JPS6187334A - ウエハ露光方法 - Google Patents
ウエハ露光方法Info
- Publication number
- JPS6187334A JPS6187334A JP60231260A JP23126085A JPS6187334A JP S6187334 A JPS6187334 A JP S6187334A JP 60231260 A JP60231260 A JP 60231260A JP 23126085 A JP23126085 A JP 23126085A JP S6187334 A JPS6187334 A JP S6187334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- distance
- exposure
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ウェハ露光方法に関し、特に、ウェハの一
部を露光し、次でこのウェハを次々に移動させて露光を
する、各分割ｒ１１−位毎に位置合わせと焼付けを繰り
返すウェハ露光方法に関する。
部を露光し、次でこのウェハを次々に移動させて露光を
する、各分割ｒ１１−位毎に位置合わせと焼付けを繰り
返すウェハ露光方法に関する。
［従来の技術］
近年、集積回路の回路パターンが微細になり、史にウェ
ハが大口径化するに従って、ウェハ全面のパターンを一
括露光（焼付け）することは、ウェハの変形のためます
ます困難になってきている。
ハが大口径化するに従って、ウェハ全面のパターンを一
括露光（焼付け）することは、ウェハの変形のためます
ます困難になってきている。
そこで、ウェハ而を小さく分割して、各分割単位毎にイ
）′／置合わせと焼付けを繰り返す方法、いわゆるステ
ップアンドリピートが採られている。
）′／置合わせと焼付けを繰り返す方法、いわゆるステ
ップアンドリピートが採られている。
ところで、焼付は光源としてＸ線を使用するような場合
には、像を縮小する適当なレンズ類かないため、マスク
とウェハは極めて接近した間隔（例えば２ミクロン）で
互いに向かい合わせる必要がある。
には、像を縮小する適当なレンズ類かないため、マスク
とウェハは極めて接近した間隔（例えば２ミクロン）で
互いに向かい合わせる必要がある。
［解決しようとする問題点コ
前記のような微小な間隔で相対しているウェハを露光の
度に移動するものであるが、この間隔をウェハがどの位
置に移動しても常に一定に保つためには、移動ステージ
を極めて高精度のものにするとともに、ウェハの）Ｖ−
重度も例えば前述の例では１ミクロン以Ｆに仕ト、けな
ければならない。
度に移動するものであるが、この間隔をウェハがどの位
置に移動しても常に一定に保つためには、移動ステージ
を極めて高精度のものにするとともに、ウェハの）Ｖ−
重度も例えば前述の例では１ミクロン以Ｆに仕ト、けな
ければならない。
しかし、このように牢重度を極めて高精度に仕上げたウ
ェハは、現実には入手困難であるという状況にある。
ェハは、現実には入手困難であるという状況にある。
したがって、このようなウェハとマスクとを極めて接近
させる場合には、繰り返し露光が適用できないと考えら
れていた。
させる場合には、繰り返し露光が適用できないと考えら
れていた。
［発明の目的コ
この発明の目的は、前記のような問題点を解決するもの
であって、一般に入手ｒｉＪ能な程度の）Ｖ而度の悪い
ウェハであってもウェハとマスクとの相対位置を極めて
近づけてかつ繰り返し露光がｉ＋Ｊ能なウェハ露光方法
を提供することにある。
であって、一般に入手ｒｉＪ能な程度の）Ｖ而度の悪い
ウェハであってもウェハとマスクとの相対位置を極めて
近づけてかつ繰り返し露光がｉ＋Ｊ能なウェハ露光方法
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段コ
この発明の特徴は、ウェハが移動する前に安全距離まで
ド降してから次の位置へ移動し、新しいｋｊＡ所へ移動
後にウェハがＬ昇して、マスクとの間隔か露光に必安な
微細な間隔になったところでマスクとの位置合わせをし
て露光を什うというものである。
ド降してから次の位置へ移動し、新しいｋｊＡ所へ移動
後にウェハがＬ昇して、マスクとの間隔か露光に必安な
微細な間隔になったところでマスクとの位置合わせをし
て露光を什うというものである。
しかして、この発明のウェハー露光方法における手段は
