JPS6191840A - 螢光表示管 - Google Patents
螢光表示管Info
- Publication number
- JPS6191840A JPS6191840A JP21071084A JP21071084A JPS6191840A JP S6191840 A JPS6191840 A JP S6191840A JP 21071084 A JP21071084 A JP 21071084A JP 21071084 A JP21071084 A JP 21071084A JP S6191840 A JPS6191840 A JP S6191840A
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- JP
- Japan
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- chip
- high voltage
- lead
- brightness
- aging
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 13
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野の説明〕
本発明は蛍光体層を有する表示部と半導体素子（ペアチ
ップ）から成る駆動回路部が同一ガラス基板上に一体形
成された通称［チップオングラス（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ ） Ｊ （以下ＣＯＧと称す）の構造を有す
る蛍光表示管に関するものである。
ップ）から成る駆動回路部が同一ガラス基板上に一体形
成された通称［チップオングラス（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ ） Ｊ （以下ＣＯＧと称す）の構造を有す
る蛍光表示管に関するものである。
従来、この種の蛍光表示管は第２図の一部破断斜視図及
び第３図の要部切欠平面図に示す様に。
び第３図の要部切欠平面図に示す様に。
ガラス基板１上に積層被膜された抜数の配線被膜２、絶
縁被膜３．蛍光体層を有するセグメント電極４及び駆動
回路板（以下パッド部と称す）５を兼ねた陽極基板６と
、この陽極基板上にパッド部５の入力端子としての外部
引き出しリード７及びＣＯＧの枯化（エージング）を行
うだめの外部引き出しリード７′、それに外部引き出し
リード７・７′と一体になったグリッド８と適当な距離
をおいてフィラメント陰極９を配設された通称フレーム
電極群をおき、更に透光性のある真空気密容器（カバー
ガラス）１０を低融点ガラスで封着し、外部引き出しリ
ード７′にＩＣチップ１１を介することな（ＩＣチップ
の耐電圧以上の高電圧を印加し、表示部のエージングを
行ったあとパッド部５にＩＣペアチップ１１をワイヤー
ボンディング法等によシ実装し、外部引き出しり−ド７
の端子に通電し、ＩＣチップ１１を介してＣＯＧを駆動
する構造のものが提供されている。周知の様にＺｎＯ：
Ｚｎ系蛍光体層を用いた蛍光表示管では真空排気直後の
発光輝度は低く、セグメント電極−４、グリッド電極−
８，フィラメント陰極−９に通常動作電圧の約２〜３倍
の高電圧を印加し、数十時間エージングが行われ初期輝
度アップが計られている。この場合通常動作電圧のみ印
加するエージング条件では輝度アップに長時間を要し、
蛍光表示管製造上、経済的に得策ではない。この様に蛍
光表示管の製造工程においてはセグメント電極に高電圧
を印加して電子線衝撃による蛍光体層の輝度アップ工程
（エージング工程）は必要かつ重要な工程の一つである
。
縁被膜３．蛍光体層を有するセグメント電極４及び駆動
回路板（以下パッド部と称す）５を兼ねた陽極基板６と
、この陽極基板上にパッド部５の入力端子としての外部
引き出しリード７及びＣＯＧの枯化（エージング）を行
うだめの外部引き出しリード７′、それに外部引き出し
リード７・７′と一体になったグリッド８と適当な距離
をおいてフィラメント陰極９を配設された通称フレーム
電極群をおき、更に透光性のある真空気密容器（カバー
ガラス）１０を低融点ガラスで封着し、外部引き出しリ
ード７′にＩＣチップ１１を介することな（ＩＣチップ
の耐電圧以上の高電圧を印加し、表示部のエージングを
行ったあとパッド部５にＩＣペアチップ１１をワイヤー
ボンディング法等によシ実装し、外部引き出しり−ド７
の端子に通電し、ＩＣチップ１１を介してＣＯＧを駆動
する構造のものが提供されている。周知の様にＺｎＯ：
Ｚｎ系蛍光体層を用いた蛍光表示管では真空排気直後の
発光輝度は低く、セグメント電極−４、グリッド電極−
８，フィラメント陰極−９に通常動作電圧の約２〜３倍
の高電圧を印加し、数十時間エージングが行われ初期輝
度アップが計られている。この場合通常動作電圧のみ印
加するエージング条件では輝度アップに長時間を要し、
蛍光表示管製造上、経済的に得策ではない。この様に蛍
光表示管の製造工程においてはセグメント電極に高電圧
を印加して電子線衝撃による蛍光体層の輝度アップ工程
（エージング工程）は必要かつ重要な工程の一つである
。
この様な蛍光表示管に駆動用ＩＣチップを実装したクロ
ックやチェーナタイプのＣＯＧ蛍光表示管においては実
装するＩＣチップ自身の耐圧が現状ではまだ１５〜２０
Ｖと低く、エージングに必要な３０〜５０ｖの高電圧は
印加することが出来ない。従って第２図、第３図に示す
様に表示部をエージングするだけの外部引き出しリード
７′をセグメント電極の数量分引き出し、このリード７
′に高電圧を印加してセグメント電極−４の発光輝度ア
