JPS6194334A - ウエハ・マツプ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はウェハ・マップ方法に係り、特にウェハ上に
形成された多数個の集積回路素子の測定結果の記録方式
に関する。

多数個の集積回路素子が半導体ウェハ上に形成されてい
る該各集積回路素子の検量において、グローブカード下
面に集積回路素子に相当するグローブが設けられており
、該グローブと集積回路素子の電極との接触をとり測定
を行っている。

この半導体ウェハは、該ウェハの水平方向への平行移動
１回転及び垂直への平行移動が可能な試料台に載せられ
、多数の集積回路素子により形成されたバター／の直交
軸と、前記試料台の水平面の直交移動の描く軸が一致す
るよりに試料台を回転させておき、この試料台を水平面
の直交方向及び垂直面への移動によりプローブカードの
プローブとウェハ内の全集積回路素子との接触をとって
いる。

この直交軸の目合せは、半導体ウェハの集積回路素子の
形成された面にスポット光を照射し、該ウェハからの反
射光を光電素子により検出し、目合せを行っている。

この直交軸の目合せを行った鏡、試料台を水平面の直交
方向及び垂直面への移動によりプローブカードのグロー
ブとウニへ内の全集積回路素子との接触をとっており、
該プローブは該グローブカードを介しテスタと呼称され
ている検ｆ装置へ配線されている。該グローブカードの
固定、ウェハとグローブの接触をとる為の移動機構及び
目合せ機構はプローバと呼称されている倹食慎で行なわ
れている。該プローバに工りウェハ全正確に移動させウ
ェハ上の全集積回路素子の検査を行って−る。

集積回路素子の測定検査はテスタにより行なわれ、その
＠来データはテスタよりプローバヘ各集噴回路素子毎に
転送され、プローバは各ウェハ毎に該結果データを記録
して−る。また、該集積回路素子が測定の結果不良品で
あったならばテスタよりプローバへ不良信号が転送され
１０−バは該集積回路素子に不良品のマークをつけてい
る。

このマークを付ける方法として、インクを塗布する方法
鋼線等により叩き市をつける方法およびレーデにより熱
加工し変質させる方法等を行なっている。しかしながら
これらの７−タ方法を行なっていたのでは、インク塗布
の位置・大きざの調整・後処理、叩き瘍お工びレーザ光
による熱加工の位置・大きさのｔ１Ｎ整が難しく、集積
回路素子の電極と接触をとっているプローブカードのプ
ローブを汚濁、変形、破損させプローブカードの寿命を
低下させてしまう。また−匿測定？行なって不良のマー
クをつけた集積回路素子は該表面より破壊または汚濁を
うけ、不良料析を行なうことができなくなってしまう。

従来この種のウェハ・マップ方式にあっては。

マッグされた結果と実際のウェハ上の集積回路素子との
対応を正確にとることが難かしく実用化に問題があった
。

この発明の目的は従来方式の問題を解決する為ウェハ上
の特定パターンの位＃茫基準とし、測定結果と座標を適
当な記録媒体に記録することにより不良品のマーク処理
をなくし、該集積回路素子を破壊または汚濁させないウ
ェハー・マツプ方式を提供することにある。

本発明によれば、ブローバは直交軸の目合せを行なう際
に、ｌ：］合せ磯榴部よつ照射されたスポット光の反射
全光電素子により検出することができるので各集積回路
素子上を探索した場合の反射光と特定パターン上を探索
した場合の反射光のデータの違いに工つ特定パターンの
位置を認識できる。

該特定パターンの位＃、を購準とした座標により。

各集積回路素子の測走＠果とウェハ上の個々の集積回路
素子との対応がとれる。

次に図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示す。

第１図に示すように、プローバｌは制御信号ライン３を
介してテスタ２へ各集積回路素子毎に測定開始信号を転
送し、テスタ２はグローブカードを介して集積回路素子
と接触をとられている測定テーブル４を介して測定が行
なわれる。この測定結果は測定結果信号ライン６を介し
てプローバ１へ転送され、測定が終了した時点で測定終
了信号は制御信号ライン３を介してプローバヘ転送され
る。また、各集積回路素子の座標は１０−バ１より座標
信号ライ１５を介してテスタ２へ転送される。本発明で
は第２図に示すように、簗噴（ロ）略累子の境界を示す
直交軸７，８によって区画されたところに、測定結￥を
示す記号ｌＯにエリ、Ｅ。

Ｃ，Ａ、　Ｇ、・・・・・・Ｂ、Ｃ等のように、半導体
ウェハー上に形成された集積回路素子の測定１．１Ｎ果
全記録する。ここでｋは特定パターン９でめる。座標ラ
イ／の座標框、プローバｌの目合せ機構で検出した特定
パターン９の位＋ｔ、ｆ基準としている。この特定パタ
ーンを基準とした座標にエリ各集積回路素子の測定結果
とウェハ上の個々の集積回路素子の対応がとする。この
１ｔ、、＋ｌ定結果および座標は、プローバ１およびテ
スタ２のｉｉ２録媒体に記録されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す構成を図であり、第２
図は測定結果の記録例を示す平面図で）る。 尚１図にｈ〜いて５　ｌ・・・・・・プローバ、２・・
・・・・テスタ、３・・・・・・制御信号ライン、４・
・・・・・測定テーブル。 ５・・・・・・座標信号ライン、６・・・・・・測定結
果信号ライン、７・・・・・・集積回路素子の境界を示
す一直交軸。 ８・・・・・・集積回路素子の境界を示す曲直交軸、９
・・・・・・特定バター／の位置上水す記号、１０・・
・・・・測距結果を示す記号。 冷１記

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハ上に形成された集積回路素子の測定結果
   を記録するウェハ・マップ方法において、前記ウェハ上
   の特定の位置に、該ウェハ上に複数配置された他の集積
   回路素子とは異なり且つ少なくとも１箇所以上を有した
   特定パターンをプローバの目合せ機構で検出し、以後前
   記集積回路の測定において該特定パターンの位置を基準
   とし、測定結果と座標を所定な記録媒体に記録すること
   を特徴とするウェハ・マップ方法。