JPS6186494A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS6186494A JPS6186494A JP20947484A JP20947484A JPS6186494A JP S6186494 A JPS6186494 A JP S6186494A JP 20947484 A JP20947484 A JP 20947484A JP 20947484 A JP20947484 A JP 20947484A JP S6186494 A JPS6186494 A JP S6186494A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はシリコン等の半導体物質基板（以下ウェハとい
う）にシリコン結晶等を気相成長させるランプ加熱によ
るバレル型の気相成長装置に関する。
う）にシリコン結晶等を気相成長させるランプ加熱によ
るバレル型の気相成長装置に関する。
従来実用化されているランプ加熱によるバレル型の気相
成長装置はサセプタを回転させる回転軸の駆動源が上方
にあり、この駆動源と共にサセプタを反応管お工びその
周囲に配列されているランプハウスに対して上昇させて
ウニノ・の出入を行なう工うになってｈるが回転部から
のゴミがウニノーに落下する欠点があり友。他方、回転
軸の駆動部を下方に設けたものも提案されているが、こ
の１式はウェハ出入のためベル形の反応管すなわちべル
ジャを上下動させる必要があるため、ベルジャ上部の構
造的な面からベルジャ頂部の冷却が行ない難（、このた
゛め、ベルジャ頂部にウオールデボが発生しこのウオー
ルデボがウェハに落下して良好な気相成長が不可能であ
るなどの欠点により実用化されていなかった。
成長装置はサセプタを回転させる回転軸の駆動源が上方
にあり、この駆動源と共にサセプタを反応管お工びその
周囲に配列されているランプハウスに対して上昇させて
ウニノ・の出入を行なう工うになってｈるが回転部から
のゴミがウニノーに落下する欠点があり友。他方、回転
軸の駆動部を下方に設けたものも提案されているが、こ
の１式はウェハ出入のためベル形の反応管すなわちべル
ジャを上下動させる必要があるため、ベルジャ上部の構
造的な面からベルジャ頂部の冷却が行ない難（、このた
゛め、ベルジャ頂部にウオールデボが発生しこのウオー
ルデボがウェハに落下して良好な気相成長が不可能であ
るなどの欠点により実用化されていなかった。
本発明はこのような欠点を除去したものでその目的は、
サセプタ回転軸の駆動源を下方に設置する方式において
、ベルジャの開閉性を阻害することなく、ベルジャの頂
部に冷風を吹きつけてウオールデボを押えられるように
した気相成長装置を提供することにある。
サセプタ回転軸の駆動源を下方に設置する方式において
、ベルジャの開閉性を阻害することなく、ベルジャの頂
部に冷風を吹きつけてウオールデボを押えられるように
した気相成長装置を提供することにある。
本発明の気相成長装置は、ベースプレートと、同ベース
プレートを貫通して上方に伸びる回転軸と、同回転軸に
取付けられたバレル型のサセプタ組立体と、下端が前記
ベースプレートに密封可能になされ前記サセプタ組立体
の周囲に反応室を形成スルベルジャと、同ベルジャの°
側部外方を取巻いて位置しサセプタ組立体のサセプタに
対向すべ（設けられた複数のランプハウスと、同ランプ
ハウスの上部に位置し前記ベルジャの上部外方をおおう
冷却流体供給部と、同冷却流体供給部および前記ベルジ
ャをそれぞれ連結した昇降機構とからなることを特徴に
している。
プレートを貫通して上方に伸びる回転軸と、同回転軸に
取付けられたバレル型のサセプタ組立体と、下端が前記
ベースプレートに密封可能になされ前記サセプタ組立体
の周囲に反応室を形成スルベルジャと、同ベルジャの°
側部外方を取巻いて位置しサセプタ組立体のサセプタに
対向すべ（設けられた複数のランプハウスと、同ランプ
ハウスの上部に位置し前記ベルジャの上部外方をおおう
冷却流体供給部と、同冷却流体供給部および前記ベルジ
ャをそれぞれ連結した昇降機構とからなることを特徴に
している。
以下本発明の一実施例を示し之図について説明する。第
１図においてサセプタ組立体１１は複数枚の短冊状をし
たサセプタが多角形状に配意されると共に、軸心に対し
勾配を有しかつ上面および下面はフタ状体によりおおわ
れておりその外周には多数のウェハ１２が取付けである
。サセプタ組立体１１は上下のフタ状体に固着したセラ
ミックス等の非金属裂かつ中空の回転軸１３にニジ両方
向へ回転されるようになされており、その外周および上
方は石英製のベルジャ１４によりおおわれている。
１図においてサセプタ組立体１１は複数枚の短冊状をし
たサセプタが多角形状に配意されると共に、軸心に対し
勾配を有しかつ上面および下面はフタ状体によりおおわ
れておりその外周には多数のウェハ１２が取付けである
。サセプタ組立体１１は上下のフタ状体に固着したセラ
ミックス等の非金属裂かつ中空の回転軸１３にニジ両方
向へ回転されるようになされており、その外周および上
方は石英製のベルジャ１４によりおおわれている。
ベルジャ】４の下方にはこれと同心かつサセプタ組立体
１１０回転を妨げな込近接したわずかな隙間を有する位
置に石英製の円筒体１５があり、ベルジャ１４および円
筒体１５は共にステンレス銅調のペースグレート１６上
に密接した状態で載置されてｂる。なお円筒体】５はサ
セプタ組立体してベルジャ１４とサセプタ組立体１１お
よび円筒体１５により形成される空間を反応室といい、
回転軸１３はベースプレート】６を気密に貫通している
。ベルジャ１４の下側内周と円筒体】５の下側外周との
間にはベースプレート１６表面から八 金属イオンの放出を阻止するため石英リング１９Ａが敷
かれており、この石英リング１９Ａとベースプレート１
６には反応室のガスを外部に排出するための孔１９Ｂが
あけである。
１１０回転を妨げな込近接したわずかな隙間を有する位
置に石英製の円筒体１５があり、ベルジャ１４および円
筒体１５は共にステンレス銅調のペースグレート１６上
に密接した状態で載置されてｂる。なお円筒体】５はサ
セプタ組立体してベルジャ１４とサセプタ組立体１１お
よび円筒体１５により形成される空間を反応室といい、
回転軸１３はベースプレート】６を気密に貫通している
。ベルジャ１４の下側内周と円筒体】５の下側外周との
間にはベースプレート１６表面から八 金属イオンの放出を阻止するため石英リング１９Ａが敷
かれており、この石英リング１９Ａとベースプレート１
６には反応室のガスを外部に排出するための孔１９Ｂが
あけである。
回転軸１３の中心にはそれぞれ固定の内管１７および外
管１８の２重管が設けられ、内管１７からはＮ２或いは
Ｈ２のガスが上方に向って流れ外管１８は上端で複数（
図では２本のみ示しである）に分岐してノズル１８Ａに
なって下方にあるウェハ１１１７ｍ向って反応ガスが流
れるようになっている。なお反応ガスの流れの細部は後
述する。
管１８の２重管が設けられ、内管１７からはＮ２或いは
Ｈ２のガスが上方に向って流れ外管１８は上端で複数（
図では２本のみ示しである）に分岐してノズル１８Ａに
なって下方にあるウェハ１１１７ｍ向って反応ガスが流
れるようになっている。なお反応ガスの流れの細部は後
述する。
ベルジャ１４の下部外周に汀、これを取口囲み、ベース
プレート１６の外周に配置されたペース２０とにエフベ
ルジャ１４側のみを開放した排気ダクト２１が設けられ
、この排気ダクト２１は第２図に示す排気管２２に接続
されている。排気ダクト２１上には、多数のランプ２３
を有するランプハウス２４が、第２図に示すように、ベ
ルジャ１４全取り囲んで配置さｎてめる。ランプハウス
２４の背面側にはＡ冷却流体供給部２５が形成さｆＬＳ
Ａ冷却流体供給部２５には不゛図示の送風機および冷却
機からの冷却空気が吹き込まれ、冷却窒を冷却するより
になっている。ペース２０＆Ｃｉ排気ダクト２１に隣接
して昇降および回転機構２８が設けてあり、同機構２８
は上端に腕２９が固着サレ、腕２９の先端は把持具３ｏ
にエフベルジャ１４の頂部に固着した把持部３１′Ｊｔ
離脱可能に把持している。また腕２９の先端は把持具３
２に工１）Ｂ冷却流体供給部３３を取付けている。、Ｂ
冷却流体供給部３３の下端はランプハウス２４の上面に
載置されると共に、その内壁３４には多数の孔３５があ
けられているためＡ冷却流体供給部２５と同様に冷却空
気がベルジャ】４の上部に吹きつけられる。ここでベル
ジャ１４とＢ冷却流体供給部３３とは腕２９に取付けら
れているため、同時に昇降可能であり、ベルジャ１４の
下面がノズル１８Ａの上方まで上昇した後は腕２９を旋
回させることによりベルジャ１４およびＢ冷却流体供給
２４は端部Ａお工びＢが互いに回動自在に連結され、下
側中央は切離されるようになっており、同図に点線で示
した位置に移動可能になっている。
プレート１６の外周に配置されたペース２０とにエフベ
ルジャ１４側のみを開放した排気ダクト２１が設けられ
、この排気ダクト２１は第２図に示す排気管２２に接続
されている。排気ダクト２１上には、多数のランプ２３
を有するランプハウス２４が、第２図に示すように、ベ
ルジャ１４全取り囲んで配置さｎてめる。ランプハウス
２４の背面側にはＡ冷却流体供給部２５が形成さｆＬＳ
Ａ冷却流体供給部２５には不゛図示の送風機および冷却
機からの冷却空気が吹き込まれ、冷却窒を冷却するより
になっている。ペース２０＆Ｃｉ排気ダクト２１に隣接
して昇降および回転機構２８が設けてあり、同機構２８
は上端に腕２９が固着サレ、腕２９の先端は把持具３ｏ
にエフベルジャ１４の頂部に固着した把持部３１′Ｊｔ
離脱可能に把持している。また腕２９の先端は把持具３
２に工１）Ｂ冷却流体供給部３３を取付けている。、Ｂ
冷却流体供給部３３の下端はランプハウス２４の上面に
載置されると共に、その内壁３４には多数の孔３５があ
けられているためＡ冷却流体供給部２５と同様に冷却空
気がベルジャ】４の上部に吹きつけられる。ここでベル
ジャ１４とＢ冷却流体供給部３３とは腕２９に取付けら
れているため、同時に昇降可能であり、ベルジャ１４の
下面がノズル１８Ａの上方まで上昇した後は腕２９を旋
回させることによりベルジャ１４およびＢ冷却流体供給
２４は端部Ａお工びＢが互いに回動自在に連結され、下
側中央は切離されるようになっており、同図に点線で示
した位置に移動可能になっている。
Ａお工びＢ冷却ス流体供給部２５お工び３３から吹き出
された冷却望気はベルジャ１４の外周およびランプ２３
を冷却しながら下降し、排気ダクト２１内に入った後回
の上方に示した排気管２２から外部に強制的に排出され
る。反応ガスの流れるノズル１８Ａは図に示すようにこ
の例では放射状［８本設けてあり、先端近くには下向き
の孔３６（第１図参照）が１個あけてあり、かつこの孔
３６は８本のノズル１８Ａの２本或りは４本を組にして
回転軸１３の軸心からの距離ｔ−変えることにより、細
心に対し勾配を有するサセプタ組立体１１上の欄心から
の距離の異なるウェハ１２の各々に対応して反応ガスが
噴出するようにしである。或いはこの傳成のほかノズル
１８Ａの２本を組にしてそれぞれの先漏近（に孔３６を
互いに向き合う形で傾斜して設けることにエリ、噴出し
た２つの反応ガスの流れが衝突して下向きの広いガス流
を形成するようにしても１９０ 次に前述した実施例の動作ｔ−説明する。昇降等の機構
２８１Ｃエクペルジヤ１４とＢ冷却流体供給部３３ｆｃ
上昇させ、次いでランプ７％ウス２４ｔ−第２８にエリ
ベルジャ１４とＢ冷却流体供給部３３を下降させて第１
図の状態にする。この状態で内管１７と外管１８からＮ
２ガスを噴出して空気をパージし、空気のパージが終了
した後、Ｎ２ガスＶＣより前記Ｎ２ガスをパージし、次
いでランプ２３にエリ加熱する。加熱にエリウニノＳ１
２か所定温Ｉｆｆ達すると外管１８従ってノズル１８Ａ
からＮ２ガスと共にシラン等の反応ガスを噴出させるこ
とにニジ気相成長を行なう。
された冷却望気はベルジャ１４の外周およびランプ２３
を冷却しながら下降し、排気ダクト２１内に入った後回
の上方に示した排気管２２から外部に強制的に排出され
る。反応ガスの流れるノズル１８Ａは図に示すようにこ
の例では放射状［８本設けてあり、先端近くには下向き
の孔３６（第１図参照）が１個あけてあり、かつこの孔
３６は８本のノズル１８Ａの２本或りは４本を組にして
回転軸１３の軸心からの距離ｔ−変えることにより、細
心に対し勾配を有するサセプタ組立体１１上の欄心から
の距離の異なるウェハ１２の各々に対応して反応ガスが
噴出するようにしである。或いはこの傳成のほかノズル
１８Ａの２本を組にしてそれぞれの先漏近（に孔３６を
互いに向き合う形で傾斜して設けることにエリ、噴出し
た２つの反応ガスの流れが衝突して下向きの広いガス流
を形成するようにしても１９０ 次に前述した実施例の動作ｔ−説明する。昇降等の機構
２８１Ｃエクペルジヤ１４とＢ冷却流体供給部３３ｆｃ
上昇させ、次いでランプ７％ウス２４ｔ−第２８にエリ
ベルジャ１４とＢ冷却流体供給部３３を下降させて第１
図の状態にする。この状態で内管１７と外管１８からＮ
２ガスを噴出して空気をパージし、空気のパージが終了
した後、Ｎ２ガスＶＣより前記Ｎ２ガスをパージし、次
いでランプ２３にエリ加熱する。加熱にエリウニノＳ１
２か所定温Ｉｆｆ達すると外管１８従ってノズル１８Ａ
からＮ２ガスと共にシラン等の反応ガスを噴出させるこ
とにニジ気相成長を行なう。
このとき内管１７からはそのままＮ２ガスを噴出ζせる
ことにエリベルジャ］４の上部空間をＮ２ガスで充満せ
しめ、もってベルジャ】４の上部壁面の冷却と上部壁面
への反応ガスの接触を阻止する。そしてこれらのガスは
ベースプレート１６の穴１９Ｂから排出さ扛る。このと
きサセプタ組立体・Ｕ与とベースプレート１６の間に円
筒体】５があるためガスがサセプタ組立体Ｈの下部に回
り込んでゴミを舞い上げたり、ベルジャ】４内のガス流
を乱したりすることなく円滑に排出される。ランプ２３
による加熱と同時に送風機および冷却機からの冷却堅気
は、Ａお工びＢ冷却流体供給部２５お工び３３の孔２６
および３５を通ってベルジャ１４およびランプ２３に吹
きつけられ、ランプ２３とベルジャ１４を冷却した後ベ
ルジャ１４に沿って下降し、排気ダクト２１から排気管
２２にエリ強制的に排気される。この風量は石英ベルジ
ャ１４の大きさによるが数１０−７分から数１００ｒｒ
？／分と極めて大量であるが、排気ダクト２１はベルジ
ャ１４の下方を囲んで円周上に大きい次め排気抵抗は小
さく排気管２２から吸引することにより円滑な排気が可
能である。
ことにエリベルジャ］４の上部空間をＮ２ガスで充満せ
しめ、もってベルジャ】４の上部壁面の冷却と上部壁面
への反応ガスの接触を阻止する。そしてこれらのガスは
ベースプレート１６の穴１９Ｂから排出さ扛る。このと
きサセプタ組立体・Ｕ与とベースプレート１６の間に円
筒体】５があるためガスがサセプタ組立体Ｈの下部に回
り込んでゴミを舞い上げたり、ベルジャ】４内のガス流
を乱したりすることなく円滑に排出される。ランプ２３
による加熱と同時に送風機および冷却機からの冷却堅気
は、Ａお工びＢ冷却流体供給部２５お工び３３の孔２６
および３５を通ってベルジャ１４およびランプ２３に吹
きつけられ、ランプ２３とベルジャ１４を冷却した後ベ
ルジャ１４に沿って下降し、排気ダクト２１から排気管
２２にエリ強制的に排気される。この風量は石英ベルジ
ャ１４の大きさによるが数１０−７分から数１００ｒｒ
？／分と極めて大量であるが、排気ダクト２１はベルジ
ャ１４の下方を囲んで円周上に大きい次め排気抵抗は小
さく排気管２２から吸引することにより円滑な排気が可
能である。
一定時間気相成長が行われた後ランプ２３を消して加熱
を停止すると共に、両管１７および１８からＮ２ガスの
みを噴出させて反応ガスのパージを行いながらベルジャ
１４を介してウェハ１２を冷却し、次いでＮ２がスを停
止してＮ２ガスを噴出することにエリベルジャ１４内ｉ
Ｎ２ガスにするＵ最後にベルジャ１４等を昇降等の機構
２８により上昇させると共に、ランプハウス２４を開い
てウェハ１２を取り出せば一連の気相成長作業は終了す
る。なおベルジャ１４の洗浄が必要な場合はベルジャ１
４を上昇後昇降および回転機構２８により側方へ旋回さ
せた後、下降京せて台（図示せず）上に着床させ、ベル
ジャ】４を把持具３０から離脱してＭ洗浄する。
を停止すると共に、両管１７および１８からＮ２ガスの
みを噴出させて反応ガスのパージを行いながらベルジャ
１４を介してウェハ１２を冷却し、次いでＮ２がスを停
止してＮ２ガスを噴出することにエリベルジャ１４内ｉ
Ｎ２ガスにするＵ最後にベルジャ１４等を昇降等の機構
２８により上昇させると共に、ランプハウス２４を開い
てウェハ１２を取り出せば一連の気相成長作業は終了す
る。なおベルジャ１４の洗浄が必要な場合はベルジャ１
４を上昇後昇降および回転機構２８により側方へ旋回さ
せた後、下降京せて台（図示せず）上に着床させ、ベル
ジャ】４を把持具３０から離脱してＭ洗浄する。
本発明の気相成長装置は以上説明した工うに、ベースプ
レートを貫通して上方に伸びる回転軸に堰付けたバレル
型のサセプタ組立体と、このサセプタ組立体の周囲に反
応室を形成するべルジャと、ベルジャ側部外方を取巻く
ランプハウスと、ランプハウスの上部に位置してベルジ
ャの上部外方を冷却するＢ冷却流体供給部と、このＢ冷
却流体供給部とベルジャをそれぞれ連結した昇降機構等
を主な溝底要件にしている。
レートを貫通して上方に伸びる回転軸に堰付けたバレル
型のサセプタ組立体と、このサセプタ組立体の周囲に反
応室を形成するべルジャと、ベルジャ側部外方を取巻く
ランプハウスと、ランプハウスの上部に位置してベルジ
ャの上部外方を冷却するＢ冷却流体供給部と、このＢ冷
却流体供給部とベルジャをそれぞれ連結した昇降機構等
を主な溝底要件にしている。
この溝底にエフサセプタ組立体を回転させる回転軸の駆
動源は下刃にあるため回転部からのゴミの落下はな（な
ると共に、ベルジャの側面はもちろん上部がＢ冷却流体
供給部からの冷風によって冷却されウオールデボの発生
がなくなって良好な気相成長が行われるようになり庭。
動源は下刃にあるため回転部からのゴミの落下はな（な
ると共に、ベルジャの側面はもちろん上部がＢ冷却流体
供給部からの冷風によって冷却されウオールデボの発生
がなくなって良好な気相成長が行われるようになり庭。
なお、Ｂ冷却流体供給部はベルジャと共に昇降されるた
め、操作は特に複雑にならず、またＢ冷却流体供給部に
よりベルジャ上方のし中光が行なわれるため、人や装置
に対する環境を改善することもできる。
め、操作は特に複雑にならず、またＢ冷却流体供給部に
よりベルジャ上方のし中光が行なわれるため、人や装置
に対する環境を改善することもできる。
図は本発明の一実施例を示し第１図は断百図、第２図は
第１図の２−２ｉ断面図である。 １１・・・サセプタ組立体、１２・・・ウェハ、１３・
・・回転軸、１４・・・ベルジャ、１５・・・円筒体、
１６・・・ベースプレート、］７・・・内管、１８・・
・外管、２３・・・ランプ、２４・・・ランプハウス、
２５．３３・・・冷却流体供給部、２８・・・昇降およ
び回転機構。
第１図の２−２ｉ断面図である。 １１・・・サセプタ組立体、１２・・・ウェハ、１３・
・・回転軸、１４・・・ベルジャ、１５・・・円筒体、
１６・・・ベースプレート、］７・・・内管、１８・・
・外管、２３・・・ランプ、２４・・・ランプハウス、
２５．３３・・・冷却流体供給部、２８・・・昇降およ
び回転機構。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ベースプレートと、同ベースプレートを貫通して上
方に伸びる回転軸と、同回転軸に取付けられたバレル型
のサセプタ組立体と、下端が前記ベースプレートに密封
可能になされ前記サセプタ組立体の周囲に反応室を形成
するべルジャと、同ベルジャの側部外方を取巻いて位置
しサセプタ組立体のサセプタに対向すべく設けられた複
数のランプハウスと、同ランプハウスの上部に位置し前
記ベルジャの上部外方をおおう冷却流体供給部と、同冷
却流体供給部および前記ベルジャをそれぞれ連結した昇
降機構とからなる気相成長装置。 ２、一部のランプハウスが外方へ開き得るように取付け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の気相成長装置。 ３、ベースプレートとランプハウスの間がベルジャ周囲
に対する排気ダクトを形成するように構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１または２項記載の気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947484A JPH0249279B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | Kisoseichosochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947484A JPH0249279B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | Kisoseichosochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186494A true JPS6186494A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0249279B2 JPH0249279B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=16573448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20947484A Expired - Lifetime JPH0249279B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | Kisoseichosochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249279B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318079A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法及び装置 |
| US20100269754A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP20947484A patent/JPH0249279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318079A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法及び装置 |
| US20100269754A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
| US8540818B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-09-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249279B2 (ja) | 1990-10-29 |
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