JPS6214478A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
- Publication number
- JPS6214478A JPS6214478A JP60152422A JP15242285A JPS6214478A JP S6214478 A JPS6214478 A JP S6214478A JP 60152422 A JP60152422 A JP 60152422A JP 15242285 A JP15242285 A JP 15242285A JP S6214478 A JPS6214478 A JP S6214478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- grooves
- impurity semiconductor
- junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、° 嬌≦明の５羊鼻田
ｒＪ事え叩〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトセンサに係り、特に高密度、高感度なフ
ォトセンサに関する。
ｒＪ事え叩〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトセンサに係り、特に高密度、高感度なフ
ォトセンサに関する。
従来、フォトセンサとしては、フォトダイオード、フォ
トトランゾスタ、アバランシェ・フォトダイオード等が
ある。この中でアバランシェ・フォトダイオードは半導
体中でのキャリヤの衝突電離による電子増倍現象を利用
したものであるが、高電圧を印加する関係からダイオー
ドに部分的に電界集中が生じると、その部分で降伏が起
こり、センシングが不可能となる。その為にメサ型にし
たり、ガードリングを設けて形状による電界集中を防い
でいる。第１図はガードリングを有するアバランシェ・
フォトダイオードの断面図で１は電極、２はガードリン
グ、３はダイオードのｐ十層である。
トトランゾスタ、アバランシェ・フォトダイオード等が
ある。この中でアバランシェ・フォトダイオードは半導
体中でのキャリヤの衝突電離による電子増倍現象を利用
したものであるが、高電圧を印加する関係からダイオー
ドに部分的に電界集中が生じると、その部分で降伏が起
こり、センシングが不可能となる。その為にメサ型にし
たり、ガードリングを設けて形状による電界集中を防い
でいる。第１図はガードリングを有するアバランシェ・
フォトダイオードの断面図で１は電極、２はガードリン
グ、３はダイオードのｐ十層である。
上記、従来のフォトセンサは高電圧を印加する場合は、
メサ凰またはガードリング等の電界集中防止構造が必要
であり、工程が増え小型化が困難で、又フォトセンサと
半導体回路を１チツプで構成できず、集積化が困難であ
つた。
メサ凰またはガードリング等の電界集中防止構造が必要
であり、工程が増え小型化が困難で、又フォトセンサと
半導体回路を１チツプで構成できず、集積化が困難であ
つた。
上記の問題点は不純物半導体層と、該不純物半導体層に
設けられた反対導電型の不純物半導体領域とを有するフ
ォトセンサにおいて、前記不純物半導体層と前記不純物
半導体領域との接合面が平面であり、かつ、該接合面が
前記不純物半導体層に形成される溝の側面と接している
事を特徴とする本発明のフォトセンサによって達成され
る。
設けられた反対導電型の不純物半導体領域とを有するフ
ォトセンサにおいて、前記不純物半導体層と前記不純物
半導体領域との接合面が平面であり、かつ、該接合面が
前記不純物半導体層に形成される溝の側面と接している
事を特徴とする本発明のフォトセンサによって達成され
る。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明のフォトセンサの１実施例を示す断面図
である。
である。
第２図及び第３図は上記実施例の製造工程を示す断面図
である。
である。
まず第１図〜第３図を用いて実施例の製造工程について
説明する。
説明する。
第２図において、ｐ型半導体基板５にｐ十埋込層９及び
ｎ十哩込層１０を形成した後ｎ型エピタキシャル層６を
成長させる。その後リアクティブ・イオン・エツチング
等の異方性のエツチング手段を用いて選択的にｎ型エピ
タキシャル・層６をエツチングし、溝７及び溝８を形成
する。この時のエツチングマスクとしては酸化膜や窒化
膜が用いられる。図中Ａ部はアバランシェ７オトダイオ
ード部、Ｂ部はバイポーラ・トランジスタ部を示す。溝
７及び溝８はエピタキシャル層６に湧き上がったｐ＋埋
込層９に十分達する深さとする。
ｎ十哩込層１０を形成した後ｎ型エピタキシャル層６を
成長させる。その後リアクティブ・イオン・エツチング
等の異方性のエツチング手段を用いて選択的にｎ型エピ
タキシャル・層６をエツチングし、溝７及び溝８を形成
する。この時のエツチングマスクとしては酸化膜や窒化
膜が用いられる。図中Ａ部はアバランシェ７オトダイオ
ード部、Ｂ部はバイポーラ・トランジスタ部を示す。溝
７及び溝８はエピタキシャル層６に湧き上がったｐ＋埋
込層９に十分達する深さとする。
次に第３図に示すように、溝７及び溝８の側面に酸化工
程により酸化膜を形成する。そしてポリシリコン等で溝
７及び溝８を埋める。それから酸化膜１１を設はホトレ
ノスト工程でｎ型エピタキシャル層６上の所定の領域を
開孔する。この開孔部にｐ型不純物、例えばゾロンを拡
散し、アバランシェ７オトダイオードのＰＮ接合のｐ十
型拡散層１２及びパイ／−２トランジスタのペース・コ
レクタ接合のｐ十型拡散層１３を形成する。
程により酸化膜を形成する。そしてポリシリコン等で溝
７及び溝８を埋める。それから酸化膜１１を設はホトレ
ノスト工程でｎ型エピタキシャル層６上の所定の領域を
開孔する。この開孔部にｐ型不純物、例えばゾロンを拡
散し、アバランシェ７オトダイオードのＰＮ接合のｐ十
型拡散層１２及びパイ／−２トランジスタのペース・コ
レクタ接合のｐ十型拡散層１３を形成する。
それから第１図に示すようにアバランシェフォトダイオ
ードのｎ十部１７とエミッタのｎ十部１８及びコレクタ
のｎ中部１９を同時に形成した後配線を行う。２０及び
２１はアバランシェ・フォトダイオードの電極である。
ードのｎ十部１７とエミッタのｎ十部１８及びコレクタ
のｎ中部１９を同時に形成した後配線を行う。２０及び
２１はアバランシェ・フォトダイオードの電極である。
第１図に示すように、アバランシェ・フォトダイオード
のＰＮ接合面は溝７の側面に達し、従来の如く曲率を有
する部分がない・従って局所的な電界集中を防ぐ事がで
き、安定した光検出特性を有する事となる。又溝７及び
溝８はアバランシェ・フォトダイオード及びバイポーラ
・トランジスタのアイソレージ、ン（素子分離）として
も作用する。
のＰＮ接合面は溝７の側面に達し、従来の如く曲率を有
する部分がない・従って局所的な電界集中を防ぐ事がで
き、安定した光検出特性を有する事となる。又溝７及び
溝８はアバランシェ・フォトダイオード及びバイポーラ
・トランジスタのアイソレージ、ン（素子分離）として
も作用する。
上記実施例のフォトセンサの溝７及び溝８を形成する工
程で、特開昭５９−２３６２で開示されているような溝
の側面をキヤ・童シタとして用いる事で同一面積で、容
量の大きいキヤ・ぐシタを組み込む事が可能となる。又
特公昭４９−２８７９０に開示したような溝型ＭＯ８）
／Ｆンノスタを同時に形成する事も可能である。
程で、特開昭５９−２３６２で開示されているような溝
の側面をキヤ・童シタとして用いる事で同一面積で、容
量の大きいキヤ・ぐシタを組み込む事が可能となる。又
特公昭４９−２８７９０に開示したような溝型ＭＯ８）
／Ｆンノスタを同時に形成する事も可能である。
以上、詳細に説明したように本発明のフォトセンサによ
れば、半導体接合面が平面で、特定の箇所に電界集中を
起さず、微少光であっても安定した出力が得られ、また
特別な電界集中防止構造が不要であるため、工数が減り
、小型化する事ができる。さらに、設けられた溝を素子
分離やキャｉ４シタとして用いる事ができ、かつフォト
センサと半導体回路を１チツプで構成する事ができるの
で集積回路を構成する事ができる。
れば、半導体接合面が平面で、特定の箇所に電界集中を
起さず、微少光であっても安定した出力が得られ、また
特別な電界集中防止構造が不要であるため、工数が減り
、小型化する事ができる。さらに、設けられた溝を素子
分離やキャｉ４シタとして用いる事ができ、かつフォト
センサと半導体回路を１チツプで構成する事ができるの
で集積回路を構成する事ができる。
第１図は本発明のフォトセンサの１実施例を示す断面図
である。 第２図及び第３図は上記実施例の製造工程を示す断面図
である。 第４図は従来のフォトセンサの断面図である。 ５・・・ｐ型半導体基板、６・・・ｎ型エピタキシャル
層、７，８・・・溝、９・・・ｐ中型埋込層、１０・・
・ｎ十型埋込層、１２，１３．・”ｐ型拡散層。
である。 第２図及び第３図は上記実施例の製造工程を示す断面図
である。 第４図は従来のフォトセンサの断面図である。 ５・・・ｐ型半導体基板、６・・・ｎ型エピタキシャル
層、７，８・・・溝、９・・・ｐ中型埋込層、１０・・
・ｎ十型埋込層、１２，１３．・”ｐ型拡散層。
Claims (1)
- 不純物半導体層と、該不純物半導体層に設けられた反対
導電型の不純物半導体領域とを有するフォトセンサにお
いて、前記不純物半導体層と前記不純物半導体領域との
接合面が平面であり、かつ該接合面が前記不純物半導体
層に形成される溝の側面と接している事を特徴とするフ
ォトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152422A JPS6214478A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152422A JPS6214478A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214478A true JPS6214478A (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=15540166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152422A Pending JPS6214478A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214478A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926231A (en) * | 1988-08-05 | 1990-05-15 | Motorola Inc. | Integrated pin photo-detector |
| US5268309A (en) * | 1984-09-01 | 1993-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a photosensor |
| JPH09232556A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
| JPH10284711A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Hamamatsu Photonics Kk | ＢｉＣＭＯＳ内蔵受光半導体装置 |
| JP2006502566A (ja) * | 2002-09-05 | 2006-01-19 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 集積されたピンダイオードおよび関連の回路構造を製造する方法 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152422A patent/JPS6214478A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268309A (en) * | 1984-09-01 | 1993-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a photosensor |
| US4926231A (en) * | 1988-08-05 | 1990-05-15 | Motorola Inc. | Integrated pin photo-detector |
| JPH09232556A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
| JPH10284711A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Hamamatsu Photonics Kk | ＢｉＣＭＯＳ内蔵受光半導体装置 |
| JP2006502566A (ja) * | 2002-09-05 | 2006-01-19 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 集積されたピンダイオードおよび関連の回路構造を製造する方法 |
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