JPS6212974U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6212974U JPS6212974U JP1985103321U JP10332185U JPS6212974U JP S6212974 U JPS6212974 U JP S6212974U JP 1985103321 U JP1985103321 U JP 1985103321U JP 10332185 U JP10332185 U JP 10332185U JP S6212974 U JPS6212974 U JP S6212974U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- conductivity type
- electrode
- extraction opening
- electrode extraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す平面図、第２
図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図は本考案の
他例を示す平面図、第４図は従来装置の一例を示
す平面図、第５図は第４図のＢ―Ｂ線断面図、第
６図は従来装置の他例を示す平面図である。 １……基板、２Ａ，２Ｂ……ｎ＋型半導体領域
、３……活性層、６，７……リード、１０Ａ〜１
０Ｃ……電極部、１４……絶縁膜、１４Ａ，１４
Ｂ……電極取出し開口部。
図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図は本考案の
他例を示す平面図、第４図は従来装置の一例を示
す平面図、第５図は第４図のＢ―Ｂ線断面図、第
６図は従来装置の他例を示す平面図である。 １……基板、２Ａ，２Ｂ……ｎ＋型半導体領域
、３……活性層、６，７……リード、１０Ａ〜１
０Ｃ……電極部、１４……絶縁膜、１４Ａ，１４
Ｂ……電極取出し開口部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第一導電型基板主面に所定間隔を保つて対
向配置された一対の第一導電型高濃度半導体領域
と、該一対の半導体領域に交差する如く対向配置
された一対の第一導電型高濃度半導体領域と、各
半導体領域を含む位置上に形成された第一導電型
の活性層と、各半導体領域の上部位置に形成され
た電極取出し開口部及び、該電極取出し開口部を
含む位置上に形成された二対の電極部及び該電極
部上に接続されたリードとから成るホールセンサ
において、少なくとも前記一対の電極部は前記電
極取出し開口部を含み、かつ対向方向内方に延在
形成されており、該延在部にリードが接続されて
なることを特徴とするホールセンサ。 (2) 前記電極取出し開口部は前記高濃度半導体
領域の長手方向の長さよりも短い辺を長辺とする
長方形状であることを特徴とする実用新案登録請
求の範囲第１項記載のホールセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985103321U JPS6212974U (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985103321U JPS6212974U (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212974U true JPS6212974U (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=30975769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985103321U Pending JPS6212974U (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212974U (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017051829A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子及びホールセンサ、レンズモジュール |
| CN108075036A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件以及霍尔元件的制造方法 |
| CN108075035A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件 |
| JP2018160630A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子及びホール素子の製造方法 |
| US10333057B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-06-25 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Hall element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662382A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Toshiba Corp | Hall element |
| JPS60175471A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Toshiba Corp | ホ−ル素子 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP1985103321U patent/JPS6212974U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662382A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Toshiba Corp | Hall element |
| JPS60175471A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Toshiba Corp | ホ−ル素子 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017051829A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子及びホールセンサ、レンズモジュール |
| CN108028314A (zh) * | 2015-09-24 | 2018-05-11 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件和霍尔传感器、镜头模块 |
| JPWO2017051829A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2018-05-24 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子及びホールセンサ、レンズモジュール |
| CN108028314B (zh) * | 2015-09-24 | 2021-08-13 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件和霍尔传感器、镜头模块 |
| CN108075036A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件以及霍尔元件的制造方法 |
| CN108075035A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件 |
| US11029372B2 (en) | 2016-11-18 | 2021-06-08 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Hall element for mitigating current concentration and fabrication method thereof |
| JP2018160630A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子及びホール素子の製造方法 |
| US10333057B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-06-25 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Hall element |
| US10429455B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-10-01 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Hall element and method of manufacturing hall element |