JPS6189652A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS6189652A JPS6189652A JP59211956A JP21195684A JPS6189652A JP S6189652 A JPS6189652 A JP S6189652A JP 59211956 A JP59211956 A JP 59211956A JP 21195684 A JP21195684 A JP 21195684A JP S6189652 A JPS6189652 A JP S6189652A
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- resin
- adhesive
- layer
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- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関し、
特に、その外囲器構造に起因したボンディング部驕蝕問
題の改善に係る。
特に、その外囲器構造に起因したボンディング部驕蝕問
題の改善に係る。
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の要部を示す断面
図である。同図において、１は金属性のベッド部である
。該ベッド部上には半導体チップ２がダイボンディング
されている。前記ベッド部１の周囲には金属性のリード
部３が配設され、該リード部はボンディングワイヤ４を
介して前記半導体チップ２の頂面の内部端子（ポンディ
ングパッド）に接続されている。そして、前記ベッド部
３、半導体チップ２、ボンディングワイヤ４及びリード
３の一端部は樹脂モールド層５で封止され、またリード
３の他端部は樹脂モールド層５の側壁から外方に延出さ
れて下方に折曲げられている。
図である。同図において、１は金属性のベッド部である
。該ベッド部上には半導体チップ２がダイボンディング
されている。前記ベッド部１の周囲には金属性のリード
部３が配設され、該リード部はボンディングワイヤ４を
介して前記半導体チップ２の頂面の内部端子（ポンディ
ングパッド）に接続されている。そして、前記ベッド部
３、半導体チップ２、ボンディングワイヤ４及びリード
３の一端部は樹脂モールド層５で封止され、またリード
３の他端部は樹脂モールド層５の側壁から外方に延出さ
れて下方に折曲げられている。
上記第２図の樹脂封止型半導体装置は、ベッド部１およ
びリード３のパターンを打抜き加工した薄板状の金属製
リードフレームを用い、次のようにして製造されている
。
びリード３のパターンを打抜き加工した薄板状の金属製
リードフレームを用い、次のようにして製造されている
。
まず、リードフレームのベッド部上に半導体チップ２を
ダイボンディングし、半導体チップの内部端子とリード
パターン先端部との間にワイヤボンディングを施す。次
いで、このように組立てられたリードフレームをモール
ド金型内にセットし、エポキシ樹脂のトランスファーモ
ールド等により樹脂モールド層５を形成して樹脂封止を
行なう。
ダイボンディングし、半導体チップの内部端子とリード
パターン先端部との間にワイヤボンディングを施す。次
いで、このように組立てられたリードフレームをモール
ド金型内にセットし、エポキシ樹脂のトランスファーモ
ールド等により樹脂モールド層５を形成して樹脂封止を
行なう。
その後、リードフレームの枠体からベッド部１を支持し
ている吊りビン及び各リードパターンを切所し、リード
３を所定の方向に折曲げる。最後に、リード３の露出部
分に錫メッキや半田ディップ等による外装を施して製品
とする。
ている吊りビン及び各リードパターンを切所し、リード
３を所定の方向に折曲げる。最後に、リード３の露出部
分に錫メッキや半田ディップ等による外装を施して製品
とする。
上記の樹脂封止型半導体装置では、樹脂モールド層５と
リード３との密着性が悪いことから、第２図に示したよ
うに両者の間に隙間が形成されざるを得ない。この隙間
を通って外部から水分が侵入し、この水分はボンディン
グワイヤ４を伝ってポンディングパッドに達するため、
従来の樹脂封止型半導体装置ではホンディングパッドが
腐蝕するという問題が頻発しでいた。
リード３との密着性が悪いことから、第２図に示したよ
うに両者の間に隙間が形成されざるを得ない。この隙間
を通って外部から水分が侵入し、この水分はボンディン
グワイヤ４を伝ってポンディングパッドに達するため、
従来の樹脂封止型半導体装置ではホンディングパッドが
腐蝕するという問題が頻発しでいた。
この問題は、リードに錫メッキや半田ディップで外装を
施すことによって著しく顕著となる。即ち、錫メッキに
はアルカリによる脱脂や酸による活性化等の前処理を必
要とし、また半田ディップにはフラックスによる前処理
を必要とするため、これら処理液中のイオンが樹脂モー
ルド層５とリード３の間の隙間に入り込んで残留するこ
とになる。そして、この処理液中のイオンは前述の外部
から侵入した水分の場合と同様、時間と共に内部に移動
し、ポンディングパッドに達するからである。
施すことによって著しく顕著となる。即ち、錫メッキに
はアルカリによる脱脂や酸による活性化等の前処理を必
要とし、また半田ディップにはフラックスによる前処理
を必要とするため、これら処理液中のイオンが樹脂モー
ルド層５とリード３の間の隙間に入り込んで残留するこ
とになる。そして、この処理液中のイオンは前述の外部
から侵入した水分の場合と同様、時間と共に内部に移動
し、ポンディングパッドに達するからである。
本発明は上記事情に鑑みてなされｌ；もので、外部から
の水の侵入を防止して耐湿性を向上できる樹脂封止型半
導体装置を提供し、また外装！２！１理における前処理
液中のイオンの侵入をも防止して更に信頼性の向上を図
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
するものである。
の水の侵入を防止して耐湿性を向上できる樹脂封止型半
導体装置を提供し、また外装！２！１理における前処理
液中のイオンの侵入をも防止して更に信頼性の向上を図
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
するものである。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、樹脂モールド層
の内部に封止された半導体チップと、前記樹脂モールド
層の内部でこの半導体チップにワイヤボンディングされ
、且つ前記樹脂モールド層から外方に延出されたリード
とを具備し、該リードと前記樹脂モールド層との間の隙
間を嫌気性接着剤で閉塞したことを特徴とするものであ
る。
の内部に封止された半導体チップと、前記樹脂モールド
層の内部でこの半導体チップにワイヤボンディングされ
、且つ前記樹脂モールド層から外方に延出されたリード
とを具備し、該リードと前記樹脂モールド層との間の隙
間を嫌気性接着剤で閉塞したことを特徴とするものであ
る。
また、本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法は
、リードフレーム上で半導体チップのダイボンディング
及びワイヤボンディングを行ない、更に前記半導体チッ
プ及びワイヤボンディング部分を封止する樹脂モールド
層を形成した後、前記リードの露出部分にメッキ或いは
半田ディップ等の浴装置１１埋を施す前に、嫌気性接着
剤中に外囲器を浸漬して所定の硬化処理を施し、未硬化
部分を除去することを特徴とするものである。
、リードフレーム上で半導体チップのダイボンディング
及びワイヤボンディングを行ない、更に前記半導体チッ
プ及びワイヤボンディング部分を封止する樹脂モールド
層を形成した後、前記リードの露出部分にメッキ或いは
半田ディップ等の浴装置１１埋を施す前に、嫌気性接着
剤中に外囲器を浸漬して所定の硬化処理を施し、未硬化
部分を除去することを特徴とするものである。
本発明において用いる嫌気性接着剤は、硬化に際して酸
素を嫌うため、空気から遮断されている部分では硬化す
るが空気に触れていない部分では硬化しない性質を有し
ている。このため、嫌気性接着剤はネジ締め部分の固結
等に従来から広く用いられている。市販されている嫌気
性接着剤の例としては、例えば下記の化学式で表わされ
るテトラエチレングリコールジメタクリレー１−を主成
分とするものが挙げられる。
素を嫌うため、空気から遮断されている部分では硬化す
るが空気に触れていない部分では硬化しない性質を有し
ている。このため、嫌気性接着剤はネジ締め部分の固結
等に従来から広く用いられている。市販されている嫌気
性接着剤の例としては、例えば下記の化学式で表わされ
るテトラエチレングリコールジメタクリレー１−を主成
分とするものが挙げられる。
ＣＨ３Ｃｌ１３
ＣＨ２＝ Ｃ−Ｃ００ｔＣ１４□ＣＨ２（ト犬ＯＣ−Ｃ
”＝Ｃ１ｉｔ本発明において特に上記のような嫌気性接
着剤を用いる理由は、樹脂封止型半導体装置のリード部
分も硬化した接着剤層で被覆されてしまうと、プリント
配線基板等に実装した際に導通がとれなくなってしまう
ため、これを防止するためである。
”＝Ｃ１ｉｔ本発明において特に上記のような嫌気性接
着剤を用いる理由は、樹脂封止型半導体装置のリード部
分も硬化した接着剤層で被覆されてしまうと、プリント
配線基板等に実装した際に導通がとれなくなってしまう
ため、これを防止するためである。
即ち、通常の樹脂接着剤を用いた場合には樹脂モールド
層とリードとの隙間にのみ硬化層を形成するのは困難で
、リードも硬化接着剤層でコーティングされてしまうこ
とになり、これを除去するのは容易でない。これに対し
嫌気性接着剤を用いた場合には、外囲器の全体を接着剤
中に浸漬したとしても、露出部分では硬化が起こらず、
樹脂モールド庖とリードの隙間に入り込んだ接着剤だけ
が硬化する。従って、この場合にはトリクレン等の溶剤
で処理することにより、リードの露出部分に付着した未
硬化の接着剤層を容易に除去することができる。
層とリードとの隙間にのみ硬化層を形成するのは困難で
、リードも硬化接着剤層でコーティングされてしまうこ
とになり、これを除去するのは容易でない。これに対し
嫌気性接着剤を用いた場合には、外囲器の全体を接着剤
中に浸漬したとしても、露出部分では硬化が起こらず、
樹脂モールド庖とリードの隙間に入り込んだ接着剤だけ
が硬化する。従って、この場合にはトリクレン等の溶剤
で処理することにより、リードの露出部分に付着した未
硬化の接着剤層を容易に除去することができる。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、上記のようにし
て樹脂モールド層とリードの間の隙間をｍ気性接着剤で
閉塞したため、外部からの水分の侵入を顕著に防止でき
る。従って、アルンミニウム製のポンディングパッドや
配線の腐蝕が抑制され、耐湿性および信頼性を向上する
ことができる。
て樹脂モールド層とリードの間の隙間をｍ気性接着剤で
閉塞したため、外部からの水分の侵入を顕著に防止でき
る。従って、アルンミニウム製のポンディングパッドや
配線の腐蝕が抑制され、耐湿性および信頼性を向上する
ことができる。
□ また、本発明の製造方法を適用してリードの外装処
理前に上述の嫌気性接着剤による隙間閉塞処理を行なえ
ば、メッキ或いは半田ディップの前処理液中に含まれる
イオンが外囲器内部に侵入するのをも防止できる。従っ
て、□半導体チップの配線やポンディングパッドの腐蝕
防止効果は顕著に増大し、優れた信頼性を有する樹脂封
止型半導体装置を製造することができる。
理前に上述の嫌気性接着剤による隙間閉塞処理を行なえ
ば、メッキ或いは半田ディップの前処理液中に含まれる
イオンが外囲器内部に侵入するのをも防止できる。従っ
て、□半導体チップの配線やポンディングパッドの腐蝕
防止効果は顕著に増大し、優れた信頼性を有する樹脂封
止型半導体装置を製造することができる。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
の要部を示す断面図である。同図において、３はリード
、５は樹脂モールド層である。この実施例では、樹脂モ
ールド層５とリード３との隙間に嫌気性接着剤の硬化層
６が形成され、隙間が閉塞されている。その他の構成は
第２図の従来の樹脂封止型半導体装置と同じである。即
ち、図示は省略しであるが、樹脂モールド層５の内部に
は第２図の場合と同様、ベッド部１上にダイボンディン
グされた半導体チップ２が封止され、該半導体チップと
り−ド３の間にはワイヤボンディングが施されている。
の要部を示す断面図である。同図において、３はリード
、５は樹脂モールド層である。この実施例では、樹脂モ
ールド層５とリード３との隙間に嫌気性接着剤の硬化層
６が形成され、隙間が閉塞されている。その他の構成は
第２図の従来の樹脂封止型半導体装置と同じである。即
ち、図示は省略しであるが、樹脂モールド層５の内部に
は第２図の場合と同様、ベッド部１上にダイボンディン
グされた半導体チップ２が封止され、該半導体チップと
り−ド３の間にはワイヤボンディングが施されている。
□
上記実施例の樹脂封５”正型半導体装置では、嫌気性接
着剤の硬化層６′が（外部□からの水分の侵入は防＜：
０、耐あユおよび一軸性、大幅、向呈ア。。
着剤の硬化層６′が（外部□からの水分の侵入は防＜：
０、耐あユおよび一軸性、大幅、向呈ア。。
次に、本発明による製造方法の一実施例を説明する。
支１１
（１） まず、ＤＩＰ１６ビン用のリードフレームを
用い、ポンディングパッドのみを形成したダミーペレッ
トをダイボンディングした後、ワイヤボンディングを茄
した。このように組立てたリードフレームをモールド金
型内にセットし、エポキシ樹脂のトランスファーモール
ドにより樹脂封止を行なった後、リードカット及びリー
ドフォーミングを行なって個々のＤＩＰ型外囲器を分離
した。
用い、ポンディングパッドのみを形成したダミーペレッ
トをダイボンディングした後、ワイヤボンディングを茄
した。このように組立てたリードフレームをモールド金
型内にセットし、エポキシ樹脂のトランスファーモール
ドにより樹脂封止を行なった後、リードカット及びリー
ドフォーミングを行なって個々のＤＩＰ型外囲器を分離
した。
（２上記によりダミーベレットを封止した樹脂封止パッ
ケージを製造した後、これを嫌気性接着剤（ロックタイ
ト社製、商品名ロックタイト）の浴中に浸漬し、更に１
００℃で加熱することにより付着した接着剤の硬化処理
を行ならた。続いて、トリクレンによる洗浄を行なった
ところ、リー ド。
ケージを製造した後、これを嫌気性接着剤（ロックタイ
ト社製、商品名ロックタイト）の浴中に浸漬し、更に１
００℃で加熱することにより付着した接着剤の硬化処理
を行ならた。続いて、トリクレンによる洗浄を行なった
ところ、リー ド。
及び樹脂モールド層表面では接着剤の硬化反応が 、。
進行しなかったため当該部分に付着していた接着剤は容
易に除去される一方、リードと樹脂モールド層との隙間
には接着剤の硬化層が形成された。
易に除去される一方、リードと樹脂モールド層との隙間
には接着剤の硬化層が形成された。
（３） 次に、リードの露出表面にアルカリによる脱
脂処理を行なった。脱脂溶液としては、ＮａＯＨ，Ｎａ
ＣＯ５及び硅ｍソーダを合計３０〜６０ｇ／ｅ含むアル
カリ性水溶液を用いた。
脂処理を行なった。脱脂溶液としては、ＮａＯＨ，Ｎａ
ＣＯ５及び硅ｍソーダを合計３０〜６０ｇ／ｅ含むアル
カリ性水溶液を用いた。
続いて、リード表部の酸化層を除去し、またリードフォ
ーミングの際の加工歪み層を除去するため、１５重量％
のＨ（ｌ溶液による活性化処理を行なった。
ーミングの際の加工歪み層を除去するため、１５重量％
のＨ（ｌ溶液による活性化処理を行なった。
（４）上記の脱脂処理および活性化処理を施した後、こ
れを硫酸酸性の錫メツキ浴中に浸漬し、電流密度１Ａ／
ｄＴｒＬ２で２０〜３０分間の電解メッキを行ない、リ
ードの露出表面に膜厚５〜１ｏＩ１１ｒＬの錫メッキ層
を形成した。
れを硫酸酸性の錫メツキ浴中に浸漬し、電流密度１Ａ／
ｄＴｒＬ２で２０〜３０分間の電解メッキを行ない、リ
ードの露出表面に膜厚５〜１ｏＩ１１ｒＬの錫メッキ層
を形成した。
ＬｆＬ
実塵例における（２）の工程、即ら、嫌気性接着剤に、
よる隙間閉塞を省略した以外は総て実施例と同様に行な
った。
よる隙間閉塞を省略した以外は総て実施例と同様に行な
った。
比較試験
上記実施例で得られた樹脂封止型半導体装置（実施部品
）および比較例で得られた樹脂封止型半導体装置（比較
部品）の両者を、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気中に放置
し、所定時間経過後におけるポンディングパッドの腐蝕
発生串を比較した。その結果を下記第１表に示す。
）および比較例で得られた樹脂封止型半導体装置（比較
部品）の両者を、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気中に放置
し、所定時間経過後におけるポンディングパッドの腐蝕
発生串を比較した。その結果を下記第１表に示す。
なお、試験例１〜７の何れの場合にも、試Ｉｔ数は実施
例量および比較例量ともに１００個を用いた。
例量および比較例量ともに１００個を用いた。
また腐蝕発生の確認は、個々の試料について樹脂モール
ド層を剥離し、ダミーベレットの個々のポンディングパ
ッド部分を顕ｇｌ鏡で観察することにより行なった。
ド層を剥離し、ダミーベレットの個々のポンディングパ
ッド部分を顕ｇｌ鏡で観察することにより行なった。
この試験結果から、実施例量は従来品に比較して信頼性
が著しく高いことが明らかである。
が著しく高いことが明らかである。
以上詳述したように、本発明の樹脂封止型半導体装置は
外部からの水の浸入を防止して耐湿性を向上でき、また
本発明の製造方法によれば外装処理における前処理液中
のイオンの侵入をも防止し、樹脂封止型半導体装置の信
頼性を更に向上できる等、顕著な効果が得られるもので
ある。
外部からの水の浸入を防止して耐湿性を向上でき、また
本発明の製造方法によれば外装処理における前処理液中
のイオンの侵入をも防止し、樹脂封止型半導体装置の信
頼性を更に向上できる等、顕著な効果が得られるもので
ある。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
の要部を示す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体
装置を示す断面図である。 １・・・ベッド部、２・・・半導体チップ、３リード、
４・・・ボンディングワイヤ、５・・・樹脂モールド層
、６・・・嫌気性接着剤の硬化層
の要部を示す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体
装置を示す断面図である。 １・・・ベッド部、２・・・半導体チップ、３リード、
４・・・ボンディングワイヤ、５・・・樹脂モールド層
、６・・・嫌気性接着剤の硬化層
Claims (2)
- （１）樹脂モールド層の内部に封止された半導体チップ
と、前記樹脂モールド層の内部でこの半導体チップにワ
イヤボンディングされ、且つ前記樹脂モールド層から外
方に延出されたリードとを具備し、該リードと前記樹脂
モールド層との間の隙間を嫌気性接着剤で閉塞したこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）リードフレーム上で半導体チップのダイボンディ
ング及びワイヤボンディングを行ない、更に前記半導体
チップ及びワイヤボンディング部分を封止する樹脂モー
ルド層を形成した後、前記リードの露出部分にメッキ或
いは半田ディップ等の外装処理を施す前に、嫌気性接着
剤中に外囲器を浸漬して所定の硬化処理を施し、未硬化
部分を除去することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211956A JPS6189652A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211956A JPS6189652A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189652A true JPS6189652A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16614481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211956A Pending JPS6189652A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2479569A (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | Jason Grant Hayward | Cap for protecting boilie type fishing bait |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59211956A patent/JPS6189652A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2479569A (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | Jason Grant Hayward | Cap for protecting boilie type fishing bait |
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