JPS619576A - スパツタ−装置 - Google Patents
スパツタ−装置Info
- Publication number
- JPS619576A JPS619576A JP13008884A JP13008884A JPS619576A JP S619576 A JPS619576 A JP S619576A JP 13008884 A JP13008884 A JP 13008884A JP 13008884 A JP13008884 A JP 13008884A JP S619576 A JPS619576 A JP S619576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- sputtering
- main
- ferromagnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高分子フィルムなどの基板の両面に磁性薄膜
を形成するためのスパッター装置に関するものである。
を形成するためのスパッター装置に関するものである。
近ごろ磁気記録の高密度化が望まれるようになり、Ｃｏ
−Ｃｒなどの垂直磁化記録媒体をスパッターや蒸着によ
り形成させる方法が注目を集めている。その際媒体は、
高分子フィルムなどの基板の表面ｉこ磁性薄膜を形成さ
せ、裏表とも記録層として使えることが望まれる。また
、その際にも、スパッター機構が１つである装置を用い
て片面づつ形成するよりも、２つ以上のスパッター機構
をもつ装置を用いて一回の工程により両面を同時に形成
する方が量産性が高く、すぐれている。
−Ｃｒなどの垂直磁化記録媒体をスパッターや蒸着によ
り形成させる方法が注目を集めている。その際媒体は、
高分子フィルムなどの基板の表面ｉこ磁性薄膜を形成さ
せ、裏表とも記録層として使えることが望まれる。また
、その際にも、スパッター機構が１つである装置を用い
て片面づつ形成するよりも、２つ以上のスパッター機構
をもつ装置を用いて一回の工程により両面を同時に形成
する方が量産性が高く、すぐれている。
そのために従来では、第３図に示すような機構をもつ装
置かつかわれていた。ＩＪｔ高・分′子ブイルム５など
の基板を移動させる主ロール、３，４はスパッターのた
めのターゲット電極である。スパッターや蒸着により垂
直磁化嘆を形成させる場合、基板の温度はその磁性薄膜
の磁気特性に大きな影響を与えることが知られており、
スパッター前に基板の温度は等しくなるようにロール温
度などにより制御されている。
置かつかわれていた。ＩＪｔ高・分′子ブイルム５など
の基板を移動させる主ロール、３，４はスパッターのた
めのターゲット電極である。スパッターや蒸着により垂
直磁化嘆を形成させる場合、基板の温度はその磁性薄膜
の磁気特性に大きな影響を与えることが知られており、
スパッター前に基板の温度は等しくなるようにロール温
度などにより制御されている。
しかし、このような装置を用いて両面を同時にスパッタ
ーすると、両面の磁気特性に少なからず差を生じる。
ーすると、両面の磁気特性に少なからず差を生じる。
たとえばスパッター前に上・下ロール温度を１３０℃に
等しく設定した際、両面の磁気特性は、Ｈｃ、が７６０
０ｅと５００００ｅという差を生じる。これはスパッタ
ー圧が１０″″”Ｔｏｒｒ程度の真空度では、対流によ
る熱の流れを完全に無視すること、ができず、スパッタ
ー前にロール面が等しい温度であっても、スパッタ一時
には、スパッターにより発生する熱の流れが２つのスパ
ッター位置で異なるために、当初の設定温度からのずれ
が生じるためである。
等しく設定した際、両面の磁気特性は、Ｈｃ、が７６０
０ｅと５００００ｅという差を生じる。これはスパッタ
ー圧が１０″″”Ｔｏｒｒ程度の真空度では、対流によ
る熱の流れを完全に無視すること、ができず、スパッタ
ー前にロール面が等しい温度であっても、スパッタ一時
には、スパッターにより発生する熱の流れが２つのスパ
ッター位置で異なるために、当初の設定温度からのずれ
が生じるためである。
本発明の目的は、上述のようなフィルム両面に磁性薄膜
を一工程で形成する際に生じる磁気特性上の欠点を除く
ことのできるスパッター装置を提供することである。
を一工程で形成する際に生じる磁気特性上の欠点を除く
ことのできるスパッター装置を提供することである。
本発明は上記目的を達成するため正こ、少なくとも２つ
以上の主ロールと、フィルムを搬送する機構と、少なく
とも２つ以上のスパッター電極を有し、主ロールの１つ
に密接して、その回転に従って移動するフィルムの一方
の面と他の主ロールに密接して、その回転に従って移動
するもう一方の面に強磁性体薄膜をスパッターするスパ
ッター装置において強磁性体薄膜をスパッターするロー
ル表面位置が装置全体が熱平衡状態にあるときに、等し
い温度になるような位置に配設されてぃ′ることを特徴
とするスパッター装置を提供するものである。
以上の主ロールと、フィルムを搬送する機構と、少なく
とも２つ以上のスパッター電極を有し、主ロールの１つ
に密接して、その回転に従って移動するフィルムの一方
の面と他の主ロールに密接して、その回転に従って移動
するもう一方の面に強磁性体薄膜をスパッターするスパ
ッター装置において強磁性体薄膜をスパッターするロー
ル表面位置が装置全体が熱平衡状態にあるときに、等し
い温度になるような位置に配設されてぃ′ることを特徴
とするスパッター装置を提供するものである。
なお、上記強磁性体薄膜は、Ｃｏ−Ｍ（Ｍ＝Ｃｒ。
Ｖ、Ｗ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｍｏ）を主成分する垂直異方性薄
膜から成りでもよく、また軟磁性薄膜と垂直異方性をも
つ硬磁性薄膜の２層膜から成ってもよい。
膜から成りでもよく、また軟磁性薄膜と垂直異方性をも
つ硬磁性薄膜の２層膜から成ってもよい。
本発明の実施によって表裏両面にスパッターされた磁性
薄膜は等しい磁気特性をもつことになり、この媒体から
つくった、たとえばフロッピーディスク媒体を用いる装
置では、ディスク表裏面に対する記録電流あるいは再生
出力特性などが等しくなり、媒体の互換性が向上する。
薄膜は等しい磁気特性をもつことになり、この媒体から
つくった、たとえばフロッピーディスク媒体を用いる装
置では、ディスク表裏面に対する記録電流あるいは再生
出力特性などが等しくなり、媒体の互換性が向上する。
また、本発明の実砲による副次効果として、作成された
媒体の機械特性（たとえば媒体のそりなど）が改善され
、その結果媒体の信頼性が向上する。
媒体の機械特性（たとえば媒体のそりなど）が改善され
、その結果媒体の信頼性が向上する。
第１図は１本発明の実施例を示す図である。６゜７は、
高分子フィルム、５、などの基板を移動、させる主ロー
ル、８，９はスパッターのためのターゲットＮ極である
。
高分子フィルム、５、などの基板を移動、させる主ロー
ル、８，９はスパッターのためのターゲットＮ極である
。
本実施例においては、フィルム上に、スパッターする領
域１２及び１１は装置全体が熱的平衡状態になったとき
、等しい温度になるような位置にあり、したがって、作
成された強磁性薄膜は等しい磁気特性をもつことになる
。同時ζこ、媒体の機械特性たとえば媒体のそりも著し
く改善される。
域１２及び１１は装置全体が熱的平衡状態になったとき
、等しい温度になるような位置にあり、したがって、作
成された強磁性薄膜は等しい磁気特性をもつことになる
。同時ζこ、媒体の機械特性たとえば媒体のそりも著し
く改善される。
第２図は、本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例では主ロール１２．１３に対しターゲット電極
１４，１５，１６，１７ が設伎されており、装置全体
が熱的平衡状態になったときターゲット電極１４．１７
に対面する主ロール面１８．２１が等しい温度位置にあ
り、ターゲット電極１５ 、１６に対向する主ロール面
１９．２０が等しい温度にある。この結果、本装置を用
いれば、下層−こつくられる磁性膜は表裏面で等しい磁
気特性をもち、その下層につくられる他の磁性膜も表裏
両面で等しい磁気特性をもつことになる。
１４，１５，１６，１７ が設伎されており、装置全体
が熱的平衡状態になったときターゲット電極１４．１７
に対面する主ロール面１８．２１が等しい温度位置にあ
り、ターゲット電極１５ 、１６に対向する主ロール面
１９．２０が等しい温度にある。この結果、本装置を用
いれば、下層−こつくられる磁性膜は表裏面で等しい磁
気特性をもち、その下層につくられる他の磁性膜も表裏
両面で等しい磁気特性をもつことになる。
このように本発明の実施によってディスク両面の磁気特
性が等しく、機械特性にすぐれたきわめて実用的な垂直
磁気記録媒体を提供することができる。
性が等しく、機械特性にすぐれたきわめて実用的な垂直
磁気記録媒体を提供することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
たとえば、第２図においてターゲット電極１４，１７で
Ｃｏ−Ｃｒなどの垂直異方性薄膜をスパッターし、ター
ゲット電極Ｉ５，１６でＳ ｔＯ。
Ｃｏ−Ｃｒなどの垂直異方性薄膜をスパッターし、ター
ゲット電極Ｉ５，１６でＳ ｔＯ。
あるいはｋｌＲＯ，などの保護膜をスパッターするもの
であってもよい。要するに本発明は、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々異なった形で実施することができる。
であってもよい。要するに本発明は、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々異なった形で実施することができる。
第１図、第２図は本発明の実施例を示す図、第３図は従
来のスパッター装置を示す図である。 １．２，６，７，１２．１３・・・主ロール、５・・・
フィルム、３，４，８，９，１４，１５，１６゜１７・
・・ターゲット電極。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ばか１名）第１図
′ 第２図 ・
来のスパッター装置を示す図である。 １．２，６，７，１２．１３・・・主ロール、５・・・
フィルム、３，４，８，９，１４，１５，１６゜１７・
・・ターゲット電極。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ばか１名）第１図
′ 第２図 ・
Claims (3)
- （１）少なくとも２つ以上の主ロールと、フィルムを搬
送する機構と、少なくとも２つ以上のスパッター電極を
有し、主ロールの１つに密接して、その回転に従って移
動するフィルムの一方の面と他の主ロールに密接して、
その回転に従って移動するもう一方の面に強磁性体薄膜
をスパッターするスパッター装置において、強磁性体薄
膜をスパッターするロール表面位置が装置全体が熱平衡
状態にあるときに、等しい温度になるような位置に主ロ
ール及びターゲット電極が配設されていることを特徴と
するスパッター装置。 - （２）強磁性体薄膜がＣｏ−Ｍ（Ｍ＝Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｒ
ｈ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ）を主成分とする垂直異方性薄膜
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
スパッター装置。 - （３）強磁性体薄膜が軟磁性薄膜と垂直異方性をもつ硬
磁性薄膜の２層膜から成ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のスパッター装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13008884A JPS619576A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | スパツタ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13008884A JPS619576A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | スパツタ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619576A true JPS619576A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15025684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13008884A Pending JPS619576A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | スパツタ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619576A (ja) |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP13008884A patent/JPS619576A/ja active Pending
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