JPS62100007A - Bias circuit in fet complementary compensation circuit - Google Patents
Bias circuit in fet complementary compensation circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はFETを用いた相補供回路におけるバイアス回
路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a bias circuit in a complementary supply circuit using FETs.
第2図は従来のN−F−ヤンネル接合型FETとPチャ
ンネル接合型FETとを使用した相補供回路を示す図で
ある。同図において、1はNチャンネル接合型FETで
あり、2はPチャンネル接合型FETである。Nチャン
ネル接合型FETIの、ソースとPチャンネル接合型F
ET2のソースとは抵抗器3,4を介して接続され、抵
抗器3と抵抗器4との接続点には出力端子に接続され、
Nチャンネル接合型FETIのベースとPチャンネル接
合型FET2のベースは接読され、更にその一方端は入
力端子に接続きれている。なお、5は負荷の抵抗器であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a complementary supply circuit using a conventional N-F-Yannel junction FET and a P-channel junction FET. In the figure, 1 is an N-channel junction FET, and 2 is a P-channel junction FET. Source of N-channel junction FETI and P-channel junction F
It is connected to the source of ET2 via resistors 3 and 4, and the connection point between resistor 3 and resistor 4 is connected to the output terminal.
The base of the N-channel junction type FETI and the base of the P-channel junction type FET 2 are read directly, and one end thereof is connected to the input terminal. Note that 5 is a load resistor.
上記構成の相補供回路において、入力端子に入力Viさ
れる入力電圧は出力端子から出力Voとして出力される
。In the complementary supply circuit configured as described above, the input voltage Vi input to the input terminal is output from the output terminal as an output Vo.
しかしながら上記構成の相補供回路はNチャンネル接合
型FETI及びPチャンネル接合型FET2のソースに
バイアス電圧を与えるバイアス回路の不備により、下記
に示すように出力に歪みが発生するという問題があった
。However, the complementary supply circuit having the above configuration has a problem in that distortion occurs in the output as shown below due to a defect in the bias circuit that applies bias voltage to the sources of the N-channel junction type FETI and the P-channel junction type FET2.
上記第2図の回路において、FETIのドレイン電流を
1.、FET2のドレイン電流をIz、FETIのソー
ス電圧をV、、FET2のソース電圧をv3.抵抗器5
に流れる電流をIs、抵抗器3.4.5の抵抗値をそれ
ぞれR,++Rz+Rsとし、FETI及びFET2の
ゲートとソースを短絡したときのそれぞれドレイン電流
をLss++ID5S2とし、史にドL・イン電流が流
れなくなるときのFETI及びFET2のソース・ゲー
ト間電圧をそれぞれV PI * V 12とすれば入
力電圧■、とFETIのドレイン電流をI、とFE T
2のドレイン電流を■、との関係は下式の如くなる。In the circuit shown in FIG. 2 above, the drain current of FETI is set to 1. , the drain current of FET2 is Iz, the source voltage of FETI is V, , the source voltage of FET2 is v3. Resistor 5
Let the current flowing in Is be the resistance value of resistor 3.4.5, R, ++Rz+Rs, respectively, and let the drain current when the gate and source of FETI and FET2 are shorted be Lss++ID5S2. If the voltage between the source and gate of FETI and FET2 when the flow stops is V PI * V 12, then the input voltage is ■, the drain current of FETI is I, and FE T
The relationship between the drain current of 2 and 2 is as shown in the following equation.
I、=IossI/L+”(Vl VPI−Vl)”
■L=Lss2/Vr%(VIVpx
Vt)” ■相補償回路の条件として
Ib5s+/ V++”=Lssz/ Vpt”= a
と1れば」−2■及び0式は下式■及び■となる。I,=IossI/L+"(Vl VPI-Vl)"
■L=Lss2/Vr% (VIVpx
Vt)” ■As a condition for the phase compensation circuit, Ib5s+/V++”=Lssz/Vpt”=a
If 1, then "-2■ and 0 formulas become the following formulas ■ and ■.
11= a(Vi Vpt Vl)”
■I4 = a (V i Vrt Vf
)” ■ここで、
Vl= V、+(+/、−V0)
=■。+IIR8
V、= V。−(V= VX)
=V、−IユR3
である(但しVoは出力型IE ) a ニーれらを上
記■、■式に代入(7−〔、
L=a (Vl Vpt Vo I+R+ )”
■1!= a (Vl Vpt
Vo + IJz)”
@更に上記■、■式より
一方
■。” l5Rs
(V++Vr+ v。)+IR+”ffiで入[1−
一汗7:V7N〒1)となろが、第4項が無理式であり
任意のViに従属l、て変化するvoにおいてこの項が
打ち消し合うことがないから第■式は無理関数であり、
出力電圧v0は入力電圧V、に比例しないことになる。11= a(Vi Vpt Vl)”
■I4 = a (V i Vrt Vf
)" ■Here, Vl = V, + (+/, -V0) = ■. +IIR8 V, = V. - (V = VX) = V, -IUR3 (However, Vo is an output type IE) Substitute a Niel et al. into the above formulas (7-[, L=a (Vl Vpt Vo I+R+)"
■1! = a (Vl Vpt
Vo + IJz)”
@Furthermore, from the above formulas ■ and ■, one ■. "l5Rs (V++Vr+ v.)+IR+"ffi input [1-
Issana 7: V7N〒1), but the fourth term is an irrational function, and this term does not cancel out in vo, which changes depending on any Vi, so the formula (①) is an irrational function,
The output voltage v0 will not be proportional to the input voltage V.
いわゆる歪みが生じる。So-called distortion occurs.
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、上記従来の
相補性回路のバイアス回路の不る1旧こよる歪みを除去
し、出力電圧が入力電圧に比例し歪みの生じないFET
を用いた相補性回路を提供することGこある。The present invention has been made in view of the above points, and it eliminates the distortion caused by the bias circuit of the conventional complementary circuit, and provides an FET in which the output voltage is proportional to the input voltage and no distortion occurs.
It is possible to provide a complementary circuit using the following.
NチャンネルFETとPチャンネルFETとを具備する
FET相補償回路において、前記両FETのソースとソ
ースとの間に所定の電圧値を有する直流電源と抵抗器の
並列回路を介在さゼて接続した。In a FET phase compensation circuit comprising an N-channel FET and a P-channel FET, a parallel circuit of a DC power supply having a predetermined voltage value and a resistor was connected between the sources of the two FETs.
上記のごとく構成することにより、後に詳述するように
出力電圧は入力電圧に正確に比例することになり、出力
に歪みを生じることがない。By configuring as described above, the output voltage is accurately proportional to the input voltage, as will be explained in detail later, and no distortion occurs in the output.
以下、本発明の実施例を図面にもとついて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明に係るFET相補償回路におけるバイア
ス回路を示す回路図である。同図において、前記第2図
と同一符号をイζ1し、た部分は同−又は相当部分を示
す(以下、他の図面においても同様とする)。Nチー■
ンネルFETIとPチャンネルFET2の各ソースをバ
イアス電圧を与えど)抵抗器3、抵抗器4からなる直列
回路と所定の電圧値を有する直流定電圧源6を介在させ
て接続する。第1図の回路において、負荷の抵抗器5の
両端に発生する出力電圧をV。、入力電圧■1、FET
1のドレイン電流を1.、FET2のドレイン電流を1
8、FETIのソース′i1電圧を■1、FET2のソ
ース電圧V2、抵抗器3を流れる電流をil、抵抗器4
を流ね2る電流をi3、直流定電圧イ原6を流れる電流
i8、抵抗器3.抵抗器4.抵抗器5の抵抗値をそれぞ
れR,、R,、R,、抵抗器5に流れる電流を1.とし
、更に、FET、及びFET2のゲートとソースを短絡
したときのドレイン電流をそれぞれID5SL+Iゎ、
S!、ドレイン電流が流れなくなったときのソース・ゲ
ート間電圧をそれぞれV□、■2.とすれば、FETI
のドレイン電流を1.及びFET2のドレイン電流を工
、はそれぞれ下式によって示される。FIG. 1 is a circuit diagram showing a bias circuit in a FET phase compensation circuit according to the present invention. In this figure, the same reference numerals as those in FIG. N Chi■
The sources of the channel FET I and the P channel FET 2 are connected to each other via a series circuit consisting of a resistor 3 and a resistor 4 (which apply a bias voltage), and a DC constant voltage source 6 having a predetermined voltage value. In the circuit of FIG. 1, the output voltage generated across the load resistor 5 is V. , input voltage ■1, FET
The drain current of 1. , the drain current of FET2 is 1
8. FETI source 'i1 voltage is ■1, FET2 source voltage V2, current flowing through resistor 3 is il, resistor 4
The current flowing through the resistor 2 is i3, the current i8 flowing through the DC constant voltage source 6, and the resistor 3. Resistor 4. The resistance value of the resistor 5 is R, , R, , R, and the current flowing through the resistor 5 is 1. Furthermore, the drain current when the gate and source of FET and FET2 are shorted is ID5SL+Iゎ, respectively.
S! , the source-gate voltage when the drain current stops flowing are V□, ■2. Then, FETI
The drain current of 1. and the drain current of FET2 are expressed by the following equations, respectively.
L=Lss+/ Vpr ”(Vl−VPI−Vl )
L=Iossz/Vpz”(’t/+−Vpt−Vt)
相補供回路の条件として
1osst/Vpl”=Xoss*/Vpt”とし、こ
れをaとおけば、FETIのドレイン電流I、及びFE
T2のドレイン電流工、は、I、=a (Vl−Vpr
−Vt)’ <1)L=a (
Vr−Vpx−Vt>” (2
)となる。L=Lss+/Vpr” (Vl-VPI-Vl)
L=Iossz/Vpz”('t/+-Vpt-Vt)
As a condition for the complementary supply circuit, if 1osst/Vpl"=Xoss*/Vpt" and this is set as a, the drain current I of FETI and FE
The drain current of T2 is I, = a (Vl-Vpr
-Vt)'<1) L=a (
Vr-Vpx-Vt>” (2
).
VO=I3R$
(3)”(i 1− i z)Rs
(4)=(I I−I z)Rs
(5)が成り立つから、
Vo=2aRs■、(−Vp++Vpz−(Vl−Vt
) )” a R$(’V’P+ ”−V、t”)+
2a Rs<’/□■、−VptVz)”aRs(Vl
”Vt)(Vl−Vz) (6)ここ
で
V+=V。+ i IRI
(7)Vt
=Vo−i tRt
(8)また
Vl−Vx” 1 IRI+1 tRt”Vc
(9)であるから上記(19)式と(
14)式よりi+:VcRs”VoRz/ Rs(R+
”Rs)i2=VcRs−VoR+/ Rs (R+”
Rz )これらを上記(17)、 (18)式に代入し
て、を得る。(19)、 (20)、 (21)式を(
1)式に代入して整理すると、
但し、A = RIR! 、 B = R* Rs 、
C= Rs RI、 D=R+ + R2、E =
RIR!とする。VO=I3R$
(3)”(i 1- iz)Rs
(4)=(I I-I z)Rs
Since (5) holds true, Vo=2aRs■, (-Vp++Vpz-(Vl-Vt
) )” a R$('V'P+ "-V, t")+
2a Rs<'/□■, -VptVz)"aRs(Vl
”Vt) (Vl-Vz) (6) Here, V+=V.+ i IRI
(7) Vt
=Vo-i tRt
(8) Also, Vl-Vx” 1 IRI+1 tRt”Vc
(9), so the above equation (19) and (
14) From the formula, i+:VcRs”VoRz/Rs(R+
"Rs) i2=VcRs-VoR+/Rs (R+"
Rz) By substituting these into the above equations (17) and (18), the following is obtained. Expressions (19), (20), and (21) are converted into (
1) Substituting into the formula and rearranging, however, A = RIR! , B = R* Rs ,
C= Rs RI, D=R+ + R2, E=
RIR! shall be.
となる。この式において、第1項以外は全て定数であり
、■。は入力電圧V、の一次関数として表わされている
。即ち、第1図の回路は相補供回路としての条件を満た
すNチャンネルFETとPチャンネルFETを用いるこ
とによって歪みのないバッファ回路となる。becomes. In this equation, all terms except the first term are constants, and ■. is expressed as a linear function of the input voltage V. That is, the circuit of FIG. 1 becomes a distortion-free buffer circuit by using an N-channel FET and a P-channel FET that satisfy the conditions for a complementary supply circuit.
第3図(a)、(b)はFETを用いたソースフォロワ
回路に本発明に係るバイアス回路を応用した例を示す回
路図である。FIGS. 3(a) and 3(b) are circuit diagrams showing an example in which the bias circuit according to the present invention is applied to a source follower circuit using an FET.
第3図(a)は、Nチャンネル接合型FET11とPチ
ャンネル接合型FET12ソース間を接続してなるソー
スフォロワ回路の前段に、第1図に示すバイアス回路を
配置した回路であり、このように構成することにより、
上記(10) 、 (11) 、 (12)式から、
D
となり、NチャンネルFETIのソース電圧V1とPチ
トンルネルFET2のソース電圧V、の出力電圧■。に
対する関係は双方共、入力電圧■、の一次関数として表
わされるので、これらの電圧が次段のソースフォロアの
入力端子となることから歪みがなく出力インピーダンス
の低いバッファ回路となる。FIG. 3(a) shows a circuit in which the bias circuit shown in FIG. 1 is placed before a source follower circuit formed by connecting the sources of an N-channel junction FET 11 and a P-channel junction FET 12. By configuring
From the above equations (10), (11), and (12), D becomes the output voltage of the source voltage V1 of the N-channel FETI and the source voltage V of the P-channel FET2. Since both relationships are expressed as linear functions of the input voltage (2), these voltages become the input terminals of the next-stage source follower, resulting in a buffer circuit with no distortion and low output impedance.
第3図(b)において、14はNチャンネルMO8型F
ETであり、15はPチ〜ンネルMO8型FETである
。該NチャンネルMO3型FET14とPチャンネルM
O8型FETI 5で構成されるソースフォロワ回路の
前段に、」二記第1図に示すバイアス回路を配置してい
る。上記の如く構成することにより、歪みがなく出力イ
ンt′:′−ダンスの低いバッファー回路となる。In FIG. 3(b), 14 is an N-channel MO8 type F
ET, and 15 is a P-channel MO8 type FET. The N-channel MO3 type FET14 and the P-channel M
A bias circuit shown in FIG. 1 is placed in front of the source follower circuit composed of the O8 type FETI 5. By configuring as described above, a buffer circuit with no distortion and low output int':'-dance can be obtained.
第1図の回路におけるV、とvoの関係式(12)に%
式%
と表されるから、何らかの方法でFETIとFET2の
ドレイン電流の差を取り出すことにより、出力電流■。In the relational expression (12) between V and vo in the circuit of Fig. 1, %
Since it is expressed by the formula %, by extracting the difference between the drain currents of FETI and FET2 in some way, the output current ■.
=LIzが入力電圧V、の一次関数で表わされる電圧−
電流変換器が得られる。その−例を第4図に示す。同図
において、カレントミラー回路21によるFETIのド
レイン電流I+に等しい電流I、lが流れ、カレントミ
ラー回路22によるFET2のドレイン電流■、に等し
い電流It’ながれるとすれば、
L=1.’ 、I!=L
より、
Il“−1□’=LL
となり出力電流I0が得られる。また、電圧の変化を電
流の変化に変換する割合は抵抗器23の抵抗値を適当な
値に選ぶことにより、任意に増幅率を決定することがで
きる。= Voltage where LIz is expressed as a linear function of input voltage V -
A current converter is obtained. An example of this is shown in FIG. In the same figure, if a current I, l equal to the drain current I+ of FETI flows through the current mirror circuit 21, and a current It' equal to the drain current (■) of FET 2 flows through the current mirror circuit 22, then L=1. ', I! =L, Il"-1□'=LL, and the output current I0 is obtained. Also, the ratio of converting voltage changes into current changes can be adjusted arbitrarily by selecting the resistance value of the resistor 23 to an appropriate value. The amplification factor can be determined.
以上、説明したように本発明係るFETのバイアス回路
によれば入力電圧と出力電圧との関係が1次関数で表わ
すことができるから、歪みのない出力が得られ、各種バ
ッファ回路等にすぐれた効果を発揮することが期待でき
る。As explained above, according to the FET bias circuit according to the present invention, the relationship between the input voltage and the output voltage can be expressed by a linear function, so an output without distortion can be obtained, and it is excellent for various buffer circuits, etc. It can be expected that it will be effective.
第1図は本発明に係るFETのバイアス回路図、第2図
は従来の相補性回路図、第3図(a)、(b)及び第4
図はそれぞれ本発明のFETのバイアス回路を応用した
回路図である。
図中、1,11・・・・NチャンネルFET、2゜12
・・・・P fヤンネルFET、6・・・・直流定電圧
源、3,4,5,13,14,15,16.17・・・
・抵抗器、18・・・・NfヤンネルMO5型FET、
19−−PfwンネルMO8型FET。Figure 1 is a bias circuit diagram of the FET according to the present invention, Figure 2 is a conventional complementary circuit diagram, Figures 3 (a), (b) and 4.
Each figure is a circuit diagram to which the FET bias circuit of the present invention is applied. In the figure, 1, 11...N channel FET, 2゜12
...P f Jannel FET, 6... DC constant voltage source, 3, 4, 5, 13, 14, 15, 16.17...
・Resistor, 18...Nf Jannel MO5 type FET,
19--Pfw tunnel MO8 type FET.
Claims (1)
FET相補償回路において、前記両FETのソースとソ
ースの間に所定の電圧値を有する直流電源と抵抗器の並
列回路を介在させて接続することを特徴とするFET相
補償回路のバイアス回路。A FET phase compensation circuit comprising an N-channel FET and a P-channel FET, characterized in that the sources of both FETs are connected through a parallel circuit of a DC power supply having a predetermined voltage value and a resistor. Bias circuit for FET phase compensation circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23972685A JPS62100007A (en) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Bias circuit in fet complementary compensation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23972685A JPS62100007A (en) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Bias circuit in fet complementary compensation circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62100007A true JPS62100007A (en) | 1987-05-09 |
Family
ID=17049009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23972685A Pending JPS62100007A (en) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Bias circuit in fet complementary compensation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62100007A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002542700A (en) * | 1999-04-16 | 2002-12-10 | ザット コーポレーション | Improved operational amplifier output stage |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP23972685A patent/JPS62100007A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002542700A (en) * | 1999-04-16 | 2002-12-10 | ザット コーポレーション | Improved operational amplifier output stage |
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