JPS6199360A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6199360A JPS6199360A JP59221029A JP22102984A JPS6199360A JP S6199360 A JPS6199360 A JP S6199360A JP 59221029 A JP59221029 A JP 59221029A JP 22102984 A JP22102984 A JP 22102984A JP S6199360 A JPS6199360 A JP S6199360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- package
- lead
- moisture
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のステージリード又はリードフレ
ームの構造に関するものであり、特に半導体装置のパッ
ケージ内のステージリード、又はリードフレームの断線
とか接触不良が、パンケージのモールド自体に含まれる
湿気によることも無視できないが、その大部分の原因が
、パッケージの外側に露出しているステージリードやリ
ードフレームの引出し部と、モールドされたパッケージ
との間の僅かな間隙を伝わって、外部の湿度がパッケー
ジ内に浸入し、パッケージ内のチップとステージリード
及びリードフレームとのボンデング部分を腐食すること
によるものであり、半導体装置の信頼性を高めるために
こ屁の改善が要望されている。
ームの構造に関するものであり、特に半導体装置のパッ
ケージ内のステージリード、又はリードフレームの断線
とか接触不良が、パンケージのモールド自体に含まれる
湿気によることも無視できないが、その大部分の原因が
、パッケージの外側に露出しているステージリードやリ
ードフレームの引出し部と、モールドされたパッケージ
との間の僅かな間隙を伝わって、外部の湿度がパッケー
ジ内に浸入し、パッケージ内のチップとステージリード
及びリードフレームとのボンデング部分を腐食すること
によるものであり、半導体装置の信頼性を高めるために
こ屁の改善が要望されている。
半導体装置のパッケージの種類には、多くの形式があり
、気密性については金属ケースを使用したパンケージや
、セラミックパッケージの方が気密性が良好であって、
パッケージの外部からの湿度による３７６ｙ１３をあま
り受けないが、プラスチック樹脂等でモールドするパッ
ケージでは、完全な耐湿性が期待出来ず、屡々湿度によ
る断線などの不具合が発生ずる。
、気密性については金属ケースを使用したパンケージや
、セラミックパッケージの方が気密性が良好であって、
パッケージの外部からの湿度による３７６ｙ１３をあま
り受けないが、プラスチック樹脂等でモールドするパッ
ケージでは、完全な耐湿性が期待出来ず、屡々湿度によ
る断線などの不具合が発生ずる。
従って、本発明で通用される半導体装置は、主としてプ
ラスチック樹脂を使用したモールド用パッケージの場合
について湿度の防止を提案するものである。
ラスチック樹脂を使用したモールド用パッケージの場合
について湿度の防止を提案するものである。
第３図（ａ）は従来の半導体装置のパッケージの内部に
あるステージリード及びリードフレームの構造を説明す
るための側断面図であり、第３図（′ｂ）は同じく正面
の断面図である。
あるステージリード及びリードフレームの構造を説明す
るための側断面図であり、第３図（′ｂ）は同じく正面
の断面図である。
プラスチック材料で形成されたパッケージ１があって、
その内部にステージ２があり、その上にチップ３がボン
デングされているが、ボンデングはステージ表面に形成
された金又は銀のメッキ層と、チップ基板であるシリコ
ン材料とで共晶合金４が形成され、それによってチップ
はステージに固定されている。
その内部にステージ２があり、その上にチップ３がボン
デングされているが、ボンデングはステージ表面に形成
された金又は銀のメッキ層と、チップ基板であるシリコ
ン材料とで共晶合金４が形成され、それによってチップ
はステージに固定されている。
ステージと接続されているリード５は、一方はパッケー
ジの外部に取り出され、他方はパンケージの縁で切断さ
ているが、いずれもパッケージを貫通してパッケージの
外部に取り出されているものであり、又リードフレーム
６も同様にパッケージ１の外部に引き出されているもの
で、この場合にリード５やリードフレーム６とパッケー
ジとの間には接合面に僅かな間隙ができる。
ジの外部に取り出され、他方はパンケージの縁で切断さ
ているが、いずれもパッケージを貫通してパッケージの
外部に取り出されているものであり、又リードフレーム
６も同様にパッケージ１の外部に引き出されているもの
で、この場合にリード５やリードフレーム６とパッケー
ジとの間には接合面に僅かな間隙ができる。
この場合に、チップに接続されるリードフレームや、ス
テージに接続されるリードがパッケージ内で直線状であ
ると、パフケージの外部の湿気が間隙を伝わって、チッ
プの内部に短距離で浸入するため、湿気が最も短時間で
チップとり−ドフレーム又はリードとのボンデング部に
到達することになり、そのためにボンデングの部分が腐
食されて接続不良とか断線の原因になる。
テージに接続されるリードがパッケージ内で直線状であ
ると、パフケージの外部の湿気が間隙を伝わって、チッ
プの内部に短距離で浸入するため、湿気が最も短時間で
チップとり−ドフレーム又はリードとのボンデング部に