、各分割Ｑｊ位毎に位置合わせと焼付けを繰り返すウェ
ハ露光方法において、分割単位の１つから他の１つへウ
ェハ又はマスクが相対的に移動する前にこれらの間隔を
安全距離に保ってから次の位置へ移動し、移動後にウェ
ハとマスクとの間隔を露光に必要な微細な間隔に位１位
合わせして、露光するというものである。
、各分割Ｑｊ位毎に位置合わせと焼付けを繰り返すウェ
ハ露光方法において、分割単位の１つから他の１つへウ
ェハ又はマスクが相対的に移動する前にこれらの間隔を
安全距離に保ってから次の位置へ移動し、移動後にウェ
ハとマスクとの間隔を露光に必要な微細な間隔に位１位
合わせして、露光するというものである。
例えば、この発明のウェハー露光方法を適用した具体的
な装置としては、マスクとこれに相対するウェハとの間
隔を極めて精密に制御するための手段と、ステップアン
ドリピート制御機構とをイ」する装置において、ｌ′・
導体集積回路を焼付ける際に、゛ｌ′、導体集積回路の
焼付は用マスクの集積回路に焼付けられるパターンの外
周部にマスクと相対するウェハとの間隔を測定するため
に１個以−ヒの電極を設け、マスクを保護する１°〔空
吸着部材の一部にこのマスクが有する電極の引き出し線
部を接触させるマスク保持装置を設けるものであって、
さらにこのマスク保持装置には、絶縁された接触部材を
自″している。
な装置としては、マスクとこれに相対するウェハとの間
隔を極めて精密に制御するための手段と、ステップアン
ドリピート制御機構とをイ」する装置において、ｌ′・
導体集積回路を焼付ける際に、゛ｌ′、導体集積回路の
焼付は用マスクの集積回路に焼付けられるパターンの外
周部にマスクと相対するウェハとの間隔を測定するため
に１個以−ヒの電極を設け、マスクを保護する１°〔空
吸着部材の一部にこのマスクが有する電極の引き出し線
部を接触させるマスク保持装置を設けるものであって、
さらにこのマスク保持装置には、絶縁された接触部材を
自″している。
このような構成において、ステップアンドリピートにお
いて、例えば電極を介して、ウェハとマスクとの間の静
電容：辻を測定することで、マスクとウェハの間隔を高
精度に測定し、もって、マスクとこれに相対するウェハ
との間隔を極めて精密に制御する。
いて、例えば電極を介して、ウェハとマスクとの間の静
電容：辻を測定することで、マスクとウェハの間隔を高
精度に測定し、もって、マスクとこれに相対するウェハ
との間隔を極めて精密に制御する。
［作用コ
その結果、ウェハ叉はマスクの間隔が移動する前に安全
距離に保たれてから次の位置へ移動するように制御でき
、さらに移動後にウェハとマスクとの間隔が露光に必要
な微細な間隔に位置合わせをして露光することができる
。
距離に保たれてから次の位置へ移動するように制御でき
、さらに移動後にウェハとマスクとの間隔が露光に必要
な微細な間隔に位置合わせをして露光することができる
。
したがって、ウェハとマスクとを極めて接近させて、繰
り返し露光を行うことができ、例えばＸ線などの光源を
用いたものにあっても、極めて高精度な繰り返し露光か
実現される。
り返し露光を行うことができ、例えばＸ線などの光源を
用いたものにあっても、極めて高精度な繰り返し露光か
実現される。
［実施例］
以下、図面を用いてこの発明に係るウェハ露光方法につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は、この発明のウェハー露光方法におけるマスク
の一例を示す説明図であり、第２図は、その電極部の断
面図、そして第３図は、この発明ウェハー露光方法を適
用した実施例のウェハー露光装置における主３ ｒ”４
＜の部分断面図である。
の一例を示す説明図であり、第２図は、その電極部の断
面図、そして第３図は、この発明ウェハー露光方法を適
用した実施例のウェハー露光装置における主３ ｒ”４
＜の部分断面図である。
第１図において、１は、マスク用の基板、２は、集積回
路のパターンの入っているｍり分で実際にはこの部分が
焼付けられる。また、３，４．５．６は、マスクとウェ
ハの間隔を測定するための電極であり、７．８，９．１
０は、各々の電極からのリードの取り出し部分である。
路のパターンの入っているｍり分で実際にはこの部分が
焼付けられる。また、３，４．５．６は、マスクとウェ
ハの間隔を測定するための電極であり、７．８，９．１
０は、各々の電極からのリードの取り出し部分である。
第２図は、第１図の１１．１２で示す線の部分でマスク
を切断した吠態を示している。そして、１３がマスクツ
、（板（例えば石英ガラス等）、１５゜１６．１７．ｔ
ｓ、ｉθは、導電性の物質で、１７が電極部であり、１
５，１８．１９は、電極の引き出し部（スルーホール部
）を示す。また、２０は、集積回路のパターン部を小す
。
を切断した吠態を示している。そして、１３がマスクツ
、（板（例えば石英ガラス等）、１５゜１６．１７．ｔ
ｓ、ｉθは、導電性の物質で、１７が電極部であり、１
５，１８．１９は、電極の引き出し部（スルーホール部
）を示す。また、２０は、集積回路のパターン部を小す
。
第３図は、この発明の実施例のマスクとこれに相対する
ウェハとの間隔を極めて精密に制御するト段と、ステッ
プアンドリピート制御機構とを有する装置の部分断面図
であって、マスクがウェハ露光装置（焼付は器）に実装
されている例の断面を示す。
ウェハとの間隔を極めて精密に制御するト段と、ステッ
プアンドリピート制御機構とを有する装置の部分断面図
であって、マスクがウェハ露光装置（焼付は器）に実装
されている例の断面を示す。
図において、２６がマスクであり、２５は、これからパ
ターンを焼付けられるウェハ、３２は、ウェハを保持す
るチャック、２７は、焼付は用の光線を示す。また、３
３は、マスクを保持する部材である。−・方、２８．２
９は、マスクとウェハ間の間隔であって、この間隔２８
．２９は、極めて微細な−Ｊ’ｉ’ｆ（例えば２ミクロ
ン程度）に安定して保つことか必要である。
ターンを焼付けられるウェハ、３２は、ウェハを保持す
るチャック、２７は、焼付は用の光線を示す。また、３
３は、マスクを保持する部材である。−・方、２８．２
９は、マスクとウェハ間の間隔であって、この間隔２８
．２９は、極めて微細な−Ｊ’ｉ’ｆ（例えば２ミクロ
ン程度）に安定して保つことか必要である。
次に、間隔２８．２９の制御について説明する。
間隔２８．２９の制御には、マスクの外周部に形成され
ている電極３．４．５．６と、ウェハ２４．５の間の静
電容置を測定することによって行い、例えばマイクロプ
ロセッサ等を何する処理装置（図、１＜せず）によって
制御する。
ている電極３．４．５．６と、ウェハ２４．５の間の静
電容置を測定することによって行い、例えばマイクロプ
ロセッサ等を何する処理装置（図、１＜せず）によって
制御する。
すなわち、マスクとウェハが接近すると電極３゜４．５
．６とウェハ２５の間の静電８贋か増加するため、これ
を常時／Ｉｔ１１定していれば、マスクとウェハと間隔
を常時制御することができる。
．６とウェハ２５の間の静電８贋か増加するため、これ
を常時／Ｉｔ１１定していれば、マスクとウェハと間隔
を常時制御することができる。
このようにマスクとウェハの間隔を常に高精度に測定す
る手段を設けて、移動する前にウェハを安全距離まで下
降させる。そしてウェハを次の位置へ移動する。次に新
しい場所へ移動後にウェハを上昇させてマスクとの間隔
が露光に必要な微細な間隔になったところでマスクとの
間で位置合わせをして、しかる後、露光を行うものであ
る。
る手段を設けて、移動する前にウェハを安全距離まで下
降させる。そしてウェハを次の位置へ移動する。次に新
しい場所へ移動後にウェハを上昇させてマスクとの間隔
が露光に必要な微細な間隔になったところでマスクとの
間で位置合わせをして、しかる後、露光を行うものであ
る。
ここに、静電容にの測定方法には、種々の方法が知られ
ているので、省略するが、いづれの方法によっても２ミ
クロン程度の間隔の時において０６１ミクロンの変動は
容易に検出するこ七ができる。
ているので、省略するが、いづれの方法によっても２ミ
クロン程度の間隔の時において０６１ミクロンの変動は
容易に検出するこ七ができる。
マスクは、一般にはマスク本体と焼付はパターンから構
成されているか、通常、マスク本体は絶縁物、パターン
は導体で形成される場合が多い。
成されているか、通常、マスク本体は絶縁物、パターン
は導体で形成される場合が多い。
したがって１．Ｌ記のごとき目的に使用するための電極
は、焼付はパターンを作製するのと全く同じ［程で同時
に作製することができ、間隔測定用電極と焼付はパター
ンが同一平面上で作製することができる。これは、マス
ク交換の度に電極を校正する作業を極めて容易にし、ま
た、焼付はパターンに極めて接近した位置に測定電極を
配置することを１−＋Ｊ能にする。
