JPS6190261U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6190261U JPS6190261U JP1984174972U JP17497284U JPS6190261U JP S6190261 U JPS6190261 U JP S6190261U JP 1984174972 U JP1984174972 U JP 1984174972U JP 17497284 U JP17497284 U JP 17497284U JP S6190261 U JPS6190261 U JP S6190261U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector according
- photothermal detector
- photothermal
- silicon substrate
- junction part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
第1図はこの考案にかかる光熱検出器の一実施
例を示す平面図、第2図は第1図のA―A線断面
図、第3図および第4図はそれぞれ他の実施例の
、A―A線切断相当部位の断面図、第5図はさら
に他の実施例の断面図、第6図はまた他の実施例
を示す平面図、第7図は第6図のB―B線断面図
、第8図はまたさらに他の実施例の平面図、第9
図は第8図のC―C線断面図、第10図はその他
の実施例のC―C線切断相当部位の断面図である
。 1はシリコン基板、2は電極、3は熱電材料、
5は切欠、7はしや熱膜、Aはホツトジヤンクシ
ヨン部、Bはコールドジヤンクシヨン部。
例を示す平面図、第2図は第1図のA―A線断面
図、第3図および第4図はそれぞれ他の実施例の
、A―A線切断相当部位の断面図、第5図はさら
に他の実施例の断面図、第6図はまた他の実施例
を示す平面図、第7図は第6図のB―B線断面図
、第8図はまたさらに他の実施例の平面図、第9
図は第8図のC―C線断面図、第10図はその他
の実施例のC―C線切断相当部位の断面図である
。 1はシリコン基板、2は電極、3は熱電材料、
5は切欠、7はしや熱膜、Aはホツトジヤンクシ
ヨン部、Bはコールドジヤンクシヨン部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) NiOまたはNiOを主成分とする薄膜の
熱電材料をシリコン基板上に設け、この熱電材料
の両端にホツトジヤンクシヨン部およびコールド
ジヤンクシヨン部を形成する電極をそれぞれ接続
したことを特徴とする光熱検出器。 (2) ホツトジヤンクシヨン部付近のシリコン基
板に切欠が設けられたことを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第1項記載の光熱検出器。 (3) コールドジヤンクシヨン部上面にはしや熱
膜が被覆されたことを特徴とする実用新案登録請
求の範囲第1項記載の光熱検出器。 (4) ホツトジヤンクシヨン部が略円形に配列さ
れかつこの円の中心部付近に集中して配置された
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項
記載の光熱検出器。 (5) 導電材料および電極が微小形成され、これ
らの多数が交互に連続的に接続されてなることを
特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の
光熱検出器。 (6) 熱電材料と電極とがシリコン基板に対して
垂直方向に配設されたことを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第1項記載の光熱検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984174972U JPS6190261U (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984174972U JPS6190261U (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190261U true JPS6190261U (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=30732577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984174972U Pending JPS6190261U (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190261U (ja) |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP1984174972U patent/JPS6190261U/ja active Pending