JPS6189627A - 堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6189627A JPS6189627A JP59210492A JP21049284A JPS6189627A JP S6189627 A JPS6189627 A JP S6189627A JP 59210492 A JP59210492 A JP 59210492A JP 21049284 A JP21049284 A JP 21049284A JP S6189627 A JPS6189627 A JP S6189627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited film
- gas
- substrate
- vacuum chamber
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
- B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は、原料ガスを真空槽内に導入し、熱、気体プラ
ズマ、光等の適当なエネルギを与え、原本：１ガスに分
解反応又はその他の化学反応を生じさせることにより、
基体」二に所望の堆積膜を形成する方法に係り、特にシ
リコンを含む堆積膜形成方法に関する。
ズマ、光等の適当なエネルギを与え、原本：１ガスに分
解反応又はその他の化学反応を生じさせることにより、
基体」二に所望の堆積膜を形成する方法に係り、特にシ
リコンを含む堆積膜形成方法に関する。
［従来技術］
従来、アモルファスシリコン（以下、 ａ−Ｓｉ 、！
：記す、）の堆積膜を形成する方法として、ＳｉＨ４又
はＳ・１２Ｈ６を原料ガスとして用いたグロー放電堆積
法、熱エネルギ堆積法゛又は光エネルギ堆積法等が知ら
れている。
：記す、）の堆積膜を形成する方法として、ＳｉＨ４又
はＳ・１２Ｈ６を原料ガスとして用いたグロー放電堆積
法、熱エネルギ堆積法゛又は光エネルギ堆積法等が知ら
れている。
しかし、上記原料ガスから形成されるシリコンを含む堆
積膜では、堆積方法により程度の差はあるが、５ｉ−Ｈ
結合及び５ｉ−）１２結合が同じオーダの置台まれ、ど
ちらかの結合のみを選択的に多量に含む堆ａ膜を得るこ
とは出来なかった。
積膜では、堆積方法により程度の差はあるが、５ｉ−Ｈ
結合及び５ｉ−）１２結合が同じオーダの置台まれ、ど
ちらかの結合のみを選択的に多量に含む堆ａ膜を得るこ
とは出来なかった。
一方、Ｄ、１．Ｗｏ＋、、ｆａｒｄ等によれば（Ａｐｐ
ｌ、 ’Ｐｈｙｓ。
ｌ、 ’Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔｙ、４２（４）、１５ Ｆｅｂｒｕａｒｙ Ｉ
ｎ２） 、−基体を室温付近に保持し、原料ガスのみを
高温に加熱することで形成される堆積膜においては、可
視領域に強いフォトルミネッセンスがａ測され、その強
度および膜の電子スピン共鳴法により測定される欠陥密
度と、膜中に含まれる５ｉ−８２結合の量と、の強い相
関が示唆されている。例えば、膜中の５ｉ−Ｈ２結合又
は−（Ｓｉ−）１２ ）ｎ−鎖が増加するに従い、欠陥
密度が減少し、フォトルミネッセンス強度が増大する。
ｎ２） 、−基体を室温付近に保持し、原料ガスのみを
高温に加熱することで形成される堆積膜においては、可
視領域に強いフォトルミネッセンスがａ測され、その強
度および膜の電子スピン共鳴法により測定される欠陥密
度と、膜中に含まれる５ｉ−８２結合の量と、の強い相
関が示唆されている。例えば、膜中の５ｉ−Ｈ２結合又
は−（Ｓｉ−）１２ ）ｎ−鎖が増加するに従い、欠陥
密度が減少し、フォトルミネッセンス強度が増大する。
このようなＷｏｌｆｏｒｄ 等の方法は、基体を低温に
保つことにより基体における反応を極力抑え、気相中で
の反応による生成物質を基体上に直接堆積させる方法で
あり、膜中のＳ １−Ｈ２結合量を多くすることができ
るが、まだ十分とは言えない。
保つことにより基体における反応を極力抑え、気相中で
の反応による生成物質を基体上に直接堆積させる方法で
あり、膜中のＳ １−Ｈ２結合量を多くすることができ
るが、まだ十分とは言えない。
このように、上記従来の堆積膜形成方法は、堆積膜の品
質を決定する５ｉ−Ｈ２結合量を十分増加させることが
できなかった。
質を決定する５ｉ−Ｈ２結合量を十分増加させることが
できなかった。
［発明の目的コ
本発明は、このような従来の問題点を解決し、欠陥密度
が少なく、フォトルミネッセンス強度が大きな良質の堆
積膜を形成する方法を提供する。
が少なく、フォトルミネッセンス強度が大きな良質の堆
積膜を形成する方法を提供する。
［発明の概要］
本発明による堆積膜形成方法は、基体を収容した真空槽
内で、 Ｒ２Ｒ４ （ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、ｑいに同じ
でも異なっていてもよく、各々水素又は炭化水素基を表
わす。） という式で表わされるガス（以下、シリレンガスとする
。）を付加爪台させることにより、前記基体上にシリコ
ンを含む堆積膜を形成することを特徴とする。
内で、 Ｒ２Ｒ４ （ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、ｑいに同じ
でも異なっていてもよく、各々水素又は炭化水素基を表
わす。） という式で表わされるガス（以下、シリレンガスとする
。）を付加爪台させることにより、前記基体上にシリコ
ンを含む堆積膜を形成することを特徴とする。
ここで、上記炭化水素基としては、飽和又は不飽和の、
脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素
ノ、（笠があり、具体的には、例えばアルキル基（メチ
ルノ、シ エチル基、プロピル基、ブチル基等）、アリ
ル基（フェニル基、トリル基等）等、好ましくはアルキ
ル基又はフェニル基である。
脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素
ノ、（笠があり、具体的には、例えばアルキル基（メチ
ルノ、シ エチル基、プロピル基、ブチル基等）、アリ
ル基（フェニル基、トリル基等）等、好ましくはアルキ
ル基又はフェニル基である。
［実施例］
本発明による方法を用いて形成されるシリコンを含む堆
積膜は、結晶質でも非晶質でもよく、膜中のシリコンの
結合は、オリゴマー状からポリマー状までのいづれの形
態でもよい。
積膜は、結晶質でも非晶質でもよく、膜中のシリコンの
結合は、オリゴマー状からポリマー状までのいづれの形
態でもよい。
本発明において、シリレンを励起、重合するのに用いる
励起エネルギとしては、プラズマエネルギ、熱エネルギ
、又は光エネルギのいづれでも良く、それらの複合であ
っても良い。
励起エネルギとしては、プラズマエネルギ、熱エネルギ
、又は光エネルギのいづれでも良く、それらの複合であ
っても良い。
上記励起エネルギの作用を受けたシリレンガスは、二重
結合を開き、活性化した状態になる。活性化したガス分
子は、他の活性化したガス分子と重合するために、容易
に−（Ｓｉ−Ｈ２）ｎ−鎖が形成される。
結合を開き、活性化した状態になる。活性化したガス分
子は、他の活性化したガス分子と重合するために、容易
に−（Ｓｉ−Ｈ２）ｎ−鎖が形成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に使用する光エネルギを利
用したＣＶＤ装置の構成図である。
用したＣＶＤ装置の構成図である。
同図において、堆積膜の堆積を行う真空槽１内には、堆
積基体２および基体２を所望の温度を設定する熱浴３が
配置されている。また、光源４が真空槽１の上方に設置
され、光源４からの光が真空槽１に設けられた窓を通し
て基体２へ垂直に照射される。
積基体２および基体２を所望の温度を設定する熱浴３が
配置されている。また、光源４が真空槽１の上方に設置
され、光源４からの光が真空槽１に設けられた窓を通し
て基体２へ垂直に照射される。
水素ガスおよびシリレンガスは、それぞれ配管５および
６によって真空槽１内へ導入され、排気配管７によって
Ｉ」気される。なお、原材料であるシリレンは、気体状
態であっても、また液体状■；であっても良いが、常温
におい工液体状態であるときは、ベボライザを用いて予
め気化した後、配管６を通して真空槽ｌへ導入される。
６によって真空槽１内へ導入され、排気配管７によって
Ｉ」気される。なお、原材料であるシリレンは、気体状
態であっても、また液体状■；であっても良いが、常温
におい工液体状態であるときは、ベボライザを用いて予
め気化した後、配管６を通して真空槽ｌへ導入される。
また、シリレンガスは、必要に応じて配管５から供給さ
れる水素ガスと適当な比で混合されて真空槽１へ導入さ
れてもよい。
れる水素ガスと適当な比で混合されて真空槽１へ導入さ
れてもよい。
真空槽１内に導入された上記原料ガスは、光源４からの
光エネルギによって励起され、重合することで基体２丘
に堆積膜を形成する。
光エネルギによって励起され、重合することで基体２丘
に堆積膜を形成する。
光源４としては、例えば、水銀ランプ、キでノンランプ
、炭酩ガスレーザ、アルゴンイオンレーザ、エキシマレ
ーザ、窒素レーザ、色素レーザ等が用いられる。
、炭酩ガスレーザ、アルゴンイオンレーザ、エキシマレ
ーザ、窒素レーザ、色素レーザ等が用いられる。
堆積膜堆積時の真空槽１内のガス圧は、０．１Ｔｏｒｒ
〜常圧に保たれ、基体２の温度は室温〜３００℃まで、
好ましくは１００℃以下である。
〜常圧に保たれ、基体２の温度は室温〜３００℃まで、
好ましくは１００℃以下である。
なお、本実施例で用いる光エネルギは、紫外線工２ルギ
に限定されず、原料ガスを励起でき、結果としてシリレ
ンの重合反応をもたらすものであれば波長域を問うもの
ではない、また、光エネルギが原料ガスと基体２とに吸
収された後に、その熱エネルギによって、原料ガスが励
起され、堆積膜が堆積される、という方法も本発明の実
施態様である。
に限定されず、原料ガスを励起でき、結果としてシリレ
ンの重合反応をもたらすものであれば波長域を問うもの
ではない、また、光エネルギが原料ガスと基体２とに吸
収された後に、その熱エネルギによって、原料ガスが励
起され、堆積膜が堆積される、という方法も本発明の実
施態様である。
：３２図は、本発明の第２実施例に使用するプラズマＣ
ＶＤ装置の一例の構成図である。同図において、真空槽
１、基体２、熱浴３、排気配管７の構成は、第１図と同
様であるが、本実施例では。
ＶＤ装置の一例の構成図である。同図において、真空槽
１、基体２、熱浴３、排気配管７の構成は、第１図と同
様であるが、本実施例では。
プラズマグロー放重用のパワー電極８が真空槽ｌ内に基
体２と平行に設けられ、高周波電源９に接続されている
。
体２と平行に設けられ、高周波電源９に接続されている
。
上記と同様に、原料ガス等を真空４１！１へ導入する。
続いて、パワー電極８に高周波電力を供給してプラズマ
グロー放電を起こし、Ｌ記原料ガス等を励起して重合さ
せ、基体２上に堆積Ｖを堆積させる。
グロー放電を起こし、Ｌ記原料ガス等を励起して重合さ
せ、基体２上に堆積Ｖを堆積させる。
堆積膜堆積時の真空槽ｌ内のガス圧力は、０．ＩＴｏｒ
ｒ〜５ Ｔａｒｔに保たれ、基体２の温度は室温から３
００’Ｃまで、好ましくは１００℃以下である。
ｒ〜５ Ｔａｒｔに保たれ、基体２の温度は室温から３
００’Ｃまで、好ましくは１００℃以下である。
以上、第１および第２実施例において説明したように、
シリレンガスが励起されて重合されることにより、−（
Ｓｉ−）１２ ）ｎ−鎖を多量に含む堆積膜が容易に形
成される。
シリレンガスが励起されて重合されることにより、−（
Ｓｉ−）１２ ）ｎ−鎖を多量に含む堆積膜が容易に形
成される。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明による堆積膜形成方
法は、シリレンを原料ガスとして用い、重合させること
によって−（Ｓｉ−８２）ｎ−鎖を多量に含む堆積膜を
容易に得ることができる。
法は、シリレンを原料ガスとして用い、重合させること
によって−（Ｓｉ−８２）ｎ−鎖を多量に含む堆積膜を
容易に得ることができる。
また、本発明の方法によって形成される堆積膜は、 −
（Ｓｉ−８２）ｎ−釦を選択的に多く含むために、欠陥
密度が低く、且つフォトルミネッセンス強度が大きい良
質の堆積膜となる。
（Ｓｉ−８２）ｎ−釦を選択的に多く含むために、欠陥
密度が低く、且つフォトルミネッセンス強度が大きい良
質の堆積膜となる。
第１図は、本発明の一実施例に使用する光エネルギを利
用したＣＶＤ装置の一例の構成図、第２図は、本発明の
他の実施例に使用するプラズマＣＶＤ装置の一例の構成
図である。 １・・会真空槽 ２・・・基体 ４・・・光源 ５・・・水素ガス配管６・・・シリ
レンガス配管 ８１１ａΦパワー電極
用したＣＶＤ装置の一例の構成図、第２図は、本発明の
他の実施例に使用するプラズマＣＶＤ装置の一例の構成
図である。 １・・会真空槽 ２・・・基体 ４・・・光源 ５・・・水素ガス配管６・・・シリ
レンガス配管 ８１１ａΦパワー電極
Claims (1)
- （１）基体を収容した真空槽内で、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、互いに同じ
でも異なっていてもよく、各々水素又は炭化水素基を表
わす。） という式で表わされるガスを付加重合させることにより
、前記基体上にＳｉを含む堆積膜を形成することを特徴
とする堆積膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210492A JPH0685391B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 堆積膜形成方法 |
| US06/783,490 US4645684A (en) | 1984-10-09 | 1985-10-03 | Method for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210492A JPH0685391B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 堆積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189627A true JPS6189627A (ja) | 1986-05-07 |
| JPH0685391B2 JPH0685391B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=16590243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210492A Expired - Lifetime JPH0685391B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 堆積膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4645684A (ja) |
| JP (1) | JPH0685391B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
| JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US6113701A (en) | 1985-02-14 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method, and system |
| JPS6245035A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US5512102A (en) * | 1985-10-14 | 1996-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| CH668145A5 (fr) * | 1986-09-26 | 1988-11-30 | Inst Microtechnique De L Unive | Procede et installation de depot de silicium amorphe hydrogene sur un substrat dans une enceinte a plasma. |
| FR2614317B1 (fr) * | 1987-04-22 | 1989-07-13 | Air Liquide | Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre. |
| US4847469A (en) * | 1987-07-15 | 1989-07-11 | The Boc Group, Inc. | Controlled flow vaporizer |
| FR2631346B1 (fr) * | 1988-05-11 | 1994-05-20 | Air Liquide | Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications |
| JP3073327B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59210492A patent/JPH0685391B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-10-03 US US06/783,490 patent/US4645684A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4645684A (en) | 1987-02-24 |
| JPH0685391B2 (ja) | 1994-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4495218A (en) | Process for forming thin film | |
| JPS6189627A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH06151421A (ja) | 窒化ケイ素薄膜の形成方法 | |
| JPH01280323A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH0587171B2 (ja) | ||
| JPH0492893A (ja) | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 | |
| JPS60231498A (ja) | ダイヤモンド低圧合成法 | |
| JPH0341435B2 (ja) | ||
| JPS629189B2 (ja) | ||
| JPH0670970B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JP2681481B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JPS62188781A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPH01212768A (ja) | 光化学気相成長法による堆積膜形成方法 | |
| JPS60219728A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
| JPS6240650A (ja) | 光記録媒体の製造法 | |
| JPS6128443A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPS60218827A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS60221575A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
| JPH01222053A (ja) | ダイヤモンドコーテイング法 | |
| JPS60218830A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH06199595A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS6052579A (ja) | 光学的窒化膜形成装置 | |
| JP2007063637A (ja) | 有機薄膜製造方法および光ｃｖｄ装置 | |
| McCrate | Characterization of low density oxide surface sites using fluorescent probes | |
| JPS6118122A (ja) | 半導体製造装置 |