は、焼付はパターンを作製するのと全く同じ［程で同時
に作製することができ、間隔測定用電極と焼付はパター
ンが同一平面上で作製することができる。これは、マス
ク交換の度に電極を校正する作業を極めて容易にし、ま
た、焼付はパターンに極めて接近した位置に測定電極を
配置することを１−＋Ｊ能にする。
第３図についてさらに説明を加えると、３３は、マスク
２６の保持部材であるが、これの一部を切欠いて、２３
．２４に示す絶縁部材を介して接触：■材３０．３１を
配置し、３０．３１からそれぞれ引出し線２１．２２を
取り出す。
２６の保持部材であるが、これの一部を切欠いて、２３
．２４に示す絶縁部材を介して接触：■材３０．３１を
配置し、３０．３１からそれぞれ引出し線２１．２２を
取り出す。
マスクが所定の位置に吸７ｔされた時、接触部材３０．
３１は、それぞれマスクの電極取り出し部７．９に接触
する位置に配置されているため、マスクを保持部材３３
に吸着することによってマスク上に形成されている電極
は、直ちに引出し線２１．２２等に接続される。第２図
の１４で示す部分は、電極部１７を接触部１５に導くた
めの穴で、この穴の内面を電極と同じ導電部材１８，１
９で接続する。
３１は、それぞれマスクの電極取り出し部７．９に接触
する位置に配置されているため、マスクを保持部材３３
に吸着することによってマスク上に形成されている電極
は、直ちに引出し線２１．２２等に接続される。第２図
の１４で示す部分は、電極部１７を接触部１５に導くた
めの穴で、この穴の内面を電極と同じ導電部材１８，１
９で接続する。
［発明の効果コ
以上の説明から理解できるようにこの発明にあっては、
マスクとウェハの間隔を高精度に測・定する手段を有し
ていて、分割単位の１つから他の１つへウェハ又はマス
クが相対的に移動する前にこれらの間隔を安全距離に保
ってから次の位置へ移動し、移動後にウェハとマスクと
の間隔を露光に必要な微細な間隔に位置合わせして、露
光するようにしているので、ウェハ又はマスクの間隔か
移動する前に安全距離に保られてから次の位置へ移動す
るように７シリ御でき、さらに移動後にウェハとマスク
との間隔が露光に必安な微細な間隔に位１ξ合わせをし
て露光することができる。
マスクとウェハの間隔を高精度に測・定する手段を有し
ていて、分割単位の１つから他の１つへウェハ又はマス
クが相対的に移動する前にこれらの間隔を安全距離に保
ってから次の位置へ移動し、移動後にウェハとマスクと
の間隔を露光に必要な微細な間隔に位置合わせして、露
光するようにしているので、ウェハ又はマスクの間隔か
移動する前に安全距離に保られてから次の位置へ移動す
るように７シリ御でき、さらに移動後にウェハとマスク
との間隔が露光に必安な微細な間隔に位１ξ合わせをし
て露光することができる。
したがって、ウェハとマスクとを極めて接近させて、繰
り返し露光を行うことができ、例えばＸ線などの光源を
用いたものにあっても、極めて高精度な繰り返し露光が
実現される。
り返し露光を行うことができ、例えばＸ線などの光源を
用いたものにあっても、極めて高精度な繰り返し露光が
実現される。
第１図は、この発明のウェハー露光方法におけるマスク
の一例を示す説明図、第２図は、その電極部の断面図、
第３図は、この発明ウェハー露光方法を適用した実施例
のウェハー露光装置における主要部の部分断面図である
。 １・・・マスク用の基板、２・・・集積回路のパターン
の入っている部分、３．４，５．６・・・電極、７．８
，９．１０・・・リードの取り出し部分。 ２３．２４・・・絶縁部材、２５・・・ウェハ、２６・
・・マスク、３０．３１・・・接触部材、３３・・・マ
スク保持部材３３
の一例を示す説明図、第２図は、その電極部の断面図、
第３図は、この発明ウェハー露光方法を適用した実施例
のウェハー露光装置における主要部の部分断面図である
。 １・・・マスク用の基板、２・・・集積回路のパターン
の入っている部分、３．４，５．６・・・電極、７．８
，９．１０・・・リードの取り出し部分。 ２３．２４・・・絶縁部材、２５・・・ウェハ、２６・
・・マスク、３０．３１・・・接触部材、３３・・・マ
スク保持部材３３
Claims (2)
- （１）各分割単位毎に位置合わせと焼付けを繰り返すウ
ェハ露光方法において、前記分割単位の１つから他の１
つへウェハ又はマスクが相対的に移動する前にこれらの
間隔を安全距離に保ってから次の位置へ移動し、移動後
