JPS619578A - 化学銅めつき方法 - Google Patents
化学銅めつき方法Info
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- JPS619578A JPS619578A JP59127475A JP12747584A JPS619578A JP S619578 A JPS619578 A JP S619578A JP 59127475 A JP59127475 A JP 59127475A JP 12747584 A JP12747584 A JP 12747584A JP S619578 A JPS619578 A JP S619578A
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- chemical copper
- copper plating
- plating solution
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は機械的性質に優れた銅めっき膜を析出させる化
学銅めっき方法に係り、特にプリント回路板製造の厚付
けめっきに好適な化学銅めっき方法に関する。
学銅めっき方法に係り、特にプリント回路板製造の厚付
けめっきに好適な化学銅めっき方法に関する。
従来より、銅塩、銅塩の錯化剤、銅塩の還元剤、ＰＨ調
整剤を基本成分とする化学銅めっき液が知られている。
整剤を基本成分とする化学銅めっき液が知られている。
厚付けめっきにより、スルーホールめっきを行うプリン
ト配線板においては優れた機械的性質のめつき膜を与え
る化学銅めっき液が必要で、上述した基本成分の他にさ
らに添加剤を加えた組成の化学銅めっき液が知られてい
る。例えば、添加剤としてシアン化合物、２．２’−ビ
ピリジル、ポリエチレングリコールなどがある。
ト配線板においては優れた機械的性質のめつき膜を与え
る化学銅めっき液が必要で、上述した基本成分の他にさ
らに添加剤を加えた組成の化学銅めっき液が知られてい
る。例えば、添加剤としてシアン化合物、２．２’−ビ
ピリジル、ポリエチレングリコールなどがある。
しかしながらこれらの添加剤は取扱いが難しく、めっき
中に消費するので分析補給の必要もあった。
中に消費するので分析補給の必要もあった。
化学銅めっきで得る銅めっき皮膜の機械的性質を改善す
る方法が公表されている。その例は、特開昭５４−１９
４３０号公報に示されるように、上記主成分と２．２′
−ジピリジル、ポリエチレングリコール、アルカリ可溶
性無機ケイ素化合物を含む化学銅めっき液である。該化
学銅めっき液ではアルカリ可溶性無機ケイ素化合物を二
酸化ケイ素に換算し５〜１００ｗｑ／Ｌ （８ｉとり、
テ０．０８〜１、７ ｍ ｍｏｔ／ Ｌ ）含むと、化
学銅めっき皮膜の引張ル強さ５０〜５８１！４ Ｗ ／
１１１１” 、伸び４．４〜６．７％のものが得られ
るとしている。しかし、該化学銅めっき液を使用すると
きには次の欠点によって、使用不能であった。
る方法が公表されている。その例は、特開昭５４−１９
４３０号公報に示されるように、上記主成分と２．２′
−ジピリジル、ポリエチレングリコール、アルカリ可溶
性無機ケイ素化合物を含む化学銅めっき液である。該化
学銅めっき液ではアルカリ可溶性無機ケイ素化合物を二
酸化ケイ素に換算し５〜１００ｗｑ／Ｌ （８ｉとり、
テ０．０８〜１、７ ｍ ｍｏｔ／ Ｌ ）含むと、化
学銅めっき皮膜の引張ル強さ５０〜５８１！４ Ｗ ／
１１１１” 、伸び４．４〜６．７％のものが得られ
るとしている。しかし、該化学銅めっき液を使用すると
きには次の欠点によって、使用不能であった。
化学銅めっき液を調製するには、上水道をイオン交換処
理したイオン交換水が用いられる。上水道には多量のケ
イ素化合物が含まれ、これが上水道中、イオン交換し難
い非イオン性ケイ素化合物もしくは重合陰イオンとして
存在する。このため−イオン交換処理しても、ケイ素化
合物は完全に除去し得す、イオン交換水中に含まれる。
理したイオン交換水が用いられる。上水道には多量のケ
イ素化合物が含まれ、これが上水道中、イオン交換し難
い非イオン性ケイ素化合物もしくは重合陰イオンとして
存在する。このため−イオン交換処理しても、ケイ素化
合物は完全に除去し得す、イオン交換水中に含まれる。
発明者らの測定によれば、イオン交換水中のケイ素含有
量は３ｉとして、０．０４〜０．４３ｍｍｏｔ／ｌ（平
均０、２ ｍｍｏｔ／ Ｌ ）含まれる。ケイ素を含ま
ぬ水は蒸留によって得ることができる。しかし、化学銅
めっき液は・数１００〜数１０００ｔの規模で用いられ
るので、高価な蒸留水は使用できない。
量は３ｉとして、０．０４〜０．４３ｍｍｏｔ／ｌ（平
均０、２ ｍｍｏｔ／ Ｌ ）含まれる。ケイ素を含ま
ぬ水は蒸留によって得ることができる。しかし、化学銅
めっき液は・数１００〜数１０００ｔの規模で用いられ
るので、高価な蒸留水は使用できない。
化学銅めっきは繰シ返して使用されるので、これによっ
てめっき液中にケイ素が持ち込まれる。
てめっき液中にケイ素が持ち込まれる。
めっきを繰シ返して使用するとき、めっき液の主成分（
銅イオン、水酸イオン、ホルムアルデヒドなど）の濃度
を一定とするために、硫酸調水酸化ナトリウム、ホルマ
リンを溶解した水溶液として補給する。これら化合物の
補給量は、めっき１回を１００−の面積にＣｕとして３
５μｍめっきするとする場合、硫酸銅： ０．０５ ｍ
ｏｔ／ Ａｓ水酸化ナトリウム： ０．２ ｍｏＺ／
Ｚ ％ホルムアルデヒド＝０．１ｍｏｔ／Ｌ、全水溶液
量：めつき液１を当り、０．１ｔとなる。例えば水酸化
ナトリウムのＪＩＳ規格（１級）によれば、水酸化す）
ＩＪウム中の８ｆＣｈ含有量は０．０４％以下とされ
ているが、その他の化合物では規格化されておらず、８
１０＊は強熱残分もしくは硫化物で沈殿しない物質とし
て規制され、硫酸鋼二０．３％、ホルマリン：０．０１
％である。よって、補給によって、Ｓｉは約０．３ｍｍ
ｏｔ／を持ち込まれ可能性がある。
銅イオン、水酸イオン、ホルムアルデヒドなど）の濃度
を一定とするために、硫酸調水酸化ナトリウム、ホルマ
リンを溶解した水溶液として補給する。これら化合物の
補給量は、めっき１回を１００−の面積にＣｕとして３
５μｍめっきするとする場合、硫酸銅： ０．０５ ｍ
ｏｔ／ Ａｓ水酸化ナトリウム： ０．２ ｍｏＺ／
Ｚ ％ホルムアルデヒド＝０．１ｍｏｔ／Ｌ、全水溶液
量：めつき液１を当り、０．１ｔとなる。例えば水酸化
ナトリウムのＪＩＳ規格（１級）によれば、水酸化す）
ＩＪウム中の８ｆＣｈ含有量は０．０４％以下とされ
ているが、その他の化合物では規格化されておらず、８
１０＊は強熱残分もしくは硫化物で沈殿しない物質とし
て規制され、硫酸鋼二０．３％、ホルマリン：０．０１
％である。よって、補給によって、Ｓｉは約０．３ｍｍ
ｏｔ／を持ち込まれ可能性がある。
一方、めっき液の建浴は、主成分として、硫酸銅： ０
．０４ ｍｏｔ／ ｔ、水酸化ナトリウム：０．４ｍｏ
ｔ／ ｔ 、ホルマリン： ０．０４ ｍｏｔ／ ｌ、
銅イオンの錯化剤： ０．１２ ｍｏｌ／ ｌを、前記
イオン交換水に溶かすことによってなされる。
．０４ ｍｏｔ／ ｔ、水酸化ナトリウム：０．４ｍｏ
ｔ／ ｔ 、ホルマリン： ０．０４ ｍｏｔ／ ｌ、
銅イオンの錯化剤： ０．１２ ｍｏｌ／ ｌを、前記
イオン交換水に溶かすことによってなされる。
銅イオンの錯化剤としてＥＤＴＡ−２Ｎａを代表すると
ＪＩＳ規格（特級）の強熱成分は＆８％である。よって
、建浴したのみで、めっき液中のＳｔの最大含有量はｓ
、 ｉ ｍ ｍｏ４／ｌとなる。よって、めっきを繰シ
返すと、ｓｉのめっき液中の含有量は次式に従って増加
する。
ＪＩＳ規格（特級）の強熱成分は＆８％である。よって
、建浴したのみで、めっき液中のＳｔの最大含有量はｓ
、 ｉ ｍ ｍｏ４／ｌとなる。よって、めっきを繰シ
返すと、ｓｉのめっき液中の含有量は次式に従って増加
する。
めっき液ｉｚ中のＳ ｉ （ｍ ｍｏＬ／１）＝５．１
＋０．３ｎ−（１） （ただし、ｎはめっき回数）以
上から明らかなように、めっき液中へ不純物としてＳｉ
が含有される要素は極めて多い。特開昭５４−１９４３
０号公報によれば、式（１）よシ、めっき１回目（ｎ＝
１ ）から、その最適量（Ｓｉとして０．０８〜１．７
ｍ ｍｏｌ／ Ｌ ）を越える可能性があシ、その確
率も極めて大きい。純度の良い薬品を用いることはめつ
きコストを著しく高くすることになるので、ＪＩＳ規格
以下の工業薬品が用いられる。よって、不純物としての
Ｓｉの含有は式（１）よシ、大幅に増大する。よって、
従来技術によれば、極めて高価な水と薬品を用い、かつ
厳密なる液成分濃度の管理を行なわないと、めっき初回
から目的を達成できるものではなかった。また、偶然め
っき可能となったとしても、Ｓｉ濃度によってめっき皮
膜の特性が鋭敏に影響されるので、品質管理上、工業的
に最も重要な特性の安定化を得ることができなかった。
＋０．３ｎ−（１） （ただし、ｎはめっき回数）以
上から明らかなように、めっき液中へ不純物としてＳｉ
が含有される要素は極めて多い。特開昭５４−１９４３
０号公報によれば、式（１）よシ、めっき１回目（ｎ＝
１ ）から、その最適量（Ｓｉとして０．０８〜１．７
ｍ ｍｏｌ／ Ｌ ）を越える可能性があシ、その確
率も極めて大きい。純度の良い薬品を用いることはめつ
きコストを著しく高くすることになるので、ＪＩＳ規格
以下の工業薬品が用いられる。よって、不純物としての
Ｓｉの含有は式（１）よシ、大幅に増大する。よって、
従来技術によれば、極めて高価な水と薬品を用い、かつ
厳密なる液成分濃度の管理を行なわないと、めっき初回
から目的を達成できるものではなかった。また、偶然め
っき可能となったとしても、Ｓｉ濃度によってめっき皮
膜の特性が鋭敏に影響されるので、品質管理上、工業的
に最も重要な特性の安定化を得ることができなかった。
さらに、手段を選ばず高価な最純枠の水と薬品を用いて
めっきする場合でも、次なる問題が生じた。従来技術に
よれば、めっき液中のＳｉ濃度は鋭敏にめっき皮膜の特
性に影響するので厳密に１９ｉ濃度を管理する必要があ
る。３ｉの分析は極めて難しく、特に化学銅めっきのよ
うにＮａが共存（液中ＮａはＳｉの２３５倍）すると、
ｓｉの分析は難しいと言われる。原子吸光法によっても
、その検出感度は約２ ｍ ｍａｔ／ ｌと言われる。
めっきする場合でも、次なる問題が生じた。従来技術に
よれば、めっき液中のＳｉ濃度は鋭敏にめっき皮膜の特
性に影響するので厳密に１９ｉ濃度を管理する必要があ
る。３ｉの分析は極めて難しく、特に化学銅めっきのよ
うにＮａが共存（液中ＮａはＳｉの２３５倍）すると、
ｓｉの分析は難しいと言われる。原子吸光法によっても
、その検出感度は約２ ｍ ｍａｔ／ ｌと言われる。
よって、Ｓｉ含有量が、検出感度板ｆのとき、精度の悪
い分析試料の濃縮操作を併用することになシ、厳密な分
析が不可能となった。この点からも、Ｓ３含有量の低い
めっき液は工業的に実現できるものではなかった。
い分析試料の濃縮操作を併用することになシ、厳密な分
析が不可能となった。この点からも、Ｓ３含有量の低い
めっき液は工業的に実現できるものではなかった。
本発明の目的はめっき液管理が容易でかつ機械的に優れ
ためつき膜の得られる化学銅めっき方法を提供するにあ
る。
ためつき膜の得られる化学銅めっき方法を提供するにあ
る。
本発明の特徴とするところは銅塩、銅塩の錯化剤、銅塩
の還元剤、ｐＨ調整剤を含む化学銅めっき液を用いて化
学銅めっきを行う方法において、該化学銅めっき液に添
加剤として可溶性無機ケ身素化合物を加え、且つ該化学
銅めっき液に酸素含有ガスを吹込むこともしくは過酸化
水素、過硫酸塩などの酸化剤を添加することの少なくと
もいずれか一方を適用して化学銅めっきを行うところに
ある。
の還元剤、ｐＨ調整剤を含む化学銅めっき液を用いて化
学銅めっきを行う方法において、該化学銅めっき液に添
加剤として可溶性無機ケ身素化合物を加え、且つ該化学
銅めっき液に酸素含有ガスを吹込むこともしくは過酸化
水素、過硫酸塩などの酸化剤を添加することの少なくと
もいずれか一方を適用して化学銅めっきを行うところに
ある。
素含有ガスもしくは酸化剤の少なくともいずれか一方を
併用することによって目的が達成できる。
併用することによって目的が達成できる。
従来よシ、水ガラス、メタケイ酸ナトリウム。
オルトケイ酸゛ナトリウムの無機ケイ素化合物を化学銅
めっき液に添加することは知られているが、これだけで
は化学銅めっき液の安定性が不十分で本発明のように厚
付は化学銅めっきを行、うときはめつき半ばにしてめっ
き液が不安定になって十分な厚さのめっきを行うことが
実質的に不可能になる。この点は、金属表面技術誌、第
１６巻、１１月号（１９６５年）にめっき液の自己分解
を防止するのに効果はあるがめつき槽の底部に銅が析出
することが記載されていることから明らかである。
めっき液に添加することは知られているが、これだけで
は化学銅めっき液の安定性が不十分で本発明のように厚
付は化学銅めっきを行、うときはめつき半ばにしてめっ
き液が不安定になって十分な厚さのめっきを行うことが
実質的に不可能になる。この点は、金属表面技術誌、第
１６巻、１１月号（１９６５年）にめっき液の自己分解
を防止するのに効果はあるがめつき槽の底部に銅が析出
することが記載されていることから明らかである。
また、上記引例記載の化学銅めっき液から得られためつ
き膜についてめっき膜の物性を測定したが膜は脆く十分
な機械特性を示さなかった。
き膜についてめっき膜の物性を測定したが膜は脆く十分
な機械特性を示さなかった。
一方、化学銅めっき液に酸素含有ガス例えば空気を吹込
むことは特公昭３６−９０６３号公報に記載されておシ
、化学銅めっき液の安定化に効果がおることか知られて
いる。しかし、酸素含有ガスを吹込むだけではめつき膜
の機械品性質の大幅向上は不可能である。
むことは特公昭３６−９０６３号公報に記載されておシ
、化学銅めっき液の安定化に効果がおることか知られて
いる。しかし、酸素含有ガスを吹込むだけではめつき膜
の機械品性質の大幅向上は不可能である。
本発明は可溶性無機ケイ素化合物を添加し、且つ、酸素
含有ガスもしくは酸化剤の少なくとも一方を併用するこ
とによって、めっき膜の機械的性質が大幅に改善できる
という相乗効果を見出したことに基づくものである。
含有ガスもしくは酸化剤の少なくとも一方を併用するこ
とによって、めっき膜の機械的性質が大幅に改善できる
という相乗効果を見出したことに基づくものである。
本発明において適用可能な可溶性無機ケイ素化合物とし
ては水ガラス、メタケイ酸ナトリウムなどのメタケイ酸
塩、オルトケイ酸ナトリウムなどのオルトケイ酸塩、ケ
イ酸ナトリウムやケイ酸カリウムなどのケイ酸塩、ポリ
ケイ酸ナトリウムなどのポリケイ酸塩、二酸化ケイ素、
ケイ素含有ガスなどがあげられる。めっき膜の機械的性
質向上゛に効果のある添加量としてはケイ素量として１
０ｍｙ／を以上必要であシ、それ以下では顕著な効果は
期待できない。
ては水ガラス、メタケイ酸ナトリウムなどのメタケイ酸
塩、オルトケイ酸ナトリウムなどのオルトケイ酸塩、ケ
イ酸ナトリウムやケイ酸カリウムなどのケイ酸塩、ポリ
ケイ酸ナトリウムなどのポリケイ酸塩、二酸化ケイ素、
ケイ素含有ガスなどがあげられる。めっき膜の機械的性
質向上゛に効果のある添加量としてはケイ素量として１
０ｍｙ／を以上必要であシ、それ以下では顕著な効果は
期待できない。
本発明で使用する可溶性無機ケイ素化合物は取扱上はと
んど問題ない。またＢＯＤやＣｏＤＯ問題も無く、めっ
き中にほとんど消費しない。更に安価であるという点も
工業的には大きなメリットである。
んど問題ない。またＢＯＤやＣｏＤＯ問題も無く、めっ
き中にほとんど消費しない。更に安価であるという点も
工業的には大きなメリットである。
本発明において、酸素含有ガスは一般的には空気が用い
られ、空気吹込みによって化学銅めっき液の安定性が保
たれる。また酸素含有ガスとしては純酸素も当然ながら
適用できる。また、酸化剤は過酸化水素、過硫酸カリウ
ムなどの過硫酸塩が適用できる。それらの添加量は酸化
剤の種類によつ“でも異るが約０．５ｇ／を以上必要で
おる。それ以下では化学銅めっき液の安定性は十分保つ
ことができず、実質的に厚付けめっきを行うことは不可
能である。過酸化水素、過硫酸塩も取扱いは比較的容易
であシ、ＢＯＤ−？ＣＯＤ上もあまシ問題とならない。
られ、空気吹込みによって化学銅めっき液の安定性が保
たれる。また酸素含有ガスとしては純酸素も当然ながら
適用できる。また、酸化剤は過酸化水素、過硫酸カリウ
ムなどの過硫酸塩が適用できる。それらの添加量は酸化
剤の種類によつ“でも異るが約０．５ｇ／を以上必要で
おる。それ以下では化学銅めっき液の安定性は十分保つ
ことができず、実質的に厚付けめっきを行うことは不可
能である。過酸化水素、過硫酸塩も取扱いは比較的容易
であシ、ＢＯＤ−？ＣＯＤ上もあまシ問題とならない。
本発明において、めっき温度は５０Ｃ以上が好ましく、
５００未満では十分に良好な機械的性質のめつき膜が得
られない。
５００未満では十分に良好な機械的性質のめつき膜が得
られない。
更に１本発明で使用する化学銅めっき液は銅塩、銅塩の
錯化剤、銅塩の還元剤、ｐＨ調整剤を基本成分とするが
、銅塩は硫酸銅、塩化第二銅、酢酸銅など公知のものが
使用できる。′銅塩の錯化剤は＞Ｎ −Ｃ−Ｃ−ｋを骨
格とするものが好適であシ、エチレンジアミン四酢酸、
Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、１，２
−ジアミノプロパン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢
酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸などが適用できる。
錯化剤、銅塩の還元剤、ｐＨ調整剤を基本成分とするが
、銅塩は硫酸銅、塩化第二銅、酢酸銅など公知のものが
使用できる。′銅塩の錯化剤は＞Ｎ −Ｃ−Ｃ−ｋを骨
格とするものが好適であシ、エチレンジアミン四酢酸、
Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、１，２
−ジアミノプロパン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢
酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸などが適用できる。
トリエタノールアミン、イミノ三酢酸、イミノ三酢酸な
どのモノアミン、あるいはロッセル塩などを使用した場
合は十分な機械的性質のめつき膜を得ることができなか
ったシ、またはめつき液の安定性が不十分で実質的な厚
付けめっきができなかったシする問題が生じる。銅塩の
還元剤は一般的に使用されるホルマリンが好適であシ、
更にｐＨ調整剤には水酸化ナトリウムが適用できる。
どのモノアミン、あるいはロッセル塩などを使用した場
合は十分な機械的性質のめつき膜を得ることができなか
ったシ、またはめつき液の安定性が不十分で実質的な厚
付けめっきができなかったシする問題が生じる。銅塩の
還元剤は一般的に使用されるホルマリンが好適であシ、
更にｐＨ調整剤には水酸化ナトリウムが適用できる。
次に本発明を実施例によシ具体的に説明する。
実施例１〜１３
表面を滑らかに研磨したステンレススチール板を脱脂し
、めっき反応の開始剤であるパラジウムを該表面に付着
させた。次に、第１表に示した化学銅めっき液組成、な
らびにめっき条件下で化学銅めっきを行い、約３０μｍ
の厚さのめつき膜を得た。このめっき膜をステンレスス
チール板よシ剥離して幅１０５ｍに切断し、初期の引張
間隔を５０■として東洋測量社製の引張試験機によシ破
断までの伸び率と引張強度とを測定した。その結果を第
２表に示した。
、めっき反応の開始剤であるパラジウムを該表面に付着
させた。次に、第１表に示した化学銅めっき液組成、な
らびにめっき条件下で化学銅めっきを行い、約３０μｍ
の厚さのめつき膜を得た。このめっき膜をステンレスス
チール板よシ剥離して幅１０５ｍに切断し、初期の引張
間隔を５０■として東洋測量社製の引張試験機によシ破
断までの伸び率と引張強度とを測定した。その結果を第
２表に示した。
比較例１〜６
第１表の比較例欄に記載した条件下で、実施例１〜１３
と同様にめっきし、評価した。その結果を第２表に合わ
せて示した。
と同様にめっきし、評価した。その結果を第２表に合わ
せて示した。
実施例、比較例の結果を記載した第２表から明らかなよ
うに、本発明の化学銅めっき法によシ、機械的性質の優
れためつき膜を得ることができる。
うに、本発明の化学銅めっき法によシ、機械的性質の優
れためつき膜を得ることができる。
また、化学銅めっき液の安定性も良好に保たれ、実質的
な厚付けめっきが可能である。
な厚付けめっきが可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、銅塩、銅塩の錯化剤、銅塩の還元剤、及びｐＨ調整
剤を含む化学銅めつき液を用いて化学銅めつきを行う方
法において、前記化学銅めつき液に添加剤として可溶性
無機ケイ素化合物を加え、かつこのめつき液に酸素含有
ガスを吹込み、及び／または酸化剤を添加することを特
徴とする化学銅めつき方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、添加剤の含有
量がケイ素量として１０ｍｇ／ｌ以上であることを特徴
とする化学銅めつき方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載において、めつき温度は
５０℃以上であることを特徴とする化学銅めつき方法。 ４、特許請求の範囲第１項記載において、銅塩の錯化剤
は＞Ｎ−Ｃ−Ｃ−Ｎ＜という化学構造を有することを特
徴とする化学銅めつき方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127475A JPS619578A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 化学銅めつき方法 |
| KR1019850004219A KR920002710B1 (ko) | 1984-06-18 | 1985-06-14 | 화학동도금방법 |
| US06/746,099 US4632852A (en) | 1984-06-18 | 1985-06-18 | Process for electroless copper plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127475A JPS619578A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 化学銅めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619578A true JPS619578A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0222153B2 JPH0222153B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=14960847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127475A Granted JPS619578A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-22 | 化学銅めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619578A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6035540B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-11-30 | 奥野製薬工業株式会社 | 導電性皮膜形成浴 |
| US9951433B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-04-24 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive film-forming bath |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6337187A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59127475A patent/JPS619578A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6337187A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6035540B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-11-30 | 奥野製薬工業株式会社 | 導電性皮膜形成浴 |
| US10036097B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-07-31 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive coating film forming bath |
| US9951433B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-04-24 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive film-forming bath |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222153B2 (ja) | 1990-05-17 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |