JPS6197864U - - Google Patents

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JPS6197864U
JPS6197864U JP18829785U JP18829785U JPS6197864U JP S6197864 U JPS6197864 U JP S6197864U JP 18829785 U JP18829785 U JP 18829785U JP 18829785 U JP18829785 U JP 18829785U JP S6197864 U JPS6197864 U JP S6197864U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施態様を示す図、第2図
は、第1図の構造の素子の電荷密度分布を示す図
、第3図は第2図の電荷密度分布をもつた素子の
電圧−容量特性を示す図、第4図、第5図及び第
6図は本考案素子の機能を示す特性図である。な
お、図において、10はp型半導体、11は深い
準位を有するn型半導体、12は低濃度のn型半
導体、13は高濃度のn型半導体、14はn型半
導体基板、15及び16は、電極、17は受光面
をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. pn接合(又はシヨツトキー接合)の片側にお
    いて、接合面に近い順に、エネルギーレベルの浅
    い不純物及び深い準位を有し、前記深い準位の濃
    度が、前記エネルギーレベルの浅い不純物の濃度
    と同程度かそれ以上であつて、前記深い準位の荷
    電状態により、キヤリヤ濃度が、1ケタ程度かそ
    れ以上変化しうる高濃度の深い準位を有する領域
    1と、前記領域1に接し、前記領域1のキヤリヤ
    濃度の最小値程度かそれ以下のキヤリヤ濃度を有
    する領域2と、前記領域2に接し、前記領域2の
    キヤリヤ濃度より1ケタ以上高いキヤリヤ濃度を
    有する領域3の3領域を有し、前記領域1の一部
    に光を入射しうる受光面を形成した可変容量半導
    体受光素子。
JP18829785U 1985-12-05 1985-12-05 Expired JPS6138208Y2 (ja)

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JP18829785U JPS6138208Y2 (ja) 1985-12-05 1985-12-05

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JP18829785U JPS6138208Y2 (ja) 1985-12-05 1985-12-05

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Publication Number Publication Date
JPS6197864U true JPS6197864U (ja) 1986-06-23
JPS6138208Y2 JPS6138208Y2 (ja) 1986-11-05

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ID=30745770

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JPS6138208Y2 (ja) 1986-11-05

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