JPS6193490A - ビデオ信号のメモリ装置 - Google Patents
ビデオ信号のメモリ装置Info
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- JPS6193490A JPS6193490A JP60211723A JP21172385A JPS6193490A JP S6193490 A JPS6193490 A JP S6193490A JP 60211723 A JP60211723 A JP 60211723A JP 21172385 A JP21172385 A JP 21172385A JP S6193490 A JPS6193490 A JP S6193490A
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- video signal
- video
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- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
- Memory System (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Studio Circuits (AREA)
- Processing Of Color Television Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ビデオ信号のメモリ装置に゛関し、特に高
品位ビデオシステムの用途に適当で、しかも斯るビデオ
システム用の特殊効果装置に使用して好適なビデオ信号
のメモリ装置に関する。
品位ビデオシステムの用途に適当で、しかも斯るビデオ
システム用の特殊効果装置に使用して好適なビデオ信号
のメモリ装置に関する。
この発明はn2m’個のビデオデータワードを記憶する
ためのビデオ信号のメモリ装置であって、各々がラスタ
表示の各サンプル位置におけるサンプル値に夫々対応し
たm個の上記ビデオデータワードを記憶できるn2メモ
リモジュールと、任意の1書込みサイクル中上記ビデオ
信号のメモリ装置内で上記ラスタ表示のn個の隣接する
同一直線上のサンプル位置に対応する最高n個の上記ビ
デオデータワードを書込む手段とを備え、上記メモリモ
ジュールの各々は任意の1%込みサイクル中上記うスク
表示のn個の上記サンプル位置によって任意のn個の四
角に上記ビデオデータワードの1つのみを記憶するよう
に配列されていることにより、データを高速でしかも1
つ以上の領域に同時に書込むことができるようにしたも
のである。
ためのビデオ信号のメモリ装置であって、各々がラスタ
表示の各サンプル位置におけるサンプル値に夫々対応し
たm個の上記ビデオデータワードを記憶できるn2メモ
リモジュールと、任意の1書込みサイクル中上記ビデオ
信号のメモリ装置内で上記ラスタ表示のn個の隣接する
同一直線上のサンプル位置に対応する最高n個の上記ビ
デオデータワードを書込む手段とを備え、上記メモリモ
ジュールの各々は任意の1%込みサイクル中上記うスク
表示のn個の上記サンプル位置によって任意のn個の四
角に上記ビデオデータワードの1つのみを記憶するよう
に配列されていることにより、データを高速でしかも1
つ以上の領域に同時に書込むことができるようにしたも
のである。
英国内で伝送される標準テレビジョン信号はフレーム当
り625ライン、秒当り50フイールドのPAL(rl
r号ごあり、他の国で伝送されるPAL。
り625ライン、秒当り50フイールドのPAL(rl
r号ごあり、他の国で伝送されるPAL。
NTSC及びSECAM信号は同様に或いは少し低いラ
イン周波数(例えばフレーム当り525ライン)を使用
し、また同様に或いは少し畠いフィールド周波数(例え
ば秒当り60フイールド)を使用する。ところが、これ
等の伝送信号を大きく変える当面の見jlti シはな
く、従っ゛ζ晶晶位ビデオシステムに対する要望が商ま
って来ている。斯るシステムは、例えば映画製作、閉回
路テレビジョンシステム。
イン周波数(例えばフレーム当り525ライン)を使用
し、また同様に或いは少し畠いフィールド周波数(例え
ば秒当り60フイールド)を使用する。ところが、これ
等の伝送信号を大きく変える当面の見jlti シはな
く、従っ゛ζ晶晶位ビデオシステムに対する要望が商ま
って来ている。斯るシステムは、例えば映画製作、閉回
路テレビジョンシステム。
lhW通信システム及び一般のスタジオで使用できる。
このようにして提案された成る高品位ビデオシステムは
フレーム当り1125ライン及び秒当り60フイールド
を使用する。また、この提案されたシステムは通電のテ
レビジョン受像機で使用されている4:3のアスペクト
比(縦横比)に代って5:3のアスペクト比を使用する
。
フレーム当り1125ライン及び秒当り60フイールド
を使用する。また、この提案されたシステムは通電のテ
レビジョン受像機で使用されている4:3のアスペクト
比(縦横比)に代って5:3のアスペクト比を使用する
。
ビデオ信号に適用できる特殊効果は周知である。
従って、例えば陰極線管の像はオフセット(任意の方向
に動かずこと)、スケール(大きさを伸張または圧縮す
ること)、ロール(2または3次元に回転すること)等
を行うことができる。
に動かずこと)、スケール(大きさを伸張または圧縮す
ること)、ロール(2または3次元に回転すること)等
を行うことができる。
後で更に詳細に述べられるこのような特殊効果を達成す
る一方法は、人力アナログビデオ信号をディジタル信号
に変換し、個々の人力ディジタル信号を変形して所要な
特殊効果を得、変形したディジタル信号をフィールドメ
モリに記憶し、このフィールドメモリから読み出して所
要の出力ディジタル信号を得るようにし°ζいる。
る一方法は、人力アナログビデオ信号をディジタル信号
に変換し、個々の人力ディジタル信号を変形して所要な
特殊効果を得、変形したディジタル信号をフィールドメ
モリに記憶し、このフィールドメモリから読み出して所
要の出力ディジタル信号を得るようにし°ζいる。
上述の提案された高品位ビデオシステムにおいて、入力
アナログビデオ信号は水平走査線当り2048回サンプ
ルされ、そのときのサンプル周波数は69、12MHz
、サンプル間隔は約14.7ナノ秒である。
アナログビデオ信号は水平走査線当り2048回サンプ
ルされ、そのときのサンプル周波数は69、12MHz
、サンプル間隔は約14.7ナノ秒である。
従って、各ディジタル信号をフィールドメモリに書込む
のに利用できる時間は、特殊効果の修正ステップのため
、14.7ナノ秒より少し小さく、データをメモリに非
常に高速で書込ませるメモリ協1ツ1」手段を設けなけ
ればならない問題が生ずる。
のに利用できる時間は、特殊効果の修正ステップのため
、14.7ナノ秒より少し小さく、データをメモリに非
常に高速で書込ませるメモリ協1ツ1」手段を設けなけ
ればならない問題が生ずる。
ごの発明の目的はデータを高速で書込むことができるビ
デオ信号のメ゛eり装置を提供することである。
デオ信号のメ゛eり装置を提供することである。
この発明の他の目的は、データを1 (161以上の領
域に同時に;11込むことができるビデオ信号のメモリ
’A:5を提供することである。
域に同時に;11込むことができるビデオ信号のメモリ
’A:5を提供することである。
この発明によるビデオ信号のメモリ装置は、n’m個の
ビデオデータワードを記憶するためのビデオ信号のメモ
リ装置であって、各々がラスタ表ボの各サンプル位置に
おけるサンプル値に夫々対応したm個のト記ビデオデー
タワードを記憶できるn′メモリモジュールと、任意の
1書込みサイク対応する液晶n個の上記ビデオデータワ
ードを書込む手段とを備え、上記メモリモジュールの各
々は任!よのl書込みサイクル中上記うスク表不のn個
の1.記サンプル位置によって任意のn il、Iの四
角に上記ビデオデータワードの1つのみを記憶するよう
に配列されている。
ビデオデータワードを記憶するためのビデオ信号のメモ
リ装置であって、各々がラスタ表ボの各サンプル位置に
おけるサンプル値に夫々対応したm個のト記ビデオデー
タワードを記憶できるn′メモリモジュールと、任意の
1書込みサイク対応する液晶n個の上記ビデオデータワ
ードを書込む手段とを備え、上記メモリモジュールの各
々は任!よのl書込みサイクル中上記うスク表不のn個
の1.記サンプル位置によって任意のn il、Iの四
角に上記ビデオデータワードの1つのみを記憶するよう
に配列されている。
この発明ではメモリモジュールに書込むために利用でき
る時間は、n個のデータワードが、デマルチプレックス
及び連続的に書込まれる場合より、同時に書込まれるの
でnの関数だけ増大され、高速でデータを宵込むことが
できる。
る時間は、n個のデータワードが、デマルチプレックス
及び連続的に書込まれる場合より、同時に書込まれるの
でnの関数だけ増大され、高速でデータを宵込むことが
できる。
本実施例の説明の前に、上述した高品位ビデオシステム
用の特殊効果装置の一例の全体構成を第2図を参照して
簡単に説明する。基本的には、特殊効果装置は2つのフ
ィールドメモリすなわちフィールドロメモ1月1)及び
フィールドlメモリ(2)と書込みアドレス発生器(3
)及び読出しアドレス発生器(4)とから成る。これ等
の回路はスイッチ(51,(61゜(7)及び(8)に
より相hユ接続され、これ等のスイッチの各々はフィー
ルド周波数で動作する。入力端子(9)で供給された入
力データはスイッチ(5)を介し゛ζフィールド0メモ
リ(1)又はフィールドlメモリ(2)へ選択的に供給
される。フィールド0メモ1月1)又はフィールドlメ
モリ(2)からスイッチ(6)を介して選択的に取り出
された出力データは出力端子aωに供給される。着込み
アドレス発生器(3)及び読出しアドレス発生器(4)
はフィールドロメモ1月1)及びフィールドlメモ1月
2)にスイッチ(7)及び(8)により選択的に1つ交
互に接続される。
用の特殊効果装置の一例の全体構成を第2図を参照して
簡単に説明する。基本的には、特殊効果装置は2つのフ
ィールドメモリすなわちフィールドロメモ1月1)及び
フィールドlメモリ(2)と書込みアドレス発生器(3
)及び読出しアドレス発生器(4)とから成る。これ等
の回路はスイッチ(51,(61゜(7)及び(8)に
より相hユ接続され、これ等のスイッチの各々はフィー
ルド周波数で動作する。入力端子(9)で供給された入
力データはスイッチ(5)を介し゛ζフィールド0メモ
リ(1)又はフィールドlメモリ(2)へ選択的に供給
される。フィールド0メモ1月1)又はフィールドlメ
モリ(2)からスイッチ(6)を介して選択的に取り出
された出力データは出力端子aωに供給される。着込み
アドレス発生器(3)及び読出しアドレス発生器(4)
はフィールドロメモ1月1)及びフィールドlメモ1月
2)にスイッチ(7)及び(8)により選択的に1つ交
互に接続される。
特殊効果装置の動作中、人力アナログ信号は水・V走査
線当り2048回サンプルされ、その結果得られたサン
プル値は8ビツトワードにパルスコード変allされ“
ζ人力ディジタルデータを形成し、入力端子(9)に供
給される。スイッチ(5)の位置に応じて11つ書込み
アドレス発生器(3)の制御のもとに、書込みがフィー
ルド0メそり+1)及びフィールドlメモ1月21に対
して交互に行われる。個々のディジタル信号を適当なメ
モリ(1)又は(2)に書込んだり、それから読み出す
のを簡単に達成するだけでなく、陰極線管スクリーンラ
スタ中で個々のディジタル信号の位置を変更し°ζ所要
の特殊効果を達成するに要する必要な複雑なアドレスの
計算は、入力端子(11)を介して書込み°rアドレス
発生器3)に供給される信号の制御のものとまたは入力
端子(12)を介して読出しアドレス発生器(4)に供
給される信号の制御のもとに達成され得る。この計算を
行う方法はこの発明では重要でなく、従ってご−では更
にその詳細は説明しない。全フィールドがメモ瞥月1)
または(2)に書込まれるとき、スイッチ(5)〜(8
)が位置を変え、次にそのメT:1月1)または(2)
に記憶されているディジタル信号が読出しアドレス発生
器(4)の制御のもとに連続的に読み出されて出力端子
α〔に供給され、その間欠のフィールドに対するディジ
タル信号が他のメモリ(2)またはfllに書込まれる
。
線当り2048回サンプルされ、その結果得られたサン
プル値は8ビツトワードにパルスコード変allされ“
ζ人力ディジタルデータを形成し、入力端子(9)に供
給される。スイッチ(5)の位置に応じて11つ書込み
アドレス発生器(3)の制御のもとに、書込みがフィー
ルド0メそり+1)及びフィールドlメモ1月21に対
して交互に行われる。個々のディジタル信号を適当なメ
モリ(1)又は(2)に書込んだり、それから読み出す
のを簡単に達成するだけでなく、陰極線管スクリーンラ
スタ中で個々のディジタル信号の位置を変更し°ζ所要
の特殊効果を達成するに要する必要な複雑なアドレスの
計算は、入力端子(11)を介して書込み°rアドレス
発生器3)に供給される信号の制御のものとまたは入力
端子(12)を介して読出しアドレス発生器(4)に供
給される信号の制御のもとに達成され得る。この計算を
行う方法はこの発明では重要でなく、従ってご−では更
にその詳細は説明しない。全フィールドがメモ瞥月1)
または(2)に書込まれるとき、スイッチ(5)〜(8
)が位置を変え、次にそのメT:1月1)または(2)
に記憶されているディジタル信号が読出しアドレス発生
器(4)の制御のもとに連続的に読み出されて出力端子
α〔に供給され、その間欠のフィールドに対するディジ
タル信号が他のメモリ(2)またはfllに書込まれる
。
この発明は特にメモリ+11及び(21の構成と動作に
関連し、これ等のメモリは例えはデータをメモリ(11
及び(2)に、所要の方法でしかも上述の如き非電に高
速で書込むことができる。
関連し、これ等のメモリは例えはデータをメモリ(11
及び(2)に、所要の方法でしかも上述の如き非電に高
速で書込むことができる。
第3図1において、第2図のメモリ(11及び(2)の
各々は、nxmのメモリアレイ (21)から成り、こ
\でnは少くとも2であり、特にこの例ではnは8個の
メモリモジュール(22)に等しい。回路基扱−ヒのメ
モリモジュール(22)の実際の物理的位置はメモリレ
イ (21)にボした位置に対応する必要はないと理解
されるけれども、各メモリモジュール(22)は第3図
に不ずようなメモリアレイ(21)のその行及び列故に
よってアドレスされる。
各々は、nxmのメモリアレイ (21)から成り、こ
\でnは少くとも2であり、特にこの例ではnは8個の
メモリモジュール(22)に等しい。回路基扱−ヒのメ
モリモジュール(22)の実際の物理的位置はメモリレ
イ (21)にボした位置に対応する必要はないと理解
されるけれども、各メモリモジュール(22)は第3図
に不ずようなメモリアレイ(21)のその行及び列故に
よってアドレスされる。
各メモリモジュール(22)はランダムアクセスメモリ
(RAM)と関連するラッチ回路とから成る。
(RAM)と関連するラッチ回路とから成る。
RAMの各々はm個の8ビツトワードを記憶でき、特に
この例では、mは16Kに等しく、従ってメモリアレイ
(21) は全体としてn’mワード記憶でき、これ
はビデオ信号の1フイールドに対しては十分Cある。
この例では、mは16Kに等しく、従ってメモリアレイ
(21) は全体としてn’mワード記憶でき、これ
はビデオ信号の1フイールドに対しては十分Cある。
メモリアレイ (21)を他の点から見ると、それは8
(IMの行及び8個の列を有し、深さ方向に16にレベ
ルを有していると石うことである。従って、1ノートを
メモリアレイ (21)に書込みまたワードをそごから
読出ずために、必要なアドレスはレベル、行及び列情報
を自しζいる。
(IMの行及び8個の列を有し、深さ方向に16にレベ
ルを有していると石うことである。従って、1ノートを
メモリアレイ (21)に書込みまたワードをそごから
読出ずために、必要なアドレスはレベル、行及び列情報
を自しζいる。
第4図は陰極線管のスクリーン(:H)のラスタに対す
る第3図のメモリアレイ (21)の関係をボす。
る第3図のメモリアレイ (21)の関係をボす。
第4図の各四角はメモリアレイ (21)のルベルに対
応し、各四角内の数は第:3図の各メモリモジュール(
22)の行及び列故に対応Jる。従って、第4図のスク
リーン(31)を考えると、最初の8個の走査線の最初
の81114のサンプル値は、第3図のメモリアレイ
(21)のトップレベルずなわちレベル0に記憶され、
最初の8 +1111の走査線の次の81固のサンプル に記憶され、以トスクリーン(31)の全領域に対して
同様である。
応し、各四角内の数は第:3図の各メモリモジュール(
22)の行及び列故に対応Jる。従って、第4図のスク
リーン(31)を考えると、最初の8個の走査線の最初
の81114のサンプル値は、第3図のメモリアレイ
(21)のトップレベルずなわちレベル0に記憶され、
最初の8 +1111の走査線の次の81固のサンプル に記憶され、以トスクリーン(31)の全領域に対して
同様である。
メモリアレイ (2工)の使用中、スクリーン(31)
上のラスタの最前8個の隣接する同一直線−ヒのサンプ
ル位置における各サンプル値に対応する最前8個の8ビ
ツトワードが同時に書込まれる。この効果は、第4図の
四角の1つまたは1度2つの境界に隣接する同一直線上
のサンプル位置が重複したとしても、メモリモジエール
(22)のどれも各T+1込みサイクル中それに書込ま
れるlワード以上を有しないと万うことである。このこ
とを更に第5図及び第6図を参照して以下に説明するが
、先ず、何故液面8個のサンプル値が通電の8個より各
書込みサイクル中に1!1.込まれるのかをWI単に説
明“4る。実際、凡のディジタルデータから、書込みの
ため選択されるサンプル値の数は通電a l1lilで
あるが、この数は特殊効果処理のため減少する。
上のラスタの最前8個の隣接する同一直線−ヒのサンプ
ル位置における各サンプル値に対応する最前8個の8ビ
ツトワードが同時に書込まれる。この効果は、第4図の
四角の1つまたは1度2つの境界に隣接する同一直線上
のサンプル位置が重複したとしても、メモリモジエール
(22)のどれも各T+1込みサイクル中それに書込ま
れるlワード以上を有しないと万うことである。このこ
とを更に第5図及び第6図を参照して以下に説明するが
、先ず、何故液面8個のサンプル値が通電の8個より各
書込みサイクル中に1!1.込まれるのかをWI単に説
明“4る。実際、凡のディジタルデータから、書込みの
ため選択されるサンプル値の数は通電a l1lilで
あるが、この数は特殊効果処理のため減少する。
簡単な例をとると、特殊効果処理が像の直線次7c(1
inear di+nension)を半減するならば
、最初に選択された任意の8個の隣接する間−直線上の
サンプル値は、特殊効果処理により4個に減少される。
inear di+nension)を半減するならば
、最初に選択された任意の8個の隣接する間−直線上の
サンプル値は、特殊効果処理により4個に減少される。
第5図及び第6図において、これ等の各々は、第4図の
頂部右側の四角で且つ3個のじかに隣接″4−る四角を
ホす。メモリモジエール(22)のレベルに対応するこ
れ等の四角は、0でスタートし、スクリーン(31)の
頂部に沿って連続的に進み、次の行の四角等に続(レベ
ルアドレスを肴する。
頂部右側の四角で且つ3個のじかに隣接″4−る四角を
ホす。メモリモジエール(22)のレベルに対応するこ
れ等の四角は、0でスタートし、スクリーン(31)の
頂部に沿って連続的に進み、次の行の四角等に続(レベ
ルアドレスを肴する。
第2行の四角における第1の四角のレベルアドレスをN
とする。
とする。
次に第5図の例に付いて考える。これは、スクリーン(
31)の水平に対して0°に設けられた8個の隣接する
同一直線上のサンプル値の書込めをボす。これ等の8
(11i1のサンプル値を書込むために、メモリアレイ
(21)の8個のメモリモジエール(22)は同時に
アドレスされ、それに記憶されるサンプル値°を表わず
各8ピツI・ワードを供給される。8個のアドレスは、
0,2.3;0,2,4;0.2,5;0,2,6;0
,2,7.0,2゜8;1.2.1及び1.2.2であ
り、ご\で第1の数は各メモリモジュール(22)のレ
ベルを表わし、第2の数はメモリアレイ (21)の行
を表わし、第3の数はメモリア、レイ (21)の列を
表わす。
31)の水平に対して0°に設けられた8個の隣接する
同一直線上のサンプル値の書込めをボす。これ等の8
(11i1のサンプル値を書込むために、メモリアレイ
(21)の8個のメモリモジエール(22)は同時に
アドレスされ、それに記憶されるサンプル値°を表わず
各8ピツI・ワードを供給される。8個のアドレスは、
0,2.3;0,2,4;0.2,5;0,2,6;0
,2,7.0,2゜8;1.2.1及び1.2.2であ
り、ご\で第1の数は各メモリモジュール(22)のレ
ベルを表わし、第2の数はメモリアレイ (21)の行
を表わし、第3の数はメモリア、レイ (21)の列を
表わす。
次に第6図の例を考える。これはスクリーン(31)の
水平に対して45°に設けられた8 11Mの隣接する
同一直線上のサンプル値の吉込みをポす。
水平に対して45°に設けられた8 11Mの隣接する
同一直線上のサンプル値の吉込みをポす。
これ等の8個のサンプルイーを書込むために、メモリア
レイ (21)のメモリモジュール(22)は同時にア
ドレスされ、それに記憶されるサンプル値を表わす各8
ビツトワードを供給される。8個のアドレスは、上述と
同じような表示法をすると、0.3,2;0,4.3i
0,5,4;0,6゜5;0.7.6;O,s、7;N
、1.8及びN+1,2.lである。
レイ (21)のメモリモジュール(22)は同時にア
ドレスされ、それに記憶されるサンプル値を表わす各8
ビツトワードを供給される。8個のアドレスは、上述と
同じような表示法をすると、0.3,2;0,4.3i
0,5,4;0,6゜5;0.7.6;O,s、7;N
、1.8及びN+1,2.lである。
これ等の例から、ビデオメモリを配置し、第2図の占込
めアドレス発生器(及び計算機)(3)を有するごとに
より、この方法においてアドレスを里、し、8個の隣接
する同一直線上のサンプル値が第4図のスクリーン(3
1)上の四角間の1つまたは2つの境界を交差したとし
ても、同じ書込みサイクル中に同じメモリモジュール(
22)に2ワードを71込むことは必ずしも必要でない
ことがわかる。
めアドレス発生器(及び計算機)(3)を有するごとに
より、この方法においてアドレスを里、し、8個の隣接
する同一直線上のサンプル値が第4図のスクリーン(3
1)上の四角間の1つまたは2つの境界を交差したとし
ても、同じ書込みサイクル中に同じメモリモジュール(
22)に2ワードを71込むことは必ずしも必要でない
ことがわかる。
このメモ1月1)及び(2)の構成は、上述したタイミ
ンク問題をかなり軽減する一方、64個のメモリモジュ
ール(22)のう′らの(上意の81固をアクセスする
ために、通電、64個のアドレス及びデータバス。
ンク問題をかなり軽減する一方、64個のメモリモジュ
ール(22)のう′らの(上意の81固をアクセスする
ために、通電、64個のアドレス及びデータバス。
メモリモジエール(22)の各々に対して1つ、及び1
1個のl:64デマルナブレク号を設は名必要があると
バう困難さがある。これは多大なハードウェアを要し、
′そこで、この発明は更にデータをメモ1月1)及び(
2)に店込むのに必要なハードウニ゛1を軽減すること
に関する。
1個のl:64デマルナブレク号を設は名必要があると
バう困難さがある。これは多大なハードウェアを要し、
′そこで、この発明は更にデータをメモ1月1)及び(
2)に店込むのに必要なハードウニ゛1を軽減すること
に関する。
上述の如(、(+意の1店込みサイクル内に店込まれる
データは陰極線管のスクリーンラスタの最烏8個の隣接
する同一直線トのサンプル位置に対応して夫々液晶8個
のサンプル値を有する。第7図は8個の隣接する同一直
線上のサンプル位置の3個の可能な方向を示し、これ等
の方法はスクリーン(31)の水平に対して0°、スク
リーン(31)の水平に対して45°及びスクリーン(
31)に対して90°すなわら垂直である。第7図から
、第3図のメモリアレイ (21)に対して垂直なバス
が配設され\ば、この垂直なバスを介して水平に関し0
゜から45°までの任意の方向にある8個のサンプル位
置に対してデータ及びアドレスが通過でき、メモリアレ
イ (21)に対して水平なバスが配設され\ば、この
水平なバスを介し°ζ45°から90°までの任意の方
向にある8個のサンプル任意に対してデータ及びアドレ
スが通過できることがわかる。
データは陰極線管のスクリーンラスタの最烏8個の隣接
する同一直線トのサンプル位置に対応して夫々液晶8個
のサンプル値を有する。第7図は8個の隣接する同一直
線上のサンプル位置の3個の可能な方向を示し、これ等
の方法はスクリーン(31)の水平に対して0°、スク
リーン(31)の水平に対して45°及びスクリーン(
31)に対して90°すなわら垂直である。第7図から
、第3図のメモリアレイ (21)に対して垂直なバス
が配設され\ば、この垂直なバスを介して水平に関し0
゜から45°までの任意の方向にある8個のサンプル位
置に対してデータ及びアドレスが通過でき、メモリアレ
イ (21)に対して水平なバスが配設され\ば、この
水平なバスを介し°ζ45°から90°までの任意の方
向にある8個のサンプル任意に対してデータ及びアドレ
スが通過できることがわかる。
第1図はこの発明に係るビデオ信号のメモリ装置8の構
成を7にずもので、64(固のメモリモジュール(22
)で形成されたメモリアレイ (21)と、これと直接
関連し、任意の8 (11jlの同一直線上に配された
メモリモジエール(22)をアドレスし珪つアドレスさ
れたメモリモジエール(22)に書込モうとJるデータ
をイバ給する手段とから成る。
成を7にずもので、64(固のメモリモジュール(22
)で形成されたメモリアレイ (21)と、これと直接
関連し、任意の8 (11jlの同一直線上に配された
メモリモジエール(22)をアドレスし珪つアドレスさ
れたメモリモジエール(22)に書込モうとJるデータ
をイバ給する手段とから成る。
垂直ハスIt¥(旧)ばメモリアレイ (21)の81
1Mの少直な列の各々にある8個のメモリモジュール(
22)に全て夫々接続された8個の信号経路を有し、水
平ハス群(42)はメモリアレイ (21)の8個の水
平な行の各々にある8 111i1のメモリモジエール
(22)に全′ζ接続された8 111i1の信号経路
を有する。。東面パス(旧)の各信号経路は8個のバッ
ファ回路(43)に接続され、水平バス群(42)の各
(ご月経路は81II11のバッファ回路(44)に接
続される。バッファ回路(43)及び(44)の入力端
には夫々、人力バス(0)〜人力ハス(7)で不される
8個の人力ハスが対をなして接続される6データ及びア
ドレスが入力端子(45)及び(46)に供給され、更
にランチ回路(47)及び(4B)を介して人力バス(
0)に供給される。図小せ゛づ゛も入力端子(45)及
び(46)とラッチ1111路(47)及び(48)は
他の入力バス(11〜(力の各々に対しても設けられる
。垂直イネーブル品)子(49)はハソファ回1♂&(
43)に接続され、水平イネ−フル端子(50)はバッ
ファ回路(44)に接続される。バッファ回路(43)
及び(44)はバス群(41)及び(42)を11−い
に分離する。
1Mの少直な列の各々にある8個のメモリモジュール(
22)に全て夫々接続された8個の信号経路を有し、水
平ハス群(42)はメモリアレイ (21)の8個の水
平な行の各々にある8 111i1のメモリモジエール
(22)に全′ζ接続された8 111i1の信号経路
を有する。。東面パス(旧)の各信号経路は8個のバッ
ファ回路(43)に接続され、水平バス群(42)の各
(ご月経路は81II11のバッファ回路(44)に接
続される。バッファ回路(43)及び(44)の入力端
には夫々、人力バス(0)〜人力ハス(7)で不される
8個の人力ハスが対をなして接続される6データ及びア
ドレスが入力端子(45)及び(46)に供給され、更
にランチ回路(47)及び(4B)を介して人力バス(
0)に供給される。図小せ゛づ゛も入力端子(45)及
び(46)とラッチ1111路(47)及び(48)は
他の入力バス(11〜(力の各々に対しても設けられる
。垂直イネーブル品)子(49)はハソファ回1♂&(
43)に接続され、水平イネ−フル端子(50)はバッ
ファ回路(44)に接続される。バッファ回路(43)
及び(44)はバス群(41)及び(42)を11−い
に分離する。
次に動作を説明する。陰極線管スクリーンラスタの8個
の隣接する同−直線−ヒのサンプル位置におけるサンプ
ル値に夫々対応する8個の8ヒソ[・ワードが、t ”
!込みサイクル中、メモリアレイ(21)に書込みのた
め現われると、スクリーン(31)に関する線の方向を
使用して垂直イネ−フル端子(49)及び水平イネーブ
ル端子(5o)のうちのどれがイネーブル信号を供給す
べきかが決定される。バッファ回路(43)がイネーブ
ルされたとすると、メモリモジュール(22)の各々に
対するデータ及びアドレスが、マルチビットワードの形
でJ1野直ハス群(41)を介し°ζメモリアレイ (
21)に供給される。3ビツトは選択される正確なメモ
リモジュール(22)を決定するため設けられている。
の隣接する同−直線−ヒのサンプル位置におけるサンプ
ル値に夫々対応する8個の8ヒソ[・ワードが、t ”
!込みサイクル中、メモリアレイ(21)に書込みのた
め現われると、スクリーン(31)に関する線の方向を
使用して垂直イネ−フル端子(49)及び水平イネーブ
ル端子(5o)のうちのどれがイネーブル信号を供給す
べきかが決定される。バッファ回路(43)がイネーブ
ルされたとすると、メモリモジュール(22)の各々に
対するデータ及びアドレスが、マルチビットワードの形
でJ1野直ハス群(41)を介し°ζメモリアレイ (
21)に供給される。3ビツトは選択される正確なメモ
リモジュール(22)を決定するため設けられている。
ワードの14ビツトは、選択されたメモリモジュール(
22) (7)16にレベルのどれがアトルスされてい
るかを4<シ、ワードの8ビツトはそのアドレスで記憶
されるデータである。
22) (7)16にレベルのどれがアトルスされてい
るかを4<シ、ワードの8ビツトはそのアドレスで記憶
されるデータである。
その後、次の8111+Iの8ビツトワードに対して書
込みサイクルが繰返えされ、この場合、イネーブル信号
を水平イネーブル端子(50)に供給するごとにより、
水平バス群(42)が選択される。線の方向がスクリー
ン(31ンに対して45°の場合、バス群(4I)及び
(42)のいずれかが使用され、一般に前の¥!F込み
サイクル中にイネーブルされたバス群が再ひ使用され−
る。
込みサイクルが繰返えされ、この場合、イネーブル信号
を水平イネーブル端子(50)に供給するごとにより、
水平バス群(42)が選択される。線の方向がスクリー
ン(31ンに対して45°の場合、バス群(4I)及び
(42)のいずれかが使用され、一般に前の¥!F込み
サイクル中にイネーブルされたバス群が再ひ使用され−
る。
一ヒ述のサンプル値は輝度サンプル値とみなされ、史に
同じ方法−と1す1作する同様のビデオ信号のメモリ装
置を色リーンプル((へに対して設けることができる。
同じ方法−と1す1作する同様のビデオ信号のメモリ装
置を色リーンプル((へに対して設けることができる。
この発明は他の型式のテレビジョン装置用のビデオ信号
のメモリ装置及びフレームメモリ装置に適用できる。ま
た、数n及びmは所要の;11込み速度及び記憶される
ビデオディジタルデータの量を考慮して変更できる。ま
た、この発明は他の型式のラスタ表ボも使用できるので
、表示は陰極線管スクリーンでなくてもよい。
のメモリ装置及びフレームメモリ装置に適用できる。ま
た、数n及びmは所要の;11込み速度及び記憶される
ビデオディジタルデータの量を考慮して変更できる。ま
た、この発明は他の型式のラスタ表ボも使用できるので
、表示は陰極線管スクリーンでなくてもよい。
この発明の一実施例を添付図面を参照して6゛P細に述
べ°ζきたけれども、この発明はこの実施例に限定され
ず、当業者がこの発明の要旨を逸脱することなく棟々の
変更、変形を成し得ることが理解されるべきである。
べ°ζきたけれども、この発明はこの実施例に限定され
ず、当業者がこの発明の要旨を逸脱することなく棟々の
変更、変形を成し得ることが理解されるべきである。
上述の如くこの発明によれば、02m1lllIのビデ
オデータワードを記憶するだめのビデオ信号のメモリ装
置であって、各々がラスタ表ボの各サンプル位置におけ
るサンプル値に夫々対応したm個の上記ビデオデータワ
ードを記憶できるn′メモリモジュールと、任意の1古
込みサイクル中−[二記ビデオ個の上記ビデオデータソ
ードを書込む手段とを備え、上記メモリモジュールの各
々は任意の1書込みザイクル中上記うスク表不のn個の
上記サンプル位置によっ゛(仕慈のn If/i+の四
角に上記ビデオデータワード′のl)のみを記憶するよ
うに配列されている構成としたので、データを高速でし
かも1つ口重の領域に同時に11込むことができ、西品
位ヒテオシステム等に用いて極めて有用である。
オデータワードを記憶するだめのビデオ信号のメモリ装
置であって、各々がラスタ表ボの各サンプル位置におけ
るサンプル値に夫々対応したm個の上記ビデオデータワ
ードを記憶できるn′メモリモジュールと、任意の1古
込みサイクル中−[二記ビデオ個の上記ビデオデータソ
ードを書込む手段とを備え、上記メモリモジュールの各
々は任意の1書込みザイクル中上記うスク表不のn個の
上記サンプル位置によっ゛(仕慈のn If/i+の四
角に上記ビデオデータワード′のl)のみを記憶するよ
うに配列されている構成としたので、データを高速でし
かも1つ口重の領域に同時に11込むことができ、西品
位ヒテオシステム等に用いて極めて有用である。
第1図はこの発明によるビデオ信号のメモリ装置の一実
施例を不ずブロック図、第2図は高品位ビデオシステム
用特殊効実装置を簡略化して不ずフロック図、第3図は
この発明によるビデオ信号のメモリ装置の一部の構成で
、第2図の装置に使用される図、第4図は第3図のビデ
オ信号のメモリ装置及び陰極線管スクリーンのラスタの
関係をボ)図、第5図及び第6図は第3図のビデオ信号
のメモリ装置の使用の一例をネオ図、第7゛図は第3図
のビデ116号のメモリ装置にデータを書込むための3
つの1iJ能性をボず図である。 (21)はメモリアレイ、(22)はメモリモジュール
、(41)は垂直ハス群、(42)は水平ノXス群、(
43) 、 (44)はハッソア回路、(47) 、
(48)はランチ回路である。
施例を不ずブロック図、第2図は高品位ビデオシステム
用特殊効実装置を簡略化して不ずフロック図、第3図は
この発明によるビデオ信号のメモリ装置の一部の構成で
、第2図の装置に使用される図、第4図は第3図のビデ
オ信号のメモリ装置及び陰極線管スクリーンのラスタの
関係をボ)図、第5図及び第6図は第3図のビデオ信号
のメモリ装置の使用の一例をネオ図、第7゛図は第3図
のビデ116号のメモリ装置にデータを書込むための3
つの1iJ能性をボず図である。 (21)はメモリアレイ、(22)はメモリモジュール
、(41)は垂直ハス群、(42)は水平ノXス群、(
43) 、 (44)はハッソア回路、(47) 、
(48)はランチ回路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 n^2m個のビデオデータワードを記憶するためのビデ
オ信号のメモリ装置であって、各々がラスタ表示の各サ
ンプル位置におけるサンプル値に夫々対応したm個の上
記ビデオデータワードを記憶できるn^2メモリモジュ
ールと、 任意の1書込みサイクル中上記ビデオ信号のメモリ装置
内で上記ラスタ表示のn個の隣接する同一直線上のサン
プル位置に対応する最高n個の上記ビデオデータワード
を書込む手段とを備え、上記メモリモジュールの各々は
任意の1書込みサイクル中上記ラスタ表示のn個の上記
サンプル位置によって任意のn個の四角に上記ビデオデ
ータワードの1つのみを記憶するように配列されている
ビデオ信号のメモリ装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08424201A GB2164767B (en) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Video data storage |
| GB08424233A GB2165066B (en) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Video data storage |
| GB8424201 | 1984-09-25 | ||
| GB8424233 | 1984-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193490A true JPS6193490A (ja) | 1986-05-12 |
| JPH0830949B2 JPH0830949B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=26288258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60211723A Expired - Lifetime JPH0830949B2 (ja) | 1984-09-25 | 1985-09-25 | ビデオ信号のメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830949B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58205187A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-11-30 | 株式会社東芝 | メモリ装置 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60211723A patent/JPH0830949B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58205187A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-11-30 | 株式会社東芝 | メモリ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830949B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |