JPS6199207A - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents

高誘電率系磁器組成物

Info

Publication number
JPS6199207A
JPS6199207A JP59218533A JP21853384A JPS6199207A JP S6199207 A JPS6199207 A JP S6199207A JP 59218533 A JP59218533 A JP 59218533A JP 21853384 A JP21853384 A JP 21853384A JP S6199207 A JPS6199207 A JP S6199207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
temperature
dielectric constant
composition
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59218533A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0510765B2 (ja
Inventor
正 山田
真吾 木村
明石 景泰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP59218533A priority Critical patent/JPS6199207A/ja
Publication of JPS6199207A publication Critical patent/JPS6199207A/ja
Publication of JPH0510765B2 publication Critical patent/JPH0510765B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁器組成物、特に1200℃程度の低温で焼
結でき、広い温度範囲にわたって誘電率の変化率が小さ
く、誘電率が大きく、かつ誘電損失め少ない優れた誘電
体磁器組成物に関するものである。
(従来の技術) 従来、誘電率が高<、誘電率の温度変化の小さな磁器組
成物として、BaTiO3にNb、O,−MnOを添加
したもの(特公昭57−41042)、Nb、0.−C
oO等を添加したもの(Electrocompone
nt 5cience andTec、、1976、V
ol、2 、P、241〜247)、Nb2O5MgO
を添加したもの(特開昭48−53297)、NbzO
s −MgO−CaTi0tを添加したもの(特公昭5
7−23366)、C0NbzObLaz03を添加し
たもの(特開昭57−88612)など多(のちのが知
られていた。
しかしながら、それらの組成物を焼結する温度は、いず
れも1350〜1400℃の高温である。そのため、こ
れを積層形コンデンサーに利用する場合、内部電極材料
として、この高温の焼結温度に耐え得る白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使うことが必要であり、コストア
ップの最大の原因になっていた。それ故、積層形コンデ
ンサーを安価に製造するには、銀を主成分とする安価な
金属を内部電極に使用できるような、1200℃程度の
低温で焼結できる磁器組成物が望まれてきている。′現
在までに低温で焼結できる磁器組成物として、BaTi
O3にビスマス化合物を添加した組成物が知られている
が、それらは焼成時に成分の蒸発が著しく安定した性能
が得られに(いこと、さらに、高周波特性における誘電
損失が大きいこと等の欠点があ”す、積層形コンデンサ
ー用の磁器組成物として未だ満足できるものではない。
また、ビスマス化合物を含有せずに比較的低温で焼結で
きる組成物として、BaTrO3にNdzO,、Nb、
o5SrO□、MnO□、CoOを添加したものが知ら
れている(特開昭57−92!575)。しかし、該組
成物の焼結温度は1250°Cであり、さらに、得られ
る磁器の誘電損失(tan δ)の値は1%と大きく、
特性的にも満足できるものではない。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明者らは、ビスマス化合物を含有することなく低温
で焼結でき、なおかつ誘電率が高く、誘電率の温度変化
率が、JISの特級YのB特あるいはEIAのX7R特
性のように小さく、誘電損失の小さい誘電体磁器組成物
を得ることを目的とし、以下の発明に至った。
(問題点を解決するための手段) 特開昭57−208003の明細書には、組成物中のC
eO□は焼成温度を低下せしめる効果があると記載され
ている。しかし、実施例においてCeO□を0.10〜
0.29重量%添加したBaTiOs  Coz03 
 NbzOs−CeOz −TiO:+の配合物の焼結
温度は1350〜1400°Cであり、低温焼結の点で
満足できるものではない。
、  また、BaTi0:+にNbzOs /MgOの
モル比を2.3〜4の範囲になるようにNbzosとF
′I、、oを加え、これに希土類を0.1〜0.5重量
%添加した組成物が特公昭55−19007に示され、
実施例において、焼結の温度は1200〜1380°C
と記載されている。しかし、該発明の組成を用いても、
1200°Cでは焼結は不十分で、絶縁抵抗値も小さい
ものであった。該発明の組成で希土類酸化物を0.5重
量%以上に増やすことにより、1200℃で十分焼結し
、絶縁抵抗値も大きくなる。しかし、誘電率の温度変化
率は大きくなり、望ましい温度特性のものは得られない
。
そこで、本発明者らは、低温焼結性を保ち、なおかつ高
い誘電率と良好な温度特性、低いtan δ値を持つ組
成について鋭意研究を重ねた結果、本発明の組成物を見
出した。すなわち、本発明の磁器組成物は、チタン酸バ
リウム95.20〜98.58重量%、酸化セリウム0
.52〜1.50重量%、酸7化ニオブ0.85〜3.
00重量%、酸化マグネシウム0.05〜0.35重量
%を含み、かつ酸化マグネシウムに対する酸化ニオブの
モル比がl:o、4ないし1:2.2の範囲にあること
を特徴とする。
本発明の組成範囲および組成比のものは、1200℃程
度の低温で焼結が可能となり、比誘電率も2000程度
と高く、広い温度範囲で誘電率の温度変化率も小さい。
さらに驚くべきことには、誘電損失(tan δ)も0
.7%以下と小さく、従来報告されているものに比べ著
しく改善されたものである。
積層コンデンサーの場合には、tan δのとくに小さ
い組成物が望まれており、その点においても、本発明の
磁器組成物は工業的価値の大きいものである。
本発明で使用されるチタン酸バリウムは、固相法、液相
法、蓚酸塩法、アルコキシド法等のいずれの製法より得
られるものでもよい。平均粒径が0.07〜065 μ
mで粒径のそろったものを用いた場合、均一な微構造の
磁器が得られ、絶縁抵抗値がさらに大きくなり、その値
のばらつきも小さいものになる。また、本発明では、酸
化セリウム、酸化ニオブ、酸化マグネシウムとして酸化
物をそのまま用いることができるが、水酸化物、炭酸塩
、硝酸塩、蓚酸塩、アルコキシド等、焼結温度以下で分
解し酸化物となるものであれば、いずれのものも使用で
きる。酸化物となった時の平均粒径が3μm以下である
ものが、より好適に使用できる。
本発明における磁器組成物中のチタン酸バリウムの割合
は、BaTrO:+とじて95.20〜98.58重量
%であり、その割合が98.58重量%を超えると焼結
困難で、さらに、誘電率の温度変化率も太き(なる。9
5.20重量%未満では誘電率が小さく、実用的でない
。酸化セリウムの割合は、CeO□として0.52〜1
.50重重景であり、その割合が0.52重量%未満で
は焼結困難で、絶縁抵抗値が低くなる。1.50重量%
を超えると誘電率の温度変化率が大きくなる。酸化ニオ
ブの割合は、NbzOsとして0.85〜3.00重量
%であり、その割合が0.85重量%未満では焼結困難
となり、3.00重量%を超えると誘電率が小さく、温
度変化率も大きくなる。酸化マグネシウムの割合は、M
gOとして0.05〜0.35重重量であり、その割合
が0.05重量%未満では温度変化率が大きく 、0.
35重量%を超えると誘電率が小さい。MgOとNb2
O5のモル比は0.4〜2.2の範囲であり、そのモル
比が0.4未満では誘電率が小さく 、2.2を超える
と誘電率の温度変化率が大きく、tan δも大きくな
る。また、MgOとCeO,のモル比は3/4〜5/4
の範囲にある場合、高誘電率で、温度特性も良好になり
好ましい。
(実施例) 以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
出発原料として、SEM粒径の平均粒径が0.2〜0.
3μmで、比表面積が5〜8rd/gであるチタン酸バ
リウムに、酸化ニオブ、酸化セリウム2、     お
よび酸化−グネシウムを第1表の割合で添加し、純水番
加え混合する。混合物を乾燥した後に、粘結剤としてポ
リビニルアルコールを適当量加え、’l t / cr
lの成形圧力で直径15mm、厚さ0.6mmの円板状
成形物を作成した。次に、これを1200℃で3時間焼
結した。焼結した円板の両端面に10mmφの銀電極を
740℃で焼付け、それぞれの電気特性を評価した。こ
こで、誘電率と誘電損失(tan δ)をLCRメータ
ーを用いて1kHzで測定した。絶縁抵抗値は高絶縁抵
抗計を用い、500 Vの電圧を印加した場合の読み取
り値である。誘電率の変化率%は20℃を基準とした。
第1表において、試料階1,2,3,9,10,11,
17.18は本発明の範囲外のものである。
第1表より明らかなように、本発明の範囲内のものは1
200℃で焼結可能で、その磁器特性も比誘電率が20
00程度と高い値を示し、誘電率の変化率も小さく、か
つ誘電損界が小さいことがわかる。
(発明の効果) 以下のように、零発−により次の効果が見出された。 
                         
  1(1)ビスマス化合物を含まず、1200″C程
度の低温焼結が可能である。
(2)特性面において比誘電率が2000以上と高く、
しかも、その温度による変化率が小さい。
(3)誘電損失が小さい。
したがって、本発明の磁器組成物は、電気特性的にもき
わめて優れており、コスト面からもきわめて有利である
ので、工業上価値の大きいものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チタン酸バリウム95.20〜98.58重量%、酸化
    セリウム0.52〜1.50重量%、酸化ニオブ0.8
    5〜3.00重量%、酸化マグネシウム0.05〜0.
    35重量%を含み、かつ酸化マグネシウムに対する酸化
    ニオブのモル比が1:0.4ないし1:2.2の範囲に
    あることを特徴とする高誘電率系磁器組成物。
JP59218533A 1984-10-19 1984-10-19 高誘電率系磁器組成物 Granted JPS6199207A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59218533A JPS6199207A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 高誘電率系磁器組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59218533A JPS6199207A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 高誘電率系磁器組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6199207A true JPS6199207A (ja) 1986-05-17
JPH0510765B2 JPH0510765B2 (ja) 1993-02-10

Family

ID=16721414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59218533A Granted JPS6199207A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 高誘電率系磁器組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6199207A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0256405A1 (en) * 1986-08-11 1988-02-24 TDK Corporation Semiconductive ceramic composition
US5250481A (en) * 1991-12-28 1993-10-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High dielectric ceramic composition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0256405A1 (en) * 1986-08-11 1988-02-24 TDK Corporation Semiconductive ceramic composition
US4861736A (en) * 1986-08-11 1989-08-29 Tdk Corporation Semiconductive ceramic composition
US5250481A (en) * 1991-12-28 1993-10-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High dielectric ceramic composition

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0510765B2 (ja) 1993-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS597665B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPH0510765B2 (ja)
JPS6199210A (ja) 磁器誘電体組成物
JP3064518B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6199209A (ja) 誘電体磁器組成物
JP3385630B2 (ja) 非還元性誘電体磁器組成物
KR100268702B1 (ko) 유전체세라믹조성물
JPH0510766B2 (ja)
JP2958826B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3385631B2 (ja) 非還元性誘電体磁器組成物
JP3120500B2 (ja) 非還元性誘電体磁器組成物
JPS6128620B2 (ja)
JPS6216481B2 (ja)
JP2958822B2 (ja) 非還元性誘電体磁器組成物
JP2958820B2 (ja) 非還元性誘電体磁器組成物
JPS6211444B2 (ja)
JPS6057163B2 (ja) 高誘電率磁器誘電体組成物
JPS6217805B2 (ja)
JPS6216482B2 (ja)
JP2837516B2 (ja) 誘電体磁器コンデンサ
JPS61203506A (ja) 高誘電率磁器組成物
JP3064519B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3106371B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH08180733A (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6211443B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term