JPS6195680A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6195680A JPS6195680A JP59216741A JP21674184A JPS6195680A JP S6195680 A JPS6195680 A JP S6195680A JP 59216741 A JP59216741 A JP 59216741A JP 21674184 A JP21674184 A JP 21674184A JP S6195680 A JPS6195680 A JP S6195680A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- gate
- transfer channel
- film
- channel
- Prior art date
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- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は二次元固体撮像装置に関して、強い入射光が撮
（９画面に与える悪影響を取り除くための新規なる構造
を有する固体撮像装置に関するものである。
（９画面に与える悪影響を取り除くための新規なる構造
を有する固体撮像装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
一般に二次元固体撮像装置においては、受光部と垂直の
走査回路が形成されている撮像面に強い信号光が入射し
た場合、強い入射光により半導体基板内に発生した偽信
号電荷が垂直走査回路に侵入する。この結果、撮像画面
上において、スミア−と呼ばれる縦の薄い帯状の線をひ
く現象があられれる。これは、固体撮像装置の大きな問
題点である。
走査回路が形成されている撮像面に強い信号光が入射し
た場合、強い入射光により半導体基板内に発生した偽信
号電荷が垂直走査回路に侵入する。この結果、撮像画面
上において、スミア−と呼ばれる縦の薄い帯状の線をひ
く現象があられれる。これは、固体撮像装置の大きな問
題点である。
第１図は、受光部としてＳｌのｐｎ接合、走査回路とし
て埋め込みＣＯＤを用いた二次元固体撮像装置の撮像部
の単位画素の例を示す断面図である。
て埋め込みＣＯＤを用いた二次元固体撮像装置の撮像部
の単位画素の例を示す断面図である。
ここで１は半導体基板で、２は半導体基板と反対の導電
形の不純物の拡散層で形成された）ｆ）ダイオード、３
はフォトダイオード２の信号電荷をＣＯＤに読み込むＭ
Ｏ３）ランジスタのゲートチゴネル部、４は埋め込みＣ
ＯＤの転送チャネル部、５はゲート酸化膜、６は読み込
みＭＯ８トランジスタのリード・ゲートとＣＯＤの転送
ゲートを兼ねるＰｏ１ｙ Ｓｉ電極、 ７はフィールド
酸化膜、８はチャネル・ストッパ、９はＰＳＧ 、ＢＳ
Ｇ 。
形の不純物の拡散層で形成された）ｆ）ダイオード、３
はフォトダイオード２の信号電荷をＣＯＤに読み込むＭ
Ｏ３）ランジスタのゲートチゴネル部、４は埋め込みＣ
ＯＤの転送チャネル部、５はゲート酸化膜、６は読み込
みＭＯ８トランジスタのリード・ゲートとＣＯＤの転送
ゲートを兼ねるＰｏ１ｙ Ｓｉ電極、 ７はフィールド
酸化膜、８はチャネル・ストッパ、９はＰＳＧ 、ＢＳ
Ｇ 。
ＮＳＧ等よりなる層間絶縁膜、１ｏはＣＯＤの転送チャ
ネルに光が直接入射するのを遮蔽す不入ｌ。
ネルに光が直接入射するのを遮蔽す不入ｌ。
ＭＯ等の金属である。
ここで強い光ｈνが撮像面に入射するとき、転送、チャ
ネル上の入射光１１は光遮蔽金属１０により転送チャネ
ルへの侵入を阻止されるが、フォトダイオード上の開口
部１２を介した入射光１３は、透明な眉間絶縁膜９を介
してフォトダイオードと光遮蔽金属間で干渉しながら隣
接の転送チャネル内に直接入射したり、又は隣接画素と
の境のフィールド酸化膜下の半導体基板内に入射し、電
子−正孔対を発生し、この時の電子が隣接の転送チャネ
ルに侵入して、偽信号電荷としてスミア−発生の要因と
なる。このスミア−は撮像画面の特性に重大な悪影響を
与える為、極力減少させなければいけない。
ネル上の入射光１１は光遮蔽金属１０により転送チャネ
ルへの侵入を阻止されるが、フォトダイオード上の開口
部１２を介した入射光１３は、透明な眉間絶縁膜９を介
してフォトダイオードと光遮蔽金属間で干渉しながら隣
接の転送チャネル内に直接入射したり、又は隣接画素と
の境のフィールド酸化膜下の半導体基板内に入射し、電
子−正孔対を発生し、この時の電子が隣接の転送チャネ
ルに侵入して、偽信号電荷としてスミア−発生の要因と
なる。このスミア−は撮像画面の特性に重大な悪影響を
与える為、極力減少させなければいけない。
発明の目的
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、二次元固体撮像装
置のスミア−を低減し、それによって撮像画面の特性の
向上を図る新規なる構造の二次元固体撮像装置を提供せ
んとするものである。
置のスミア−を低減し、それによって撮像画面の特性の
向上を図る新規なる構造の二次元固体撮像装置を提供せ
んとするものである。
発明の構成
本発明は、転送チャネル上の眉間絶縁膜として光に対す
る透過率の著しく低い材料を用いる。このことＫより、
フォトダイオード上の開口部から入射した強い光が干渉
により隣接の転送チャネルに侵入するのを減衰させる。
る透過率の著しく低い材料を用いる。このことＫより、
フォトダイオード上の開口部から入射した強い光が干渉
により隣接の転送チャネルに侵入するのを減衰させる。
実施例の説明
本発明の一実施例を第２図に示す。ここで、１は半導体
基板、２はフォトダイオード、３は読み込みＭｏＳトラ
ンジスタのゲートチャネル部、４はＣＯＤの転送チャネ
ル、６はゲート酸化膜、ｅは読み込みＭＯＳ）ランジス
タのリードゲートとＣＯＤの転送ゲートを兼ねるＰｏ１
ｙ Ｓｉ電極、７はフィールド酸化膜、８はチャネル・
ストッパ。
基板、２はフォトダイオード、３は読み込みＭｏＳトラ
ンジスタのゲートチャネル部、４はＣＯＤの転送チャネ
ル、６はゲート酸化膜、ｅは読み込みＭＯＳ）ランジス
タのリードゲートとＣＯＤの転送ゲートを兼ねるＰｏ１
ｙ Ｓｉ電極、７はフィールド酸化膜、８はチャネル・
ストッパ。
１９は光に対して透過率の低い層間絶縁膜で、ａ−８ｉ
（アモルファスシリコン）や他の撮像管の光導ｔターゲ
ット材にュービコン膜、サチコン膜等）を用いる。１ｏ
はＣＯＤの転送チャネル上の光遮蔽金属膜である。ここ
で、転送チャネル上の強い入射光１１は光遮蔽金属１ｏ
により転送チャネルへの直接侵入を阻止される。一方、
フォトダイオード２上の開口部１２を通った入射光１３
は、透過率の低い眉間絶縁膜１９の存在により１、基板
側と遮蔽金属１ｏ側との干渉が減衰し、従来例と異なり
隣接画素部までの侵入光が著しく減少する。このため、
従来例と比較した場合、強い入射光の層間絶縁膜内の干
渉によって隣接の転送チャネル内に侵入したスミア−信
号電荷は著しく減少する。
（アモルファスシリコン）や他の撮像管の光導ｔターゲ
ット材にュービコン膜、サチコン膜等）を用いる。１ｏ
はＣＯＤの転送チャネル上の光遮蔽金属膜である。ここ
で、転送チャネル上の強い入射光１１は光遮蔽金属１ｏ
により転送チャネルへの直接侵入を阻止される。一方、
フォトダイオード２上の開口部１２を通った入射光１３
は、透過率の低い眉間絶縁膜１９の存在により１、基板
側と遮蔽金属１ｏ側との干渉が減衰し、従来例と異なり
隣接画素部までの侵入光が著しく減少する。このため、
従来例と比較した場合、強い入射光の層間絶縁膜内の干
渉によって隣接の転送チャネル内に侵入したスミア−信
号電荷は著しく減少する。
発明の効果
本発明のごとく、二次元固体撮像装置の走査画。
路と走査回路上の光遮蔽金属膜との間の眉間絶縁膜に光
透過率の著しく低い材料を用いることにより、強い光が
入射したとき、基板側と光遮蔽金属との間で干渉しなが
ら走査回路側へ侵入して行く光をこの低透過率の眉間絶
縁膜で阻止することができる。このため、従来この様な
干渉による回り込みの光が原因で発生した偽信号電荷に
起因するスミア−は大幅に改善することができる。
透過率の著しく低い材料を用いることにより、強い光が
入射したとき、基板側と光遮蔽金属との間で干渉しなが
ら走査回路側へ侵入して行く光をこの低透過率の眉間絶
縁膜で阻止することができる。このため、従来この様な
干渉による回り込みの光が原因で発生した偽信号電荷に
起因するスミア−は大幅に改善することができる。
ちなみに撮像管の光導電体ターゲツト材になりうるａ−
５ｉ膜等を用いるとその可視光に対する透過率の低さか
ら、従来の８１０２酸化膜系の透明な層間絶縁膜に比較
して、１０倍以上のスミア−抑制率の向上を図ることが
できる。
５ｉ膜等を用いるとその可視光に対する透過率の低さか
ら、従来の８１０２酸化膜系の透明な層間絶縁膜に比較
して、１０倍以上のスミア−抑制率の向上を図ることが
できる。
第１図は従来例を示す一般的な二次元固体撮像装置の単
位画素部の断面構造図、第２図は本発明の一実施例の同
装置の単位画素部を示す断面構造図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フォトダイ
オード、３・・・・・・ＱＣＤ転送チャネノペ６・・・
・・・転送Ｐｏ１ｙ Ｓｉ電極、１ｏ・・・・・・光遮
蔽金属膜、１９・・・・１．不透明層間絶縁膜。
位画素部の断面構造図、第２図は本発明の一実施例の同
装置の単位画素部を示す断面構造図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フォトダイ
オード、３・・・・・・ＱＣＤ転送チャネノペ６・・・
・・・転送Ｐｏ１ｙ Ｓｉ電極、１ｏ・・・・・・光遮
蔽金属膜、１９・・・・１．不透明層間絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された複数の光電変換部と走査回
路より成り、前記光電変換部以外の部分の層間絶縁膜が
高抵抗の光遮蔽材で構成されることを特徴とする固体撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216741A JPS6195680A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216741A JPS6195680A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195680A true JPS6195680A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16693202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216741A Pending JPS6195680A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033469A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842368A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPS59172768A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59216741A patent/JPS6195680A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842368A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPS59172768A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033469A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US7030919B2 (en) | 2000-07-17 | 2006-04-18 | Nec Electronics Corporation | Solid state image pick-up device |
| US8233063B2 (en) | 2000-07-17 | 2012-07-31 | Renesas Electronics Corporation | Solid state image pick-up device for imaging an object placed thereon |
| US8416330B2 (en) | 2000-07-17 | 2013-04-09 | Renesas Electronics Corporation | Solid state imaging device for imaging an object placed thereon |
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