JPS6188480A - 局所加熱方法及び装置 - Google Patents

局所加熱方法及び装置

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JPS6188480A
JPS6188480A JP20819584A JP20819584A JPS6188480A JP S6188480 A JPS6188480 A JP S6188480A JP 20819584 A JP20819584 A JP 20819584A JP 20819584 A JP20819584 A JP 20819584A JP S6188480 A JPS6188480 A JP S6188480A
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JP
Japan
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gas
heating
heated
temperature distribution
substrate
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JP20819584A
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JPH0341952B2 (ja
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勝 坂口
大島 宗夫
旻 村田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Furnace Details (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、特に被加熱物上面を所望の温度分布に設定で
きる局所ガス加熱方法及び装置に関する。
〔発明の背景〕
配線基板上に電子部品をはんだ接続する方法においては
、耐熱性が低い部品を有するモジーールはモジュール全
体をはんだ溶融温度まで加熱することができないため、
はんだ付けする部品のみを局所的に加熱し、その近傍の
低耐熱性部品への影響を極力小さくする加熱方法が必要
である。この場合、接続歩留り及び接続の信頼性の面か
ら、はんだ接続部が均一に加熱されることが重要である
従来の局所加熱方法及び装置として、より MTeal
mical Disclosure Bulletin
における” HOT GASGLTN’ (Tol、 
15 No、 3 August 1972)に示され
ているものがある。これは石英管の内部にヒータを組み
込み、このヒータに通電すると同時に石英管の一端から
ガスを送入し、他端から加熱されたガスを送出するガス
加熱装置であり、この装置によって生成した加熱ガスを
はんだ何されるチップの背面に吹き付けてはんだ付けす
る方法も同時に示されている。
ところがこの方法においては、ガス吹出し口でのガス温
度分布は、ノズル先端形状によって決まってしまうため
、はんだ付けされる部品の形状、寸法、熱容量、基板の
材値が異なると、はんだ付は部の温度分布が不均一にな
ったり、接続不良の増加、接続信頼性の低下及び基板の
破損をまねく等の懸念があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記の問題点をなくし、被加熱面の温
度分布を所望の値に設定できる加熱方法及び装置を提供
することにある。
〔発明の概要〕
本発明においては、管内に複数個の発熱体を設置し、そ
れぞれの発熱体を独立に加熱制御することにより、加熱
される面の温度分布を所望の範囲に設定できるようにな
したことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図乃至第11図により詳
細に説明する。
第1図は本発明によるガス加熱装置の正面図、第2図は
平面図である。第1図及び第2図において、例えば石英
管2の内部には、複数個の発熱体aa、4h、4c、4
ct、4t、af、4yが配置されており、それぞれの
発熱体は、電力供給端子6α、6b、6C。
6d、6g、6f、6ダ(6L65は図示せず)に接続
されている。ガス送入口8は、電力供給端子盤10の上
部に配置され、石英管2の下部はガス送出口11となっ
ている。第3図〜第5図は、第1図及び第2図に示すガ
ス加熱装置により加熱されたガスの、ガス送出口11の
領域における温度分布を等温線図で示したものである。
以上の構成において、ガス送入口8からガスを送り込み
、各電力供給端子6α〜6!Iにあらかじめ実験によっ
て求めた値の電力を供給することにより、発熱体4α〜
4!Iが加熱され、この発熱体によって加熱されたガス
がガス送出口11から送り出される。
ここで、各発熱体4α〜4!1に独立して所望の電力を
供給することにより、ガス送出口11の位。
置でのガス温度分布を所望の値に設定することができる
。第3図は、外周部の6個の発熱体4α。
4.6,4c、4g 、4f、4gに同じ電力を供給し
、中心部の発熱体4dに外周部の発熱体より若干少ない
電力を供給した場合のガス温度分布である。また第4図
は、発熱体AC,4d、4gを高温にし、発熱体4α、
4ハ’fAyを低温にした場合の例、さらに第5図は発
熱体4α、ab*4ct、4f t’ダを高温にし、発
熱体4C24−を低温にした場合のガス温度分布図であ
る。
このように、発熱体への電力供給量を個々に制御するこ
とにより、ガス温度分布の形状を種々変化させることが
できる。このため形状、大きさ、熱容量が異なる被加熱
物に対し、あらかじめ最適な温度分布形状を求めておけ
ば、異なった部品に対し常に最適の条件で加熱処理を再
現性よく行なうことができる。
第6図及び第7図は、石英管2の断面形状を短形及び長
円形にした他の実施例であるが、この場合においても、
第1図及び第2図に示した第1の実施例と同様の効果が
得られる。
第8図乃至第11図にさらに別の実施例を示す。第8図
は本発明による加熱方法によって配線基板上にLSIチ
ップをはんだリフロ接続する方法を示す正面図、第9図
は側面図、第10図は平面図である。また第11図は加
熱時の配線基板上の温度分布図である。各図において同
一符号は同一構成要素を示す。
第8図乃至第10図において、配線パターンが形成され
たガラスを用いた基板12の上面には、はんだバンプ1
3を有するLSIチップ14が位置合わせされ載置され
ている。基板12の下面及び上面には、チップ取り付は
エリア15及び基板端部16を開放形にした下部遮蔽板
17と上部遮蔽板18が設置されている。下部遮蔽板1
7は基板保持具(図示せず)に設置固定されている。基
板12の内部には耐熱性が例えば150℃の樹脂19が
固着されており、上部遮蔽板18はこの樹脂19の上面
を履って保護している。
基板12の上方に(ま、ガス加熱装置i20が配置され
ている。このガス加熱装置20は、長円形をした石英管
21内に、それぞれ独立に電力が供給できる構成にした
4個の発熱体22α、227,22c、22ctを有し
ており、第8図において左右方向、上下方向及び紙面に
垂直方向にスライドできる機構(図示せず)を有してい
る。
第11図において、基板12上に二点鎖線で表示した部
分はチップ取り付はエリア15で、その周辺の曲線は等
混線23である。
このような構成において、まず下部遮蔽板17の開放部
中央にチップ取り付はエリア15が位置するように、チ
ップ14を載置した基板12を設置する。次いで、基板
12の上面に上部遮蔽板18を設置する。次に、加熱さ
れたガスを吹き出すガス加熱装置20をチップ取り付は
エリア15の上方に位置するように設置する。ガス加熱
装置20内の各発熱体は、チップ取り付は部の温度分布
が第11図に示すように、チップ。
取り付はエリア15と基板端部16が等温になるように
あらかじめ設定されている。このような状態で一定時間
加熱することにより、はんだバンプ13は溶融し、基板
12とチップ14ははんだ接合される。はんだ溶融後、
一定時rJj経過後にガス加熱装置20をボンディング
部から移動させ、ボンディング部を自然冷却することに
より、接続部のはんだが凝固し、ボンディングが完了す
る。
本実施例では、基板にガラスを用いているため、基板端
部に引張り応力が作用すると容易に基板破断を起こして
致命的な不良となる。このような不良に発生させない温
度分布形状として第11図に示す如くチップ取り付はエ
リア15と基板端部16を等温とする湿度分布で加熱す
ることが有効である。ところが、チップ取り付はエリア
15には形状及び寸法が異なるLSIチップが取り付け
られることがあり、その都度チップ取り付はエリア15
での熱容量が異なり、一定条件の加熱ではチップの種類
によって異なる温度分布形状が生じ上述した不良の原因
となるが、本発明ではガス加熱装置20内の発熱体22
α、 225 、22C、22dの電力供給量をそれぞ
れのチップ形状に適合した値に設定することができ、チ
ップの種類が違っても常に最適な湿度分布形状を礎保す
ることができる。
〔発明の効果〕
以上述べた如く本発明によれば、チップ取り付はエリア
と基板端部を常に等温に保持することができるため、基
板端部においてガラス破断の原因となる引張り熱応力の
発生をなくすることができ、ボンディング処理時のガラ
ス破断不良を皆蕪にすることが可能である。また、加熱
ガス吹出し口でのガス温度分布を所望の値に選定できる
ため、寸法及び熱容量の異なる種々のチップに対しても
、常に最適なボンディング条件を容易に選定することが
可能となり、作業効率の向上及び接続歩留り、接続信頼
性の大巾向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるガス加熱装置の正面図、第2図は
第1図の平面図、第3図乃至第5gはガスの温度分布等
混線図、第6図及び第7図は本発明による他のガス加熱
装置の平面図、第8乃至第10図は本発明によるガス加
熱装置を用いたチップボンディング加熱方法のそれぞれ
正面図、側面図及び平面図、第11図は、チンプボンデ
ィング時の基板上面の温度分布等温線図である。 2.21・・・石英管、 4.22・・・発熱体、 12・・・基板、 14・・・チップ、 15・・・チップ取り付はエリア、 16・・・基板端部、 20・・・ガス加熱装置。 \゛−1−7′ 代理人弁理士 高  橋  明  夫 第 1 η 第 2圀 第6 口 第3力      躬 90 閉 11  口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)内部に発熱体を備えた管の中に気体を送入し、管
    の一端から加熱ガスを送出するようになした局所加熱方
    法において、上記管内に個々に発熱制御が可能な複数個
    の発熱体を設け、各発熱体の発熱量を所望の値に設定す
    ることにより、加熱される面の温度分布を所望の範囲に
    設定するように構成したことを特徴とする局所加熱方法
  2. (2)内部に発熱体を備えた管の中に気体を送入し、管
    の一端から加熱ガスを送出するようになした局所加熱装
    置において、上記管内に個々に発熱制御が可能な複数個
    の発熱体を備えたことを特徴とする局所加熱装置。
JP20819584A 1984-10-05 1984-10-05 局所加熱方法及び装置 Granted JPS6188480A (ja)

Priority Applications (1)

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JP20819584A JPS6188480A (ja) 1984-10-05 1984-10-05 局所加熱方法及び装置

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JP20819584A JPS6188480A (ja) 1984-10-05 1984-10-05 局所加熱方法及び装置

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Publication Number Publication Date
JPS6188480A true JPS6188480A (ja) 1986-05-06
JPH0341952B2 JPH0341952B2 (ja) 1991-06-25

Family

ID=16552230

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JP (1) JPS6188480A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012146842A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 Sensbey Co Ltd 選択はんだ付け装置および選択はんだ付け方法
US9391488B1 (en) 2014-12-17 2016-07-12 Shinano Kenshi Kabushiki Kaisha Rotary body driving apparatus
US12451767B2 (en) 2019-09-12 2025-10-21 Ebm-Papst St. Georgen Gmbh & Co. Kg External rotor device having integrated sensor system, and use

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012146842A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 Sensbey Co Ltd 選択はんだ付け装置および選択はんだ付け方法
US9391488B1 (en) 2014-12-17 2016-07-12 Shinano Kenshi Kabushiki Kaisha Rotary body driving apparatus
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