JPS6199207A - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6199207A JPS6199207A JP59218533A JP21853384A JPS6199207A JP S6199207 A JPS6199207 A JP S6199207A JP 59218533 A JP59218533 A JP 59218533A JP 21853384 A JP21853384 A JP 21853384A JP S6199207 A JPS6199207 A JP S6199207A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- temperature
- dielectric constant
- composition
- oxide
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、磁器組成物、特に1200℃程度の低温で焼
結でき、広い温度範囲にわたって誘電率の変化率が小さ
く、誘電率が大きく、かつ誘電損失め少ない優れた誘電
体磁器組成物に関するものである。
結でき、広い温度範囲にわたって誘電率の変化率が小さ
く、誘電率が大きく、かつ誘電損失め少ない優れた誘電
体磁器組成物に関するものである。
(従来の技術)
従来、誘電率が高<、誘電率の温度変化の小さな磁器組
成物として、BaTiO3にNb、O,−MnOを添加
したもの(特公昭57−41042)、Nb、0.−C
oO等を添加したもの(Electrocompone
nt 5cience andTec、、1976、V
ol、2 、P、241〜247)、Nb2O5MgO
を添加したもの(特開昭48−53297)、NbzO
s −MgO−CaTi0tを添加したもの(特公昭5
7−23366)、C0NbzObLaz03を添加し
たもの(特開昭57−88612)など多(のちのが知
られていた。
成物として、BaTiO3にNb、O,−MnOを添加
したもの(特公昭57−41042)、Nb、0.−C
oO等を添加したもの(Electrocompone
nt 5cience andTec、、1976、V
ol、2 、P、241〜247)、Nb2O5MgO
を添加したもの(特開昭48−53297)、NbzO
s −MgO−CaTi0tを添加したもの(特公昭5
7−23366)、C0NbzObLaz03を添加し
たもの(特開昭57−88612)など多(のちのが知
られていた。
しかしながら、それらの組成物を焼結する温度は、いず
れも1350〜1400℃の高温である。そのため、こ
れを積層形コンデンサーに利用する場合、内部電極材料
として、この高温の焼結温度に耐え得る白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使うことが必要であり、コストア
ップの最大の原因になっていた。それ故、積層形コンデ
ンサーを安価に製造するには、銀を主成分とする安価な
金属を内部電極に使用できるような、1200℃程度の
低温で焼結できる磁器組成物が望まれてきている。′現
在までに低温で焼結できる磁器組成物として、BaTi
O3にビスマス化合物を添加した組成物が知られている
が、それらは焼成時に成分の蒸発が著しく安定した性能
が得られに(いこと、さらに、高周波特性における誘電
損失が大きいこと等の欠点があ”す、積層形コンデンサ
ー用の磁器組成物として未だ満足できるものではない。
れも1350〜1400℃の高温である。そのため、こ
れを積層形コンデンサーに利用する場合、内部電極材料
として、この高温の焼結温度に耐え得る白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使うことが必要であり、コストア
ップの最大の原因になっていた。それ故、積層形コンデ
ンサーを安価に製造するには、銀を主成分とする安価な
金属を内部電極に使用できるような、1200℃程度の
低温で焼結できる磁器組成物が望まれてきている。′現
在までに低温で焼結できる磁器組成物として、BaTi
O3にビスマス化合物を添加した組成物が知られている
が、それらは焼成時に成分の蒸発が著しく安定した性能
が得られに(いこと、さらに、高周波特性における誘電
損失が大きいこと等の欠点があ”す、積層形コンデンサ
ー用の磁器組成物として未だ満足できるものではない。
また、ビスマス化合物を含有せずに比較的低温で焼結で
きる組成物として、BaTrO3にNdzO,、Nb、
o5SrO□、MnO□、CoOを添加したものが知ら
れている(特開昭57−92!575)。しかし、該組
成物の焼結温度は1250°Cであり、さらに、得られ
る磁器の誘電損失(tan δ)の値は1%と大きく、
特性的にも満足できるものではない。
きる組成物として、BaTrO3にNdzO,、Nb、
o5SrO□、MnO□、CoOを添加したものが知ら
れている(特開昭57−92!575)。しかし、該組
成物の焼結温度は1250°Cであり、さらに、得られ
る磁器の誘電損失(tan δ)の値は1%と大きく、
特性的にも満足できるものではない。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明者らは、ビスマス化合物を含有することなく低温
で焼結でき、なおかつ誘電率が高く、誘電率の温度変化
率が、JISの特級YのB特あるいはEIAのX7R特
性のように小さく、誘電損失の小さい誘電体磁器組成物
を得ることを目的とし、以下の発明に至った。
で焼結でき、なおかつ誘電率が高く、誘電率の温度変化
率が、JISの特級YのB特あるいはEIAのX7R特
性のように小さく、誘電損失の小さい誘電体磁器組成物
を得ることを目的とし、以下の発明に至った。
(問題点を解決するための手段)
特開昭57−208003の明細書には、組成物中のC
eO□は焼成温度を低下せしめる効果があると記載され
ている。しかし、実施例においてCeO□を0.10〜
0.29重量%添加したBaTiOs Coz03
NbzOs−CeOz −TiO:+の配合物の焼結
温度は1350〜1400°Cであり、低温焼結の点で
満足できるものではない。
eO□は焼成温度を低下せしめる効果があると記載され
ている。しかし、実施例においてCeO□を0.10〜
0.29重量%添加したBaTiOs Coz03
NbzOs−CeOz −TiO:+の配合物の焼結
温度は1350〜1400°Cであり、低温焼結の点で
満足できるものではない。
、 また、BaTi0:+にNbzOs /MgOの
モル比を2.3〜4の範囲になるようにNbzosとF
′I、、oを加え、これに希土類を0.1〜0.5重量
%添加した組成物が特公昭55−19007に示され、
実施例において、焼結の温度は1200〜1380°C
と記載されている。しかし、該発明の組成を用いても、
1200°Cでは焼結は不十分で、絶縁抵抗値も小さい
ものであった。該発明の組成で希土類酸化物を0.5重
量%以上に増やすことにより、1200℃で十分焼結し
、絶縁抵抗値も大きくなる。しかし、誘電率の温度変化
率は大きくなり、望ましい温度特性のものは得られない
。
モル比を2.3〜4の範囲になるようにNbzosとF
′I、、oを加え、これに希土類を0.1〜0.5重量
%添加した組成物が特公昭55−19007に示され、
実施例において、焼結の温度は1200〜1380°C
と記載されている。しかし、該発明の組成を用いても、
1200°Cでは焼結は不十分で、絶縁抵抗値も小さい
ものであった。該発明の組成で希土類酸化物を0.5重
量%以上に増やすことにより、1200℃で十分焼結し
、絶縁抵抗値も大きくなる。しかし、誘電率の温度変化
率は大きくなり、望ましい温度特性のものは得られない
。
そこで、本発明者らは、低温焼結性を保ち、なおかつ高
い誘電率と良好な温度特性、低いtan δ値を持つ組
成について鋭意研究を重ねた結果、本発明の組成物を見
出した。すなわち、本発明の磁器組成物は、チタン酸バ
リウム95.20〜98.58重量%、酸化セリウム0
.52〜1.50重量%、酸7化ニオブ0.85〜3.
00重量%、酸化マグネシウム0.05〜0.35重量
%を含み、かつ酸化マグネシウムに対する酸化ニオブの
モル比がl:o、4ないし1:2.2の範囲にあること
を特徴とする。
い誘電率と良好な温度特性、低いtan δ値を持つ組
成について鋭意研究を重ねた結果、本発明の組成物を見
出した。すなわち、本発明の磁器組成物は、チタン酸バ
リウム95.20〜98.58重量%、酸化セリウム0
.52〜1.50重量%、酸7化ニオブ0.85〜3.
00重量%、酸化マグネシウム0.05〜0.35重量
%を含み、かつ酸化マグネシウムに対する酸化ニオブの
モル比がl:o、4ないし1:2.2の範囲にあること
を特徴とする。
本発明の組成範囲および組成比のものは、1200℃程
度の低温で焼結が可能となり、比誘電率も2000程度
と高く、広い温度範囲で誘電率の温度変化率も小さい。
度の低温で焼結が可能となり、比誘電率も2000程度
と高く、広い温度範囲で誘電率の温度変化率も小さい。
さらに驚くべきことには、誘電損失(tan δ)も0
.7%以下と小さく、従来報告されているものに比べ著
しく改善されたものである。
.7%以下と小さく、従来報告されているものに比べ著
しく改善されたものである。
積層コンデンサーの場合には、tan δのとくに小さ
い組成物が望まれており、その点においても、本発明の
磁器組成物は工業的価値の大きいものである。
い組成物が望まれており、その点においても、本発明の
磁器組成物は工業的価値の大きいものである。
本発明で使用されるチタン酸バリウムは、固相法、液相
法、蓚酸塩法、アルコキシド法等のいずれの製法より得
られるものでもよい。平均粒径が0.07〜065 μ
mで粒径のそろったものを用いた場合、均一な微構造の
磁器が得られ、絶縁抵抗値がさらに大きくなり、その値
のばらつきも小さいものになる。また、本発明では、酸
化セリウム、酸化ニオブ、酸化マグネシウムとして酸化
物をそのまま用いることができるが、水酸化物、炭酸塩
、硝酸塩、蓚酸塩、アルコキシド等、焼結温度以下で分
解し酸化物となるものであれば、いずれのものも使用で
きる。酸化物となった時の平均粒径が3μm以下である
ものが、より好適に使用できる。
法、蓚酸塩法、アルコキシド法等のいずれの製法より得
られるものでもよい。平均粒径が0.07〜065 μ
mで粒径のそろったものを用いた場合、均一な微構造の
磁器が得られ、絶縁抵抗値がさらに大きくなり、その値
のばらつきも小さいものになる。また、本発明では、酸
化セリウム、酸化ニオブ、酸化マグネシウムとして酸化
物をそのまま用いることができるが、水酸化物、炭酸塩
、硝酸塩、蓚酸塩、アルコキシド等、焼結温度以下で分
解し酸化物となるものであれば、いずれのものも使用で
きる。酸化物となった時の平均粒径が3μm以下である
ものが、より好適に使用できる。
本発明における磁器組成物中のチタン酸バリウムの割合
は、BaTrO:+とじて95.20〜98.58重量
%であり、その割合が98.58重量%を超えると焼結
困難で、さらに、誘電率の温度変化率も太き(なる。9
5.20重量%未満では誘電率が小さく、実用的でない
。酸化セリウムの割合は、CeO□として0.52〜1
.50重重景であり、その割合が0.52重量%未満で
は焼結困難で、絶縁抵抗値が低くなる。1.50重量%
を超えると誘電率の温度変化率が大きくなる。酸化ニオ
ブの割合は、NbzOsとして0.85〜3.00重量
%であり、その割合が0.85重量%未満では焼結困難
となり、3.00重量%を超えると誘電率が小さく、温
度変化率も大きくなる。酸化マグネシウムの割合は、M
gOとして0.05〜0.35重重量であり、その割合
が0.05重量%未満では温度変化率が大きく 、0.
35重量%を超えると誘電率が小さい。MgOとNb2
O5のモル比は0.4〜2.2の範囲であり、そのモル
比が0.4未満では誘電率が小さく 、2.2を超える
と誘電率の温度変化率が大きく、tan δも大きくな
る。また、MgOとCeO,のモル比は3/4〜5/4
の範囲にある場合、高誘電率で、温度特性も良好になり
好ましい。
は、BaTrO:+とじて95.20〜98.58重量
%であり、その割合が98.58重量%を超えると焼結
困難で、さらに、誘電率の温度変化率も太き(なる。9
5.20重量%未満では誘電率が小さく、実用的でない
。酸化セリウムの割合は、CeO□として0.52〜1
.50重重景であり、その割合が0.52重量%未満で
は焼結困難で、絶縁抵抗値が低くなる。1.50重量%
を超えると誘電率の温度変化率が大きくなる。酸化ニオ
ブの割合は、NbzOsとして0.85〜3.00重量
%であり、その割合が0.85重量%未満では焼結困難
となり、3.00重量%を超えると誘電率が小さく、温
度変化率も大きくなる。酸化マグネシウムの割合は、M
gOとして0.05〜0.35重重量であり、その割合
が0.05重量%未満では温度変化率が大きく 、0.
35重量%を超えると誘電率が小さい。MgOとNb2
O5のモル比は0.4〜2.2の範囲であり、そのモル
比が0.4未満では誘電率が小さく 、2.2を超える
と誘電率の温度変化率が大きく、tan δも大きくな
る。また、MgOとCeO,のモル比は3/4〜5/4
の範囲にある場合、高誘電率で、温度特性も良好になり
好ましい。
(実施例)
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
出発原料として、SEM粒径の平均粒径が0.2〜0.
3μmで、比表面積が5〜8rd/gであるチタン酸バ
リウムに、酸化ニオブ、酸化セリウム2、 お
よび酸化−グネシウムを第1表の割合で添加し、純水番
加え混合する。混合物を乾燥した後に、粘結剤としてポ
リビニルアルコールを適当量加え、’l t / cr
lの成形圧力で直径15mm、厚さ0.6mmの円板状
成形物を作成した。次に、これを1200℃で3時間焼
結した。焼結した円板の両端面に10mmφの銀電極を
740℃で焼付け、それぞれの電気特性を評価した。こ
こで、誘電率と誘電損失(tan δ)をLCRメータ
ーを用いて1kHzで測定した。絶縁抵抗値は高絶縁抵
抗計を用い、500 Vの電圧を印加した場合の読み取
り値である。誘電率の変化率%は20℃を基準とした。
3μmで、比表面積が5〜8rd/gであるチタン酸バ
リウムに、酸化ニオブ、酸化セリウム2、 お
よび酸化−グネシウムを第1表の割合で添加し、純水番
加え混合する。混合物を乾燥した後に、粘結剤としてポ
リビニルアルコールを適当量加え、’l t / cr
lの成形圧力で直径15mm、厚さ0.6mmの円板状
成形物を作成した。次に、これを1200℃で3時間焼
結した。焼結した円板の両端面に10mmφの銀電極を
740℃で焼付け、それぞれの電気特性を評価した。こ
こで、誘電率と誘電損失(tan δ)をLCRメータ
ーを用いて1kHzで測定した。絶縁抵抗値は高絶縁抵
抗計を用い、500 Vの電圧を印加した場合の読み取
り値である。誘電率の変化率%は20℃を基準とした。
第1表において、試料階1,2,3,9,10,11,
17.18は本発明の範囲外のものである。
17.18は本発明の範囲外のものである。
第1表より明らかなように、本発明の範囲内のものは1
200℃で焼結可能で、その磁器特性も比誘電率が20
00程度と高い値を示し、誘電率の変化率も小さく、か
つ誘電損界が小さいことがわかる。
200℃で焼結可能で、その磁器特性も比誘電率が20
00程度と高い値を示し、誘電率の変化率も小さく、か
つ誘電損界が小さいことがわかる。
(発明の効果)
以下のように、零発−により次の効果が見出された。
1(1)ビスマス化合物を含まず、1200″C程
度の低温焼結が可能である。
1(1)ビスマス化合物を含まず、1200″C程
度の低温焼結が可能である。
(2)特性面において比誘電率が2000以上と高く、
しかも、その温度による変化率が小さい。
しかも、その温度による変化率が小さい。
(3)誘電損失が小さい。
したがって、本発明の磁器組成物は、電気特性的にもき
わめて優れており、コスト面からもきわめて有利である
ので、工業上価値の大きいものである。
わめて優れており、コスト面からもきわめて有利である
ので、工業上価値の大きいものである。
Claims (1)
- チタン酸バリウム95.20〜98.58重量%、酸化
セリウム0.52〜1.50重量%、酸化ニオブ0.8
5〜3.00重量%、酸化マグネシウム0.05〜0.
35重量%を含み、かつ酸化マグネシウムに対する酸化
ニオブのモル比が1:0.4ないし1:2.2の範囲に
あることを特徴とする高誘電率系磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218533A JPS6199207A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 高誘電率系磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218533A JPS6199207A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 高誘電率系磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199207A true JPS6199207A (ja) | 1986-05-17 |
| JPH0510765B2 JPH0510765B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=16721414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59218533A Granted JPS6199207A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 高誘電率系磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256405A1 (en) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | TDK Corporation | Semiconductive ceramic composition |
| US5250481A (en) * | 1991-12-28 | 1993-10-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High dielectric ceramic composition |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59218533A patent/JPS6199207A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256405A1 (en) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | TDK Corporation | Semiconductive ceramic composition |
| US4861736A (en) * | 1986-08-11 | 1989-08-29 | Tdk Corporation | Semiconductive ceramic composition |
| US5250481A (en) * | 1991-12-28 | 1993-10-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510765B2 (ja) | 1993-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |