JPS6199146A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で〜紫外線、可視光線
、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電ｒａ妓に感受
性のある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザ
ー光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に
関する。

〔従来技術〕

デジタルＦ＋−像情報を画像として記録する方法として
、デジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受
容部材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し
、次いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの
処理を行ない１画像を記録する方法がよく知られている
。中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザ
ーとしては小型で安価ｆｉ、Ｈｅ−Ｍｅレーザーあるい
は半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎ鵬の発光波
長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８８３
４１号公報や特開昭５８−８３７４８号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−９ｉ
Ｊ　と略記する）から成る光受容部材が注目されている
。

尚乍ら、光受容層を単層構成のａ−５ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電ｆ′ｙ７真川として要求さ
れる１０Ｉ２ΩＣ−以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の全範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に１層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障苧層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を品めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、　ａ　−Ｓｉ系光受容部材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進ハ（し、商品化
に向けてのｖＡ発ススピード急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象はｆＪ著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１．と−に部界面１０２で反射した反射光ＲＩ
、下部界而１面１で反射した反射光Ｒ２を示している。

。 層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入厚差で不
均一であると１反射光Ｒ１＋Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数１反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−）入（ｍ
は＊ｌ！数１反射光は弱め合う）の条件のどちらに合う
かによって、ある層の吸収光簗および透過光驕に変化を
生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、７ｆＳ２図に示すように、１１ＦＷｆ
ｌ−Ｆ＃ｌ−：よ、。□。ヵ＜ｉｃａ、＋　　　　　　
　　’の為に該ト渉縞校様に対応した干渉縞が転写部材
とに転写、定着された可視画像に現われ、不良画像の原
因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　ｔｏｏｏ。

人の凹凸をＪ９けて光散乱面を形成する方法（例えば特
開昭５８−１８２１１７５号公報）アルミニウム支持体
表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカ
ーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、
アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理した
り、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたり
して、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されてい
る。

面乍ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防１Ｆにはなっているが、光散乱とし
ては依然として正反射光成分が残存している為に、該正
反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ　−ＳｉＰ＋を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−
Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受けて１
本来の吸収機能を低減させると共に１表面状態の悪化に
よるその後の轟−Ｓｉ層の形成に悪彩青を午えること等
の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に１例えば入射光１．は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して′Ａ過先光１１となる
、透過光ＩＩは、支持体３０２の表面に於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　＋に３・・・
となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一
部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射
光Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、
依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光ＲＩ
、支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように１通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容Ｗ　５０２の凹凸の傾斜面とが
平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ＋二ｍ入また
は２ｎｄｌ　＝　（ｍ＋３４）λが成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ＋　＋ｄ２　、ｄ３　＋ｄｎの夫々の差の島るため
明＋ｖＳの縞校様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑きなる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現ｆＪ１時の斑点の現出を同時にしかも完全
に解消することができる光受容部材を提供することでも
ある。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料
からなる表面層とが支持体側より順に設けられた多層構
成の光受容層を有しており、前記第１の層中に於けるゲ
ルヤニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であり、
且つ前記第１の層及び前記ｉ２の層の少なくとも一方に
伝導性を支配する物質が含有され、該物質が含有されて
いる層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不
均一であると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含有
し、且っショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を
有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾滑面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２暦８０２の層厚がｄｓか
らｄｉと連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干渉性光は該
微小部分！に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７Ｇ＋と第２Ｍ７０２の界
面７０３と第２Ｗ７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１ｏに対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ５とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の１
５１暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６因に示す様にＭ２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄｙｋＰｄｅ）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また°、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側
から第２ＷＩまで可干渉性光が透過した場合に就いて本
発明の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。

に対して１反射光Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在す
る。その九番々の暦で第７図を似って前記に説明したこ
とが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、ｌｔ小部分の大
きさが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限
界より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に
画像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質
的には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｉ　）は、照射光の波
長を入とすると。

入 ａｓ　　−ｄ、　　≧　　□ 　ｎ （ｎ：：ＩＳ２層６０２）屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分！の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が −（ｎ：層の屈折ｊｌ） ２ｎ 以ドである様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削前１１械の所定位
置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は１円筒状支持体の中心軸
を中心にしたｎ　ｈ：：構造を有する。逆Ｖ字形突起部
の螺旋構造は、二重、三重、多重螺旋構造、又は交叉式
ｉｔｌ構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって１表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ　　ＳＡＷの層品質の低下を招来しない様に
支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定す
る必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｓ〜
０．３μｓ、より好ましくは２００鱗〜ｌμ、最適には
５０−〜５鱗であるめが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５μ、
より好ましくは０．３ｕ〜３−９最適には０．６ｕ〜２
ｕとされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチと
最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線と突起
部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆−積される各層の層厚の不均
一性に基〈層厚型の最大は、同一ピッチ内で好ましくは
０．１μ〜２鱗、より好ましくは０．１μ〜　１．５鱗
、最適には０．２−〜ｌｕとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子
とを含む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっており、前記第１の層中に
於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一
となっているため、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比をイーするもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、／＼−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安疋して繰返し得ることができる。

更に１本発ＩＪＩの光受容部材は、全可視光域に於いて
光感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れ
ているため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
面層には１機械的耐久性に対する保護層としての４＠き
、および、光学的には１反射防止層としての４＠きを主
に荷わせることが出来る。

上記表面層は１次の条件を満たす時１反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち、表面層の屈折率ｎ２層厚をｄ、入射光の波長を入
とすると、 入 　ｎ の口１ト又は、そのＩが数倍のとさ、表面層は、反！１
１防は一層として適している。

又、第２の層の屈折率をｎ、とじた場合１表面層のに１
μ折：ｐｎが、 ｎ＝屓 す時２表面層は、反射防止層として最適である。

ａ−Ｓｉ＋Ｈを第２の層としで用いる場合、　ａ−Ｓｉ
：Ｈの屈折率は、約３．３であるので１表面層としては
、屈折ｉ１．８２の材料が適している。

ａ−５ｉＣ：）ｌは、Ｃの量を調整することにより、こ
のような値の屈折率とすることが出来、かつ、４を械的
耐久性１層間の密着性、及び電気的特性も十分に満足さ
せることが出来るので１表面層の材料としては最適なも
のである・ また表面層を、反射防ＩＩ：層としての役割に重点を置
く場合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２ｕ、
！：；ｆｆｇ６ｃＱヵ、より望ｔＬｌｒ１．　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ｉ以１図面に従って
、本発明の光受容部材に就いて詳細に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１θ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びｌ＼ロゲン原
子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−５’ｉＧｅ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（
Ｇ）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後１’ａ−
９ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電
性を有する第２の層（Ｓ）　１００３と、シリコン原子
と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表面層１００６
とが順に積層された層構造を有する− 第１０図に示される光受容部材１００４におｌ、％ては
。

第２の層＋００３上に形成される表面層１００６は、自
由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性。

電気的耐圧性１機械的耐久性、光受容特性にお、（１て
、本発明の目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層１００６は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及
び／又はｌ−ロゲン原子（Ｘ）゛とを含む非晶質材料（
以後、　　ｒａ−（ＳｉｘＣｔ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−
ｙ　Ｊと記す、但し、０＜　！、　　７＜　１）で構成
される。

ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ，−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙで
構成される表面層１００６の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、アルイハ光ｃｖｏ法
、熱ＣｖＤ法。

スパッタリング法、エレクトロンビーム法等番こよって
威される。これ等の製造法は、製造条件。

設備資本投下の負荷程度、製造規模１作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光４電部材を製造
するための作製条件の制御が比較的容易である。シリコ
ン原子と共に炭素原子及びハロゲン原ｒを、Ｆｌ製する
表面層１００Ｇ中に導入するのが容易に行える等の利点
から、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適に採
用される。

史に、本発明に於いては、グロー放’＋ｌＥ法とスパッ
タリング法とを同一装置系内で併用して表面層１００６
形成してもよい。

グロー放電法によって表面層１００Ｂを形成するには、
　ａ−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋−ｙ形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定！直の混合比
で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し。

導入されたガスをグロー放電を生起させることによりガ
スプラズマ化して、前記支持体に既に形成されである第
１から第２の層上にａ−（Ｓｉｘ　Ｃ＋　−Ｘ　）ｙ　
（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｔ、　Ｃ，−Ｘ　）ｙ　（Ｈ
，Ｘ）　ｔ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原
子（Ｓｉ）、　炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及びハ
ロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子
として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料カスを使用する場合には１例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨな構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、５ｉｉＨ４Ｊ１成原子とする
原料ガスと、Ｓｉ、　ＣおよびＨの３つを構成原子とす
る原料ガス又はＳｉ、　ＣＦ３よびＸの３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００Ｓ中に含有されるハロゲ
ンオ；（了（×）として好適なものは、Ｆ、α。

Ｂｒ、　Ｉであり、殊にＦ、〔！が望ましいものである
。

本発明に於いて、表面層１００Ｂを形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて１表面Ｗｊｔｏｏｓ形成用の原料ガゑと
して有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原ｒ−と
するＳｉＨ４，５ｉ２）１６　、５１３Ｈａ　、　５ｉ
ａＨｌｏ　”９のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化
硅素ガス、Ｃ、！：Ｈとを構成原子とする１例えば炭素
原子数１〜４の飽和炭化水；し炭素数２〜４のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、／
１０ゲン単体、ハロゲン化水素、Ｉ＼ロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素
等を挙げることができる。具体的には、飽和炭化水素と
しては、メタン（Ｃ）Ｉａ）　、エタン（Ｃ２Ｈ４）−
プロパ７　（Ｃ３Ｈ６）　、　ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨ
ＩｃＩ　）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭
化水ふとしては、エチレン（Ｃ７Ｈ４）、プロピレノ（
ＣｉＨ６）、　ブテン−Ｉ　ＣＣａＨｓ　）　、ブテン
−２（Ｉｌ：ａＨｅ　）　、　　インブチレン（１：４
Ｈ８）　、ペンテン（ＣＪ’ｔｏ）　、アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（（：２Ｈ２）、メチルア
セチレン（Ｃ：３Ｈａ）、ブチン（Ｃ４Ｈ＆　）　、ハ
ロゲン単体としては、フッ素、塩に、臭素、ヨウ票のＩ
＼ロゲンガス、／＼ロゲン化水素としては、Ｆｌ（、旧
、Ｈａ、　Ｈｅｒ　、　／λロゲン間化合物としては、
　ＢｒＦ　、αＦ、αＦ３、αＦ５．８ｒＦ５゜ＢｒＦ
３、ＩＦ７、　ＩＦ３、　Ｉａ、　ＩＢｒ　、　／−ロ
ゲン化硅素としては５ｉＦａ、　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉ
α３Ｂｒ、Ｓｉα２８　Ｆ２　。

５ｉＣｆＢｒ３　、５ｉＣＩ３１．　Ｓｉ［ｌｒ４　、
　／＼ロゲン置換水素化硅素としては、５ｉ８２Ｆ２．
５ｉＨ７α２．　ＳｉＨａ、。

ＳｉＨ３α、５ｉＨ３Ｂｒ、　５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉ
ＨＢｒ３水素化硅素としては、Ｓ：Ｈａ、　Ｓｉ２Ｈ６
、５ｉ３Ｈ６、５１４）＋１０笠のシラン（Ｓｉｌａｎ
ａ）類１等々を挙げることができる。

これ等の他に、ＣＦａ、Ｃａ、　、　ＣＢｒ４．　Ｃ）
ＩＦ３、ＣＨ，Ｆ２　、　ＣＨ３Ｆ、　ＧＨ３Ｃｊ　、
　ＯＨ，Ｂｒ　、　ＣＨ３１，Ｃ２Ｈ５α等のハロゲン
置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４　。

ＳＦ、等のフッ累化硫黄化合物；　５ｉ（ＣＨ３）ｎ　
−５ｉ（Ｃ７Ｈ５）ｎ等のケイ化アルキルやｓｅａ　（
ＣＨ３）３　。

Ｓｉα２ＣＣＨ３）２　、　Ｓｉα３ＣＨ３等のハロゲ
ン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なものと
して挙げることができる。

これ等の表面層１００６形成物質は、形成される表面層
１００６中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有される
様に、表面層１００６の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、ンリフン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得る５
ｉ（ＣＨ３）ｎと、ハロゲン原子を含有させるものとし
てのＳｉＨα３　、　ＳｉＨ２α２　、　Ｓｉα６、或
いは、５ｉＨ３１等を所定の混合比にしてガス状態で表
面層１００Ｂ形成用の装置内に導入してグロー放電を生
起させることによってａ−（ＳｉｘＣ＋−＋＋）ｙ　（
α＋Ｈ）＋−アから成る表面層１００６を形成すること
ができる。

スパッタリング法によって表面層１００Ｂを形成するに
は、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハ
ーあるいはＳｌとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、ＳＩウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター川の堆積室中に導入
し、これらのガスのカスプラズマを形成して前記５１ウ
エーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｌとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｌとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水ＪｆＸ子又は／及び
ハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリング
することによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原
料ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で
示した表面層１００Ｂ形成用の物質がスパッタリング法
の場合に６４、ヵ４ｆｘｔｈ’Ａｋ（、Ｃ４＊□；’ｒ
ｕｑａ、　　　　　　　　　　　　ｉ本発明に於いて、
表面層１００Ｂをグロー放憲法又はスパッタリング法で
形成する際に使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガ
ス、例えばＨｅ、　Ｍｅ。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００８は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、　Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構
成原子とする物質は、その作成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的に
は、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又
光導電的性質から非光導゛「Ｌ重性質を各々示すので本
発明においては、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（ＳｉＸＣＩ−Ｘ）ｙ（）１．　Ｘ）１−Ｖが形成され
る様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成さ
れる０例えば、表面層１００Ｂを電気的耐圧性の向上を
主な目的として設ける場合には、ａ−（Ｓｉ、　ｃ、　
＋ｇ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙは使用環境に於いて電
気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向１゜を主た
る目的として表面層＋ｏｏｅが設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され”、照射される
光に対しである程度の感度を右する非晶質材料としテａ
−（Ｓ＋ｘＣ＋−＋＋）ｙ（Ｈ，Ｘ）トｙが作成される
。第２の層１００３の表面上にａ−（ＳｉＸＣ１棒）ｙ
　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−−から成る表面層１００６を形成す
る際１層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子の一つであって、本発明に
おいては、目的とする特性を有するａ−（Ｓｉｘ　ｃ、
　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。

本発明に於ける。所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００６の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて５表面層１００６の形成が実行されるが、好まし
くは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、最適
には１００〜３００℃とされるのが望ましいものである
０表面層１００８の形成には１層を構成する原子の組成
比の微妙な制御が他の方法に比へで比較的容易である°
１−等のために、グロー放゛屯法やスパッタリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成法で表面層１００
８を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形
成の際の放電パワーが作成されるａ−（ＳＩｘＣ＋−ｘ
）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｖ　１７）特性を左右する重要な因
子の一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（ＳＬ＋　Ｃ，−１１）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ
−ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワー
条件としては、好ましくは１０〜１００ＯＷ、より好適
には２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされる
のが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜ｌ　
Ｔｏｒｒ、好適には、　０．１−０．５Ｔｏｒｒ程度と
されるのが望ましい、　一 本発明に於いては表面層１００Ｂを作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるもノテなく、所望特性ノａ
−（ＳｔｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙから成る表面
層１００Ｇが形成されるように相１１的イ１１次的関連
性に基づいて各層作成ファクターの鰻適イ１が決められ
るのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００Ｂに含有され
る炭素原子の場は１表面層１００８の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００Ｂが形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００６に含有される炭素原子の
琶は１表面層　１００８を構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもので
ある。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｉｘ　Ｃｔ　−Ｘ　）Ｗ　（
Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙで示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（
以後。

ｒ　ａ−ＳｉｌＣｌ＋　ａ　Ｊと記す、但し、Ｑ　＜　
ａ＜　　１）　、　シリコン原子と炭素原子と水Ｊ原子
とで構成される非晶質材料（以後、　　ｒａ−（Ｓｔ、
ｆ４−ｂ）。Ｈｌ　−ｅ　Ｊと記す、但し、　０　＜　
ｂ、　ｃ　＜　１）　、シリコン原子と炭素原子とハロ
ゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質
材料（以後、　　ｒ　ａ−（Ｓｉａ　Ｃ＋　−ａ　）。

（Ｈ，Ｘ）ｌ−ｅ　Ｊと記す、但し、０　＜　ｄ、　ｅ
　＜　１）に分類される。

本発明に於いて、表面５１００８がａ−ＳｉｌＣ、−１
テ構成される場合１表面層１００６に含有される炭素原
子の量は、好ましくは、　Ｉ　Ｘ　１Ｇ’　〜９Ｑａｔ
ｏｗｉｃ％。

より好適には１〜８０ａｔｏｓｉｃ％、最適には゛１０
〜７５ａｔｏ腸ｉｃ％とされるのが望ましいものである
。即ち、先のａ−Ｓｉ１ＣＩ−ａのａの表示で行えば、
ａが好ましくは０．１〜０．９８１１９９、より好適に
は０．２〜０．８８、最適には０．２５〜０．９である
。

一方、本発明に於いて、表面層１００８がａ−（Ｓｉ、
ｆｌ：１−ｂ　）ｅ　Ｈｌ−５で構成される場合１表面
層１００Ｂに含有される炭素原子の量は、好ましくはｌ
Ｘｌ０’〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは
１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａＬａ＋
ｓｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子の
含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、
より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜
３０ａｔａｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範
囲に水素含有量がある場合に形成される光受容部材は、
実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳｒｂＣＩ−ｂ＞ｅＨ＋−ｃの表示で
行えば。

ｂが好ましくは０．１〜ｏ、５ｓｓ９ｓ、より好適には
０．１〜０６３９、最適には０．１５〜０．９．　ｃが
好ましくはｏ、ｅ〜０，８９、より好適には０．６５〜
０．９８、最適には０．７〜０．９５であるのが望まし
い。

表面！１００Ｂが、ａ−（ＳｔａＣ＋−１）ｅ（Ｈ，Ｘ
Ｌ−＊で構成される場合には、表面Ｆ　１００Ｂ中に含
有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、　ｌ
Ｘ１０°３〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適にはＩ−９
ｌ−９０ａｔｏ％、最適にはｌＯ〜８０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有
量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充分適
用させ得るものである。必要に応じて含有される水素原
子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以
下、より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが
望ましいものである。

■！すち、先のａ−（！ｌｉｉ、ｃ＋−１）ａ（Ｈ，Ｘ
）＋−ａのｄ、　ｅ　ノ表示で行えば、ｄが好ましくは
、０．１〜０．９９９９９より好適には０．１〜０．９
９、最適には０．１５〜０．８、ｅが好ましくは０．８
〜０．９３、より好適には０．８２〜０．９９．　Ｒ適
には０゜８５〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期のｌ」的に
応じて適宜所望に従って決められる。

又１表面層１００Ｂの層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面Ｍ１００Ｂの層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０鱗、より好適には０．００４〜２
０μｓ、最適には０．００５〜ｌａｘとされるのが望ま
しいものである。

、本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも
第１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（、Ｓ　
）１００３に伝導特性を支配する物Ｗ　（Ｃ）が含有さ
れており、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特
性が与えられている。

本発明に於いては、第１（Ｆ）層（Ｇ）　＋００２又は
／及び第２の！＋（Ｓ）　１００３に含有される伝導特
性を支配する物ｆｉ　（Ｃ）は、物！　（Ｃ）が含有さ
れる層の全層領域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含
有される層の一部の層領域に偏在する様に含有されても
良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り１例えば、第１の層（
Ｇ）の全層望域に前記物Ｗ　（Ｃ）を含有させるのであ
れば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様
に前記物￥ｔ　（Ｃ）が第１の層ＣＧ）中に含有される
。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｃ）の層
Ｊゾ方向の分り濃度を不均一にすることで、他の層との
接触界面での光学的、電気的接合を良好にすることが出
来る。

本発爾に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物ＪｌＩＣＣ）の含有さ
れる層領域（ＰＮ）は、第１の層ＣＧ）の端部層領域と
して設けられ、その都度、所望に応じて適宜法められる
。

本発明に於いては、第２のＩｆｊ（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層ＣＧ）との接触界面を含む層領域中に前記物Ｗ　（Ｃ
）を含有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物Ｗ　（Ｃ）が含有されている層領域と、第
２の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１のｅ　（Ｇ）と第２のＷ　（Ｓ）とに含有され
る前記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）
とに於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その
含有量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら１本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
ＣＧ’）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特
性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有
させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
のＭ＋ＣＧ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層ＣＧ）の又は／及
び第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも
良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、°
所謂、毛導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ
　−Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−ＳｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表ｔｊＳｆｆｌ
族に屈する原子＜’ａｍ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）
、７Ｌｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（
インジウム）、　ｒｔ　（タリウム）等があり。

殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、ｐ（燐）、Ａｓ（砒Ｊ）　、　Ｓ
ｂ　（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり
、殊に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｐ　Ｎ）に直に接触して設けられる他
の層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性をＸｖ＋御する物質（Ｃ
）の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（Ｐ、Ｎ）中に含有される伝導
特性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましく
は０．０１〜５ＸＩＯ’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
より好適には０．５−Ｉ　ＸＩＯ’　　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、　＠ａには、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔ
ｏ　ｐｐｓとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物ｆｉ　（Ｃ）の含有
量を、好ましくは３０　ａｔＯ■ｔｃ　ｐｐ■以上、よ
り好適には５０　ａｔＯ■ｉｃ　ＰＰ−以上、最適には
１００　ａｔｏ脂ｉｃ　ＰＰ膳以上とすることによって
５例えば該含有させる物’ｌ　（ｃ＞が前記のｐ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理
を受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物
質（Ｃ）が前記Ｑｎ型不純物の場合には、光受容層の自
由表面がｅ極性に帯電処理を受１７だ際に支持体側から
光受容層中への止孔の注入を効果的に阻止することが出
来る。

Ｅ記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量
よりも一段と少ない量にして含有させても良いものであ
る。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては１層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐ＋ｗ　、よ
り好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ−とされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ嘗以下とするのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔＯｆｆｌｉｃ　ＰＰ■以下とするのが好まし
い。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含イ
【させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ７ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第２７図乃至第３５図には１本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される物質層（Ｃ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於いて
１層厚及び濃度の表示はそのままの値価で示すと各々の
図の違いが明確でなくなる為、極端な形で因示しており
これらの図は校式的なものと理解されたい。

実際の分布としては１本発明の目的が達成される可く、
所望される分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ
≦８）又はＣ１（１≦ｉ≦１７）の値を選らぶか、或い
は分布カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべき
である。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質（Ｃ）の分
１ｒｉ濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＰＮ）の層厚を示し、
　ｔｏは支持体側の層領域ＣＧ）の端面の位置を。

１Ｔは支持体側とは反対側の層領域（ＰＭ）の端面の位
置を示す、即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＭ
）は１Ｂ側より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第２７図には４層領域（ＰＭ）中に含有される物質（Ｃ
）の層厚方向の分布状態のｇＳｆの典型例が示される。

第２７図に、１＜される例では、物質（Ｃ）の含イｆさ
れる層領域（ＰＭ）が形成される表面と該層（Ｇ）の表
面とが接する界面位置１１１よりＬｌの位置までは、物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ！なる一定の値を取り乍
ら物質（Ｃ）が、形成される層（ＰＮ）に含有され。

位２１Ｌ＋よりは濃度Ｃ２より界面位′ＲｔＴに至るま
で徐々に連続的に減少されている。界面位２２Ｌｒにお
いては物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここでは実質的に零とは検出限界量未満の場合である
。） 第２８図は示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位、Ｈｔ日より位２１ｔｒに至るまで
濃度Ｃ，から徐々に連続的に減少して位１１ｔｔにおい
て濃度Ｃ４どなる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には１位８１　ＬＢより位ＰＪＬ２まで
は、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値と
され１位１１Ｌ２と位Ｚｉｔｙとの間において、徐々に
連続的に減少され１位１１ｔｔｖにおいて１分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている。

第３０図の場合には、物′１Ｉ（Ｃ）の分布濃度Ｃは位
　　　　　　　　　へ置１Ｂより位置１丁に至るまで、
Ｃ瓜Ｃ６より初め連続的に徐々に減少され１位置【３よ
りは、急速に連続的に減少されて１位１ｔｙにおいて実
質的に零とされている。

第３１図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
１位置ｔ８と位置Ｌ４間においては濃度Ｃ７と一定値で
あり、位２ｔｔｒに於ては分′ｌａ濃度Ｃは器とされる
１位Ｚ？　ｔ４と１丁との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ４より位置り丁に至るまで減少されている
。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
．より位２１ｔｓまでは濃度ＣＢの一定値を取り１位置
Ｌ５より位置１．までは濃度Ｃ９より濃度ＣＩｏまで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第３３図に示す例においては１位２１Ｌ８より位ｉｉ！
ｉｔｔに至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ｅｌ
ｌより一次関数的に連続して減少されて、雰に至ってい
る。

第３４図においては、位置ｔａより位置ｔ６に至るまで
は物ｒＪ（Ｃ）の分；／ＬＪ　ＣＩｆ　Ｃは、ｅｑｚ　
Ｃｎより濃度Ｃ１ｗまで一時間数的に減少され、位２１
にと位置Ｌｒとの間においては、濃度ＣＩ３の一定値と
された例が示されている。

；７５３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布
濃度Ｃは１位２１ｔ８において濃度ＣＩ４であり１位置
ｔ７に至るまではこの濃度ＣＩ４より初めはゆっくりと
減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少され
て位置【、では濃度ＣＩＳとされる。

位置ｔ７と位Ｋｉｔｅとの間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置Ｌ
８で濃度ｃａｂとなり、位置ｔ８と位ＺＬ９との間では
、徐々に減少されて位２ｔ【９において、Ｃ度ＣＩ７に
至る０位−置【９と位ｉｉ！２Ｌｔとの間においては濃
度Ｃ凰７より実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、：ｊＳ２７図乃至第３５図により１層領域（ＰＭ
）中に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に、本発舅においては、支持
体側において、物￥ｔ　（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に比べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）
の分布状態が層領域（ρＮ）に設けられているのが望ま
しい。

本発明における光受容部材を構成する層領域（ＰＭ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するの
が望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ８より
５蓼以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ＬＢ
より５鉢厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）１例えば、第ｍ族原子或いは第ｖ１！に原子構造的
に導入してｒｎｉ記物質（Ｃ）の含有された層領域（Ｐ
Ｍ）を形成するには１層形成の際に、第ｍ族原子導入用
の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に各層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い。

この様な第ｍ族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い、その様な第■族原子導入用の出発物質として、具体
的には硼素導入用としては、　Ｂ２Ｈ６＊　　ＢａＨ＋
ｏ　、ＢＳＨ９＋　　ＢｓＨｕ　＋　　Ｂ＆Ｈ１゜。

Ｂ、）Ｉ、、、ＢらＨＩ４等の水素化Ｉｉ！素、　ＢＦ
３　、　ＢＣｆｆｉ３゜ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。このほか、Ａ１α３．Ｇａα３　、　Ｇ
ａ（（：Ｂ３）３．”Ｃ３，Ｔ１α３等も上げることが
出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として１本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　　ＰＨ
，、Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨａｌ　、　　ＰＦ３　
。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ３　、　ＰＣｌ５　、　ＰＢｒ３　
、　ＰＢｒ３　、　　ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げら
れる。この他ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣ１，、ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５．ＳｂＨ３，ＳｂＦ
３．　５ｂＣ１５゜ｓｂα、　Ｂｉ）１３　、　　Ｂ１
１Ｊ３　、　　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発
物質の有効なものとして挙げることが出来る。

第１のＷ　（Ｇ）　＋００２中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には
′ｆＪＬ続的であって且つ前記支持体１００１の設けら
れである側とは反対の側（光受容層１００１の表面１０
０５側）の方に対して前記支持体１００１側の方に多く
分布した状態となる様に前記第１の層ＣＧ）　１００２
中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層　　′（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の分布状１ムは、層厚
方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の
表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが
望ましい。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材とし得るものである。

又、第１のｆｌ　（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体
側より第２のＭ　（Ｓ）に向って減少する変化が与えら
れているので、第１の暦（Ｇ）と：ｔＳ２の層（Ｓ）と
の間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体
側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に
大きくすることにより、半導体レーザ等を使用した場合
の、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の
光を第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。

又１本発明の光受容部材に於いては、：Ａｌの層（Ｇ）
と第２のＷ　（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシ
リコン原子という共通の構成要素を有しているので積層
界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている
。

第１１図乃至第１８図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の暦（Ｇ）の端面の位置を、
１Ｔは支持体ｇｓ２は反対側の層（Ｇ）の端面の位置を
示す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の暦（
Ｇ）はｔＢ側よりＬＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の＄１の典型例が示され
る。

ｉｌ１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れるｆｔ５１の７！　ＣＧ）が形成される表面と該第１
のＷ　（Ｇ）の表面とが接する界面位ｆｉｔｓよりｔｌ
の位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩな
る一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第
１の層（Ｇ）に含イＩされ１位置し、よりは濃度Ｃ２よ
り界面位置ｔτに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位ｍＬｒにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは濃度５とされる。

第１２図に示される例においては、含イ１されるゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは位置□Ｌｓより位２ｚｔ丁に
至るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位ｍＬｒ
において濃度へとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ＬＢより位置（、までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
１位ｆｆ１ｔｚと位ｍｔｔとの間において、徐々に連続
的に減少され、位置【τにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未
満の場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位２ｉＬ日より位置を丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続
的に徐々に減少され１位ｉ！ｉＬ丁において実質的に零
とされている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の　　　
　　　　　　　→分布濃度Ｃは、位置ｔ８と位置ｔ３間
においては、ｅ度Ｃ９と一定値であり、位置□Ｌ□に於
ては濃度ＣＩＯとされる６位置ｔ３と位１ｔｔとの間で
は、分布濃度Ｃは一次関数的に位置□Ｌｓより位ａｌＬ
ｒに至るまで減少されている。

第１８図に示される例においては、分１ａ濃度Ｃは位置
ｔＢより位Ｍ　ｔａまでは濃度Ｃ１１の一定値を取り、
位置ｔ４より位２！ｌｋまでは濃度Ｃ□２より濃度ＣＩ
３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位２１ｔｅより位Ｚｌｋ
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃｔ
ａより実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第１８図においては１位ｉｔｓより位置ｔ、に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳより濃
度０１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置１
丁との間においては、濃度（’１６の一定値とされた例
が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位ＩＬｅにおいて濃度Ｃ１７であり１位ｎ
１６に至るまではこの濃度０１７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位２１ｔ６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ｃｐｓとなり、位置ｔ７と位置Ｌ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置り、において、
Ｃ度Ｃ２ｏに至る０位１７１ｔｅと位２１ＬＴとの間に
おいては濃度Ｃ２゜より実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以−１−１第１１図乃至第１９図により、第１の層ＣＧ
）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状
態の！！ｌｌ型例の幾つかを説明した様に。

本発明においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ＬＴ側において
は、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べてＯｆ成り低くさ
れた部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第１の
Ｒ’ｌＣＧ＞に設けられているのが′！！ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１のＷ　（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置り日より５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置Ｌ８
より５終厚までの全層領域（１丁）とされる場合もある
し、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌｒ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃ■ａＸがシリコン原子に対して、好ましく
は＋０００　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ＠以１１、より好適に
は５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以ヒ、最適にはｌ×
１０’　　ａｔｏ需１ｃｐｐ腸以りとされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５終以内（
ｔｏから５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘ
が存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
Ｗ　（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の罎又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
、より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜決められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０！１１１ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
より好ましくは１００〜８　Ｘ　１０Ｓ１０５ａｔｏ　
ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ、は、好まし
くは３０Ａ〜５０ＩＬ、より好ましくは、４０Ａ〜４０
勝、最適には、５０Ａ〜３０鉢とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜３
０終、より好ましくは１〜８０ＩＬ最適には２〜５０終
とされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ、＋Ｔ）としては１両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

未発り１の光受容部材に於いては、１記の（［ＯＬＴ）
の数値範囲としては、好１しくは１〜１００用、より好
適には１〜８０ル、最適には２〜５０終とされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施！ム様例に於いては、上記の
層厚■８及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、　／　Ｔ
≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な
数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ８及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｅ　／　Ｔ≦０．８．最適
にはＴ、　／　Ｔ≦Ｑ−８なる関係が満足される様に層
厚Ｔ、及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の！　（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０Ｓａｔｏ１０５ａ
ｔｏ以上の場合には、第１のＷ　ＣＧ）の層厚■Ｂとし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ｇ以下、より好ましくは２５＃Ｌ以下、最適には２０ｕ
Ｌ以下とされるのが望ましい。

木発す１において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）
及び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素衛好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明においテ、　　ａ　−５ｉＧｓ　（Ｈ，Ｘ）　テ
構成される第１のＭ　（Ｇ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる０例えば、グロー放電法によっ−（、ａ−ＳｉＧｅ
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の暦（Ｇ）を形成するには
、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｓ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）から成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング
法で形成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）ｊＦ１入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉ２Ｈ６。

Ｓｉ３Ｈ８＋　ＳｉＪ＋ｏ等のガス状態の又ガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、Ｎ作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉ２１（６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、　Ｇｅ
Ｉ（４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　ＧｅａＨＨｏ＋
　Ｇｅ５）１１２１Ｇｅ、、）ｌ　１４１　Ｇｅ？Ｈｕ
＋　＋　ＧｅｎＨｌｎ　＋　Ｇｅａｙｏ　等のガス状態
の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、暦作成作業時の取扱い
易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で。

ＧｅＨ，１，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３）１６が好ましいもの
として挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成ｆｉ
ｌとするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を
含む水漏化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、ｆＪｅ体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素ノハロゲンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３．ＢｒＦ
５゜Ｂ　ｒＦ３　＋　［Ｆ３　、ＩＦ　ｔ　＋　Ｉα、
ＩＢｒ等ノハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅稟化合物、所謂、ハロゲン原子で
ｒ１換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な先受ｖｇ部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に５１を供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｒＧｅ
から成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えｊｆｓｉ供給用
供給料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流驕になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳＬから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所雫のガスプラズマ雰囲気中を′Ａ遇させる事
で行う喜が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中に／＼ロゲン原子を導入
するには、前記のｌ＼ロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガ
スのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２．或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いは／＼ロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ
２５。

ＳｉＨ２α２　、５ｒＨＣ１１、５ｉＨ２Ｂｒ２　、５
ｉＨＢｒ３等のノ＼ロゲン置換水ふ化硅素、及びＧｅＨ
Ｆ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

Ｇ４ＨＣｌ　３　　、　　ＧｅＦ２α２　　、ＧａＨ３
α　、　　Ｇｅ１（Ｂｒｉ　　＋ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　
ＧｓＨ３Ｂｒ、　ＧｅＨＩ３　、　ＧｓＨ２１２、Ｇｅ
Ｈ３１等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水ａＸ子
を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ＊＋Ｇａ
αａ　、　ＧｅＢｒ４　、　Ｇｇｒ４．　ＧｅＦ２．　
Ｇｅα２　、　ＧｅＢｒ２　。

Ｇａ１２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層ＣＧ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の暦（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いは５ｉＨａ、　５ｉ２Ｈａ　。

ＳｉｓＨｅ　＋　５ｊＪｌ＋ｏ等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、Ｇ　ｅＨ４＋　Ｇｅ２Ｈ６ｒ　Ｇｅ３ＨＢ　＋
　Ｇｅ４Ｈ＋ｏ　＊　Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６）１　＋ａ
　、　ＧｅｔＨｔ６＋　Ｇｅａ　ｔｏ　＋　Ｇａｐ　２
Ｇ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１のＭ９（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の盪又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４
０　ａｔｏ麿ｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔａ層ｉｃ％と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量をＭＩ御するには１例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の塩ｍ装
置系内へ導入する篭、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、　　ａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の！ｆＩ（Ｓ）を形成するには、前記した第１
の層（Ｇ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（ＴＩ））を使用し
て、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条
件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−！ｌｌｉ　（Ｉ（、Ｘ）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる０例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的
には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い、又、スパッタリング法
゛で形成する場合には１例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
でＳｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原／−（Ｘ）導入
用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけば
良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
因る目的の為に、光受容層中には、醜素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層φに含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）　（７）分布状態は分ｍＷ度Ｃ（ＯＣＮ
）が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては
均一であることが望ましい、″ 未発ＩＪＩに於いて、光受容層に設けられる原子（０１
１１：Ｎ）の含有されている層領域（０ＯＮ）は、光感
度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容
層の全層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層
との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合
には、光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設け
られる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＲ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ｏｃＮ）の含有量は、層領域（０
（：Ｎ）自体に要求される特性、或いは該層領域（０（
：Ｎ）が支持体との接触して設けられる場合には、該支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（０（：Ｎ）中に含有される原子（０（：Ｎ）の
量には、形成される光受容部材に要求される特性に応じ
て所望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００
１〜５０ａｔａｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔ
ｏｗｉｃ％とされるのが望ましい。

未発明に於いて、層領域（０に１１）が光受容層の全域
を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、
層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充
分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（０ＯＮ）中に含有　゛されるＩ
ｆＪ、ｒ（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａ
ｔｏｓｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％
以下、最適にはｌＯａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望
ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＲ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の暦には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更、に、窒素原子の場合には１例えば、硼素原子との共
存下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出
来るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい
。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１Ｌｙ）層中には、
酸素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例え
ば酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても
良い。

第４３図乃至第５１図には１本発明における光受容部材
の層領域（ＱＣ：Ｎ）中に含イ■される原１’（ＯＣＮ
）の層厚方向の分布状Ｊムが不均一な場合の典型的例が
示される。

第４３図乃至第５＋図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（００２１）の層厚を示
し、を日は支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、を丁は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（０ＯＮ）はｔＢ側より１Ｔ側に向って層形成がなさ
れる。

第４３図には、層領域（ｏｃＮ）中に含有される原子（
ＯＧＮ）のＮＮ、方向の分布状態が不均一な場合の第１
の典型例が示される。

第４３図に示される例では、原子（０ＯＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（Ｏｆ
ｌ；Ｎ）の表面とが接する界面位ＩＬＴよりＬｌの位置
までは、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の
値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣ
Ｎ）に含有され１位２１ｔｔよりは濃度叫より界面位２
ｉｔｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面
位置り丁においては原Ｆ（ｏｃＮ）の分布濃度Ｃは濃度
自とされる。

第４４図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＸ）の分布濃度Ｃは位ｆｉｔｓより１丁に至るまで濃
度Ｃ１から徐々に連続的に減少して位ｇ１ｔτにおいて
濃度らとなる様な分布状態を形成している。

第４５図の場合には１位ｆｆ１ｔｓより位２１ｋまでは
原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ
、位Ｒｈと位ｆｉｔｙとの間において、徐々に連続的に
減少され１位ａｉｒにおいて１分布源度Ｃは実質的に雰
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第４ｅ図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
２２【Ｂより位置を丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位２１ｔｔにおいて、実質的に零と
されている。

第４７図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位Ｒｔｓと位ｔｌｈ間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置Ｌ３より位！ＩＬＴに至るまで、濃度Ｃ
９により実質的に零に至る様に一次５ｃｌａ的に減少し
ている。

第４８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位２１
ＬＬ！より位ａ　ｔａまでは濃度Ｃ■の一定値を取り、
位置ｔ４より位置１丁までは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１３
まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第４８図に示す例においては１位１１Ｌａより位１１Ｌ
ｙに至゛るまで、原子（Ｏｌｌ：Ｎ）の分＃濃度Ｃは濃
度ＣＩ４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少し
ている。

第５０図においては１位ＺｔＬｅより位ａｉｔｓに至る
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ｃｐｓより
Ｃ１６までの連続的に徐々に減少され、位ＺｔＬｓと位
置ｔＴとの間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた
例が示されている。

第５１図に示される例においては、原子（ＱＣ８）の分
布濃度Ｃは１位ｊ’ｉ　Ｌａにおいては濃度Ｃ１７であ
り１位ＺＺｋに至るまではこの濃度Ｃａｔより初めは緩
やかに減少され、Ｅ６の位置付近においては、急激に減
少されて位Ｚｋでは濃度Ｇ１１ｌとされる。

位置ｔ６と位置Ｌ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、＊やかに徐々に減少されて位１にで
濃度ｃｐ９となり、位１にと位１１ｔｓとの間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度Ｃ
ＺＯに至る０位置ｔ８と位置を丁の間においては濃度Ｃ
ｔＯより実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。

以上、第４３図乃至第５１図により１Ｍ領域（００％）
中に含有される原子（ＯＣＲ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合゛の典型例の幾つかを説明した様に、末完
り■においては、支持体側において、原子（ＯＣＷ）の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、
前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部
分を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（０１１：Ｎ）が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支′Ｎ 特休と光受容層との間の密着性をより一暦向上させるこ
とが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第４３図乃至第５１図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位ＲＬｉ＋より５ｐ以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
ａより５＃Ｌ厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又１層領域（Ｌｒ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏ＋ｕｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍ＋ｃ　ｐｐｍ以
上、−＠週には１０００ａｔｏ口ｓｃ　ｐｐ層以上とさ
れる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ｐ以内（
Ｌｍから５終厚の層領域）に分子ａ濃度Ｃの最　　　　
　　　　　ｊ大（／ｉ　Ｃｓａｔが存在する様に形成さ
れるのが望ましい。

本発明において、層領域（０１１：Ｎ）が光受容層の一
部の層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０
ＯＮ）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やか
に変化する様に、原子（ＯＣＲ）の層厚方向の分布状態
を形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又°、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第４３図乃至第４８図、第４９図及
び第５１図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（０１１：Ｎ）中に含有されるのが望まし
い。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
６層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（００％）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と八に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＴｌ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（Ｏｘ）、オゾン（０３）−醸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酩化窒素（Ｎｔ　Ｏｓ　）　、四二
酸化窒素（Ｎ、０．）、ミニ酸化窒素（Ｎ２０５）、三
酸化窒素（８０３）、シリコン原子（Ｓｔ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジ
シロキサン（Ｈ３！１ｉｉＯ９ｉＨ３）　、　　トリシ
クロキサン（Ｈ３Ｓ＋Ｏ３＋Ｈ２Ｏ５ｉＨ３）等の低級
シクロキサン、メタｙ（ＣＨ４）　、　メタ７　（Ｃ２
）１６）　、プロパン（ｃ３Ｈ＠）、ｎ−ブタン（ｎ−
Ｃｍ　ＨＩｏ　）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素
数１〜５の飽和炭化水漏、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロ
ピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃａ）Ｉ＠）。

ブテン−２ＣＣａＨｓ）、インブチレン（ＣｓＨ＠）、
ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｍ２）、メチルアセチレン
（ＣｚＨａ）、ブチン（Ｃｍ　Ｈ６）等の炭素数２〜４
のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）　、　　ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、　７
ジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（Ｎ＆Ｎｓ
）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等
々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には１Ｍ子（ＱＣ）ｌ）導入用
の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記
のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として
、　５ｉ０２．５ｉ３Ｎａ、カーボンブラ。

り等を挙げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲ
ットと共にスパッタリング用のターゲットとしての形で
使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（０ＯＮ）を設ける場合、該層領
域（０にＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分ＩＯ濃度
Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状ｍ　
（ｄａｐｔｈｐｒｏｆｉｌｇ）を有する層領域（ＯＣＮ
）を形成するには、グロー放電の場合には１分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質の°
ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従うて適宜
変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成され
る。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を　　　・暫時変化させ
る操作を行えば良い、このとき、流量の変化率は線型で
ある必要はなく、例えばマイフン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線を得ることもできる。

層領域（ＱＣ）ｌ）をスパッタリング法によって形成す
る場合、ＩＫ子（ＯＣＮ）、の層厚方向の分布濃度Ｃを
層厚方向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所
望の分布状ｍ（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成する
には。

第・には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積空中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを１例えばＳｉと５ｉ０２との混合され°たター
ゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合
比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化゛させて
おくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性交−特休としては、
例えば、　ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、　Ｎｏ、
Ａｕ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその　
力の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ｍ、　
Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

１！１２０３　、５＋０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋
５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、　ＮｉＣｒ、　／ｕ、　Ａｇ、　Ｐ
ｂ、　Ｚｎ、　Ｘｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｎｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、ρを等の金
属の薄膜を真空Ａ着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネ
ート処理して、その表面に導電性が付与される。支持体
の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状
とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用光受容
部材として使用するのであれば連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜
決定されるが、光受容部材として、＋＋１７４性が費求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様
な場合支持体の製造上及び取扱い上。

機能的強度の点から、好ましくは１０ｐ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉ＆ガス（純度ｓｓ、
ｓｓａ％、以下、５ｉＨｓと略す）ボンベ、　２００３
はＧＩＨ４ガス（純度１１Ｌ１１９９％、以下ＧｅＨ４
と略す）ボンベ、　２００４はＮｏガス（純度１１１１
．９９１１％、以下Ｎｏと略す）ボンベ、　２００５は
Ｈ２で積重されたＢ、　Ｈ６ガス（純度９ＬＩ３１１９
％、以下８２　Ｈｓ　／　Ｈ２と略す）ボンベ。

２００６はＨ２ガス（純度Ｈ，９１１１１％）ボンベで
ある。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを羅認し、
又。

流入バルブ２０１２〜２０１日、流出バルブ２０１７〜
２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれてい
ることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて
反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次に真
空計２０３８の読みが約５×１０°＠ｔａｒｒになった
時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バルブ２０
１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７ｈに光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｉ）
１ａガス、ガスボンベ２００３よりＧｅ）１．ガス、ガ
スボンベ２００４よりＮｏガス、ガスボンベ２００５よ
りｓ２Ｈ。

／　Ｈｔガス、２００ＢよりＨ２ガスをバルブ２０２２
．２０２３゜２０２４、２０２５．２０２Ｂを開いて出
口圧ゲージ２０２７゜２Ｇ２８．２０２９．２０３０．
２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ａｍに調整し、流入バルブ２
０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２０１８ヲ徐
々に開けて、マスフロコントローラ２０Ｇ？。

２００８．２００３．２０１０．２０１１内に夫々流入
させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１Ｂ、２
０１９，２０２Ｇ。

λ ２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開い
て夫々のガスを反応室２００１に流入させる。このとき
の５ｉ８４ガス流ｒｉＧｅＨ４ガスｔＩｔ量、Ｎｏガス
流量の比が所望の値になるように流出バルブ２０１？、
　２０１８．２０１８゜２０２０、２０２１を調整し、
また１反応室２００１内の圧力が所望の偵になるように
真空計２０３８の読みを見ながらメインバルブ２０３４
の開口を調整する。そして、基体２０３’７の温度が加
熱ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範囲の温度
に設定されていることを確認した後、電源２０４０を所
望の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電を生
起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従っ
て、　Ｃ；ｅＨ４ガスの流量及び８２Ｈ，ガスの流量を
手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバルブ２
０１８．２０２０の開口を暫時変化させる操作を行って
形成される層中に含有されるゲルマニウム原子及び硼素
原子の分りｕ濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の暦（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の！（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の！　（Ｓ
）を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１８あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸素
原子あるいは４１Ｊ原子を含有させることも出来る。ま
た、ａ素原子に代えて層中に窒Ｊ原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮｏガス
を例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ，ガス等に代えて、層
形成を行なえばよい、また、使用するガスの！ｉ類を増
やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形
成を行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の均
一化を計るため基体２０３７はモーター２０３Ｂにより
一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、上記第２の層（Ｓ）を形成後１例えば２００Ｂ
の水素（Ｂ２）ガスボンベをメタン（Ｃ）１４）ガスボ
ンベに取４１１１にえ、マスフ、ローコントローラー２
００７と２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様
な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持するこ
とで、第２のＷ　（Ｓ）上にシリコン原子と炭素原子か
ら主に形成される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
をスパッタリングで形成する場合には。

例えば２００８の水素（Ｂ２）ガスボンベをアルゴン（
＾ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソ
ード電極上に例えばＳｉからなるスパッタリング用ター
ゲットとグラファイトからなるスパッタリング用ターゲ
ットを、所望の面積比になるように一面に張る。その後
、装置内に第２のＭ　（Ｓ）まで形成したものを設置し
、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロー放電を生起
させ表面層材料をスパッタリングして、所望層厚に表面
層を形成する。

〔実施例〕

以ド実施例について説明する。

実施例１ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５＋、外径（ｒ
）８０■）を、第１ａ表（Ｂ）　〜（Ｅ）に示す条件で
第２１図に示す表面性に旋盤で加工した。なお、後述の
表中に示される支持体表面状態を表わすＢ−Ｈの各記号
は、それぞれ第１ａ表のＣＢ）〜（Ｅ）に対応したもの
である。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ　−Ｓｉ系電子写真用
光受容部材を作製した（試料ＮＯ，Ｉ０１〜１０４）　
。

なお、第１層は、　ＧｅＨ４、５ｉＨａ　、　Ｂ２Ｈ６
／　Ｈｔの各ガスの流量を第２２図及び第３８図のよう
になるよう・　に、マスフロコントローラー２００７．
２００８及び２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御した。また、シリコン原子と炭素原子と
から主に形成される表面層の堆積は１次のように行なわ
れた。すなわち、第２層の堆積後、第１表に示す様にＣ
Ｈ４ガス流量が５Ｌ）Ｉ４ガス流量に対して流量比が５
ｉｌｌｎ　／　ＣＨ４＝　１　／　３０となる様に各ガ
スに対応するマスフロコントローラーを設定し、高周波
電力を３ｏｏｗとしてグロー放電を生じさせることによ
り、表面層を形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装Ｗ１（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。試料Ｎｏ、１０１−１０４、　　の
いずれの画像にも干渉縞は模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例２ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７＋ｍｓ、径（Ｔ　
）　８０ｍ５）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すよう
な表面性にｇＪ盤で加工した。

次に、第１表に示す条件で、ｍ２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａＳｉ系電子写真用光受容部材を
作成した（試料Ｎｏ、２０１〜２００゜なお、第１層は
Ｇｓ）＋４　、　Ｓ＋Ｈ４、８７１％、　／　１１７　
ノ各カスの流−硼を第２３図及び第３７図のようになる
ように。

マスフロコントローラー２００？、　２００８及び２０
１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２ｅ図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０Ｉ、スポット
径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。試料Ｎｏ、２０１〜２０４のいずれの画像
にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、Ｂ！　（ｒ
　）　８０ｍｍ）を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すよ
うな表面性に旋盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ　−３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試
料Ｎｏ、３０１〜３０４）。

なお、第１層は、　Ｇｅ）Ｉｎ　、　ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ
６／　Ｂ２　ｆ）各ガスの流量を第２４図及び第３８図
のようになるように、マスフロコントローラー２００７
．２００８及び２０１０をコンピュータ（ＨＰ１１８４
５Ｂ）によりルＩＩＩした。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、＠５表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料Ｎｏ、３０１〜３Ｇ４のいずれの画
像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　
８０ｍ５）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表
面性にＬｔ盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　−９ｉ系主電子写真用光受容
材を作製した（試ネｌ　Ｎｏ、４０１〜４０４）。

なお、第１層は、　ＧｅＨ４、ＳｉＨ４，日２Ｈ６／Ｈ
２の各ガスの流量を第２５図及び第３８５４のようにな
るように１、マスフロコントローラー２００７．２００
８及び２０１０をコンピュータ（ＨＰＩ］８４５Ｂ）に
より制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層ＰＩを電
子顕微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装！（レーザー光の波長７８０ｎｓ、　　ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。試料Ｎｏ、４０１〜４０４のいずれ
の画像゛にも干渉縞模様は観測されず、実・用に十分な
ものであった。

実施例５ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ’）に示すよう
な表面性に旋盤で加工した。

次に、第７表に示す条件で行なう以外は、実施亀 例１と同様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作
ｒπ１に従ってａ　−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作
製した（試料Ｎｏ、５０１〜５０４）。

尚、第１層及びＡ層は、　ＧｅＨ４、５ｉ）ｔ４　、８
２８６　／　）１２の各ガスの流量を第４０図のように
なるように、マスフロコントローラー２００７　、セ０
０８及び２０１０をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
！ＡＷ１ｔｊ１で測定したところ、第８表の結果を得た
。

これらの電子写真用光受容部材について、第２Ｂ図に示
す画し／Ｒ′ＩＩｌ光装置（レーザー光の波長７８０ｎ
ｍ、　　スポット径８０−）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た０画像には干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例６ 超支特体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８Ｇ＋＋ｕｗ）を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すよ
うな表面性にＬ’Ｎｍで加工した。

次に、第９表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作ｒ順に従
ってａ　−Ｓ’ｉ系’＋ｖ　ｆ写真用光受容部材を作製
した（試料Ｎｏ、６０１〜６００゜尚、第１層及びＡ５
は、　ＧｅＨ４，５ｉＨａ　、　Ｂ２’Ｈ６／　Ｂ２の
各ガスの流量を第４１図のようになるように、マスしロ
コントローラー２００？、　２００８及び２０１０をコ
ンピューター（ＭＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
ｗＪ微鏡で測定したところ、第１０表の結果を得た。

これらめ電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た０画像には干渉縞模様は観測されず、実用
に十分なものであった。

実施例７　　　　　　　　　　　　　′−Ｍ支持体（長
さく　Ｌ　）　　３５７ｓ＋ｍ、径（ｒ　）　８０ｍｇ
＋）を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表面性に
旋巴で加工した。

次に、第１１表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして、第２０図の膜堆Ｍ装置で種々の操作手順に
従ってａ　−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した（
試料）ｉｏ、７０１〜７０４）。

尚、第１層及びＡ層は、ＧａＨａ　、　ＳｒＨ＊　＊　
Ｂ２　Ｈａ　／　Ｈ２の各ガスの流量を第４２図のよう
になるように、マスフロコントローラ２００７．２００
８及び２０１０をコンピュータ（）ＩｐＨ８４５Ｂ）に
より制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真月光需要部材について、第２６図に示
す画像露光装ｆｆ１（レーザー光の波長７８０１■、ス
ポット径１１０ｕ　）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、？０１〜７０４のい
ずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分な
ものであった。

実施例８ 実施例１において使用したＮｏガスをＮＨ，ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ
系主電子写真用光受容材を作製した（試料Ｎｏ、８０１
〜８０４）。

これらの電子写真用光受容部材について第２６図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、８０１〜８０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９ 実施例１において使用したＮｏガスをＣＨ，ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ
系主電子写真用光受容材を作製した（試料Ｎｏ、９０１
Ｎ９０４）。

これらの電子写真用光受容部材について第２１１ｒ１４
に示す画像露光！＊置（レーザー光の波長？８０ｎ諧、
スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、８０１−１１０４のいずれの画像にも干渉縞
模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１Ｏ 実施例３において使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ
系電ｒ−写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１０
０１〜＋００４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２８図に示す
画像露光、！置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写Ｃて画像を得た。

試料Ｎｏ、１００１−１００４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１１ 実施例３に於いて使用したＮＨ３ガスをＣ）［４ガスに
変えた以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１
１０１〜１１０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２６図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７ＢＯｎ腸。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１１０１−１１０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１２ 実施例５において使用したＣＨ，ガスをＮＯ刀スに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、１２
０１〜１２０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２６図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１２０Ｌ〜１２０４のいずれの画像にも干渉
縞模様はｉ！謝されず、実用に十分なものであった。

実施例１３ 実施例５において使用したＣ）Ｉ４ガスをＮＨ３ガスに
変えた以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１３
０１−１３０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２６図に示す
画像露光装Ｗ１（レーザー光の波長？８Ｑｎ−。

スポット径８０−）で１画像露光を行ない、それを現像
転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１３０１〜１３０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１４ Ｍ支持体（長さく　ｉ、　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　
）　８０ａｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すよう
な表面性に１２盤で加工した。

次に、第１３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして、第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従
って電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１４
０１〜１４０４）　。

なお、　ＳｉＨ４、ＧｅＨ＊　＊　Ｂ２Ｈ６／　８２　
ｆ）流量を第５２図のようになるようにして、また窒素
原子含有層は、ＮＨ，の流量を第５６図のようになるよ
うに、各々５ｉＨａ　、　ＧｅＨ４＋　Ｂ２Ｈ＆／　Ｂ
２およびＮＨ，のマスフロコン上ローラー２００７．２
００８．２０１０．２００９をコ／ビエータ（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポ
ット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た０画像には干渉縞模様は観測されず、実
用に十分なものであった。

実施例１５ 実施例１４に於て使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１４と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１５
０１〜＋５０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２Ｂ図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７ＢＯｎ層、スポッ
ト径ｅｏＩｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料）ｌｏ、１５０１ル１５０４のいずれの画像にも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１４に於て使用したＮＨ３ガスをＣ）Ｉ４ガスに
えた以外は実施例１４と同様の条件と手順に従ってａ−
９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１
６０１−１８０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２Ｂ図に示
す画像露光装２１（レーザー光の波長７８０ｉｓ、　ス
ポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１８０１〜１８０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１７ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５．径（ｒ　）
　８０ｍ５）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に、第１５表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして、第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従
って電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１７
０１−１７０４）　。

なお、　５ｉＨａ　、　Ｇｌ！！（４、８２８６／　Ｂ
２の流量を第５３図のようになるように、また炭素原子
含有層は。

ＣＨ，の流量を第５７図のようになるように、各々Ｓ　
ｉＨａ　、　Ｇｓ＆　、　８２　Ｈ＆　／　Ｈｚおよび
Ｃ）１４ノマスフロコントローラー２００７．２００８
．２０１０．２００９をコンピュータ（ＩＰ９８４５Ｂ
）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　　
スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た９画像には干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１７に於て使用したＣＨａガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１７と同様の条件と手順に従ってａ−９
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１８
０１〜ｔａｏ４）　。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長１８
０ｎ−、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。試料’　Ｎｏ、１８０１
〜１８０４のいずれの画像にも干渉縞模様は１ｕｉｕｔ
されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１７に於て使用したＣ１ガスをＮＨ，ガスに変え
た以外は実施例１７と同様の条件とト順に従ってａ−３
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１ｌ
Ｏ１−１１１０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装２１（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　ス
ポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１９０１　Ｎ１９０４のいずれの画像にも干
渉縞模様は１ｉｌＩＪＩｌｌされず、実用に十分なもの
であった。

実施例２０ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５．径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に、第１７表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして、第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従
って電子写真用光受容部材−を作製した（試料Ｎｏ、２
００１〜２００４）　。

なお、ＳｉＨ４、０ｓ）１４　、　Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２ｆ
）流量を第５４図のようになるように、また酸素原子含
有層は、ＮＯの流量を第５８図のようになるように、各
々ＳｉＨ，。

ＧｅＨｓ　、　Ｂ２１１６　／　Ｈ？およびＮ（Ｍ）？
スフ０：１７トローラー２００７．２００８．２０１０
．２００１１をコンピュータ（ＩＰ９８４５Ｂ）により
間両して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層Ｊ１を電
子顕微鏡で測定したところ、第１８表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　　
スポット径８０脚）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

実施例２１ 実施例２０に於て使用したＮＯガスをＮＨ，ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件と手順に従ってａ−９
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２１
０１〜２１０４）　。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０−）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。

試ネ４Ｎｏ、２１０１〜２１０４のいずれの画像にも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２２ 実施例２０に於て使用したＮ・ＯガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例２０と同様の条件と手順に従っでａ−
９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２
２０１〜２２０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２Ｂ図に示
す画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｎｓ、　ス
ポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２２０１〜２２０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ’）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０＋ｖ＋＋）を、゛第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示す
ような表面性に旋盤で加工した。

次に、第１８表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして、第２０図の塩８Ｉ装置で種々の操作手順に
従って電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２
３０１〜２３０４）　。

なお、　ＳｉＨ４、Ｇｅ）ｔ４＋　Ｂ２Ｈ６／　Ｂ２の
流量を第５５図のようになるように、また窒素原子含有
層は、　　ＮＨ３の流量を第５８図のようになるように
、各々ＳｉＨ４゜ＧｅＨ４、８２ＨＦＩ　／　Ｂ２およ
びＩＩＨ３のマス７０コントローラー２００７．２００
８．２０１０．２００１１をコンピュータ（ＨＰ１１８
’４５Ｂ）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層Ｊ１を電
子顕微鏡で測定したところ、第２０表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２Ｂ図に
示す画像露光装″ａ（レーザー光の波長７８０Ｉ、スポ
ット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察されず、実
用に十分なものであった。

実施例２４ 実施例２３に於て使用したＮＨｊガスをＮＯガスに変え
た以外は実施例２３と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試才ＩＮｏ、２
４０．１　　〜２４０４）　　。

これらの−し子写真用光受容部材について、第２θ図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８００ｍ、　　
スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２４０１〜２４０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２５ 実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例２３と同様の条件と手順に従ってａ−
５ｉ系主電子写真用光受容材を作製した（試料！１ａ、
２５０１〜２５０４）　。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２６図に示す画像露光装置ｔ（レーザー光の波長？
８０ｎａ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２５０１〜２５０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２Ｂ 実施例１から実施例２５までについて、Ｈ２で３０００
マａｌ　Ｐｐ腸に稀釈したＢ、　）１．ガスの代りにＨ
２で３０００マｏｆ　ｐｐ−に稀釈したＰＨ３ガスを使
用して、″ａｆ−写真用光受容部材を作製した（試料Ｈ
ａ−２８０１〜２７０Ｇ）　−なお、他の作成条件は、
実施例１から実施例２５までと同様にした。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ＋ｓ、ス
ポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た０画像には干渉縞模様はａ察されず、
実用に十分なものであった。

実施例２７ 第１ａ表（Ｂ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さくＬ）　３５７ｍ５．径（ｒ）　８０ｓ■
）を用い、表面層形成時のＳｉＨ，、ガスとＣ）Ｌ４ガ
スの流量比を第２１表に示すように変化させて１表面層
におけるシリコン原子と炭素原子の含有比を変える以外
は、実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ系電
子写真用光受容部材を作成した（試料ａ！２７０１〜２
７０８）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６イ 図に示す画像露光袋！！（レーザー光の波長？８０ｍｍ
、　　　　　　　　　　１スポット径８０−）で画像露
光し１作像、現像、クリーニングの工程を５万回繰り返
した後１画像針価を行ったところ第２１表の如き結果を
得た。

実施例２８ 第１ａ表（Ｂ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０ｓ＋
ｍ）を用い、表面層形成時の原料ガスをＳｉＨ４ガス、
　ＣＩ（ａガス及び５ＩＦａとし、これらガスの流量比
を第２２表に示すように変化させる以外は、実施−２７
と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ、ｖｔ電子写真用
光受容部材を作成した（試料酸２８０１〜２８０Ｂ）　
。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装置１（レーザー光の波長７８０ｎ閣。

スポット径８０ｕ）で画像露光し１作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後１画像針価を行った
ところ第２２表の如き結果を得た。

実施例２９ 第１ａ表ＣＢ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０ｍｍ
）を用い、表面層をスパッタリング法で形成する以外は
、実施例１と同様の条件とト順に従ってａ−Ｓｉ系゛電
子写真用光受容部材を作成した（試料Ｊ／１２９０１〜
２９０７）　。

なお、表面層の形成は以下のようにして行なった。すな
わち、第２の層形成後、該層まで形成した支持体を第２
０図の堆Ｉａ装置内から取り出し、該装置の水２（）ｌ
、）ガスボンベをアルゴン（＾ｒ）、ガスボンベに取り
換え、装置内を清掃し、カーソード電極上にＳｉからな
る厚さ５１膳のスパッタリング用ターゲットとグラファ
イトからなる厚さ５■のスパッタリング用ターゲットを
、その面積比がそれぞれ第２３表の面積比になるように
一面に張る。その後、装置内に第２の層まＴ形成した支
持体を設置し、減圧した後アルゴンガスを導入して高周
波電力を３００Ｗとしてグロー放電を生起させカソード
電極上の表面層材料をスパッタリングすることによって
表面層を形成した。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光袋ｍ（レーザー光の波長７８０ｎ騰。

スポット径８０鱗）で画像露光し、作像、現像、りリー
ニングの１程を５力回崩り返した後、画像、ｉｆ価を行
ったところ第２３表の如き結果をＩｉＩた。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優
れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）　、（Ｂ）　、（Ｃ）　、　（ｎ）は光受
容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われな
いことの説明図である。 第７図ＣＡ）、ＣＢ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非モ行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図から第１３図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明
図である。 第２２図から第２５図及び第３６図から第４２図及び第
５２図〜第５８図は、実施例におけるガス流量の変化を
示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある侮 第２７図から第３５図は１層領域（ＰＭ）に於りする物
質（Ｃ）の分布状態を説明する為の説明図である。 第４３図から第５１図は、層領域（ＯＣ＊）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２Ｂ０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２８０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０Ｂ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第２図 ＃；３図 第４図 朽５図 第６図 （Ａ）　　　　　　　　　　　ｔ　ｓ＞（Ｃ） 第７図 第８図　　　　　　　　（ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 ２５１５図 第１６図 第１７図 第１８図 □Ｃ 第１９図 第２２図 第２３図 第２４図 第２５図 第２６図 第２７図 第２８図 第２９図 第３０図 第３１図 第３３図 第３４図 第３５図 第３６図 第３７図 第３８図 第３９図 第４０図 ８１間（介） 第Ａ）図 部間、（分） 第４２図 □Ｃ 第４３図 第４４図 第Ａ５図 第４６図 第４７図 第４８図 第４９図 第５０図 第５２図 □ 第５４図 〃久テえ量几 第５６図 ガス；ｔｔｒＬ 第５７図 ゲス３瓦量ル ブス：、先量Ｅし

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、シリコ
   ン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表面層と
   が支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層を有
   しており、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の
   分布状態が層厚方向に不均一であり、且つ前記第１の層
   及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する
   物質が含有され、該物質が含有されている層領域に於い
   て、該物質の分布状態が層厚方向に不均一であると共に
   、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中
   から選択される少なくとも一種を含有し、且つショート
   レンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な
   界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数
   配列している事を特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
   一な状態で含有する特許請求の範囲の第１項に記載の光
   受容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
13. （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
    螺旋構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
    容部材。
14. （１４）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
    範囲第１３項記載の光受容部材。
15. （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
    材。
16. （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
    項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。