JPS6187465A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS6187465A JPS6187465A JP59194306A JP19430684A JPS6187465A JP S6187465 A JPS6187465 A JP S6187465A JP 59194306 A JP59194306 A JP 59194306A JP 19430684 A JP19430684 A JP 19430684A JP S6187465 A JPS6187465 A JP S6187465A
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- solid
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- 101100042631 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SIN3 gene Proteins 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は密着型−次元固体撮像素子の駆動回路及び信号
回路、並びその駆動方法に関する。
回路、並びその駆動方法に関する。
近年、ビデオカメラ等に用いられる二次元固体撮像素子
、ファクシミリ等に利用される一次元固体撮像素子の需
要が急速に高まっている。特に、−次元固体撮像素子に
おいて、ファクシミリ等装置の小型化、薄型化を推し進
める事が可能な原稿中と同一寸法の密着型−次元固体撮
像素子の開発が進められており、なかでも非晶質シリコ
ン(α−8i)光センサーと多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタ(TPT)の駆動回路を同一基板上に集積化した
密着型−次元固体撮像素子が有望視されている。
、ファクシミリ等に利用される一次元固体撮像素子の需
要が急速に高まっている。特に、−次元固体撮像素子に
おいて、ファクシミリ等装置の小型化、薄型化を推し進
める事が可能な原稿中と同一寸法の密着型−次元固体撮
像素子の開発が進められており、なかでも非晶質シリコ
ン(α−8i)光センサーと多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタ(TPT)の駆動回路を同一基板上に集積化した
密着型−次元固体撮像素子が有望視されている。
該密着型−次元固体撮像素子は該素子長、A4版サイズ
で約217閣という寸法のため固体撮像素子として重要
な基本性能読み取り速1i1S/N比、光感度等以外に
、以下の問題点が内在している。
で約217閣という寸法のため固体撮像素子として重要
な基本性能読み取り速1i1S/N比、光感度等以外に
、以下の問題点が内在している。
(1) 素子面積が大きいため、一基板上の素子数(
収率)が低くい。
収率)が低くい。
(2) 素子面積が大きいため、パターン精度を小さ
くする事が困難であり、素子中を小さくできない。この
ためコスト高となっていた。
くする事が困難であり、素子中を小さくできない。この
ためコスト高となっていた。
第1図に従来縮小光学系を用いた素子長の短かい一次元
の固体撮像素子の回路図を示す。
の固体撮像素子の回路図を示す。
該固体撮像素子はフォトダイオード(p1〕及びMOS
スイッチ(Q、)がライン状に配列されており、MOS
スイッチの共通端が出力信号想S工Gとなっている。こ
の出力信号11ii! S工GはMOSスイッチQDO
を介して電源Eに接続されており、この出力信号線S工
Gの信号が、プリアンプへ印加される。また、1はイン
バータ、2はクロック・ド・ゲート・インバータ、5は
ノア(N。
スイッチ(Q、)がライン状に配列されており、MOS
スイッチの共通端が出力信号想S工Gとなっている。こ
の出力信号11ii! S工GはMOSスイッチQDO
を介して電源Eに接続されており、この出力信号線S工
Gの信号が、プリアンプへ印加される。また、1はイン
バータ、2はクロック・ド・ゲート・インバータ、5は
ノア(N。
R)ゲートであり、インバータ1.及び2個のクロック
・ド・インバータ2よりマスタースレーブ型シフトレジ
スタはI4成されている。スタートパルスSP及び、ク
ロックパルスφ、7に従ってMOSスイッチ(Ql )
を順次オンオフ制御する。
・ド・インバータ2よりマスタースレーブ型シフトレジ
スタはI4成されている。スタートパルスSP及び、ク
ロックパルスφ、7に従ってMOSスイッチ(Ql )
を順次オンオフ制御する。
第2図は第1図における従来の固体撮像素子の回路例の
駆動波形及び、出力波形を示したものでアル。クロック
パルスφ、φ及びスタートパルスspに従って選択パル
ス3! + S!+ ”3 + 84がMOSスイ
ッチ(Ql)に印加される。出力信号勝S工Gには斜線
部のような出力信号が取り田畑れ、ディスチャージクロ
ックパルスφDOによって、電諒兄の電位までリセット
される。
駆動波形及び、出力波形を示したものでアル。クロック
パルスφ、φ及びスタートパルスspに従って選択パル
ス3! + S!+ ”3 + 84がMOSスイ
ッチ(Ql)に印加される。出力信号勝S工Gには斜線
部のような出力信号が取り田畑れ、ディスチャージクロ
ックパルスφDOによって、電諒兄の電位までリセット
される。
この回路の欠点は、インバータ1とクロック・ド・ゲー
ト・インバータ2によるシフ)レジスタの出力をノアゲ
ート5を通してMOSスイッチ(Qi )に印加する
ため、素子数が増え、集積度が低下し、コスト上昇の原
因となる。ノアゲート3のスレッシ日ルドレベルにより
ては隣接造択ハルス間にクロスオーバが生じ、瞬接画素
信号にクロストークが生じる原因となる。クロックパル
スφ、7の早発の周期のディスチャージクロックパルス
φDo が必要であり高速読み出しがむずかしい。読
み出し速度が高速になる場合はMOSスイッチQDOが
大きくなり、出力信号its工Gとディスチャージクロ
ックパルスの容量結合が増大し、雑音除去がむずかしく
なる。(S工Gの電源Eよリマイナス側への立ちくだり
はこの影響である。
ト・インバータ2によるシフ)レジスタの出力をノアゲ
ート5を通してMOSスイッチ(Qi )に印加する
ため、素子数が増え、集積度が低下し、コスト上昇の原
因となる。ノアゲート3のスレッシ日ルドレベルにより
ては隣接造択ハルス間にクロスオーバが生じ、瞬接画素
信号にクロストークが生じる原因となる。クロックパル
スφ、7の早発の周期のディスチャージクロックパルス
φDo が必要であり高速読み出しがむずかしい。読
み出し速度が高速になる場合はMOSスイッチQDOが
大きくなり、出力信号its工Gとディスチャージクロ
ックパルスの容量結合が増大し、雑音除去がむずかしく
なる。(S工Gの電源Eよリマイナス側への立ちくだり
はこの影響である。
前記欠点はMOS)ランジスタに限らず、たとえば多結
晶シリコンTPT駆動回路を持つ密着型−次元固体撮像
素子も同様であり、特に、前述した様に、一画素あたり
のトランジスタ数の増加による素子面積の増大はパター
ンルールの大きな密漸型−次元固体撮像素子ではより問
題となる。このため、第5因に示す固体撮像素子の駆動
回路が提案されている。該固体撮像素子の駆動回路はマ
スタースレーブ型シフトレジスタ31.52及びインバ
ータ36によって購成され、マスター側出力によって駆
動される信号読出回路と、スレーブ側出力によって駆動
される信号読出回路と二系統の出力信号線を有し、信号
電荷のリセットは、二系統の出力信号線において、交互
に行われるようにしたものであり、該駆動回路は多結晶
シリコンT’FTにより形成されている。又、奇数番目
の多結晶シリコンTPTスイッチQ’L + Q’a
・・・・・・。
晶シリコンTPT駆動回路を持つ密着型−次元固体撮像
素子も同様であり、特に、前述した様に、一画素あたり
のトランジスタ数の増加による素子面積の増大はパター
ンルールの大きな密漸型−次元固体撮像素子ではより問
題となる。このため、第5因に示す固体撮像素子の駆動
回路が提案されている。該固体撮像素子の駆動回路はマ
スタースレーブ型シフトレジスタ31.52及びインバ
ータ36によって購成され、マスター側出力によって駆
動される信号読出回路と、スレーブ側出力によって駆動
される信号読出回路と二系統の出力信号線を有し、信号
電荷のリセットは、二系統の出力信号線において、交互
に行われるようにしたものであり、該駆動回路は多結晶
シリコンT’FTにより形成されている。又、奇数番目
の多結晶シリコンTPTスイッチQ’L + Q’a
・・・・・・。
の共通対が出力信号I腺S工G1となり、多結晶シリコ
ンTPTスイッチQDO,を介して電源E K ?d続
され、偶舷番目の多結晶シリコンTPTスイッチQ’!
、Q−・・・・・・、の共通端が出力信号aS工G2と
なり、多結晶シリコンTF’l’スイッチQDO,を介
して電源EK接辰されている。奇数番目の多結晶シリコ
ンTPTスイッチQ ’I+ Q’s ・・・・・・、
はシフトレジスタのスレーブ側出力に順次オンオフ制御
される。又、該スイッチは各々l; −8iフォトダイ
オードn/、 、D’、 l・・・・・・、に接続され
る。又、出力信号ta S工G11S工G2の信号がそ
れぞれプリアンプに印加される。又、第1図と同一部分
は同一符号が付されている。
ンTPTスイッチQDO,を介して電源E K ?d続
され、偶舷番目の多結晶シリコンTPTスイッチQ’!
、Q−・・・・・・、の共通端が出力信号aS工G2と
なり、多結晶シリコンTF’l’スイッチQDO,を介
して電源EK接辰されている。奇数番目の多結晶シリコ
ンTPTスイッチQ ’I+ Q’s ・・・・・・、
はシフトレジスタのスレーブ側出力に順次オンオフ制御
される。又、該スイッチは各々l; −8iフォトダイ
オードn/、 、D’、 l・・・・・・、に接続され
る。又、出力信号ta S工G11S工G2の信号がそ
れぞれプリアンプに印加される。又、第1図と同一部分
は同一符号が付されている。
第4因は第5図における従来の固体撮像装置の駆動波形
及び、出力波形を示したものである。クロックパルスφ
、7及びスタートパルス5plc庇って遺灰パルス”l
’ l S1’ * ”!’ + ”4′が多結
晶シリコンTPTスイッチ(Ql)に印加される。出力
信号線S工G1.S工G2には斜線部のような出力信号
が取り出され、それぞれクロックパルス7、φによって
、m源xの電位までリセットされる。該固体撮像素子の
回路を前記密沿型−次元固体撮像素子等に適用する事に
より、一画素あたりのトランジスタ数の低減が可能であ
るが、出力信号is工G1.S工G2それぞれに、別個
の2系列の外部信号処理回路を必要としコスト上昇につ
ながる。又、密着型−次元固体撮像素子の様に信号線S
工Q1.S工G2の配線が長い場合、浮遊容量が増し、
高速の読み出しで高S / N比を離係するのが難しい
等の欠点を有している。
及び、出力波形を示したものである。クロックパルスφ
、7及びスタートパルス5plc庇って遺灰パルス”l
’ l S1’ * ”!’ + ”4′が多結
晶シリコンTPTスイッチ(Ql)に印加される。出力
信号線S工G1.S工G2には斜線部のような出力信号
が取り出され、それぞれクロックパルス7、φによって
、m源xの電位までリセットされる。該固体撮像素子の
回路を前記密沿型−次元固体撮像素子等に適用する事に
より、一画素あたりのトランジスタ数の低減が可能であ
るが、出力信号is工G1.S工G2それぞれに、別個
の2系列の外部信号処理回路を必要としコスト上昇につ
ながる。又、密着型−次元固体撮像素子の様に信号線S
工Q1.S工G2の配線が長い場合、浮遊容量が増し、
高速の読み出しで高S / N比を離係するのが難しい
等の欠点を有している。
従って、本発明は固体撮像装置≦の駆動回路及び、信号
読出回路の改善により、トランジスタ数を減少させ、コ
ストを下げること、また従来よりも高速な信号読み出し
が可能となるようにすること、さらに出力信号の信号対
雑音比を改善し、外部出力信号処理回路を1系統としコ
ストを下げることを目的としたものである。
読出回路の改善により、トランジスタ数を減少させ、コ
ストを下げること、また従来よりも高速な信号読み出し
が可能となるようにすること、さらに出力信号の信号対
雑音比を改善し、外部出力信号処理回路を1系統としコ
ストを下げることを目的としたものである。
本発明の密着型−次元固体撮像素子はインバータ及び2
個のクロツク・ド・インバータより構成されるマスター
スレーブ型シフトレジスタに−JA動回路、並びに該駆
動回路出力によってオン・オフされるスイッチアレイ及
び該スイッチに直列に接続される元センサーアレイ、並
びに頷信号出力を電流検出するための低インピーダンス
のプリアンプから成り、該信号出力を同−出方信号線に
導き、スイッチのスイッチングノイズを低減せしめると
同時に、スイッチ抵抗R及び光センサー容量cの積、す
なわち、時定数axeをクロックパルス周期の5分の1
以下にしたものである。
個のクロツク・ド・インバータより構成されるマスター
スレーブ型シフトレジスタに−JA動回路、並びに該駆
動回路出力によってオン・オフされるスイッチアレイ及
び該スイッチに直列に接続される元センサーアレイ、並
びに頷信号出力を電流検出するための低インピーダンス
のプリアンプから成り、該信号出力を同−出方信号線に
導き、スイッチのスイッチングノイズを低減せしめると
同時に、スイッチ抵抗R及び光センサー容量cの積、す
なわち、時定数axeをクロックパルス周期の5分の1
以下にしたものである。
以下に、本発明について従来例と対比しながらさらに詳
しく特徴を説明する。
しく特徴を説明する。
(1) 従来1信号紛、スイッチQ”IQ”+ IQ
”01等の浮遊容量のため、読み出し速度が該容置のた
め制限されていた。本発明は信号処理回路の初段を低イ
ンピーダンスプリアンプ構成とする事により、信号線上
の信号出力を従来の電圧出力から電流出力と変える事に
より、信号線の浮遊容量を低減せしめると同時にスイッ
チQDO,QDo。
”01等の浮遊容量のため、読み出し速度が該容置のた
め制限されていた。本発明は信号処理回路の初段を低イ
ンピーダンスプリアンプ構成とする事により、信号線上
の信号出力を従来の電圧出力から電流出力と変える事に
より、信号線の浮遊容量を低減せしめると同時にスイッ
チQDO,QDo。
、にLDO,を除去させた。又読み出し速度は各画素の
80時定数によりて制限される事になり、従来のものよ
り高速読み出しが可能となる。
80時定数によりて制限される事になり、従来のものよ
り高速読み出しが可能となる。
(2) このとき、従来、前記電圧出力では途択され
たスイッチのスイッチングノイズはVQ回路からの選択
パルスの立ち上り及び立ち下がりで発生するスイッチン
グノイズが逆相となるため打ち消される。本発明ではマ
スタースレーブ型シフトレジスタ駆動回路によりて発生
するある画素の選択パルスの立ち上り時間が二画素前の
選択パルスの立ち下がり時間と同一である事を利用して
スイッチングノイズを打ち消す。
たスイッチのスイッチングノイズはVQ回路からの選択
パルスの立ち上り及び立ち下がりで発生するスイッチン
グノイズが逆相となるため打ち消される。本発明ではマ
スタースレーブ型シフトレジスタ駆動回路によりて発生
するある画素の選択パルスの立ち上り時間が二画素前の
選択パルスの立ち下がり時間と同一である事を利用して
スイッチングノイズを打ち消す。
(3) このため、従来、マスタースレーブ型シフト
レジスタを駆動回路とする場合、信号?iAが二系列安
し、又、信号処理回路も二系列必安でめったが、本発明
では一系列で良い。
レジスタを駆動回路とする場合、信号?iAが二系列安
し、又、信号処理回路も二系列必安でめったが、本発明
では一系列で良い。
(4) マスタースレーブ型シフトレジスタだけの駆動
回路のため、累子巾を大幅に減少でき、コストが低減で
きる。
回路のため、累子巾を大幅に減少でき、コストが低減で
きる。
C’A施例〕
以下、本発明の実施例について1囲を用いて説明する。
第5図は本発明の実施例の回路図であり、第3図と同一
部分は同一符号が付されている。本発明の駆動回路はマ
スタースレーブ型シフトレジスタ31.52及びインバ
ータs3によって構成され、又、多結晶シリコンTPT
スイッチQ’r + QZ、Q10・・・・・・、の共
通端は出力信号線S工G3となり、該信号線は低インピ
ーダンスのプリアンプに接続されており、信号崖は見か
け上のグランドレベルとなっている。しかし、本発明は
これに限るものでなく、該スイッチに比して、低インピ
ーダンスならば良い。又、α−8i7オトダイオードの
共辿緬は′−源Eに接続されている。又、多結晶シリコ
ンTPTのオン抵抗は200にΩであり、α−5iフオ
トダイオードはα8F?であり、時定数は160%Sで
ある。
部分は同一符号が付されている。本発明の駆動回路はマ
スタースレーブ型シフトレジスタ31.52及びインバ
ータs3によって構成され、又、多結晶シリコンTPT
スイッチQ’r + QZ、Q10・・・・・・、の共
通端は出力信号線S工G3となり、該信号線は低インピ
ーダンスのプリアンプに接続されており、信号崖は見か
け上のグランドレベルとなっている。しかし、本発明は
これに限るものでなく、該スイッチに比して、低インピ
ーダンスならば良い。又、α−8i7オトダイオードの
共辿緬は′−源Eに接続されている。又、多結晶シリコ
ンTPTのオン抵抗は200にΩであり、α−5iフオ
トダイオードはα8F?であり、時定数は160%Sで
ある。
第6図は第5図における本発明の実施例である誓′M型
−次元固体撮像慝子の駆動波形、出力波形を示した。ク
ロックパルスφ、7及びスタートパルスspに従って選
択パルスBf、、Bつ、BI、 、 s/。
−次元固体撮像慝子の駆動波形、出力波形を示した。ク
ロックパルスφ、7及びスタートパルスspに従って選
択パルスBf、、Bつ、BI、 、 s/。
・・・・・・カ多結晶シリコンTPTスイッチQ ’1
+ Q ’2 +”$+Q’4・・・・・・に印加され
る。見かけ上のグランドレベルである出力信号線S工N
3には斜線部のような出力信号が取り出される。このと
き、たとえば選択パルス31.の立ち上りによるスイッ
チQ’sのスイッチングノイズは選択パルスB11 の
立ち下がりによるスイッチQ1 のスイッチングノイズ
と逆相であるため、打ち消される。このため、前記時定
数160neに比して本実施例のクロックパルス6.7
の周期(=2μB)の10倍以上長いため、40(LB
以上の高S / 11比が1μB/bitの高速読み出
しで得られた。又、二値読み出しならばクロックパルス
周期の5分の1.(L4μB/bit程度の高速読み出
しが可能であり、これはファクシミリ規格の01Mモー
ド(<、 2. s 4/1)it ) に十分対応
するものである。
+ Q ’2 +”$+Q’4・・・・・・に印加され
る。見かけ上のグランドレベルである出力信号線S工N
3には斜線部のような出力信号が取り出される。このと
き、たとえば選択パルス31.の立ち上りによるスイッ
チQ’sのスイッチングノイズは選択パルスB11 の
立ち下がりによるスイッチQ1 のスイッチングノイズ
と逆相であるため、打ち消される。このため、前記時定
数160neに比して本実施例のクロックパルス6.7
の周期(=2μB)の10倍以上長いため、40(LB
以上の高S / 11比が1μB/bitの高速読み出
しで得られた。又、二値読み出しならばクロックパルス
周期の5分の1.(L4μB/bit程度の高速読み出
しが可能であり、これはファクシミリ規格の01Mモー
ド(<、 2. s 4/1)it ) に十分対応
するものである。
本発明の密着型−次元固体撮像素子は、マスタースレー
ブ型シフトレジスタFjiA勧回路により素子中の減少
並びに出力信号線を一本にする事により、信号処理回路
を一系統に減少でき、コストの低減がはかれる。又、該
出力信号線に低インピーダンスのプリアンプを接続する
事により、電流信号読み出し方式を用いた事により、各
スイッチ菓子のスイッチングノイズを低減せしめ、同時
に譲スイッチ素子と光センサーのRe時走りによって制
限される程屍の読み出しの高速化がはかれ有用である。
ブ型シフトレジスタFjiA勧回路により素子中の減少
並びに出力信号線を一本にする事により、信号処理回路
を一系統に減少でき、コストの低減がはかれる。又、該
出力信号線に低インピーダンスのプリアンプを接続する
事により、電流信号読み出し方式を用いた事により、各
スイッチ菓子のスイッチングノイズを低減せしめ、同時
に譲スイッチ素子と光センサーのRe時走りによって制
限される程屍の読み出しの高速化がはかれ有用である。
以上、本発明の密層″型−次元固体撮像素子はファクシ
ミリ、デジタルファクシミリ、デジタルコピア−2画像
・文字等の入力装置、電子メール等に利用できる。
ミリ、デジタルファクシミリ、デジタルコピア−2画像
・文字等の入力装置、電子メール等に利用できる。
第1図は従来の縮小光学系を用いる一次元固体撮像素子
の回路図、第2図は従来の固体撮像素子の動作波形図、
m s図は従来の密:lk型−次元固体撮像素子の実施
例の回路図、第4図は従来の固体撮像素子の実施例の動
作波形図、第5図は不発明の密着型−次元固体撮像素子
の実施例の回路図、第6図は本発明の固体撮像素子の実
施例の動作波形図である。 D、、D2 、D、、D、・・・、・・・・・・フォト
ダイオード ”I * ”t + ”* * D’4・・・、 ・・
・・・・α−8i7オトダイオード S工G、S工G1.S工G2.S工G5・・・・・・出
力信号線 cL” ’ + Q4 + Qt +Qs *Q4”・
+ ・” ・・・M Oi9 X イ7チ Q”L @Q”t +Q’ *Qt *Q s
+Q 4・・・、・・・・・・多結晶シリコンTPT
スイッチ E・・・・・・電源 1.31.55・・・・・・インバータ2.52・・・
・・・クロック・ゲート・インバータ5・・・・・・ノ
アゲート SP・・・・・・スタートパルス φ、7・・・・・・クロックパルス s、、s、 sSa、s、 、+・・、s’、 +B’
l +8’3 +8’4・・・・・・選択パルス 第1図 第2図
の回路図、第2図は従来の固体撮像素子の動作波形図、
m s図は従来の密:lk型−次元固体撮像素子の実施
例の回路図、第4図は従来の固体撮像素子の実施例の動
作波形図、第5図は不発明の密着型−次元固体撮像素子
の実施例の回路図、第6図は本発明の固体撮像素子の実
施例の動作波形図である。 D、、D2 、D、、D、・・・、・・・・・・フォト
ダイオード ”I * ”t + ”* * D’4・・・、 ・・
・・・・α−8i7オトダイオード S工G、S工G1.S工G2.S工G5・・・・・・出
力信号線 cL” ’ + Q4 + Qt +Qs *Q4”・
+ ・” ・・・M Oi9 X イ7チ Q”L @Q”t +Q’ *Qt *Q s
+Q 4・・・、・・・・・・多結晶シリコンTPT
スイッチ E・・・・・・電源 1.31.55・・・・・・インバータ2.52・・・
・・・クロック・ゲート・インバータ5・・・・・・ノ
アゲート SP・・・・・・スタートパルス φ、7・・・・・・クロックパルス s、、s、 sSa、s、 、+・・、s’、 +B’
l +8’3 +8’4・・・・・・選択パルス 第1図 第2図
Claims (1)
- (1)駆動回路及び該駆動回路によって順次選択される
スイッチアレイ及び該各々スイッチに直列に接続される
光センサーから成る固体撮像素子において、該駆動回路
がマスタースレーブ型シフトレジスタ(31、32)か
ら成り、かつ該駆動回路の選択パルス(S_1′、S_
2′、S_3′)によって選択される光センサー出力信
号を同一出力信号線上に導き、かつ該スイッチのオン抵
抗と光センサー容量の積を該選択パルス巾の5分の1以
下とした事を特徴とした固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194306A JPS6187465A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194306A JPS6187465A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187465A true JPS6187465A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16322406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59194306A Pending JPS6187465A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016051475A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | スイッチ制御回路、半導体装置および磁気インク読み取り装置 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59194306A patent/JPS6187465A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016051475A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | スイッチ制御回路、半導体装置および磁気インク読み取り装置 |
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