JPS6189632A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS6189632A JPS6189632A JP59211678A JP21167884A JPS6189632A JP S6189632 A JPS6189632 A JP S6189632A JP 59211678 A JP59211678 A JP 59211678A JP 21167884 A JP21167884 A JP 21167884A JP S6189632 A JPS6189632 A JP S6189632A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造工程に係り、特にレジストパ
ターンの形成方法に関する。
ターンの形成方法に関する。
超ＬＳＩをはじめとする半導体装置の集積度が高まるに
つれて、微細にしてかつ畠精度のパターン形成技術が要
求されている。このため、許容される寸法精度は非常に
厳しいものとなり、再先端分野では６インチマスク或い
は５インチウェハ内で３σ≦０．１μｍ（但しσはウェ
ハの平均寸法値に対するばらつきを示す）の寸法精度が
要求され始めている。また、量産ラインで使用されるた
めにはマスク間或いはウェハ間での寸法変動を３σ≦０
．１５μｍに抑えることが必要であり、一方吊産効果を
高めるためには高感度のレジストが必要とされると共に
、使用する露光６Ａ置（エネルギー照射装置）に適合し
た感度にすべくレジスト膜の感度制御が必要となってい
る。
つれて、微細にしてかつ畠精度のパターン形成技術が要
求されている。このため、許容される寸法精度は非常に
厳しいものとなり、再先端分野では６インチマスク或い
は５インチウェハ内で３σ≦０．１μｍ（但しσはウェ
ハの平均寸法値に対するばらつきを示す）の寸法精度が
要求され始めている。また、量産ラインで使用されるた
めにはマスク間或いはウェハ間での寸法変動を３σ≦０
．１５μｍに抑えることが必要であり、一方吊産効果を
高めるためには高感度のレジストが必要とされると共に
、使用する露光６Ａ置（エネルギー照射装置）に適合し
た感度にすべくレジスト膜の感度制御が必要となってい
る。
ところで従来、レジストパターンを形成する場合には、
第５図のフローヂｐ −１−に示すような方法が採用さ
れている。まず、被処理板（例えばマスク基板）上にリ
ンス１〜を回転塗布法や浸：貞法により塗布する（ステ
ップ１００）。次いで、基板上のレジストＩｌＱを所定
の温度（丁ｂ）でオーブン或いは熱板等の加熱手段で加
熱してプリベータを行なう（ステップ１０１）。次いで
所定時間だけプリベークした後に、レジスト膜を塗布し
た？！Ｈａ理板を常温、常圧中で２０〜３０分間程度自
然放冷してＶ温まで冷却する（ステップ１０２）。次い
で、冷却後の基板上のレジスト膜にそのレジストに応じ
た所定の露光量で露光を行ないくステップ１０３）、更
に所定の現像処理（ステップ１０４）およびリンス処理
を施してレジストパターンを形成する。
第５図のフローヂｐ −１−に示すような方法が採用さ
れている。まず、被処理板（例えばマスク基板）上にリ
ンス１〜を回転塗布法や浸：貞法により塗布する（ステ
ップ１００）。次いで、基板上のレジストＩｌＱを所定
の温度（丁ｂ）でオーブン或いは熱板等の加熱手段で加
熱してプリベータを行なう（ステップ１０１）。次いで
所定時間だけプリベークした後に、レジスト膜を塗布し
た？！Ｈａ理板を常温、常圧中で２０〜３０分間程度自
然放冷してＶ温まで冷却する（ステップ１０２）。次い
で、冷却後の基板上のレジスト膜にそのレジストに応じ
た所定の露光量で露光を行ないくステップ１０３）、更
に所定の現像処理（ステップ１０４）およびリンス処理
を施してレジストパターンを形成する。
しかしながら第５図に示した従来方法では、高感度のレ
ジストは解像性が劣るために所望の寸法精度を得ること
が難しく、逆に高解像性を有するレジストは低感度であ
るため量産ラインで必要とする高スルーブツトが得られ
ないという問題があった。また、レジストの感度調整を
同一リンストで行うことがｆｌシ＜、露光条件上もプロ
セス」ｌｂ制約された条件下でしか使用できず、適切な
条ｆｌ下でのレジストパターンを形成することができな
かった。また、プリベーク後の被処理板上のレジスト膜
の感度に差が生じ、高精度のレジストパターンの形成が
困九になるという欠点があった。
ジストは解像性が劣るために所望の寸法精度を得ること
が難しく、逆に高解像性を有するレジストは低感度であ
るため量産ラインで必要とする高スルーブツトが得られ
ないという問題があった。また、レジストの感度調整を
同一リンストで行うことがｆｌシ＜、露光条件上もプロ
セス」ｌｂ制約された条件下でしか使用できず、適切な
条ｆｌ下でのレジストパターンを形成することができな
かった。また、プリベーク後の被処理板上のレジスト膜
の感度に差が生じ、高精度のレジストパターンの形成が
困九になるという欠点があった。
本発明は上記の如き従来技術の欠点を克服するためにな
されたもので、レジスト膜の感度の安定化を図ると共に
任意の感度条件を選択することを容易にし、もって高精
度のレジストパターンを再現性よく形成しうるようにし
たレジストパターンの形成方法を提供するものである。
されたもので、レジスト膜の感度の安定化を図ると共に
任意の感度条件を選択することを容易にし、もって高精
度のレジストパターンを再現性よく形成しうるようにし
たレジストパターンの形成方法を提供するものである。
上記の目的を達成号−るため本発明は、レジスト膜を露
光した後にベーキングによって転移温度以上まで加熱し
、次いで所定の速度でレジスト膜を冷却して転移温度未
満にした後に、レジスト膜の現像処理を行うようにした
レジストパターンの形成方法を提供づるものである。
光した後にベーキングによって転移温度以上まで加熱し
、次いで所定の速度でレジスト膜を冷却して転移温度未
満にした後に、レジスト膜の現像処理を行うようにした
レジストパターンの形成方法を提供づるものである。
本発明に係る上記の如きリンス１−パターンの形成方法
は、下記の３つの知見にもとづいてなされている。
は、下記の３つの知見にもとづいてなされている。
第１の知見は、第５図に示す従来方法で・はブリベータ
後にレジスト膜が被覆された被処理数を自然冷却づ−る
ため、例えば被処理板を立置きした場合には、第６図に
示すような異なる温度の等温線Ｔ 、Ｔ２．−ｒ３
（Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３）が被処理板で生じるということで
ある。ここで、第６図は被処理（反の冷１４１中にＪｊ
けるある時間の状態を示しており、Ｊ′１間経過に伴っ
て刻々と変化する。第６図に図示づ゛る等）１シ線をも
つ被処理板上のレジストＩｔｓ！を露光、現像処理した
後のリンス１〜パターンの寸法分イｂを精密に測定した
結果、寸法分布と温度分布に強い相関ｌｌＩ係があるこ
とがわかった。
後にレジスト膜が被覆された被処理数を自然冷却づ−る
ため、例えば被処理板を立置きした場合には、第６図に
示すような異なる温度の等温線Ｔ 、Ｔ２．−ｒ３
（Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３）が被処理板で生じるということで
ある。ここで、第６図は被処理（反の冷１４１中にＪｊ
けるある時間の状態を示しており、Ｊ′１間経過に伴っ
て刻々と変化する。第６図に図示づ゛る等）１シ線をも
つ被処理板上のレジストＩｔｓ！を露光、現像処理した
後のリンス１〜パターンの寸法分イｂを精密に測定した
結果、寸法分布と温度分布に強い相関ｌｌＩ係があるこ
とがわかった。
第２の知見（ま、上記の被処理板の自然放冷時にＪ３い
て被処理（νを立置きにした場合の冷ＩＡ速度は、第７
ｒ２１に示づような冷１４１曲線へに従う速度で冷月１
される−１一部と、冷Ｕ１曲線Ｂにｉｌう速度で冷却さ
れる下部とが被処理板上で（］二じるということである
。
て被処理（νを立置きにした場合の冷ＩＡ速度は、第７
ｒ２１に示づような冷１４１曲線へに従う速度で冷月１
される−１一部と、冷Ｕ１曲線Ｂにｉｌう速度で冷却さ
れる下部とが被処理板上で（］二じるということである
。
第７図に図示する曲線Δで冷ＪＪｌされた被処理板上の
レジスト膜部分の感度について調べたところ、第８図に
示す曲線Ａ′のような感度特性を示すことがわかった。
レジスト膜部分の感度について調べたところ、第８図に
示す曲線Ａ′のような感度特性を示すことがわかった。
同様に第７図に図示する曲１ｉ１Ｂで冷却された被処理
板上のレジスト膜部分の感度は、第８図に図示する曲線
Ｂ′のような感度特イ１を示すことがわかった。これに
より冷却速度と感度特性の間には強い相関関係があり、
これらがパターン寸法の差異を生じさせる原因であるこ
とがわかった。
板上のレジスト膜部分の感度は、第８図に図示する曲線
Ｂ′のような感度特イ１を示すことがわかった。これに
より冷却速度と感度特性の間には強い相関関係があり、
これらがパターン寸法の差異を生じさせる原因であるこ
とがわかった。
第３の知見は、第５図に示す従来方法のプリベーク、自
然放冷を経たレジスト膜であっても、露光後、現像処理
前に該レジスト膜のガラス転移点温度ＴＯを越える温度
でベークを行なった後、冷却速度を変化させることによ
って感度が大幅に変化させることができるということで
ある。また、プリベークなどの際のレジスト膜に対する
熱聴歴がどのようなものであっても、現像前に改めて上
記のようにＴｇを越える温度でベークした後、冷加速度
を変化させることによって感度を変化させつるというこ
とがわかった。
然放冷を経たレジスト膜であっても、露光後、現像処理
前に該レジスト膜のガラス転移点温度ＴＯを越える温度
でベークを行なった後、冷却速度を変化させることによ
って感度が大幅に変化させることができるということで
ある。また、プリベークなどの際のレジスト膜に対する
熱聴歴がどのようなものであっても、現像前に改めて上
記のようにＴｇを越える温度でベークした後、冷加速度
を変化させることによって感度を変化させつるというこ
とがわかった。
以上の事から、第５図に示す従来技術では冷却過程での
冷却速度を制御していないため、冷却条件により感度が
ふらつき、それが高精度のレジストパターンの形成を困
難に；ノでいる原因であることがわかった。
冷却速度を制御していないため、冷却条件により感度が
ふらつき、それが高精度のレジストパターンの形成を困
難に；ノでいる原因であることがわかった。
以下、添付図面の第１図乃至第４図を参照して実施例に
もとづき本発明の詳細な説明する。第１図は本発明に係
るレジストパターンの形成方法を説明するフローチャー
トである。レジスト膜の塗布およびプリベークの工程は
第５図に示す従来の工程と同様である（ステップ１００
．１０１＞。
もとづき本発明の詳細な説明する。第１図は本発明に係
るレジストパターンの形成方法を説明するフローチャー
トである。レジスト膜の塗布およびプリベークの工程は
第５図に示す従来の工程と同様である（ステップ１００
．１０１＞。
プリベークの後にはレジスト膜の冷却がなされるが、こ
の冷部過程は自然放冷その他のいかなる方法によっても
よく、その熱履歴は問われない（ステップ２０１）。次
いでレジスト膜の露光が行なわれるが、この工程も第５
図の・従来工程と同様である（ステップ１０３）。
□ 露光の後に本発明の第１の特徴である現像前べ一りがな
される（ステップ２０２）。このベークに要する時間は
、レジスト１賛のガラス転移温度ＴＯを越えるまでの時
間で十分である。例えばポジ型の電子線感応レジストポ
リ（メチルメタクリレート）、ポリ（７０ロエチルαク
ロ０アクリレート）の場合には、ベーク時間は５分で充
分であった。
の冷部過程は自然放冷その他のいかなる方法によっても
よく、その熱履歴は問われない（ステップ２０１）。次
いでレジスト膜の露光が行なわれるが、この工程も第５
図の・従来工程と同様である（ステップ１０３）。
□ 露光の後に本発明の第１の特徴である現像前べ一りがな
される（ステップ２０２）。このベークに要する時間は
、レジスト１賛のガラス転移温度ＴＯを越えるまでの時
間で十分である。例えばポジ型の電子線感応レジストポ
リ（メチルメタクリレート）、ポリ（７０ロエチルαク
ロ０アクリレート）の場合には、ベーク時間は５分で充
分であった。
この現像前ベークの後に本発明の第２の特徴である速度
制御された冷却がなされる（ステップ２０３）。この冷
却速度を制御しあるいは選択することによって、レジス
ト膜の感度を制御あるいは選択することができる。この
冷却工程の後には従来方法と同様にして現像処理（ステ
ップ１０４）リンス処理等がなされる。
制御された冷却がなされる（ステップ２０３）。この冷
却速度を制御しあるいは選択することによって、レジス
ト膜の感度を制御あるいは選択することができる。この
冷却工程の後には従来方法と同様にして現像処理（ステ
ップ１０４）リンス処理等がなされる。
次に添付図面の第２＠および第３図を参照して、第１図
に示す本発明方法を実現する加熱冷却装置の一例を説明
する。
に示す本発明方法を実現する加熱冷却装置の一例を説明
する。
第２図は本発明の一実施例に係るレジストパターンの形
成工程に用いられる加熱冷却装置の概略図であり、第３
図は第２因に示す装置の要部拡大断面図である。底部を
除く壁体が断熱材料で形成されたチャンバ１の底部には
薄いガラス板２が設けられている。このチャンバ１内の
土壁には冷却媒体（例えば水）が流通する偏平状の中空
体３が水平に配設されており、この中空体３の両端は冷
却配管４ａ； ４ｂを介して冷却流体リザーバ５に連結
されている。入側の冷却配管４ａにはポンプ６が介装さ
れている。また、中空体３の下面には吸収率〜９′０％
の酸化アルミニウムからなる受熱板７が水平に設けられ
ている。更に、チャンバ１の左側壁にはバルブ８１を介
装したリーク用配管９が連結されており、チャンバ１の
右側壁にはバルブ８□を介装した吸引配管１０が３ｇ！
枯されている。この吸引配管１０の他端は真空ポンプ１
１に連結されている。チャンバ１底部のガラス板２には
上下動可能でガラス板２と密接乃至１１間するホットプ
レート１２が配設されている。
成工程に用いられる加熱冷却装置の概略図であり、第３
図は第２因に示す装置の要部拡大断面図である。底部を
除く壁体が断熱材料で形成されたチャンバ１の底部には
薄いガラス板２が設けられている。このチャンバ１内の
土壁には冷却媒体（例えば水）が流通する偏平状の中空
体３が水平に配設されており、この中空体３の両端は冷
却配管４ａ； ４ｂを介して冷却流体リザーバ５に連結
されている。入側の冷却配管４ａにはポンプ６が介装さ
れている。また、中空体３の下面には吸収率〜９′０％
の酸化アルミニウムからなる受熱板７が水平に設けられ
ている。更に、チャンバ１の左側壁にはバルブ８１を介
装したリーク用配管９が連結されており、チャンバ１の
右側壁にはバルブ８□を介装した吸引配管１０が３ｇ！
枯されている。この吸引配管１０の他端は真空ポンプ１
１に連結されている。チャンバ１底部のガラス板２には
上下動可能でガラス板２と密接乃至１１間するホットプ
レート１２が配設されている。
次に、第２図および第３図に示す加熱冷却装置を用いて
レジストパターンを形成する方法を具体的に説明する。
レジストパターンを形成する方法を具体的に説明する。
まず、ブランクマスク上にガラス転移温度（Ｔ Ｏ’
）崎１００℃のＥ８レジスト（ポリメチルメタクリレー
ト）を回転塗布して厚さ０．６μｍｒＬのレジスト膜を
形成する（レジスト塗布）。その後、１８０℃で１時１
８０？度オーブン等によ・リブリベークし、室温まで冷
却する。なお、露光工程の後には現像前べ＝り、温度コ
ントロール付冷却工程が用意されているので、この冷Ｉ
Ｊ１過程は前述のようにいかなる方法によるものであっ
てもよい。
）崎１００℃のＥ８レジスト（ポリメチルメタクリレー
ト）を回転塗布して厚さ０．６μｍｒＬのレジスト膜を
形成する（レジスト塗布）。その後、１８０℃で１時１
８０？度オーブン等によ・リブリベークし、室温まで冷
却する。なお、露光工程の後には現像前べ＝り、温度コ
ントロール付冷却工程が用意されているので、この冷Ｉ
Ｊ１過程は前述のようにいかなる方法によるものであっ
てもよい。
その後、所定のパターンを電子線露光でＨ＾く。
次いで、第２図及び第３図に示１°如くブランクマスク
１３を該マスクと同材質のカセット１４に収容し、その
状態で／Ｊセット１４をブーヤンバ１のガラス板上にレ
ジスト１９が上面側となるように水平にセクトする。次
いで、バルブ８１を閉じてバルブ８２を開き、真空ポン
プ１１を作動してチャンバ１内のガスを排気して真空！
５を１０−’ｔｏｒｒ程度とした後、ポットプレート１
２のヒータを加熱してブランクマスク１３上のレジスト
膜を１８０°Ｃで５分間ベークする（現象前ベーク）。
１３を該マスクと同材質のカセット１４に収容し、その
状態で／Ｊセット１４をブーヤンバ１のガラス板上にレ
ジスト１９が上面側となるように水平にセクトする。次
いで、バルブ８１を閉じてバルブ８２を開き、真空ポン
プ１１を作動してチャンバ１内のガスを排気して真空！
５を１０−’ｔｏｒｒ程度とした後、ポットプレート１
２のヒータを加熱してブランクマスク１３上のレジスト
膜を１８０°Ｃで５分間ベークする（現象前ベーク）。
現象前ベーク終了後、直ちにホットプレー１・１２を下
方に移動させてガラス板２に対して離間させ！ζ後、ポ
ンプ６を作動して冷却流体リザーバ５内の水を冷却配管
４ａ、中空体３、冷却配管４ｂを通して循環させて、中
空体３下面の受熱板７を十分に冷却する。この時、チャ
ンバ１内（よ高真空状態に保たれているＩＣめ、受熱板
７による放射熱伝達のみでブランクマスク１３上のリン
ス１〜Ｂ９が均一に所定の速度で冷却される。ブランク
マスク１３上のレジスト膜の表面温度がそのＴＯより低
くなった時に、バルブ８１を問いてリーク用配管９を通
してＮ２ガスを１０分間程度供給した後、カセット１４
と共にブランクマスク１３をチャンバ１から取り出す。
方に移動させてガラス板２に対して離間させ！ζ後、ポ
ンプ６を作動して冷却流体リザーバ５内の水を冷却配管
４ａ、中空体３、冷却配管４ｂを通して循環させて、中
空体３下面の受熱板７を十分に冷却する。この時、チャ
ンバ１内（よ高真空状態に保たれているＩＣめ、受熱板
７による放射熱伝達のみでブランクマスク１３上のリン
ス１〜Ｂ９が均一に所定の速度で冷却される。ブランク
マスク１３上のレジスト膜の表面温度がそのＴＯより低
くなった時に、バルブ８１を問いてリーク用配管９を通
してＮ２ガスを１０分間程度供給した後、カセット１４
と共にブランクマスク１３をチャンバ１から取り出す。
次いで、ＭＩＢＫ現像液（液温２５℃）で１３分間現像
処理を行い［ＡＡリンス液（Ｐ＆温２５°Ｃ）での３０
秒間のリンス処理を施してブランクマスク上にレジスト
パターンを形成する。なお上記の現咎処理にあたっては
、現像前ベーク後の冷却工程で冷却速度によってコント
ロールされたレジストパターンの感度に応じて現像条件
（現像液ｃＪ磨・温度等）を選択するようにづ−る。
処理を行い［ＡＡリンス液（Ｐ＆温２５°Ｃ）での３０
秒間のリンス処理を施してブランクマスク上にレジスト
パターンを形成する。なお上記の現咎処理にあたっては
、現像前ベーク後の冷却工程で冷却速度によってコント
ロールされたレジストパターンの感度に応じて現像条件
（現像液ｃＪ磨・温度等）を選択するようにづ−る。
このようにして上記の加熱冷却装置によりレジスト膜の
描画接に現像前ベーク、均一冷却を施した場合には、ブ
ランクマスクの面内での感１臭均−化により目的とづる
高ｆｉ′ＩＩＩのリンス１−パターンを形成することが
できる。また現像前ベータの後の冷却速度を制御−する
ことによって、所望の感度のレジストパターンをＶｌて
、現像条件を感度に合わせて適当に選ぶことにＪ：り現
像時間を大幅に短縮することができる。
描画接に現像前ベーク、均一冷却を施した場合には、ブ
ランクマスクの面内での感１臭均−化により目的とづる
高ｆｉ′ＩＩＩのリンス１−パターンを形成することが
できる。また現像前ベータの後の冷却速度を制御−する
ことによって、所望の感度のレジストパターンをＶｌて
、現像条件を感度に合わせて適当に選ぶことにＪ：り現
像時間を大幅に短縮することができる。
なお上記の実施例において、受熱板として吸収率の異な
る材料を用いて放射熱伝達のみでブランクマスク上のレ
ジスト膜の均一冷却を行なうことによって、感度の安定
化と共に、レジスト膜の感度を８μＣ／ ｃｍ〜０．５
μＣ／ ｃｍの範囲で変化させることができる。
る材料を用いて放射熱伝達のみでブランクマスク上のレ
ジスト膜の均一冷却を行なうことによって、感度の安定
化と共に、レジスト膜の感度を８μＣ／ ｃｍ〜０．５
μＣ／ ｃｍの範囲で変化させることができる。
上記実施例では冷ｆＪＩ流体すプーバ内の冷却媒体とし
て水を用いたが、この代りに他の冷却液体、或いは冷却
した窒素ガス、アルゴンガス又はフロンガス等を用いて
もよい。
て水を用いたが、この代りに他の冷却液体、或いは冷却
した窒素ガス、アルゴンガス又はフロンガス等を用いて
もよい。
また、本発明方法は第２図及び第３図に図示する加熱冷
却装置を用いて現像前ベーク、速度制御付均一冷却を行
なう場合に限定されない、、例えば第４図に示す如く、
底部に搬送ベルト１５が配置された偏平型のチャンバ１
′内の上部に受熱板７を水平に配置し、チャンバ１′内
にカセッ１−１４と共にセットしたブランクマスク１３
表面のレジスト膜と受熱板７との距１１ｆｌｔｄが７ｍ
以下と近接して配置できるような構造の加熱冷却装置を
用いてもよい。
却装置を用いて現像前ベーク、速度制御付均一冷却を行
なう場合に限定されない、、例えば第４図に示す如く、
底部に搬送ベルト１５が配置された偏平型のチャンバ１
′内の上部に受熱板７を水平に配置し、チャンバ１′内
にカセッ１−１４と共にセットしたブランクマスク１３
表面のレジスト膜と受熱板７との距１１ｆｌｔｄが７ｍ
以下と近接して配置できるような構造の加熱冷却装置を
用いてもよい。
このＪ：うな加熱冷却装置より、カセット１４のブラン
クマスク１３のレジスト膜をホットプレート１２による
加熱によって現像前ベークし、ホットプレート１２を下
方に移動させた後、中空体３内に水を流通させて受熱板
７を冷却すれば、プリベークされたブランクマスク１３
上レジスト膜は受熱（ｆ ７に対して７ ｍｍ以下と著
しく近接して配置されているため、チャンバ内を高真空
状態にしたのと同様、放射熱伝達のみでレジスト膜が冷
ｆｄｌされ、その結果均−冷ｕ１がなされる。従って、
第４図に図示り”る装置では、チャンバ１′内を高真空
にするための真空ポンプを付設せずに均一冷却を行なう
ことができるという利点がある。
クマスク１３のレジスト膜をホットプレート１２による
加熱によって現像前ベークし、ホットプレート１２を下
方に移動させた後、中空体３内に水を流通させて受熱板
７を冷却すれば、プリベークされたブランクマスク１３
上レジスト膜は受熱（ｆ ７に対して７ ｍｍ以下と著
しく近接して配置されているため、チャンバ内を高真空
状態にしたのと同様、放射熱伝達のみでレジスト膜が冷
ｆｄｌされ、その結果均−冷ｕ１がなされる。従って、
第４図に図示り”る装置では、チャンバ１′内を高真空
にするための真空ポンプを付設せずに均一冷却を行なう
ことができるという利点がある。
上記の如く本発明（・は、レジスト膜を露光した後にベ
ーキングによってガラス転移温度以上まで加熱し、次い
で所定の速度で均一にレジストｌＩ９を冷却してガラス
転移温度未満にした後に、レジスト膜の現像処理を行う
ようにしたので、レジスト膜の感度の安定化を図ると共
に任意の感度条件を選択することを容易にし、もって高
精度のレジストパターンを再現性よく形成しうるように
しｊこレジストパターンの形成方法を得ることができる
。
ーキングによってガラス転移温度以上まで加熱し、次い
で所定の速度で均一にレジストｌＩ９を冷却してガラス
転移温度未満にした後に、レジスト膜の現像処理を行う
ようにしたので、レジスト膜の感度の安定化を図ると共
に任意の感度条件を選択することを容易にし、もって高
精度のレジストパターンを再現性よく形成しうるように
しｊこレジストパターンの形成方法を得ることができる
。
また、本発明では、現像前ベーク後の冷！Ｊｌ工程にお
ける冷却速度を上げることによりレジストの増感効果を
秦づ−ることかできるので、現像時間を大幅に短縮して
スルーブツトの低下を抑えることができる。さらに本発
明では、現像前のベークをすることによってそれ以前の
レジスト膜の熱腰歴を無視できので、プリベーク後の冷
却、露光あるいは環境条件に起因するレジス１−面内の
感度のばらつきを除去し、高精度のレジストパターンを
形成することができる。
ける冷却速度を上げることによりレジストの増感効果を
秦づ−ることかできるので、現像時間を大幅に短縮して
スルーブツトの低下を抑えることができる。さらに本発
明では、現像前のベークをすることによってそれ以前の
レジスト膜の熱腰歴を無視できので、プリベーク後の冷
却、露光あるいは環境条件に起因するレジス１−面内の
感度のばらつきを除去し、高精度のレジストパターンを
形成することができる。
第１図は本発明方法の工程を説明するフローチャート、
第２図は本発明の一実施例を実現するための加熱冷却装
置の一例の概略図、第３図は第２図に示す装置の要部を
拡大した断面図、第４図は本発明の一実施例を実現する
ための加熱冷却装置の他の例の要部の断面図、第５図は
従来方法の工程を説明するフローチャート、第６図はプ
リベーク後の被処理板を立置きにして自然放冷した時の
温度等方線の説明図、第７図はプリベーク後の被処理板
を立置きにして自然放冷した時の冷却過程を示す特性図
、第８図は第７図に図示した異なる冷却過程のレジスト
部分における露光ωと膜厚残存率のａ係を示す特性図で
ある。 １．１′・・・ヂ↑！ンバ、３・・・鍋平状の中空体、
５・・・冷却流量リリ“−バ、７・・・受熱叛、１１・
・・真空ポンプ、１２・・・ホットプレート、１３・・
・ブランクマスク、１４・・・カセット、１５・・・搬
送ベルト。 出願人代理人 猪 股 清 第２図 ・帛８図 ５弓 間 （分） 露 世 量 ′、；’ｏｍ’、！ ｌＣ１２−
第２図は本発明の一実施例を実現するための加熱冷却装
置の一例の概略図、第３図は第２図に示す装置の要部を
拡大した断面図、第４図は本発明の一実施例を実現する
ための加熱冷却装置の他の例の要部の断面図、第５図は
従来方法の工程を説明するフローチャート、第６図はプ
リベーク後の被処理板を立置きにして自然放冷した時の
温度等方線の説明図、第７図はプリベーク後の被処理板
を立置きにして自然放冷した時の冷却過程を示す特性図
、第８図は第７図に図示した異なる冷却過程のレジスト
部分における露光ωと膜厚残存率のａ係を示す特性図で
ある。 １．１′・・・ヂ↑！ンバ、３・・・鍋平状の中空体、
５・・・冷却流量リリ“−バ、７・・・受熱叛、１１・
・・真空ポンプ、１２・・・ホットプレート、１３・・
・ブランクマスク、１４・・・カセット、１５・・・搬
送ベルト。 出願人代理人 猪 股 清 第２図 ・帛８図 ５弓 間 （分） 露 世 量 ′、；’ｏｍ’、！ ｌＣ１２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にレジスト膜を塗布形成してベーキングをす
る第１の工程と、所定波長域の電磁波あるいは所定エネ
ルギーの粒子線を前記レジスト膜に選択的に照射して露
光する第２の工程と、ベーキングによつて前記レジスト
膜を転移温度以上に加熱する第３の工程と、前記レジス
ト膜を転移温度未満の温度まで所定の速度で冷却する第
４の工程と、冷却後の前記レジスト膜を現像処理する第
５の工程とを備えるレジストパターンの形成方法。 ２、前記第４の工程におけるレジスト膜の冷却は放射熱
伝達により行うようにした特許請求の範囲第１項記載の
レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211678A JPH061759B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211678A JPH061759B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189632A true JPS6189632A (ja) | 1986-05-07 |
| JPH061759B2 JPH061759B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16609774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211678A Expired - Lifetime JPH061759B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061759B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255360A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| JPH02106758A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| WO2004090951A1 (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置および熱処理方法 |
| KR100543570B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2006-01-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 |
| JP2025530220A (ja) * | 2022-09-09 | 2025-09-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｅｕｖリソグラフィ用の真空焼成 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546559A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating semiconductor device |
| JPS5614975A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Rhythm Watch Co Ltd | Driving circuit of clock motor |
| JPS56100417A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Fujitsu Ltd | Forming method for resist pattern |
| JPS58224078A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ア−ク溶接機 |
| JPS58224079A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | タンク内周壁メンプレン溶接装置 |
| JPS5933585A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Fujitsu Ltd | タブレツト式入力方式 |
| JPS59104127A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5614975B2 (ja) | 2009-11-17 | 2014-10-29 | 積水化学工業株式会社 | 排水集合継手 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59211678A patent/JPH061759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546559A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating semiconductor device |
| JPS5614975A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Rhythm Watch Co Ltd | Driving circuit of clock motor |
| JPS56100417A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Fujitsu Ltd | Forming method for resist pattern |
| JPS58224078A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ア−ク溶接機 |
| JPS58224079A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | タンク内周壁メンプレン溶接装置 |
| JPS5933585A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Fujitsu Ltd | タブレツト式入力方式 |
| JPS59104127A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255360A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| JPH02106758A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| KR100543570B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2006-01-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 |
| WO2004090951A1 (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置および熱処理方法 |
| US7601933B2 (en) | 2003-04-01 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
| JP2025530220A (ja) * | 2022-09-09 | 2025-09-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｅｕｖリソグラフィ用の真空焼成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061759B2 (ja) | 1994-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |