JPS6199210A - 磁器誘電体組成物 - Google Patents
磁器誘電体組成物Info
- Publication number
- JPS6199210A JPS6199210A JP59219379A JP21937984A JPS6199210A JP S6199210 A JPS6199210 A JP S6199210A JP 59219379 A JP59219379 A JP 59219379A JP 21937984 A JP21937984 A JP 21937984A JP S6199210 A JPS6199210 A JP S6199210A
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- JP
- Japan
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- oxide
- weight
- dielectric constant
- temperature
- composition
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、磁器組成物、特に1200℃程度の低温で焼
結でき、広い温度範囲にわたって誘電率の変化率が小さ
く、誘電率が大きく、かつ誘電損失の少ない優れた誘電
体磁器組成物に関するものである。
結でき、広い温度範囲にわたって誘電率の変化率が小さ
く、誘電率が大きく、かつ誘電損失の少ない優れた誘電
体磁器組成物に関するものである。
(従来の技術)
従来、誘電率が高く、誘電率の温度変化の小さな磁器組
成物として、BaTiO3にNb、0.−11nOを添
加したもの(特公昭57−41042)、)Jl)、0
.− Coo等を添加したもの(Electrocom
ponent 5cience andTec、、19
76、Vol、2 、P、241〜247J、Nbz0
5 MgOを添加したもの(特開昭48−53297)
、Nb2O,−MgO−CaTiO3を添加したもの(
特公昭57−23366)、NiNb、Ob −Sm、
O,を添加したもの(特開昭57−88611)など多
(のちのが知られていた。
成物として、BaTiO3にNb、0.−11nOを添
加したもの(特公昭57−41042)、)Jl)、0
.− Coo等を添加したもの(Electrocom
ponent 5cience andTec、、19
76、Vol、2 、P、241〜247J、Nbz0
5 MgOを添加したもの(特開昭48−53297)
、Nb2O,−MgO−CaTiO3を添加したもの(
特公昭57−23366)、NiNb、Ob −Sm、
O,を添加したもの(特開昭57−88611)など多
(のちのが知られていた。
しかしながら、それらの組成物を焼結する温度は、いず
れも1350〜1400℃の高温である。そのため、こ
れを積層形コンデンサーに利用する場合、内部電極材料
として、この高温の焼結温度に耐え得る白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使うことが必要であり、コストア
ンプの最大の原因になっていた。それ故、積層形コンデ
ンサーを安価に製造するには、銀を主成分とする安価な
金属を内部電極に使用できるような、1200℃程度の
低温で焼結できる磁器組成物が望まれてきている。
れも1350〜1400℃の高温である。そのため、こ
れを積層形コンデンサーに利用する場合、内部電極材料
として、この高温の焼結温度に耐え得る白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使うことが必要であり、コストア
ンプの最大の原因になっていた。それ故、積層形コンデ
ンサーを安価に製造するには、銀を主成分とする安価な
金属を内部電極に使用できるような、1200℃程度の
低温で焼結できる磁器組成物が望まれてきている。
現在までに低温で焼結できる磁器組成物として、BaT
rO,にビスマス化合物を添加した組成物が知られてい
るが、それらは焼成時に成分の蒸発が著しく安定した性
能が得られにくいこと、さらに、高周波特性における誘
電損失が大きいこと等の欠点があり、積層形コンデンサ
ー用の磁器組成物として未だ満足できるものではない。
rO,にビスマス化合物を添加した組成物が知られてい
るが、それらは焼成時に成分の蒸発が著しく安定した性
能が得られにくいこと、さらに、高周波特性における誘
電損失が大きいこと等の欠点があり、積層形コンデンサ
ー用の磁器組成物として未だ満足できるものではない。
また、ビスマス化合物を含有せずに比較的低温で焼結で
きる組成物として、BaTrO,にNd2O3、Nbz
OsSrOz、MnO,、CoOを添加したものが知ら
れている(特開昭57−92575)。しかし、該組成
物の焼結温度は1250℃であり、さらに、得られる磁
器の誘電損失(tan δ)の値は1%と大きく、特性
的にも満足できるものではない。
きる組成物として、BaTrO,にNd2O3、Nbz
OsSrOz、MnO,、CoOを添加したものが知ら
れている(特開昭57−92575)。しかし、該組成
物の焼結温度は1250℃であり、さらに、得られる磁
器の誘電損失(tan δ)の値は1%と大きく、特性
的にも満足できるものではない。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明者らは、ビスマス化合物を含有することなく低温
で焼結でき、なおかつ誘電率が高(、誘明。
で焼結でき、なおかつ誘電率が高(、誘明。
電率の温度変化率が、JISの特級YのB特あるいはE
IAのX7R特性のように小さく、誘電損失の小さい誘
電体磁器組成物を得ることを目的とし、以下の発明に至
った。
IAのX7R特性のように小さく、誘電損失の小さい誘
電体磁器組成物を得ることを目的とし、以下の発明に至
った。
(問題点を解決するための手段)
BaTiOxにNbtOs /MgOのモル比を2.3
〜4の範囲になるようにNbz05とMgOを加え、こ
れに希土類を0.1〜0.5重量%添加した組成物が特
公昭55−19007に示され、実施例において、焼結
の温度は1200〜1380℃と記載されている。しか
し、該発明の組成を用いても、1200℃では焼結は不
十分で1、絶縁抵抗値も小さいものであった。該発明の
組成で希土類酸化物を0.5重量%以上に増やすことに
より、1200℃で十分焼結し、絶縁抵抗値も大きくな
る。しかし、誘電率の温度変化率は大きくなり、望まし
い温度特性のものは得られない。
〜4の範囲になるようにNbz05とMgOを加え、こ
れに希土類を0.1〜0.5重量%添加した組成物が特
公昭55−19007に示され、実施例において、焼結
の温度は1200〜1380℃と記載されている。しか
し、該発明の組成を用いても、1200℃では焼結は不
十分で1、絶縁抵抗値も小さいものであった。該発明の
組成で希土類酸化物を0.5重量%以上に増やすことに
より、1200℃で十分焼結し、絶縁抵抗値も大きくな
る。しかし、誘電率の温度変化率は大きくなり、望まし
い温度特性のものは得られない。
そこで、本発明者らは、低温焼結性を保ち、なおかつ高
い誘電率と良好な温度特性、低いtan δ値を持つ組
成について鋭意研究を重ねた結果、本発明0組成物を見
出l−7・す5ち・本発明″1 、器組成物は
、チタン酸バリウム95.20〜98.58重量%、酸
化プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウムのうち少なくとも1種を0.52〜1
.50重量%、酸化ニオブ0.85〜3.00重量%、
酸化マグネシウム0.05〜0.35重量%を含み、か
つ酸化マグネシウムに対する酸化ニオブのモル比が10
.4ないし1:2.2の範囲にああることを特徴とする
。
い誘電率と良好な温度特性、低いtan δ値を持つ組
成について鋭意研究を重ねた結果、本発明0組成物を見
出l−7・す5ち・本発明″1 、器組成物は
、チタン酸バリウム95.20〜98.58重量%、酸
化プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウムのうち少なくとも1種を0.52〜1
.50重量%、酸化ニオブ0.85〜3.00重量%、
酸化マグネシウム0.05〜0.35重量%を含み、か
つ酸化マグネシウムに対する酸化ニオブのモル比が10
.4ないし1:2.2の範囲にああることを特徴とする
。
本発明の組成範囲および組成比のものは、1200°C
程度の低温で焼結が可能となり、比誘電率も2000程
度と高(、広い温度範囲で誘電率の温度変化率も小さい
。さらに驚くべきことには、誘電損失(tan δ)も
0.7%以下と小さく、従来報告されているものに比べ
著しく改善されたものである。
程度の低温で焼結が可能となり、比誘電率も2000程
度と高(、広い温度範囲で誘電率の温度変化率も小さい
。さらに驚くべきことには、誘電損失(tan δ)も
0.7%以下と小さく、従来報告されているものに比べ
著しく改善されたものである。
積層コンデンサーの場合には、tari δのとくに小
さい組成物が望まれており、その点においても、本発明
の磁器組成物は工業的価値の大きいものである。
さい組成物が望まれており、その点においても、本発明
の磁器組成物は工業的価値の大きいものである。
本発明で使用されるチタン酸バリウムは、固相法、液相
法、蓚酸塩法、アルコキシド法等のいずれの製法より得
られるものでもよい。平均粒径が0.07〜0.5 μ
mで粒径のそろったものを用いた場合、均一な微構造の
磁器が得られ、絶縁抵抗値がさらに大きくなり、その値
のばらつきも小さいものになる。また、本発明では、酸
化プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウム、酸化ニオブ、酸化マグネシウムとし
て酸化物をそのまま用いることができるが、水酸化物、
炭酸塩、硝酸塩、蓚酸塩、アルコキシド等、焼結温度以
下で分解し酸化物となるものであれば、いずれのものも
使用できる。酸化物となった時の平均粒系が3μm以下
であるものが、より好適に使用できる。
法、蓚酸塩法、アルコキシド法等のいずれの製法より得
られるものでもよい。平均粒径が0.07〜0.5 μ
mで粒径のそろったものを用いた場合、均一な微構造の
磁器が得られ、絶縁抵抗値がさらに大きくなり、その値
のばらつきも小さいものになる。また、本発明では、酸
化プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウム、酸化ニオブ、酸化マグネシウムとし
て酸化物をそのまま用いることができるが、水酸化物、
炭酸塩、硝酸塩、蓚酸塩、アルコキシド等、焼結温度以
下で分解し酸化物となるものであれば、いずれのものも
使用できる。酸化物となった時の平均粒系が3μm以下
であるものが、より好適に使用できる。
本発明における磁器組成物中のチタン酸バリウムの割合
は、BaTiOxとじて95.20〜98.58重量%
であり、その割合が98.5’8重景%を超えると焼結
困難で、さらに、誘電率の温度変化率も大きくなる。9
5.20重量%未満では誘電率が小さく、実用的でない
。酸化プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム
、酸化ジスプロシウムの割合は、PrbO1イNdz0
3 、SmzO,,0y203として合計0.52〜1
.50重量%であり、その割合が0.52重量%未満で
は焼結困難で、絶縁抵抗値が低くなる。1.50重量%
を超えると誘電率の温度変化率が大きくなる。
は、BaTiOxとじて95.20〜98.58重量%
であり、その割合が98.5’8重景%を超えると焼結
困難で、さらに、誘電率の温度変化率も大きくなる。9
5.20重量%未満では誘電率が小さく、実用的でない
。酸化プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム
、酸化ジスプロシウムの割合は、PrbO1イNdz0
3 、SmzO,,0y203として合計0.52〜1
.50重量%であり、その割合が0.52重量%未満で
は焼結困難で、絶縁抵抗値が低くなる。1.50重量%
を超えると誘電率の温度変化率が大きくなる。
酸化ニオブの割合は、NbzOsとして0.85〜3.
00重量%であり、その割合が0.85重量%未満では
焼結結困難となり、3.00重量%を超えると誘電率が
小さく、温度変化率も大きくなる。酸化マグネシウムの
割合は、MgOとして0.05〜0.35重量%であり
、その割合が0.05重量%未満では温度変化率が大き
く 、0.35重量%を超えると誘電率が小さい。Mg
OとNb2O,tのモル比は0.4〜2.2の範囲であ
り、そのモル比が0.4未満では誘電率が小さく、2.
2を超えると誘電率の温度変化率が大きく、tan δ
も大きくなる。また1、 PraO+ r、NdzOs
、Sm2O3、D、31zO:+の合計当量とMgO
の当量の比が473〜415の場合、得られる磁器組成
物は高誘電率で、温度特性も良好になり好ましい。
00重量%であり、その割合が0.85重量%未満では
焼結結困難となり、3.00重量%を超えると誘電率が
小さく、温度変化率も大きくなる。酸化マグネシウムの
割合は、MgOとして0.05〜0.35重量%であり
、その割合が0.05重量%未満では温度変化率が大き
く 、0.35重量%を超えると誘電率が小さい。Mg
OとNb2O,tのモル比は0.4〜2.2の範囲であ
り、そのモル比が0.4未満では誘電率が小さく、2.
2を超えると誘電率の温度変化率が大きく、tan δ
も大きくなる。また1、 PraO+ r、NdzOs
、Sm2O3、D、31zO:+の合計当量とMgO
の当量の比が473〜415の場合、得られる磁器組成
物は高誘電率で、温度特性も良好になり好ましい。
(実施例)
以下、本発明を実施例によっ□て詳細に説明する。
5 出発原料として、SEM粒径の平均粒径
が0.2〜0.3μmで、比表面積が5〜8m/gであ
るチタン酸バリウムに、酸化プラセオジウム、酸化ネオ
ジム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウムがら選ばれ
た少なくとも1種、酸化ニオブ、および酸化マグネシウ
ムを第1表の割合で添加し、純水を加え混合する。混合
物を乾燥した後に、粘結剤としてポリビニルアルコール
を適当量加え、2t/ailの成形圧力で直径15mm
、厚さ0.6mmの円板状成形物を作成した。次に、こ
れを1220”Cで5時間焼結した。焼結した円板の両
端面に10mmφの銀電極を740℃で焼付け、それぞ
れの電気特性を評価した。ここで、誘電率と誘電損失(
tan δ)をLCRメーターを用いて1kHzで測定
した。絶縁抵抗値は高絶縁抵抗計を用い、500Vの電
圧を印加した場合の読み取り値である。誘電率の変化率
%は20℃を基準とした。
が0.2〜0.3μmで、比表面積が5〜8m/gであ
るチタン酸バリウムに、酸化プラセオジウム、酸化ネオ
ジム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウムがら選ばれ
た少なくとも1種、酸化ニオブ、および酸化マグネシウ
ムを第1表の割合で添加し、純水を加え混合する。混合
物を乾燥した後に、粘結剤としてポリビニルアルコール
を適当量加え、2t/ailの成形圧力で直径15mm
、厚さ0.6mmの円板状成形物を作成した。次に、こ
れを1220”Cで5時間焼結した。焼結した円板の両
端面に10mmφの銀電極を740℃で焼付け、それぞ
れの電気特性を評価した。ここで、誘電率と誘電損失(
tan δ)をLCRメーターを用いて1kHzで測定
した。絶縁抵抗値は高絶縁抵抗計を用い、500Vの電
圧を印加した場合の読み取り値である。誘電率の変化率
%は20℃を基準とした。
第1表において、試料嵐1.7.8.11.12は本発
明の範囲外のものである。□、:。
明の範囲外のものである。□、:。
第1表より明らかなように、本発明の範囲内の
1ものは1220℃で焼結可能で、その磁器特性
も比誘電率が2000程度と高い値を示し、誘電率の変
化率も小さく、かつ誘電損失が小さいことがわかる。
1ものは1220℃で焼結可能で、その磁器特性
も比誘電率が2000程度と高い値を示し、誘電率の変
化率も小さく、かつ誘電損失が小さいことがわかる。
(発明の効果)
以下のように、本発明により次の効果が見出された。
(1)ビスマス化合物を含まず、1200’l:’程度
の低温焼結が可能である。
の低温焼結が可能である。
(2)特性面において比誘電率が2000以上と高く、
しかも、その温度による変化率が小さい。
しかも、その温度による変化率が小さい。
(3)誘電損失が小さい。
したがって、本発明の磁器組成物は、電気特性的にもき
わめて優れており、コスト面がらもきわめて有利である
ので、工業上価値の大きいものである。
わめて優れており、コスト面がらもきわめて有利である
ので、工業上価値の大きいものである。
Claims (1)
- チタン酸バリウム95.20〜98.58重量%、酸化
プラセオジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化
ジスプロシウムのうち少なくとも1種を0.52〜1.
50重量%、酸化ニオブ0.85〜3.00重量%、酸
化マグネシウム0.05〜0.35重量%を含み、かつ
酸化マグネシウムに対する酸化ニオブのモル比が1:0
.4ないし1:2.2の範囲にあることを特徴とする磁
器誘電体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219379A JPS6199210A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 磁器誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219379A JPS6199210A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 磁器誘電体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199210A true JPS6199210A (ja) | 1986-05-17 |
| JPH0510762B2 JPH0510762B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=16734493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219379A Granted JPS6199210A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 磁器誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199210A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278474A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2020205411A (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
-
1984
- 1984-10-20 JP JP59219379A patent/JPS6199210A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278474A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2020205411A (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| JP2024091752A (ja) * | 2019-06-14 | 2024-07-05 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| US12482602B2 (en) | 2019-06-14 | 2025-11-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510762B2 (ja) | 1993-02-10 |
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