JPS6197332A - 導電性高分子の製造方法 - Google Patents
導電性高分子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6197332A JPS6197332A JP21904884A JP21904884A JPS6197332A JP S6197332 A JPS6197332 A JP S6197332A JP 21904884 A JP21904884 A JP 21904884A JP 21904884 A JP21904884 A JP 21904884A JP S6197332 A JPS6197332 A JP S6197332A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- polymerization solution
- electrodes
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性高分子の製造方法に関するものであり、
更に詳しくは電気化学的方法による導電性高分子の製造
方法に関するものである。
更に詳しくは電気化学的方法による導電性高分子の製造
方法に関するものである。
近年の科学技術の進歩によって、エレクトロニクス用表
示素子や高効率バッテリー、センサー等に対しての要求
が高まり、多種の導電性高分子の開発が求められている
。
示素子や高効率バッテリー、センサー等に対しての要求
が高まり、多種の導電性高分子の開発が求められている
。
電気化学的酸化方法による導電性高分子の合成法は、生
成した高分子がＦｌｕ板上に付着したフィルム状で得ら
れるという利点を持ち、このため、フィルムの面積の制
御が可能であり、また、異なった重合溶液にて反応を行
なうことにより任意の導電性高分子を積層させた素子を
作成することもできる。更にこの方法は、フィルムの厚
さ或いはドープ状態を任意に制御できるという点で優れ
ている。これらの利点を反映して電気化学的酸化法によ
る導電性高分子は、エレクトロニクス用表示素子として
の応用が期待され、現在までにポリチオフェン、ポリピ
ロール等に関しては表示素子としての応用例が報告され
ている。これらの応用例はネサガラス上に電気化学的方
法によってフィルム状に合成した導電性高分子を用いて
、この電気釣用化還元反応による吸収スペクトルの変化
を利用したものである。
成した高分子がＦｌｕ板上に付着したフィルム状で得ら
れるという利点を持ち、このため、フィルムの面積の制
御が可能であり、また、異なった重合溶液にて反応を行
なうことにより任意の導電性高分子を積層させた素子を
作成することもできる。更にこの方法は、フィルムの厚
さ或いはドープ状態を任意に制御できるという点で優れ
ている。これらの利点を反映して電気化学的酸化法によ
る導電性高分子は、エレクトロニクス用表示素子として
の応用が期待され、現在までにポリチオフェン、ポリピ
ロール等に関しては表示素子としての応用例が報告され
ている。これらの応用例はネサガラス上に電気化学的方
法によってフィルム状に合成した導電性高分子を用いて
、この電気釣用化還元反応による吸収スペクトルの変化
を利用したものである。
しかしながら、ネサガラス電極は絶縁体であるガラス表
面に金隔酸化被膜を極めて薄くコーティングしたもので
あり、従って重合溶液中に金Ｒ酸化被膜を溶解するよう
な成分、例えばＨｃｌａ Ｈ２Ｓ ０４ＨＮＯ３ｐ Ｈ
ｅ ｌ Ｏ４等の強酸が含まれている場合には、電極と
しての防用は不可能であった。その結果、表示素子の材
料として期待される材料でありながら、この間頃点の為
に実用化が遅れている材料が多々あった。
面に金隔酸化被膜を極めて薄くコーティングしたもので
あり、従って重合溶液中に金Ｒ酸化被膜を溶解するよう
な成分、例えばＨｃｌａ Ｈ２Ｓ ０４ＨＮＯ３ｐ Ｈ
ｅ ｌ Ｏ４等の強酸が含まれている場合には、電極と
しての防用は不可能であった。その結果、表示素子の材
料として期待される材料でありながら、この間頃点の為
に実用化が遅れている材料が多々あった。
本発明は、上記の間頭点に鑑みてなされたものであり、
一般的には導電性高分子の合成技術を提供することを目
的とし、特に、電極面を溶解或いは劣化させるような成
分を含む重合溶液を使った□ 場合の電極面上への導
電性高分子フィルム形成技術の提供を目的とする。
一般的には導電性高分子の合成技術を提供することを目
的とし、特に、電極面を溶解或いは劣化させるような成
分を含む重合溶液を使った□ 場合の電極面上への導
電性高分子フィルム形成技術の提供を目的とする。
本発明の導電性高分Ｐの合成法は、電気化学的酸化方法
による導電性高分子合成反応に於いて、電極に予め電圧
を印加してから重合溶液に電極を浸漬することを特徴と
している。
による導電性高分子合成反応に於いて、電極に予め電圧
を印加してから重合溶液に電極を浸漬することを特徴と
している。
本発明に於ける導電性高分子合成反応は、一般の電気化
学的重合反応のうち、重合溶液中に電極を溶解或いは劣
化させるような成分を含む重合溶液とその電極の組合せ
の反応を含むが、それ以外の電気化学的重合反応は含ま
ない。この組合せはＨＣＩ ｔ Ｈ２ＳＯ４１ＨＮＯ
３或いはＨＯ１０４等の強酸と、金属、金属耐化物、半
導体或いは化合物半導体からなる電極との組合せ、及び
、高分子反導体とこれを劣化する溶媒との組合せである
。
学的重合反応のうち、重合溶液中に電極を溶解或いは劣
化させるような成分を含む重合溶液とその電極の組合せ
の反応を含むが、それ以外の電気化学的重合反応は含ま
ない。この組合せはＨＣＩ ｔ Ｈ２ＳＯ４１ＨＮＯ
３或いはＨＯ１０４等の強酸と、金属、金属耐化物、半
導体或いは化合物半導体からなる電極との組合せ、及び
、高分子反導体とこれを劣化する溶媒との組合せである
。
ここで金属は、水素を除くｌ族、■族、ホウ緊を除く曹
族、炭素及びケイ稟を除く■族、■族および■、■、■
族の各ａ亜族に属する元素と、これらの混合物である各
種合金である。また半導体は、Ｓｌ、Ｇθ、Ｓｅ、Ｂ等
であり、化合物半導体は、ＱａＡｓ 、 ＩｎＳｂ等の
ｍ−ｖ化合物及びこれらの組合せであるＩｎＧａＡｓ、
ＡＩＱａＡｓ等、ＺｎＳ％ｃａｓ等の■−■化合物であ
る。
族、炭素及びケイ稟を除く■族、■族および■、■、■
族の各ａ亜族に属する元素と、これらの混合物である各
種合金である。また半導体は、Ｓｌ、Ｇθ、Ｓｅ、Ｂ等
であり、化合物半導体は、ＱａＡｓ 、 ＩｎＳｂ等の
ｍ−ｖ化合物及びこれらの組合せであるＩｎＧａＡｓ、
ＡＩＱａＡｓ等、ＺｎＳ％ｃａｓ等の■−■化合物であ
る。
１上気化学的重合反応に於いて、予め加える電圧は、そ
れぞれの反応系に於いて重合反応が進行する電圧が選ば
れる。電極を重合溶液に浸漬する速度は特に制限されな
いが°、均一な膜厚のフィルム状高分子を得るためには
、Ｑ−］ ｍｍ ／８ ｅｌ Ｏ以上が望ましい。
れぞれの反応系に於いて重合反応が進行する電圧が選ば
れる。電極を重合溶液に浸漬する速度は特に制限されな
いが°、均一な膜厚のフィルム状高分子を得るためには
、Ｑ−］ ｍｍ ／８ ｅｌ Ｏ以上が望ましい。
本発明の導電性高分子の合成法は、電極を溶解、劣化さ
せる成分を含む重合溶液に、予め電圧を印加した電極を
徐々に浸漬することによってなされる。このような条件
で歌合反応を行なうと、電極の挿入と共に、電極の溶解
或いは劣化が起こる前に、導電性高分子の重合反応によ
って電極面上が保獲きれ、以後の重合反応が均一に進行
する。更に、強酸等を含む溶媒の場合には、電圧を印加
することによって、電極面付近の水素イオン濃度を減少
させ、劣化の進行を抑制するという作用が考えられる。
せる成分を含む重合溶液に、予め電圧を印加した電極を
徐々に浸漬することによってなされる。このような条件
で歌合反応を行なうと、電極の挿入と共に、電極の溶解
或いは劣化が起こる前に、導電性高分子の重合反応によ
って電極面上が保獲きれ、以後の重合反応が均一に進行
する。更に、強酸等を含む溶媒の場合には、電圧を印加
することによって、電極面付近の水素イオン濃度を減少
させ、劣化の進行を抑制するという作用が考えられる。
このため、電極面の溶解或いは劣化は、まったく問題と
ならず、電極の繰返し防用が可能ＪＳＳラ フ実施例〕 以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、
本発明はこれらの実、輸列に限定されるものではない。
ならず、電極の繰返し防用が可能ＪＳＳラ フ実施例〕 以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、
本発明はこれらの実、輸列に限定されるものではない。
（比較例１）
重合用ガラス容器に、０．１ Ｍｎ２ Ｓ ０４水溶液
を仕込み、これに００５ モルのアニリンを加えて、約
３０分間攪拌して溶解する。この重合溶液に、電極とし
てネサガラスを浸漬し、直ちに一〇、２Ｖ−１０Ｖの電
位幅、走査速度０．Ｉ Ｖ／ ｓｅｃの走査電圧を加え
たところ、３０分間経過後に於いても電極面上には何ら
生成物は認められなかった。また、電流もほとんど流れ
ず、取出した電極表面の電気抵抗は極めて大きく、再び
電極として使用することは不ｉ）能であった。
を仕込み、これに００５ モルのアニリンを加えて、約
３０分間攪拌して溶解する。この重合溶液に、電極とし
てネサガラスを浸漬し、直ちに一〇、２Ｖ−１０Ｖの電
位幅、走査速度０．Ｉ Ｖ／ ｓｅｃの走査電圧を加え
たところ、３０分間経過後に於いても電極面上には何ら
生成物は認められなかった。また、電流もほとんど流れ
ず、取出した電極表面の電気抵抗は極めて大きく、再び
電極として使用することは不ｉ）能であった。
（実施例１）
比較例１と同じ重合溶液に、別のネサガラス電極に予め
０４Ｖの定電圧を印加したままこれを浸漬した。直ちに
、前回と同条の条件の走査電圧に切換えたところ導亀性
高分子ボリアニリンフイルムの生成が確認された。反応
終了後に取出したフィルムは、耐酸性の白金電極を用い
た場合に得られるフィルムと全く同等の性状を示した。
０４Ｖの定電圧を印加したままこれを浸漬した。直ちに
、前回と同条の条件の走査電圧に切換えたところ導亀性
高分子ボリアニリンフイルムの生成が確認された。反応
終了後に取出したフィルムは、耐酸性の白金電極を用い
た場合に得られるフィルムと全く同等の性状を示した。
電極を水中で超音波処理してフィルムを引きはがした後
のネサガラス表面の電気抵抗は、反応前と同等であり、
繰返しの使用が可能であった。
のネサガラス表面の電気抵抗は、反応前と同等であり、
繰返しの使用が可能であった。
（比較例２）
チーグラー、ナツタ触媒を用いてアセチレンガスから重
合したポリアセチレンフィルムをヨウ素ガスと接触させ
た後アルゴンガス雰囲気下で重合用セルに取り付けた。
合したポリアセチレンフィルムをヨウ素ガスと接触させ
た後アルゴンガス雰囲気下で重合用セルに取り付けた。
これを空気中に取出し、直ちに実施例１と同様のポリア
ニリン重合用溶液を仕込み、電位幅−０２Ｖ〜ｌｏＶ、
走査速度０． Ｉ Ｖ／ｓｅｃの走査″電圧を加えたと
ころ、重合用溶液仕込み直後からポリアセチレンの劣化
が起こり、数分間で分解した。ポリアニリンの生成は不
可能であった。
ニリン重合用溶液を仕込み、電位幅−０２Ｖ〜ｌｏＶ、
走査速度０． Ｉ Ｖ／ｓｅｃの走査″電圧を加えたと
ころ、重合用溶液仕込み直後からポリアセチレンの劣化
が起こり、数分間で分解した。ポリアニリンの生成は不
可能であった。
（実施例２）
比較例２と同じポリアニリン重合溶液を名器に仕込み、
アルゴンガス中で電極としてセットしたポリアセチレン
を空気中に取出し、直ちに０４Ｖの定電圧を加えたまま
重合溶液に浸漬した。電位幅−０２Ｖ〜ｌＯ■、走査速
度０１Ｖ／ｓｅａの走査電圧に切換えたところ、導電性
高分子ポリアニリンフィルムの生成が確認きれた。また
、この場合には、ポリアセチレンの劣化、分解は認めら
れなかった。
アルゴンガス中で電極としてセットしたポリアセチレン
を空気中に取出し、直ちに０４Ｖの定電圧を加えたまま
重合溶液に浸漬した。電位幅−０２Ｖ〜ｌＯ■、走査速
度０１Ｖ／ｓｅａの走査電圧に切換えたところ、導電性
高分子ポリアニリンフィルムの生成が確認きれた。また
、この場合には、ポリアセチレンの劣化、分解は認めら
れなかった。
本発明の導電性高分子の合成法は、従来使用が困難であ
った材料の組合せを用いることを可能にするものであり
、また、実施例に於いても具体的に示したように、ネサ
ガラス電極を繰返し使用することを可能にするものであ
る。
った材料の組合せを用いることを可能にするものであり
、また、実施例に於いても具体的に示したように、ネサ
ガラス電極を繰返し使用することを可能にするものであ
る。
本発明の導電性高分子の合成法を用いれば、種々の重合
溶液を組合せることによって、更に復雑な素子、例えば
金属、半導体、高分子半導体或いはこれらの削化物を任
意に積層したり組合せた素子の開発も可能となる。
溶液を組合せることによって、更に復雑な素子、例えば
金属、半導体、高分子半導体或いはこれらの削化物を任
意に積層したり組合せた素子の開発も可能となる。
特許出願人 、６王石鹸体式会社
、く埋ノ（弁理士 望刀孜部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気化学的酸化重合法を用いて導電性高分子を製造
する方法に於いて、電極に予め電圧を印加して重合溶液
に浸漬することを特徴とする導電性高分子の製造方法。 ２、電極の一方或いは両方が金属、金属酸化物、半導体
、化合物半導体或いは高分子半導体の薄膜である特許請
求の範囲第１項記載の導電性高分子の製造方法。 ３、重合溶液が電極面を劣化、溶解させる成分を含む特
許請求の範囲第１項或いは第２項記載の導電性高分子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21904884A JPS6197332A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 導電性高分子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21904884A JPS6197332A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 導電性高分子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197332A true JPS6197332A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16729440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21904884A Pending JPS6197332A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 導電性高分子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167254A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Ricoh Co Ltd | 導電性高分子材料複合体の製造方法 |
| CN109946361A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-06-28 | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司 | 玻璃电极 |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21904884A patent/JPS6197332A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167254A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Ricoh Co Ltd | 導電性高分子材料複合体の製造方法 |
| CN109946361A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-06-28 | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司 | 玻璃电极 |
| US11119067B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-09-14 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Glass electrode |
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