に前記ウェハと前記マスクとの間隔を露光に必要な微細
な間隔に位置合わせして、露光することを特徴とするウ
ェハー露光方法。 - （２）マスクは、マスクパターンの周囲に測定のための
電極を有していて、ウェハと前記マスクとの間隔は、こ
の電極を介してこれらの間の静電容量により測定され、
前記ウェハと前記マスクとの間隔が制御されるものであ
って、分割単位のある１つの位置で前記ウェハを露光し
、しかる後に前記ウェハと前記マスクとの間隔が広がる
方向へ前記ウェハを移動した状態で前記ウェハを前記分
割単位の次の位置へ移動し、次で前記ウェハと前記マス
クとの間隔が極めて接近した状態となるように前記ウェ
ハを位置決めして前記ウェハの露光を行うことを特徴と
すると特許請求の範囲第１項記載のウェハー露光方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231260A JPS6187334A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | ウエハ露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231260A JPS6187334A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | ウエハ露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078280A Division JPS5735320A (en) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | Structure of mask for baking of semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187334A true JPS6187334A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16920827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231260A Pending JPS6187334A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | ウエハ露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187334A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830875A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-23 | ||
| JPS52108776A (en) * | 1976-03-09 | 1977-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern sticking device |
| JPS5568623A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Transferring device for mask pattern |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60231260A patent/JPS6187334A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830875A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-23 | ||
| JPS52108776A (en) * | 1976-03-09 | 1977-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern sticking device |
| JPS5568623A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Transferring device for mask pattern |
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