JPS6189221A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6189221A JPS6189221A JP20984084A JP20984084A JPS6189221A JP S6189221 A JPS6189221 A JP S6189221A JP 20984084 A JP20984084 A JP 20984084A JP 20984084 A JP20984084 A JP 20984084A JP S6189221 A JPS6189221 A JP S6189221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- glycol diglycidyl
- polyalkylene glycol
- diglycidyl ether
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims abstract 4
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- -1 phosphine compound Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性や、耐湿
性に優れる低応力エポキシ樹脂組成物に係るものであシ
、その特徴は、ポリアルキレングリコールジグリシジル
エーテルを樹脂中に均一分散させた後、樹脂成分と反応
、固定させるところにある。
性に優れる低応力エポキシ樹脂組成物に係るものであシ
、その特徴は、ポリアルキレングリコールジグリシジル
エーテルを樹脂中に均一分散させた後、樹脂成分と反応
、固定させるところにある。
近年、半導体関連技術の進歩はめざましく、ＬＳＩの集
積度は年々向上し、それに伴い配線の微細化とチップサ
イズの大型化が進んでいる。この傾向は、樹脂封止ＬＳ
ＩのＭ配線変形、パッジページ冒ンクラック、樹脂クラ
ックなどの故障を深刻化させた。これらの問題の解決の
為に、現在、半導体封止用樹脂に求められているのは、
低応力化である。
積度は年々向上し、それに伴い配線の微細化とチップサ
イズの大型化が進んでいる。この傾向は、樹脂封止ＬＳ
ＩのＭ配線変形、パッジページ冒ンクラック、樹脂クラ
ックなどの故障を深刻化させた。これらの問題の解決の
為に、現在、半導体封止用樹脂に求められているのは、
低応力化である。
エポキシ樹脂組成物はフェノール樹脂組成物やポリエス
テル樹脂組成物に比べ耐湿性に優れる為、広く半導体封
止用に用いられている。従来、低応力エポキシ樹脂組成
物を得る為に、合成ゴムの使用（特開昭５８−１７６９
５８ 、特開昭５７−１８０６２６、特開昭５８−１７
４４１６）や、シリコーン類の使用（特開昭５８−２１
０９２０．特開昭５７−３８２１）が検討されて来たが
、いずれも成形性（特に硬化性、パリ、離型性）が劣っ
たシ、エポキシ樹脂の耐湿性をそこなうなどの問題があ
った。
テル樹脂組成物に比べ耐湿性に優れる為、広く半導体封
止用に用いられている。従来、低応力エポキシ樹脂組成
物を得る為に、合成ゴムの使用（特開昭５８−１７６９
５８ 、特開昭５７−１８０６２６、特開昭５８−１７
４４１６）や、シリコーン類の使用（特開昭５８−２１
０９２０．特開昭５７−３８２１）が検討されて来たが
、いずれも成形性（特に硬化性、パリ、離型性）が劣っ
たシ、エポキシ樹脂の耐湿性をそこなうなどの問題があ
った。
本発明は、従来合成ゴムやシリコーン類の使用などによ
っては得ることのできなかった、成形性に優れかつ耐湿
性に優れる低応力エポキシ樹脂組成物を得んとして研究
した結果、ポリアルキレングリコールジグリシジルエー
テルを樹脂成分と反応、固定する事によシ、成形性、耐
湿性に優れ、熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性等に優
れる低応力エポキシ樹脂組成物が得られることを見い出
したものである。
っては得ることのできなかった、成形性に優れかつ耐湿
性に優れる低応力エポキシ樹脂組成物を得んとして研究
した結果、ポリアルキレングリコールジグリシジルエー
テルを樹脂成分と反応、固定する事によシ、成形性、耐
湿性に優れ、熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性等に優
れる低応力エポキシ樹脂組成物が得られることを見い出
したものである。
本発明は
（１）エポキシレジン用硬化剤又はエポキシレジン類と
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルの加熱
溶融混合物を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理剤等よシ
なる半導体対土用エポキシ樹脂組成物、 （２）エポキシレジン用硬化剤又はエポキシレジン類と
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルを、第
３級アミン若しくはこの誘導体、有機ホスフィン化合物
、有機アルミニウム化合物、チタン化合物、酸類の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の存在下で加熱溶融させた
混合物を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂、硬化剤
、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理剤等よシなる
半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルの加熱
溶融混合物を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理剤等よシ
なる半導体対土用エポキシ樹脂組成物、 （２）エポキシレジン用硬化剤又はエポキシレジン類と
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルを、第
３級アミン若しくはこの誘導体、有機ホスフィン化合物
、有機アルミニウム化合物、チタン化合物、酸類の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の存在下で加熱溶融させた
混合物を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂、硬化剤
、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理剤等よシなる
半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
ここでいう、ポリアルキレングリコールジグリシジルエ
ーテルとは、次の一般式で示されるもの全般を言う。
ーテルとは、次の一般式で示されるもの全般を言う。
（ｍ％ｎは２以上の整数、式中、Ｒｏ、Ｒ２Ｆｉ、−Ｃ
ｔＨ２ｔ−（ｔ ＝ ２〜１２）、シクロヘキシレン、
ナフチレン、ビフェニレン、アルキル基・アルコキシ基
・ハロゲンなどで置換されているフェニレンなどを表す
〕アルキレングリコールの分子量としては、２００〜１
０Ｑ０００、好ましくは２００〜ＩＱ０００、特に好ま
しくは３０ｏ〜Ｌｏｏｏが望ましい。このようなものの
例としてはポリエチレングリコールジグリシジル、ポリ
プロピレングリコールジグリシジルエーテルなどが挙げ
られる。
ｔＨ２ｔ−（ｔ ＝ ２〜１２）、シクロヘキシレン、
ナフチレン、ビフェニレン、アルキル基・アルコキシ基
・ハロゲンなどで置換されているフェニレンなどを表す
〕アルキレングリコールの分子量としては、２００〜１
０Ｑ０００、好ましくは２００〜ＩＱ０００、特に好ま
しくは３０ｏ〜Ｌｏｏｏが望ましい。このようなものの
例としてはポリエチレングリコールジグリシジル、ポリ
プロピレングリコールジグリシジルエーテルなどが挙げ
られる。
このようなポリアルキレングリコールジグリシジルエー
テルは、エポキシレジン用硬化剤、エポキシレジン類と
の相溶性に優れ均一分散しゃすいのみならず、触媒の非
存在下若しくは存在下において加熱溶融混合することに
よシ、容易に反応し固定化する。これを使用することに
より、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル
が樹脂外部へ溶出しない、成形性に優れ、かつ熱衝撃を
受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる低応力エポキシ
樹脂組成物を得ることができた。
テルは、エポキシレジン用硬化剤、エポキシレジン類と
の相溶性に優れ均一分散しゃすいのみならず、触媒の非
存在下若しくは存在下において加熱溶融混合することに
よシ、容易に反応し固定化する。これを使用することに
より、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル
が樹脂外部へ溶出しない、成形性に優れ、かつ熱衝撃を
受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる低応力エポキシ
樹脂組成物を得ることができた。
反応触媒の例としては
■第３級アミン又この誘導体
トリメチルアミン、トリエチルアミン、２．３．４．６
．７．８．９．１０−オクタハイドロ−ピラミド（１，
２−１）アゼピン等又はこれらの第４アンモニウム塩 ■有機ホスフィ／化合物 （ａ）第１・第２・・第３ホスフィン：オクチルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィン、フチルフェニルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン等 （ｂ）有機第３ホスフインとπ結合を有する化合物のベ
タイン型付加物：無水マレイン酸−トリフェニルホスフ
ィン付加物、チオイソシアネート−トリフェニルホスフ
ィン付加物、ジアゾジフェニルメタン−トリフェニルホ
スフィン付加物等（ｅ） 有機７ｈ ス＊ 二’） Ａ
塩： （ｆ６３ ＰＣＨ２Ｓｉ！’ ）” ＣＬｅ。
．７．８．９．１０−オクタハイドロ−ピラミド（１，
２−１）アゼピン等又はこれらの第４アンモニウム塩 ■有機ホスフィ／化合物 （ａ）第１・第２・・第３ホスフィン：オクチルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィン、フチルフェニルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン等 （ｂ）有機第３ホスフインとπ結合を有する化合物のベ
タイン型付加物：無水マレイン酸−トリフェニルホスフ
ィン付加物、チオイソシアネート−トリフェニルホスフ
ィン付加物、ジアゾジフェニルメタン−トリフェニルホ
スフィン付加物等（ｅ） 有機７ｈ ス＊ 二’） Ａ
塩： （ｆ６３ ＰＣＨ２Ｓｉ！’ ）” ＣＬｅ。
（１２１３ＰＥｔ ）’９ Ｉθ、Ｃｇ３ＰＥｔ ）Φ
Ｂｒｅｅｔｃ■有機アルミニウム化合物 （ａ） Ａｔ（ＯＲ）３（Ｒ： Ｈ、アルキル基、アリ
ール基、アリール基含有炭化水素基〕ニアルミニウムイ
ソプロポキシド、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミ
ニウムｔｅｒｔ−ブトキシド、アルミニウムｓｅｅ −
ブチレート、アルミニウムベンゾエート停缶）アルミニ
ウムのβジケトン錯体（アルミニウムキレート）ニアル
ミニウムアセチルアセトナト、アル之ニウムトリフルオ
ロアセチルアセトナト、アルミニウムペンタフルオロア
セチルアセトナト等 ■チタン化合物 ブチルチタネート、チタン白等 ■酸類 パラトルエンスルホン酸 等をあげることができる。
Ｂｒｅｅｔｃ■有機アルミニウム化合物 （ａ） Ａｔ（ＯＲ）３（Ｒ： Ｈ、アルキル基、アリ
ール基、アリール基含有炭化水素基〕ニアルミニウムイ
ソプロポキシド、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミ
ニウムｔｅｒｔ−ブトキシド、アルミニウムｓｅｅ −
ブチレート、アルミニウムベンゾエート停缶）アルミニ
ウムのβジケトン錯体（アルミニウムキレート）ニアル
ミニウムアセチルアセトナト、アル之ニウムトリフルオ
ロアセチルアセトナト、アルミニウムペンタフルオロア
セチルアセトナト等 ■チタン化合物 ブチルチタネート、チタン白等 ■酸類 パラトルエンスルホン酸 等をあげることができる。
ここでいう硬化剤とは、フェノールノボラック類が好適
であるが酸無水物、アミンを挙げることもできる。これ
らは単独で用いてもよいが併用もできる。フェノールノ
ボラック類とは、ノボラック骨格中にフェノール性水酸
基、又はこの誘導体を含むもの全般をいう。フェノール
類（フェノール、アルキルフェノール、レゾルシン等）
の単一成分ノボラックだけではなく、フェノール類の任
意の組み合せによる共縮合ノボラックや、フェノール類
と他の樹脂との共縮合ノボラックも含む。
であるが酸無水物、アミンを挙げることもできる。これ
らは単独で用いてもよいが併用もできる。フェノールノ
ボラック類とは、ノボラック骨格中にフェノール性水酸
基、又はこの誘導体を含むもの全般をいう。フェノール
類（フェノール、アルキルフェノール、レゾルシン等）
の単一成分ノボラックだけではなく、フェノール類の任
意の組み合せによる共縮合ノボラックや、フェノール類
と他の樹脂との共縮合ノボラックも含む。
又、ここでいう、エポキシ樹脂とは、エポキシ基を有す
るもの全般をいう。たとえば、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、トリアジン核含有
エポキシ樹脂等のことをいう。
るもの全般をいう。たとえば、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、トリアジン核含有
エポキシ樹脂等のことをいう。
尚、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル／
樹脂成分（エポキシレジン類、硬化剤）の比率が大きく
なるに従って低応力化するが樹脂成分（エポキシレジン
類、硬化剤）の反応性は低下する。ポリアルキレングリ
コールジグリシジルエーテル／樹脂成分（エポキシレジ
ン類、硬化剤）の混合比率や分子量そして、組成物中で
の使用比率等は目的によシ選択することによって特長を
最大限に引き出すことができる。特に、エポキシ樹脂低
圧封入成形材料用としては、樹脂成分として ゛フ
ェノールノボラック類を用いることがのぞましく、ポリ
アルキレングリコールジグリシジルエーテル／フェノー
ルノボラック類の比率がエポキシ基１０Ｈ基モル比で４
゜−４８１成形材料中のポリアルキレングリコールジグ
リシジルエーテルの使用比率が０．１〜５重量％、フェ
ノールノボラック類の分子量が５００以下であることが
望ましい。
樹脂成分（エポキシレジン類、硬化剤）の比率が大きく
なるに従って低応力化するが樹脂成分（エポキシレジン
類、硬化剤）の反応性は低下する。ポリアルキレングリ
コールジグリシジルエーテル／樹脂成分（エポキシレジ
ン類、硬化剤）の混合比率や分子量そして、組成物中で
の使用比率等は目的によシ選択することによって特長を
最大限に引き出すことができる。特に、エポキシ樹脂低
圧封入成形材料用としては、樹脂成分として ゛フ
ェノールノボラック類を用いることがのぞましく、ポリ
アルキレングリコールジグリシジルエーテル／フェノー
ルノボラック類の比率がエポキシ基１０Ｈ基モル比で４
゜−４８１成形材料中のポリアルキレングリコールジグ
リシジルエーテルの使用比率が０．１〜５重量％、フェ
ノールノボラック類の分子量が５００以下であることが
望ましい。
上記以外の範囲では成形性が悪くなる等の欠点を生じる
場合もちシうる。
場合もちシうる。
仁のように本発明方法に従うと、成形性、耐湿性に優れ
、かつ熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる
低応力エポキシ樹脂組成物を得ることができる。特に、
半導体封止用途では今後ますますプラスチックパッケー
ジ化が予想され、又、そのためにプラスチックの低応力
化が要求されている今日においては本発明の産業的意味
役割は非常に大きい。
、かつ熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる
低応力エポキシ樹脂組成物を得ることができる。特に、
半導体封止用途では今後ますますプラスチックパッケー
ジ化が予想され、又、そのためにプラスチックの低応力
化が要求されている今日においては本発明の産業的意味
役割は非常に大きい。
以下、半導体封止用成形材料での検討例で説明する。例
で用いた部は全て重量部である。本発明による実施例は
従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性・耐クラ
ツク性の点で優れておシ工業的に利用できる高付加価値
を有している。
で用いた部は全て重量部である。本発明による実施例は
従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性・耐クラ
ツク性の点で優れておシ工業的に利用できる高付加価値
を有している。
本実施例で用いたポリアルキレングリコールジグリシジ
ルエーテルとは次の通りである。
ルエーテルとは次の通りである。
Ａ：ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（
エポキシ轟１１９０、粘度４５ ｃｐｓ ）Ｂ：ポリプ
ロピレングリコールジグリシジルエーテル（エポキシ当
量３２０、粘度７５ ｃｐｓ ）Ｃ：ポリエチレングリ
コールジグリシジルエーテル（エポキシ当量１５０１粘
度２５ ｃｐｓ ）Ｄ＝ポリエチレングリコールジグリ
シジルエーテル（エポキシ当量２８５、粘度１８０ ｃ
ｐｓ ）又、本実施例で使用した反応触媒とは次の通シ
である。
エポキシ轟１１９０、粘度４５ ｃｐｓ ）Ｂ：ポリプ
ロピレングリコールジグリシジルエーテル（エポキシ当
量３２０、粘度７５ ｃｐｓ ）Ｃ：ポリエチレングリ
コールジグリシジルエーテル（エポキシ当量１５０１粘
度２５ ｃｐｓ ）Ｄ＝ポリエチレングリコールジグリ
シジルエーテル（エポキシ当量２８５、粘度１８０ ｃ
ｐｓ ）又、本実施例で使用した反応触媒とは次の通シ
である。
触媒α： ） ＩＪ フェニルホスフィン触媒βニアル
ミニウムアセチルアセトナト触媒γ：２．３．４．６．
７．８．９．１０−オクタハイドロビラミド（１，２−
ａ）アセピン 実施例１〜６ ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルＸ部と
７エノールノボラツク（住友ベークライト製）ｙ部を反
応触媒の存在、非存在下１５０℃で１時間加熱混合した
後冷却粉砕し６種の変性硬化剤を得た。これらの変性硬
化剤に溶融シリカ（龍森製）７０部、表面処理剤（日本
ユニカーＡ−１８６）０．４部、前記のフェノールノボ
ラック（１０−ｙ）部、エポキシ樹脂（旭チパ： ＥＣ
Ｎ −１２７３）２０部、硬化促進剤（ケーアイ化成Ｐ
Ｐ−３６０／四国化成麗＝９／１）０．２部、顔料（三
菱化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャパンへキスト
ＯＰ／ヘキス）Ｓ＝１／１）０．４部を加え混合した後
コニージーで混練し、６種のエポキシ樹脂組成物を得た
。
ミニウムアセチルアセトナト触媒γ：２．３．４．６．
７．８．９．１０−オクタハイドロビラミド（１，２−
ａ）アセピン 実施例１〜６ ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルＸ部と
７エノールノボラツク（住友ベークライト製）ｙ部を反
応触媒の存在、非存在下１５０℃で１時間加熱混合した
後冷却粉砕し６種の変性硬化剤を得た。これらの変性硬
化剤に溶融シリカ（龍森製）７０部、表面処理剤（日本
ユニカーＡ−１８６）０．４部、前記のフェノールノボ
ラック（１０−ｙ）部、エポキシ樹脂（旭チパ： ＥＣ
Ｎ −１２７３）２０部、硬化促進剤（ケーアイ化成Ｐ
Ｐ−３６０／四国化成麗＝９／１）０．２部、顔料（三
菱化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャパンへキスト
ＯＰ／ヘキス）Ｓ＝１／１）０．４部を加え混合した後
コニージーで混練し、６種のエポキシ樹脂組成物を得た
。
これらの成形材料の成形性、耐クラツク性を測定した結
果、第１表のように比較例に比べて優れることがわかっ
た。又、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテ
ルは多い程、耐クラツク性に優れるが多すぎると成形性
に劣った。
果、第１表のように比較例に比べて優れることがわかっ
た。又、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテ
ルは多い程、耐クラツク性に優れるが多すぎると成形性
に劣った。
実施例７〜１２
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルｘ部と
エポキシ樹脂（旭チパ： ＥＣＮ −１２７３） １部
を反応触媒の存在、非存在下１５０℃で１時間加熱混合
した後冷却粉砕し、６種の変性エポキシ樹脂を得た。こ
れら、変性エポキシ樹脂に溶融シリカ７０部、表面処理
剤０．４部、前記のエポキシ樹脂（２０−ｚ）部、フェ
ノールノボラック１０部、硬化促進剤α２部、顔料０．
５部、離型剤０，４部（いずれも実施例１〜６と同一原
料）を実施例１〜６と同様に材料化した。これらの成形
材料の成形性、耐クラツク性を測定した結果、第２表の
ように比較例に比べて優れることがわかった。
エポキシ樹脂（旭チパ： ＥＣＮ −１２７３） １部
を反応触媒の存在、非存在下１５０℃で１時間加熱混合
した後冷却粉砕し、６種の変性エポキシ樹脂を得た。こ
れら、変性エポキシ樹脂に溶融シリカ７０部、表面処理
剤０．４部、前記のエポキシ樹脂（２０−ｚ）部、フェ
ノールノボラック１０部、硬化促進剤α２部、顔料０．
５部、離型剤０，４部（いずれも実施例１〜６と同一原
料）を実施例１〜６と同様に材料化した。これらの成形
材料の成形性、耐クラツク性を測定した結果、第２表の
ように比較例に比べて優れることがわかった。
比較例
溶融シリカ７０部、エポキシ樹脂２０部、フェノールノ
ボラック１０部、表面処理剤０．４部、硬化促進剤α２
部、顔料α５部、離型剤０．４部（いずれも実施例と同
ｉ原料）を混合した後コニージーで混練し、エポキシ樹
脂組成物を得た。この成形材料の成形性、耐り２ツク性
、耐湿性の結果は表の通シで実施例に比べて耐クラツク
性の点で大幅に劣る。
ボラック１０部、表面処理剤０．４部、硬化促進剤α２
部、顔料α５部、離型剤０．４部（いずれも実施例と同
ｉ原料）を混合した後コニージーで混練し、エポキシ樹
脂組成物を得た。この成形材料の成形性、耐り２ツク性
、耐湿性の結果は表の通シで実施例に比べて耐クラツク
性の点で大幅に劣る。
＊１．１６ ｐｉｎ ＤＩＰを成形した時のリードビン
上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のに以下
の時Ａ、ｈ〜号の時Ｂ、与〜起の時Ｃ１３以上（タイバ
ーを超えた）Ｄ ＊２ＴＣＴ、 ４叫Ｘ ９ｖｔｓの大きさの模擬素子を
封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰに一６５℃（３０分）
″室温（５分）、１５０℃（３０分）なる熱衝撃を２０
０サイクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊３ＴＳＴ１４＃Ｘ ６ｗｎの大きさの模擬素子を封止
した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰに一１６５℃（２分）１５
０℃（２分）なる熱衝撃を２００サイクル与えクラック
発生数／総数で判定 ＊４耐湿性、アルミ模擬素子を封止した１ ６ｐｉｎＤ
ＩＰを１３５℃、１００チの条件で１０００ｈｒ保管し
アルミ腐食による不良率／総数で判定
上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のに以下
の時Ａ、ｈ〜号の時Ｂ、与〜起の時Ｃ１３以上（タイバ
ーを超えた）Ｄ ＊２ＴＣＴ、 ４叫Ｘ ９ｖｔｓの大きさの模擬素子を
封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰに一６５℃（３０分）
″室温（５分）、１５０℃（３０分）なる熱衝撃を２０
０サイクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊３ＴＳＴ１４＃Ｘ ６ｗｎの大きさの模擬素子を封止
した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰに一１６５℃（２分）１５
０℃（２分）なる熱衝撃を２００サイクル与えクラック
発生数／総数で判定 ＊４耐湿性、アルミ模擬素子を封止した１ ６ｐｉｎＤ
ＩＰを１３５℃、１００チの条件で１０００ｈｒ保管し
アルミ腐食による不良率／総数で判定
Claims (2)
- （１）エポキシレジン用硬化剤又はエポキシレジン類と
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルの加熱
溶融混合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 - （２）エポキシレジン用硬化剤又はエポキシレジン類と
ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルを、第
３級アミン若しくはこの誘導体、有機ホスフィン化合物
、有機アルミニウム化合物、チタン化合物、酸類の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の存在下で、加熱溶融させ
た混合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20984084A JPS6189221A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20984084A JPS6189221A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189221A true JPS6189221A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16579486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20984084A Pending JPS6189221A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189221A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242616A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01287131A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-11-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化促進剤 |
| JP2006265274A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置 |
| JP2007002233A (ja) * | 2005-05-24 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに該組成物で封止保護された発光半導体装置 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP20984084A patent/JPS6189221A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242616A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01287131A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-11-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化促進剤 |
| JP2006265274A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置 |
| JP2007002233A (ja) * | 2005-05-24 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに該組成物で封止保護された発光半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20100033967A (ko) | 일액형 시아네이트-에폭시 복합 수지 조성물 | |
| KR100243708B1 (ko) | 반도체 캡슐화 에폭시 수지조성물 및 그것으로 캡슐화된 반도체장치(Semiconductor Encapsulating Epoxy Resin Compositions and Semiconductor Devices Encapsulated Therewith) | |
| KR20110124265A (ko) | 일액형 시안산에스테르-에폭시 복합 수지 조성물 | |
| WO2016088815A1 (ja) | テトラメチルビフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、硬化物及び半導体封止材 | |
| CN1957013B (zh) | 用于封装半导体的树脂组合物及半导体装置 | |
| KR101803123B1 (ko) | 잠재성 경화제 조성물 및 일액 경화성 에폭시 수지 조성물 | |
| JP6476527B2 (ja) | 液状多価ヒドロキシ樹脂、その製造方法、エポキシ樹脂用硬化剤、エポキシ樹脂組成物、その硬化物およびエポキシ樹脂 | |
| JPS6189247A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6189221A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| CN110819068A (zh) | 半导体封装用热固性树脂组合物和半导体装置 | |
| JP4201632B2 (ja) | エポキシ樹脂用硬化剤組成物 | |
| JPH05259316A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62290720A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JPH0977958A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP3212075B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6317926A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6356515A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR100529258B1 (ko) | 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물 | |
| JP3056634B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6162512A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH03212423A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JP2823636B2 (ja) | 高耐熱性エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001081156A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0320350A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH08337709A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |