an external connection electrode formed on the surface of the dielectric ceramic, a tin oxide layer is formed between the dielectric ceramic and the external connection electrode. A ceramic capacitor characterized by:
１の外部接続用電極の上に誘電体セラミックが形成され
、該誘電体セラミックの上に第２の外部接続用電極が形
成されてなるセラミックコンデンサにおいて、前記誘電
体セラミックと第１の外部接続用電極および第２の外部
接続用電極との間に酸化錫層が形成されている特許請求
の範囲第（１）項記載のセラミックコンデンサ。(2) A first external connection electrode is formed on the substrate, a dielectric ceramic is formed on the first external connection electrode, and a second external connection electrode is formed on the dielectric ceramic. In the ceramic capacitor formed, a tin oxide layer is formed between the dielectric ceramic and the first external connection electrode and the second external connection electrode, as described in claim (1). ceramic capacitor.
クを介して互いに積層された状態で配置され静電容量を
形成するための複数層の内部電極とからなる積層型の誘
電体セラミック素体に、前記内部電極の所定のものに接
続される静電容量取出のための１対の外部接続用電極が
形成された積層型のセラミックコンデンサにおいて、前
記誘電体セラミック素体と前記外部接続用電極との間に
酸化錫層が形成されている特許請求の範囲第（１）項記
載のセラミックコンデンサ。(3) A laminated dielectric ceramic element body consisting of multiple layers of dielectric ceramic and multiple layers of internal electrodes that are stacked on top of each other via the dielectric ceramic to form capacitance. In the laminated ceramic capacitor in which a pair of external connection electrodes for taking out capacitance are connected to predetermined ones of the internal electrodes, the dielectric ceramic body and the external connection electrodes are formed. The ceramic capacitor according to claim 1, wherein a tin oxide layer is formed between the ceramic capacitor and the ceramic capacitor.
る特許請求の範囲第（１）項〜第（３）項記載のセラミ
ックコンデンサ。(4) The ceramic capacitor according to claims (1) to (3), wherein the dielectric ceramic has a thickness of 50 μm or less.
の範囲第（１）項〜第（３）項記載のセラミックコンデ
ンサ。(5) The ceramic capacitor according to claims (1) to (3), wherein the tin oxide layer has a thickness of 2 μm or less.
着法、イオンプレティング法、気相蒸着法あるいは無電
解メッキ法のいずれかにより形成されたものである特許
請求の範囲第（１）項〜第（３）項記載のセラミックコ
ンデンサ。(6) The external connection electrode is formed by any one of a sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, a vapor phase evaporation method, or an electroless plating method. The ceramic capacitor described in item (3).
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20736384A JPS6184809A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ceramic capacitor |
| US06/782,217 US4604676A (en) | 1984-10-02 | 1985-09-30 | Ceramic capacitor |
| DE19853535059 DE3535059A1 (en) | 1984-10-02 | 1985-10-01 | CERAMIC CAPACITOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20736384A JPS6184809A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ceramic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184809A true JPS6184809A (en) | 1986-04-30 |
| JPH0314219B2 JPH0314219B2 (en) | 1991-02-26 |
Family
ID=16538492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20736384A Granted JPS6184809A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ceramic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184809A (en) |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20736384A patent/JPS6184809A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314219B2 (en) | 1991-02-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |