JPS618988A - 混成集積回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器に使用される混成集積回路に関するも
のであり、さらに特定すれば、セラミック基板の両面に
回路形成された混成集積回路基板及びその製造方法に関
するものである。

従来例の構成とその問題点 従来の両面回路形成された混成集積回路基板の製造方法
は次の二つが二股的とされる。

製造方法Ａ・・・まず片面側に下面導体を形成して乾燥
焼成し、反転後の片面に上面 導体を形成して乾燥焼成する。

製造方法Ｂ・・・まず片面側に下面導体を形成乾燥し、
未焼結のまま反転して片面に 上面導体を形成し乾燥した後に、 両面同時焼成する。

しかしながら、従来の製造方法には次のような問題があ
る。

回路形成に用いられる厚膜導体ペーストは、基板となる
アルミナとの密着力を向上させる為にガラス分を含んで
おり、基板を保持する”焼成台が導体と接触する場合に
は焼成中に焼成台・にも密着してしまう。ガラス分を含
まない厚膜導体ペーストも市販されているが、アルミナ
基板との密着力がガラス分を含む導体ペーストよシ低く
、一般的にはガラス分を含む導体ペーストが多用されて
いる。

従って、導体ペーストとしてガラス分を含む導体ペース
トを用い、一般的な焼成台として耐熱性ステンレスもし
くはニッケル基耐熱合金のメツシーを使用して複数個所
の点接触支持により焼成を行った場合、接触点において
メツシュと導体が密着して導体がアルミナ基板より剥離
してしまうが、もしくは剥離はしなくともえぐりとられ
たような痕跡を残すという問題点があった。

製造方法Ａにおいては、反転して焼成済みの下面導体を
点接触により支持して上面導体を焼成すると、下面導体
は再焼成される事になり導体中のガラス分が溶解して点
接触しているメッシ眞と密Ｊ　　　　　　　　着する・
製造方法８に＄′“ては・両面０導体が同時焼成される
為、焼成中に下面導体中のガラス分が溶解し、やはり基
板と点接触しているメツシュと密着してしまう。

導体中に含まれるガラス分は化学的に極めて安定なアル
ミナにさえ拡散及び反応をし、それが故に基板と導体と
の密着性を良好にしている。現在は、導体中のガラス分
に対して非活性な焼成台用材料は見つかっておらず、焼
成台と導体と接触しないように基板を支持して焼成する
という方法で解決されている。即ち、製造方法Ａ、同じ
くＢの両方とも、基板上の導体が形成されていない部分
、例えば両端を保持用のツメで支持する方法や、基板の
周縁部のみと接触するような治具パレットに基板を載せ
て焼成するという方法がとられていた。

しかしながら、このような従来の方法においては、保持
用ツメ方式の場合には正確な位置決めと移載が必要とな
り、また治具パレット方式の場合には正確な位置決め移
載と治具パレットが必要となシ、両者とも設備投資骨が
増大するという問題点があった。　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　。

発明の目的　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　□ｊｊ本発明は、このような問題点を解決するもの
であシ、両面の導体を損傷する事なく、正確な位置決め
移載を不要として、安価な設備にょシ両面の導体を同時
焼成できる混成集積回路基板とその製造方法を提供する
事を目的とする。

発明の構成 上記目的を達成する為、本発明の混成集積回路基板の構
造は、表面の第一導体を通常のガラスを（Ｊ 含む材料とし、そ上にガラス分を含まない第二導体で被
覆する事を特徴とし、その製造方法は、未焼結の第一導
体が形成されて乾燥されたセラミック基板において、前
記第一導体が被覆されるようにガラス分を含まない第二
導体を形成乾燥し、前記第二導体と焼成台が接触するよ
うに焼成台上に基板を配置して両面同時焼成する事を特
徴とし、前記焼成台の材質をＡ　ｕ　、　Ｐ　ｔ　、　
Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２゜Ｓ　ｒ　Ｃ、Ｓ　ｒ　３　Ｎ４
　、カロライジング処理された合金及びＦ　ｅ　−Ｃｒ
　−Ａ　Ｉ系合金のうちの少なくとも１種類、または２
種類以上の複合材、とする事を特徴とする。

実砲例の説明 以下本発明の実姉例について図面を参照しながら詳細に
説明する。

第１図は、本発明に基づ〈実施例の混成集積回路基板の
断面図である。１はセラミック基板であり、材質はＡ１
２０３（純度９６％以上）である。

２は第一導体でありガラス分を含むんでいる。

３は第二導体であシガラス分を含まない。

以上のように構成された混成集積回路基板の製造方法に
ついて以下に述べる。

まず、セラミック基板１の片面側に第一導体２を印刷乾
燥し、第一導体２を被覆するようなパターンで第二導体
３を印刷乾燥する。基板を反転した後同手順で第一導体
２と第二導体３を印刷乾燥した。印刷時にスルホール部
に導体ペーストが流れ込むように吸引する事により両面
の導通は可能となる。第一導体２はガラス分を含有して
いるＡｇ／Ｐｄであり、第二導体３はガラス分を含まな
いＡｇ／Ｐｄであった。乾燥温度は１３０（：’、待時
間１０分であった。次に前記基板を焼成台である：泰１
２ｏ３板上に載せピーク温度８５０Ｃ，ピーク温度保持
時間１５分の焼成条件によシ連続式雰囲気加熱炉で焼成
した。

以上のような９４％例によれば、第二導体３と焼成台で
あるＡｌ２Ｏ３板とは密着せず、損傷なき両面回路基板
が同時焼成できた。

本実施例に基づく第１図では、第二導体３は第一導体２
全部を被覆しているが、焼成台との接触点のみ波器する
。だけでも効果が同じである事は明らかである。

さらに、焼成台として、Ｚ　ｒ　Ｏ２、Ｓ　ｉＣ＊　Ｓ
　ｉａ　Ｎ４゜カロライジング処理された合金、及びＦ
ｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金、Ａｕ板、ｐｔ板、　１　Ｂ−８
ステンレス鋼、６％Ｃｒ　−ｋｌ　ｏ鋼、５ｓｓｃ　、
５ＵＳ４３０を使用して焼成テストを行った結果、１８
−８スｆ７Ｌ／ス鋼、５％Ｏｒ−Ｍｏ鋼、８５５Ｃ。

５ＵＳ４３０　の場合は焼成台と導体は密着して損傷を
受けていた。他のＺｒＯ２，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４゜Ｉ　
　　　　　カロライジング処理され、た合金、Ｆｅ−Ｃ
ｒ　−Ａｌ系合金、Ａ　ｕ　、　Ｐ　ｔの場合は密着せ
ず損傷のない両面回路基板を得る事ができた。

高温中で化学的に安定な材質、例えば高温焼結されたＡ
ｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＳｔＣ，５ｔ３Ｎ４等のセラミッ
ク、及び高温酸化に優れた金属であるＡｕ。

ｐｔは導体ペースト中の成分と非活性であり、お互いの
拡散も少ないと考えられる。また、表面に酸化抵抗のす
ぐれたｄ−Ａ１２０３層を生成する力ロライジング処理
合金、及びＦ　ｅ　−Ｃｔ　−Ａ　Ｉ系合金も高温中で
安定であり、焼成台としては適していた。

発明の効果 以上のように本発明によれば、正確な位置決め及び治具
パレット等が不要であり安価な設備で両面の導体を同時
焼成できるという効果がある。

さらに、第一導体と第二導体の二重形成により導体の抵
抗値が小さくなるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

図は、本発明に基づく一実施例の混成集積回路基板の断
面図である。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・第一導
体、３・・・・・・第二導体。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　基板表面の第一導体がガラス分を含まない第二
   導体により被覆された事を特徴とする、セラミック基板
   上に両面回路形成された混成集積回路基板。
2. （２）　第一導体が形成されたセラミック基板上に、前
   記第一導体が被覆されるようにガラス分を含まない第二
   導体を形成し、前記第二導体が焼成台と接触するように
   基板を配置して基板両面の導体を同時焼成する事を特徴
   とする混成集積回路基板の製造方法。
3. （３）　焼成台の材質をＡｕ，Ｐｔ，Ａｌ＿２Ｏ＿３，
   ＺｒＯ＿２，ＳｉＣ，Ｓｉ＿３Ｎ＿４，カロライジング
   処理された合金及びＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金のうちの少
   なくとも１種類、または２種以上の複合材、とする特許
   請求の範囲第２項に記載の混成集積回路基板の製造方法
   。