JPH02106758A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02106758A JPH02106758A JP63260058A JP26005888A JPH02106758A JP H02106758 A JPH02106758 A JP H02106758A JP 63260058 A JP63260058 A JP 63260058A JP 26005888 A JP26005888 A JP 26005888A JP H02106758 A JPH02106758 A JP H02106758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- forming method
- pattern forming
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造等のリングラフィ工程におけるパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
従来の技術
半導体リングラフィにおいてサブミクロンの加工が光を
用いたフォトリングラフィによって可能である。
用いたフォトリングラフィによって可能である。
しかし、従来の技術では、０．５μｍ付近の解像につい
ては、光の回折現象などによりネ良となる場合がある。
ては、光の回折現象などによりネ良となる場合がある。
第２図を用いて、従来のパターン形成について説明する
。
。
基板１上に従来のポジレジストであるＭＰＳ１４００（
シブレイ）３を１．２μｍ厚に形成する（第２図ａ）。
シブレイ）３を１．２μｍ厚に形成する（第２図ａ）。
次に、ＮＡｏ、４２のｇ線（４３６ｎｍ）ヌテッパによ
りマスフ４を介して選択的に露光６する（第２図ｂ）。
りマスフ４を介して選択的に露光６する（第２図ｂ）。
露光エネルギーは１ｓｏｍＴ／ｃＪであった。アルカリ
現像（ＭＦ−３１９（シプレ３ へ−／ イ）６０秒）Ｋよシ露光部３Ｑを除去しレジストパター
ン３Ａを形成した（第２図ｃ）。パターン３Ａは０．５
μｍのライン・アンド・ヌベースパターンではあったが
、未露光部パターンの膜ベシが２０％と大きく、アスペ
クト比６５°の不良パターンであった。
現像（ＭＦ−３１９（シプレ３ へ−／ イ）６０秒）Ｋよシ露光部３Ｑを除去しレジストパター
ン３Ａを形成した（第２図ｃ）。パターン３Ａは０．５
μｍのライン・アンド・ヌベースパターンではあったが
、未露光部パターンの膜ベシが２０％と大きく、アスペ
クト比６５°の不良パターンであった。
発明が解決しようとする課題
と−のような不良パターンは、後工程であるエツチング
やイオン注入等において寸法変動を招き、結局、素子の
歩留まり低下の要因となるために危惧すべき問題であっ
た。
やイオン注入等において寸法変動を招き、結局、素子の
歩留まり低下の要因となるために危惧すべき問題であっ
た。
本発明は従来のパターン形成方法が有していたパターン
劣化を回避することを特徴とする。
劣化を回避することを特徴とする。
課題を解決するための手段
本発明は、従来のパターン形成方法によるパターン不良
を解決するために、選択的に露光を行った後Ｋ、温度勾
配をつけて加熱し、現像してパタンを形成する方法を提
供するものである。
を解決するために、選択的に露光を行った後Ｋ、温度勾
配をつけて加熱し、現像してパタンを形成する方法を提
供するものである。
作 用
本発明の如く、露光後に温度勾配をつけて、加熱するこ
とにより、露光部のレジストの感光体の拡散が均一化さ
れ、上部から下部にわたってレジストの感光状態が一定
となシ、その後の現像により、形状の良い矩形パターン
が得られることになる、このように、本発明により従来
方法の光回折などの問題は、回避されることになる。
とにより、露光部のレジストの感光体の拡散が均一化さ
れ、上部から下部にわたってレジストの感光状態が一定
となシ、その後の現像により、形状の良い矩形パターン
が得られることになる、このように、本発明により従来
方法の光回折などの問題は、回避されることになる。
又、この加熱後に冷却すれば、この拡散がより顕著とな
シ、よシ高アヌベク１−此のパターンを得ることができ
る。
シ、よシ高アヌベク１−此のパターンを得ることができ
る。
本発明に係る加熱としては、約７０℃から約１４０℃ま
での間の加熱を約１０℃以上の幅をつけて約３０秒間以
上の勾配によることが望ましいが、必ずしもこれに限定
されることはない。
での間の加熱を約１０℃以上の幅をつけて約３０秒間以
上の勾配によることが望ましいが、必ずしもこれに限定
されることはない。
冷却としては、約１０秒から３分の間に室温に戻すよう
なことが望ましいがこれに限定されることはない。
なことが望ましいがこれに限定されることはない。
なお、加熱する際に温度勾配をつけないときには、本発
明の如き一様なレジストの感光状態は得られず、パター
ンの形状は向」ニジない。
明の如き一様なレジストの感光状態は得られず、パター
ンの形状は向」ニジない。
実施例
５ へ−５・
本発明のパターン形成方法を第１図を用いて説明する。
半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料（ポジ
レジスト）２を１．２μｍ厚に形成する（第１図ａ）。
レジスト）２を１．２μｍ厚に形成する（第１図ａ）。
次に、ＮＡｏ、４２のｇ線（４３６ｍｍ）ステッパによ
りマヌク４を介して材料２を選択的に紫外線（ｇ線）５
にて露光する（第１図ｂ）。露光エネルギーは１８０ｍ
Ｊ ／ｃａであった。
りマヌク４を介して材料２を選択的に紫外線（ｇ線）５
にて露光する（第１図ｂ）。露光エネルギーは１８０ｍ
Ｊ ／ｃａであった。
この後、８０℃から１０ｏ°ｃまで１分間温度勾配をつ
けて加熱した（第１図Ｃ）。
けて加熱した（第１図Ｃ）。
この加熱により、第１図ｄの如く、レジスト中の露光部
２０中の感光体が一様に拡散され、現像時におけるレジ
スト上下部での現像速度が一様化されマヌクエソヂでの
回折光による影響がなくなル、パターンの矩形性が増大
することになる。しかる後、アルカリ現像（ＭＦ−３１
９（シブレイ）６０秒）により材料２の露光部２０を除
去しレジストパターン２Ａを形成した（第１図ｅ）。形
成されたパターン２Ａは膜ベシの全くないアスペクト比
８９０の良好な０．６μｍライン・アンド・ス６ ・・
２ ペーヌのレジストパターンであった。
２０中の感光体が一様に拡散され、現像時におけるレジ
スト上下部での現像速度が一様化されマヌクエソヂでの
回折光による影響がなくなル、パターンの矩形性が増大
することになる。しかる後、アルカリ現像（ＭＦ−３１
９（シブレイ）６０秒）により材料２の露光部２０を除
去しレジストパターン２Ａを形成した（第１図ｅ）。形
成されたパターン２Ａは膜ベシの全くないアスペクト比
８９０の良好な０．６μｍライン・アンド・ス６ ・・
２ ペーヌのレジストパターンであった。
このパターン２Ａをマヌクとして基板１又は基板１上に
形成されている絶縁又は導体膜にエツチング加工を施し
、半導体装置製造用の微細加工を施す。
形成されている絶縁又は導体膜にエツチング加工を施し
、半導体装置製造用の微細加工を施す。
発明の効果
本発明のパターン形成材料を用いることにより、紫外光
や遠紫外光、ＥＢ、Ｘ線などの光源により膜減シのない
高アヌベクト比のパターンが得られ、半導体素子製造の
歩留まり向上につながシ工業的価値が大きい。
や遠紫外光、ＥＢ、Ｘ線などの光源により膜減シのない
高アヌベクト比のパターンが得られ、半導体素子製造の
歩留まり向上につながシ工業的価値が大きい。
第１図ａ ％ ｅは本発明の一実施例のパターン形成方
法の工程断面図、第２図ａ −ｃは従来のパターン形成
方法の工程断面図である。 １・・ 基板、２・・・・・・本発明のパターン形成材
料、４・・・ マヌク、６・・・・・・ｇ線（４ｓｅｎ
ｍ）光、２Ａパターン。
法の工程断面図、第２図ａ −ｃは従来のパターン形成
方法の工程断面図である。 １・・ 基板、２・・・・・・本発明のパターン形成材
料、４・・・ マヌク、６・・・・・・ｇ線（４ｓｅｎ
ｍ）光、２Ａパターン。
Claims (4)
- （１）基板上にレジストを形成し、選択的に露光を行っ
た後、温度勾配をつけて前記レジストを加熱し、現像に
より前記レジストの露光部を除去し前記レジストのパタ
ーンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - （２）基板上にレジストを形成し、選択的に露光を行っ
た後、温度勾配をつけて前記レジストを加熱し、冷却後
現像により前記レジストの露光部を除去し前記レジスト
のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方
法。 - （３）加熱が、約７０℃から約１４０℃までの間で約１
０℃以上の幅をつけて約３０秒間以上の勾配によること
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
パターン形成方法。 - （４）冷却が、約１０秒から３分の間に室温に戻すこと
を特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260058A JPH02106758A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260058A JPH02106758A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106758A true JPH02106758A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17342720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63260058A Pending JPH02106758A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955385A (en) * | 1989-02-06 | 1990-09-11 | C. R. Bard, Inc. | Ultrasound targeting system for shockwave lithotripsy |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895638A (ja) * | 1972-03-21 | 1973-12-07 | ||
| JPS60157222A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS6189632A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS62162330A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63221618A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト加熱装置 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63260058A patent/JPH02106758A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895638A (ja) * | 1972-03-21 | 1973-12-07 | ||
| JPS60157222A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS6189632A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS62162330A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63221618A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト加熱装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955385A (en) * | 1989-02-06 | 1990-09-11 | C. R. Bard, Inc. | Ultrasound targeting system for shockwave lithotripsy |
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