到達することになり、そのためにボンデングの部分が腐
食されて接続不良とか断線の原因になる。
上記の構成の半導体装置では、半導体装置のパッケージ
の内部でチップにボンデングされたステージリード又は
リードフレームが直線状であるために、ステージリード
又はリードフレームとパフケージ間の間隙を伝わってく
る湿気が距離的に最短距離であることが問題点であり、
そのために、湿気がパンケージ内に浸入しボンデング部
分を腐食して断線になる等の不具合を生ずる。
の内部でチップにボンデングされたステージリード又は
リードフレームが直線状であるために、ステージリード
又はリードフレームとパフケージ間の間隙を伝わってく
る湿気が距離的に最短距離であることが問題点であり、
そのために、湿気がパンケージ内に浸入しボンデング部
分を腐食して断線になる等の不具合を生ずる。
本発明は、上記問題点を解消した半導体装置を提供する
もので、その手段は、パッケージ内に配置されたステー
ジのリード又は半導体チップから １のリ
ードフレームを、該パッケージ内で複数段の折り曲げを
行い、リードフレームの全体の長さを長くするようにし
たことを特徴とする半導体装置によって達成できる。
もので、その手段は、パッケージ内に配置されたステー
ジのリード又は半導体チップから １のリ
ードフレームを、該パッケージ内で複数段の折り曲げを
行い、リードフレームの全体の長さを長くするようにし
たことを特徴とする半導体装置によって達成できる。
本発明は半導体装置のパッケージ内に、ステージリード
又はリードフレームとパッケージとの間隙を伝わって、
湿気が浸入してチップとステージリード又はリードうレ
ーム部のボンデング部が断線することの原因であること
から、リードフレームを複数回の折り曲がりを有する段
を形成し、実効的にリードフレームの長さを長くするこ
とによりパンケージ外部からの湿気の浸入を阻止するよ
うに考慮したものである。
又はリードフレームとパッケージとの間隙を伝わって、
湿気が浸入してチップとステージリード又はリードうレ
ーム部のボンデング部が断線することの原因であること
から、リードフレームを複数回の折り曲がりを有する段
を形成し、実効的にリードフレームの長さを長くするこ
とによりパンケージ外部からの湿気の浸入を阻止するよ
うに考慮したものである。
半導体装置のパンケージの外部から浸入する湿度の影響
は、ステージリード又はリードフレームとモールドとの
間にある僅かな間隙に沿って水分が浸入するものである
からステージリード又はリードフレームの設計に改善が
加える必要があり、そのための一方法として、ステージ
リード又はリードフレームの長さを実効的に長くするこ
とば極めて有効である。
は、ステージリード又はリードフレームとモールドとの
間にある僅かな間隙に沿って水分が浸入するものである
からステージリード又はリードフレームの設計に改善が
加える必要があり、そのための一方法として、ステージ
リード又はリードフレームの長さを実効的に長くするこ
とば極めて有効である。
第１図は本発明の実施例である半導体装置の断面図であ
るが、本実施例ではステージリードの場合について説明
する。
るが、本実施例ではステージリードの場合について説明
する。
第１図において、半導体装置のパッケージ１１があり、
その内部にステージ１２があって、その上にチップ１３
がボンデングされていて、ステージリード１４がある。
その内部にステージ１２があって、その上にチップ１３
がボンデングされていて、ステージリード１４がある。
ステージリード１４とパッケージ１１との間には僅かな
間隙があり、この間隙を伝わってパフケージの外部から
湿気が浸入する。
間隙があり、この間隙を伝わってパフケージの外部から
湿気が浸入する。
従って、ステージリードの長さを長くすれば、その分だ
け浸入する湿度に対し、浸入径路に阻止の抵抗が付与さ
れることになり、パッケージ内で可能な限り瓜い距離と
することにより効果が大きいので、ステージリード１４
に、複数の折り曲げ部をつけて蛇行するように複数の段
差１５を設けである。
け浸入する湿度に対し、浸入径路に阻止の抵抗が付与さ
れることになり、パッケージ内で可能な限り瓜い距離と
することにより効果が大きいので、ステージリード１４
に、複数の折り曲げ部をつけて蛇行するように複数の段
差１５を設けである。
段差の構成はパンケージの内部の体積やリードフレーム
の位置関係で一律には規定できないが、０．５ｍｍ程度
のピッチで段差をつけるのが比較的容易であると共に効
果が顕著である。。
の位置関係で一律には規定できないが、０．５ｍｍ程度
のピッチで段差をつけるのが比較的容易であると共に効
果が顕著である。。
第２図は他の実施例の半導体装置の断面図であるが、ス
テージリード２０を直線方向に下方、又は上方向に折り
曲げて、段差２１を設けたもので、この構造にしてもス
テージリードの実効長さが長くなり効果は同一である。
テージリード２０を直線方向に下方、又は上方向に折り
曲げて、段差２１を設けたもので、この構造にしてもス
テージリードの実効長さが長くなり効果は同一である。
以上はステージリードの場合について説明したが、チッ
プに接続されるリードフレームの場合でも全く同様であ
り、湿気に対する抵抗性を有する手段として段付きのリ
ードフレームを形成することができる。
プに接続されるリードフレームの場合でも全く同様であ
り、湿気に対する抵抗性を有する手段として段付きのリ
ードフレームを形成することができる。
以上詳細に説明したように、本発明の半導体装置のステ
ージリード又はリードフレームの構造を採用することに
より耐湿性が優れ、そのためにチップ上のボンデング部
分が腐食されて断線するというおそれがなく、高信頼性
の半導体装置が供し得るという効果大なるものがある。
ージリード又はリードフレームの構造を採用することに
より耐湿性が優れ、そのためにチップ上のボンデング部
分が腐食されて断線するというおそれがなく、高信頼性
の半導体装置が供し得るという効果大なるものがある。
第１図、第２図は本発明の半導体装置のパッケージの内
部におけるステージリードを説明するための断面図、 第３図は従来の半導体装置のパンケージの内部における
リードフレームの形状を説明するための断面図である。 図において、１１はパッケージ、１２はステージ、１３
はチップ、１４はステージリード、１５は段差、２゜は
ステージリード、２１は段差をそれぞれ示している。
部におけるステージリードを説明するための断面図、 第３図は従来の半導体装置のパンケージの内部における
リードフレームの形状を説明するための断面図である。 図において、１１はパッケージ、１２はステージ、１３
はチップ、１４はステージリード、１５は段差、２゜は
ステージリード、２１は段差をそれぞれ示している。
Claims (1)
- パッケージ内に配置されたステージのリード又は半導体
チップからのリードフレームを、該パッケージ内で複数
段の折り曲げを行い、リードフレームの全体の長さを長
くするようにしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221029A JPS6199360A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221029A JPS6199360A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199360A true JPS6199360A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16760367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221029A Pending JPS6199360A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199360A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264730A (en) * | 1990-01-06 | 1993-11-23 | Fujitsu Limited | Resin mold package structure of integrated circuit |
| US5288698A (en) * | 1990-02-01 | 1994-02-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of positioning lead frame on molding die to seal semiconductor element with resin |
| US5703396A (en) * | 1995-10-31 | 1997-12-30 | Nec Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device having wing leads |
| CN111668107A (zh) * | 2012-12-06 | 2020-09-15 | 美格纳半导体有限公司 | 多芯片封装及其制造方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59221029A patent/JPS6199360A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264730A (en) * | 1990-01-06 | 1993-11-23 | Fujitsu Limited | Resin mold package structure of integrated circuit |
| US5288698A (en) * | 1990-02-01 | 1994-02-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of positioning lead frame on molding die to seal semiconductor element with resin |
| US5703396A (en) * | 1995-10-31 | 1997-12-30 | Nec Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device having wing leads |
| CN111668107A (zh) * | 2012-12-06 | 2020-09-15 | 美格纳半导体有限公司 | 多芯片封装及其制造方法 |
| US12057377B2 (en) | 2012-12-06 | 2024-08-06 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Multichip packaged semiconductor device |
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