ップを計シ、規定輝度が得られたパネルのみに駆動用Ｉ
Ｃチップ−１１をボンディングしていた。
ックやチェーナタイプのＣＯＧ蛍光表示管においては実
装するＩＣチップ自身の耐圧が現状ではまだ１５〜２０
Ｖと低く、エージングに必要な３０〜５０ｖの高電圧は
印加することが出来ない。従って第２図、第３図に示す
様に表示部をエージングするだけの外部引き出しリード
７′をセグメント電極の数量分引き出し、このリード７
′に高電圧を印加してセグメント電極−４の発光輝度ア
ップを計シ、規定輝度が得られたパネルのみに駆動用Ｉ
Ｃチップ−１１をボンディングしていた。
しかしながら、この様なＣＯＧ′＃ＩＩＩ造を有する従
来の方法ではＩＣチップ−１１をボンディングすると再
度輝度低下を起す問題点を有していた。これはＩＣチッ
プ−１１をガラス基板上にダイボンディングし、更にワ
イヤーボンディングする際に加えられる約１５０’Ｃ〜
２ｏｏ℃の加熱工程によって、パネル内でガスが再放出
されエミッシ習ン劣化や蛍光体汚染が生じ輝度低下が起
こるものである。この両ボンディング工程で加えられる
１５０〜２００℃と云う温度は通常の蛍光表示管ではか
な９厳しい条件である。
来の方法ではＩＣチップ−１１をボンディングすると再
度輝度低下を起す問題点を有していた。これはＩＣチッ
プ−１１をガラス基板上にダイボンディングし、更にワ
イヤーボンディングする際に加えられる約１５０’Ｃ〜
２ｏｏ℃の加熱工程によって、パネル内でガスが再放出
されエミッシ習ン劣化や蛍光体汚染が生じ輝度低下が起
こるものである。この両ボンディング工程で加えられる
１５０〜２００℃と云う温度は通常の蛍光表示管ではか
な９厳しい条件である。
従って輝度低下分を回復させる為に再度エージングが必
要となるがＩＣチップ−１１が既にガラス基板上にボン
ディングされたあとでは外部引き出しリード７′は配線
被膜２によってＩＣチップ−１１の出力側パッドと接続
されており高電圧エージングを再度行なうことは出来な
い。ボンディングされたＩＣチップの耐圧が１５〜２０
Ｖと低い為に前記パネルのみで行なった高電圧エージン
グ条件が採用出来ず、そのため初期輝度レベル迄回復さ
せるには長時間再エージングが必要となる等の問題点を
有していた。
要となるがＩＣチップ−１１が既にガラス基板上にボン
ディングされたあとでは外部引き出しリード７′は配線
被膜２によってＩＣチップ−１１の出力側パッドと接続
されており高電圧エージングを再度行なうことは出来な
い。ボンディングされたＩＣチップの耐圧が１５〜２０
Ｖと低い為に前記パネルのみで行なった高電圧エージン
グ条件が採用出来ず、そのため初期輝度レベル迄回復さ
せるには長時間再エージングが必要となる等の問題点を
有していた。
本発明は前述したような従来の問題点を解消したＣＯＧ
構造を有する蛍光表示管を提供せんとするものである。
構造を有する蛍光表示管を提供せんとするものである。
その主旨とする処は、駆動回路用ＩＣペアチップ自身の
出力回路にダイオード機能を集積し、かつそのダイオー
ドはエージング用外部リード側から見て逆方向（順方向
でない）となる電位に集積されており、他のロジック回
路部に高電圧が印加されない様にしたことを特徴として
いる。
出力回路にダイオード機能を集積し、かつそのダイオー
ドはエージング用外部リード側から見て逆方向（順方向
でない）となる電位に集積されており、他のロジック回
路部に高電圧が印加されない様にしたことを特徴として
いる。
以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明による出力回路部にダイオード機能を集
積したＩＣペアチップ（模式）を含む要部切欠平面図で
ある。ＣＯＧ構造の基本的構成は第２図、第３図と同じ
であり同じ符号を用いて説明する。
積したＩＣペアチップ（模式）を含む要部切欠平面図で
ある。ＣＯＧ構造の基本的構成は第２図、第３図と同じ
であり同じ符号を用いて説明する。
ガラス基板１上に形成されているポンディングパッド部
５の出力端子１３は配線被膜２によってセグメント電極
４及びエージングのための外部引き出しリード７′に電
気的接続がなされている。
５の出力端子１３は配線被膜２によってセグメント電極
４及びエージングのための外部引き出しリード７′に電
気的接続がなされている。
又入力端子１４は配線被膜２によって信号入力端子であ
る外部引き出しリード７と接続されている。
る外部引き出しリード７と接続されている。
本発明における駆動用ＩＣチップ２ｏは出力回路部にダ
イオード２１が集積され、それぞれチップ上のポンディ
ングパッド２２を通してワイヤー２３によって出力端子
１３と電気的に接続されて６一 いる。このダイオード２１の役割は外部引き出し用リー
ド７′に高電圧を印加し蛍光体層を有するセグメント電
極４のエージングを実施する際に駆動用ＩＣチップ２０
のロジック回路部に高電圧が印加されない様にするため
に、リード７′から見て逆方向バイアスとなる様に集積
配置されている。
イオード２１が集積され、それぞれチップ上のポンディ
ングパッド２２を通してワイヤー２３によって出力端子
１３と電気的に接続されて６一 いる。このダイオード２１の役割は外部引き出し用リー
ド７′に高電圧を印加し蛍光体層を有するセグメント電
極４のエージングを実施する際に駆動用ＩＣチップ２０
のロジック回路部に高電圧が印加されない様にするため
に、リード７′から見て逆方向バイアスとなる様に集積
配置されている。
このダイオード２１をＩＣチップ２０上に集積したこと
Ｋより、ＩＣチップ２０をボンディングした際に生ずる
前記従来例の４度低下現象に関しては再度エージング用
外部引き出しリード７′に高電圧を印加出来ることから
、短時間で輝度回復させることが可能とガっだ。尚規定
の輝度レベル迄回復したあとエージング用外部引き出し
リード７′はガラス基板１端部で短脚にカットされる。
Ｋより、ＩＣチップ２０をボンディングした際に生ずる
前記従来例の４度低下現象に関しては再度エージング用
外部引き出しリード７′に高電圧を印加出来ることから
、短時間で輝度回復させることが可能とガっだ。尚規定
の輝度レベル迄回復したあとエージング用外部引き出し
リード７′はガラス基板１端部で短脚にカットされる。
以上本発明においては駆動用ＩＣチップ自身の出力側に
ダイオード機能を集積したことにより。
ダイオード機能を集積したことにより。
駆動用ＩＣチップをボンディング後も、エージング用外
部引き出しリード７′に高電圧印加が可能であり、短時
間で輝度回復、安定化が計れる様になり歩留向上に大き
な効果が得られた。
部引き出しリード７′に高電圧印加が可能であり、短時
間で輝度回復、安定化が計れる様になり歩留向上に大き
な効果が得られた。
尚、本実施例ではＩＣチップを真空外に実装した場合に
ついてのみ記述しているが真空内に実装した場合におい
ても同様の効果が得られ、本発明の要旨を変更しない範
囲で種々変形して実施できるものである。
ついてのみ記述しているが真空内に実装した場合におい
ても同様の効果が得られ、本発明の要旨を変更しない範
囲で種々変形して実施できるものである。
第１図は本発明によるダイオード機能付駆動用ＩＣチッ
プ実装部分の要部切欠平面図（ダイオード部分は模式図
）である。第２図及び第３図は従来のＣＯＧ構造を有す
る蛍光表示管の例を示す一部破断斜祝図及び要部切欠平
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・配線被膜％
３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・セグメント電
極、５・・・・・・ポンディングパッド部、６・・・・
・・陽極基板、 ７． ７’・・・・・・外部引き出し
リード、８・・・・・・グリッド、９・・・・・・フィ
ラメント、１０・・・・・・真空気密容器（カバーガラ
ス）、１１・・・・・・ＩＣチップ、１３・・・・・・
出力側パッド端子。 １４・・・・・・入力側端子、２０・・団・ダイオード
機能付ＩＣチップ、２１・・・・・・ダイオード部（模
式図）。 ２２・・・・・・ＩＣチップポンディングパッド、２３
・・・・・・ボンディングワイヤー。 第１ 図
プ実装部分の要部切欠平面図（ダイオード部分は模式図
）である。第２図及び第３図は従来のＣＯＧ構造を有す
る蛍光表示管の例を示す一部破断斜祝図及び要部切欠平
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・配線被膜％
３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・セグメント電
極、５・・・・・・ポンディングパッド部、６・・・・
・・陽極基板、 ７． ７’・・・・・・外部引き出し
リード、８・・・・・・グリッド、９・・・・・・フィ
ラメント、１０・・・・・・真空気密容器（カバーガラ
ス）、１１・・・・・・ＩＣチップ、１３・・・・・・
出力側パッド端子。 １４・・・・・・入力側端子、２０・・団・ダイオード
機能付ＩＣチップ、２１・・・・・・ダイオード部（模
式図）。 ２２・・・・・・ＩＣチップポンディングパッド、２３
・・・・・・ボンディングワイヤー。 第１ 図
Claims (1)
- 蛍光体層を有する表示部と前記表示部を動作させる半導
体素子から成る回路部が同一基板上に一体形成され、少
くとも一つの駆動回路を介して表示部を駆動出来る外部
引き出しリード部と直接表示部を点灯出来る様に接続さ
れた外部引き出しリード部を設けた構造を有する蛍光表
示管において、前記半導体素子自身の出力回路部にダイ
オード機能が集積され、かつダイオードの向きは前記直
接表示部を点灯出来る外部引き出しリード部から見て逆
方向バイアスとなる様に集積されている半導体素子を有
する回路部を用いたことを特徴とする蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21071084A JPS6191840A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21071084A JPS6191840A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 螢光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191840A true JPS6191840A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16593816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21071084A Pending JPS6191840A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191840A (ja) |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP21071084A patent/JPS6191840A/ja active Pending
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