JPS6210019B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6210019B2 JPS6210019B2 JP53085785A JP8578578A JPS6210019B2 JP S6210019 B2 JPS6210019 B2 JP S6210019B2 JP 53085785 A JP53085785 A JP 53085785A JP 8578578 A JP8578578 A JP 8578578A JP S6210019 B2 JPS6210019 B2 JP S6210019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- die pad
- suspended
- semiconductor element
- bending
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、リードフレームを用いて半導体装
置を製造する方法に関するもので、特にIC等の
ように金属細線によつてダイパツド部にろう着す
る半導体素子と各リード部分を電気的に接続して
なる半導体装置の製造方法に関するものである。
置を製造する方法に関するもので、特にIC等の
ように金属細線によつてダイパツド部にろう着す
る半導体素子と各リード部分を電気的に接続して
なる半導体装置の製造方法に関するものである。
一般に第１図に示すようなリードフレーム１を
使用してなる半導体装置は夫々枠部２と連結した
宙吊リード３で保持されたダイパツド部４が形成
され、このダイパツド部４に半導体素子５をろう
着し、半導体素子５とダイパツド部４の近くのリ
ード６とを金属細線７にて電気的に接続する。そ
して第２図に示すような樹脂９によつて封止した
後、タイバー８を切断しさらにリード６を切断お
よび曲げ加工を施して半導体装置を作製してい
る。
使用してなる半導体装置は夫々枠部２と連結した
宙吊リード３で保持されたダイパツド部４が形成
され、このダイパツド部４に半導体素子５をろう
着し、半導体素子５とダイパツド部４の近くのリ
ード６とを金属細線７にて電気的に接続する。そ
して第２図に示すような樹脂９によつて封止した
後、タイバー８を切断しさらにリード６を切断お
よび曲げ加工を施して半導体装置を作製してい
る。
ここで、金属細線７によつて半導体素子５とリ
ード６を電気的に接続する場合、第３図に示すよ
うにダイパツド部４の上面４ａとリード６の上面
６ａとが同一面であると、ダイパツド部４にろう
着された半導体素子５の表面５ａはその厚みｔだ
けリード６の上面６ａより突出することになるた
め、前述のように電気的に接続された金属細線７
がわずかでも変形すれば、第３図のように半導体
素子５の端部５ｂと接触する恐れがある。
ード６を電気的に接続する場合、第３図に示すよ
うにダイパツド部４の上面４ａとリード６の上面
６ａとが同一面であると、ダイパツド部４にろう
着された半導体素子５の表面５ａはその厚みｔだ
けリード６の上面６ａより突出することになるた
め、前述のように電気的に接続された金属細線７
がわずかでも変形すれば、第３図のように半導体
素子５の端部５ｂと接触する恐れがある。
このため第４図、第５図に示すように、リード
６の上面６ａと半導体素子５の表面５ａとがほゞ
同一面となるように通常は宙吊リード３の所定個
所が折り曲げられダイパツド部４が沈められる方
法が用いられ、第３図のように金属細線７が少々
変形しても半導体素子５に接触しないように構成
されている。
６の上面６ａと半導体素子５の表面５ａとがほゞ
同一面となるように通常は宙吊リード３の所定個
所が折り曲げられダイパツド部４が沈められる方
法が用いられ、第３図のように金属細線７が少々
変形しても半導体素子５に接触しないように構成
されている。
ところで、第５図に示すように宙吊リード３を
折り曲げてダイパツド部４を沈める従来の方法
は、第６図、第７図に示すようなダイパツド沈め
工具、すなわちポンチ１０とダイ１１により宙吊
リード３を押えつけて塑性変形させ、ダイパツド
部４を沈めていた。しかし、このような方法で
は、宙吊リード３を折り曲げるために必要な材料
の延びが完全に塑性変形によつて得られないた
め、折り曲げ後、宙吊リード３が枠部２によつて
引張力Ｆを受け、ダイパツド部４の形状が第８図
に示すようになる。すなわち、折り曲げ後の宙吊
リード３は、リードフレーム１の枠部２の方向に
引張られるためダイパツド部４がわん曲し、所定
の折り曲げによるダイパツド部４の沈め量が得ら
れなかつた。このためダイパツド部４に半導体素
子５をろう着する場合、ダイパツド部４を高温に
する必要があり、そのためヒータ等（図示は省
略）によつてダイパツド部４の下面より温度上昇
させるが、第８図のようにダイパツド部４の形状
が不安定なため、ヒータ等を内蔵しているヒート
ブロツク等（図示は省略）との接触面積にばらつ
きが生じ、ダイパツド部４の温度上昇が不安定と
なり、結果的にろう着不良になる等の欠点があつ
た。また、ダイパツド部４に半導体素子５がろう
着されてもダイパツド部４が第８図のようにわん
曲した形状となつているため、ろう着面積が小さ
く、したがつて簡単に半導体素子５がはずれてし
まう。あるいはダイパツド部４が第８図のように
わん曲した形状のまゝで樹脂封止した場合、リー
ドフレーム１の枠部２を切断したとき、第８図の
ような引張力Ｆが解消されるため、ダイパツド部
４のわん曲形状が水平位置に戻ろうとする力が内
部で働き、第２図に示すような樹脂９の内部では
金属細線７および半導体素子５に常にストレスが
かゝり、信頼性の高い半導体装置は得られなかつ
た。さらに宙吊リード３の引張力が金属細線７を
ボンデイングする各リード６に変形を与え、金属
細線７のボンデイングが確実に行われないばかり
か、ダイパツド部４に所定量の沈めが得られない
ため、金属細線７のボンデイング後、第３図に示
すような半導体素子５と金属細線７との接触の有
無を目視検査する必要があつた。このため多大な
人的工数を必要とし、生産性向上を大きく阻害し
ていた。また、第６図、第７図に示した沈め工具
による折り曲げのみで宙吊リード３を必要量だけ
延ばそうとすれば、曲げ部のポンチ１０とダイ１
１のクリアランスをマイナスとする必要があり、
このためかなり強い力で押圧せねばならず、大
がゝりな設備が必要となり、高価で経済的でない
など多くの欠点があつた。
折り曲げてダイパツド部４を沈める従来の方法
は、第６図、第７図に示すようなダイパツド沈め
工具、すなわちポンチ１０とダイ１１により宙吊
リード３を押えつけて塑性変形させ、ダイパツド
部４を沈めていた。しかし、このような方法で
は、宙吊リード３を折り曲げるために必要な材料
の延びが完全に塑性変形によつて得られないた
め、折り曲げ後、宙吊リード３が枠部２によつて
引張力Ｆを受け、ダイパツド部４の形状が第８図
に示すようになる。すなわち、折り曲げ後の宙吊
リード３は、リードフレーム１の枠部２の方向に
引張られるためダイパツド部４がわん曲し、所定
の折り曲げによるダイパツド部４の沈め量が得ら
れなかつた。このためダイパツド部４に半導体素
子５をろう着する場合、ダイパツド部４を高温に
する必要があり、そのためヒータ等（図示は省
略）によつてダイパツド部４の下面より温度上昇
させるが、第８図のようにダイパツド部４の形状
が不安定なため、ヒータ等を内蔵しているヒート
ブロツク等（図示は省略）との接触面積にばらつ
きが生じ、ダイパツド部４の温度上昇が不安定と
なり、結果的にろう着不良になる等の欠点があつ
た。また、ダイパツド部４に半導体素子５がろう
着されてもダイパツド部４が第８図のようにわん
曲した形状となつているため、ろう着面積が小さ
く、したがつて簡単に半導体素子５がはずれてし
まう。あるいはダイパツド部４が第８図のように
わん曲した形状のまゝで樹脂封止した場合、リー
ドフレーム１の枠部２を切断したとき、第８図の
ような引張力Ｆが解消されるため、ダイパツド部
４のわん曲形状が水平位置に戻ろうとする力が内
部で働き、第２図に示すような樹脂９の内部では
金属細線７および半導体素子５に常にストレスが
かゝり、信頼性の高い半導体装置は得られなかつ
た。さらに宙吊リード３の引張力が金属細線７を
ボンデイングする各リード６に変形を与え、金属
細線７のボンデイングが確実に行われないばかり
か、ダイパツド部４に所定量の沈めが得られない
ため、金属細線７のボンデイング後、第３図に示
すような半導体素子５と金属細線７との接触の有
無を目視検査する必要があつた。このため多大な
人的工数を必要とし、生産性向上を大きく阻害し
ていた。また、第６図、第７図に示した沈め工具
による折り曲げのみで宙吊リード３を必要量だけ
延ばそうとすれば、曲げ部のポンチ１０とダイ１
１のクリアランスをマイナスとする必要があり、
このためかなり強い力で押圧せねばならず、大
がゝりな設備が必要となり、高価で経済的でない
など多くの欠点があつた。
この発明は、上記欠点を除去するためになされ
たもので、ダイパツド部を沈めるために必要な材
料の延びを折り曲げによる材料の延びのみにたよ
らず、宙吊リードを強制的に圧延して材料に必要
な量の延びを与え、従来のような引張力を極度に
減少させてダイパツド部を所定量沈めることによ
り信頼性の高い、かつ安定した半導体装置を提供
することを目的とするものである。以下この発明
について説明する。
たもので、ダイパツド部を沈めるために必要な材
料の延びを折り曲げによる材料の延びのみにたよ
らず、宙吊リードを強制的に圧延して材料に必要
な量の延びを与え、従来のような引張力を極度に
減少させてダイパツド部を所定量沈めることによ
り信頼性の高い、かつ安定した半導体装置を提供
することを目的とするものである。以下この発明
について説明する。
第９図、第１０図はこの発明に用いられるダイ
パツドの沈め工具の正面図およびＣ―Ｃ断面図で
ある。これらの図において、第１図と同一符号は
同一部分を示し、１２，１３は前記宙吊リード３
を折り曲げるためのポンチおよびダイ、１４は前
記宙吊リード３を圧延するための圧延棒でポンチ
１２に形成された孔１２ａと嵌合し、この孔１２
ａの底面１２ｂに接触している。さらに圧延棒１
４は宙吊リード３のつぶし量Ｐを得るために必要
な長さＬとなつている。圧延棒１４の先端は宙吊
リード３のみ圧延できる幅以上あつて宙吊リード
３を部分的につぶせる幅があればよい。１５は前
記圧延棒１４を固定するための止めねじで、孔１
２ａに貫通して形成されたねじ孔１２ｃと螺合し
ている。つまり、ポンチ１２とダイ１３により宙
吊リード３が押しつけられ、折り曲げられると同
時に宙吊リード３の両側は圧延棒１４により所定
のつぶし量Ｐに圧延される。このため、ダイパツ
ド部４を折り曲げて沈めるために必要な材料の延
びが宙吊リード３に与えられるので、所定の曲げ
形状が得られ、ダイパツド部４がリード６より所
定量だけ沈められる。すなわち、第８図に示すよ
うな宙吊リード３にかゝる引張力Ｆが極度に解消
される。
パツドの沈め工具の正面図およびＣ―Ｃ断面図で
ある。これらの図において、第１図と同一符号は
同一部分を示し、１２，１３は前記宙吊リード３
を折り曲げるためのポンチおよびダイ、１４は前
記宙吊リード３を圧延するための圧延棒でポンチ
１２に形成された孔１２ａと嵌合し、この孔１２
ａの底面１２ｂに接触している。さらに圧延棒１
４は宙吊リード３のつぶし量Ｐを得るために必要
な長さＬとなつている。圧延棒１４の先端は宙吊
リード３のみ圧延できる幅以上あつて宙吊リード
３を部分的につぶせる幅があればよい。１５は前
記圧延棒１４を固定するための止めねじで、孔１
２ａに貫通して形成されたねじ孔１２ｃと螺合し
ている。つまり、ポンチ１２とダイ１３により宙
吊リード３が押しつけられ、折り曲げられると同
時に宙吊リード３の両側は圧延棒１４により所定
のつぶし量Ｐに圧延される。このため、ダイパツ
ド部４を折り曲げて沈めるために必要な材料の延
びが宙吊リード３に与えられるので、所定の曲げ
形状が得られ、ダイパツド部４がリード６より所
定量だけ沈められる。すなわち、第８図に示すよ
うな宙吊リード３にかゝる引張力Ｆが極度に解消
される。
上記のように所定量だけダイパツド部４を沈め
た後、半導体素子５をろう着し、金属細線７によ
つて半導体素子５と各リード６を電気的に接続し
た後、樹脂成形金型において樹脂封止され、所定
の形状寸法にリード６が切断および曲げ加工が施
され、第２図のような半導体装置が作製される。
た後、半導体素子５をろう着し、金属細線７によ
つて半導体素子５と各リード６を電気的に接続し
た後、樹脂成形金型において樹脂封止され、所定
の形状寸法にリード６が切断および曲げ加工が施
され、第２図のような半導体装置が作製される。
上記実施例の一例として、リードフレーム１の
材料がコバール（Fe＋Ni＋Co合金）の場合、折
り曲げ寸法0.3mm、圧延のためのつぶし量Ｐが
0.05mmであり、結果的には0.28mmのダイパツド部
４の沈め量が得られた。
材料がコバール（Fe＋Ni＋Co合金）の場合、折
り曲げ寸法0.3mm、圧延のためのつぶし量Ｐが
0.05mmであり、結果的には0.28mmのダイパツド部
４の沈め量が得られた。
なお、上記実施例では宙吊リード３の折り曲げ
と、宙吊リード３の圧延工程を同一工具で同時に
行つた場合について説明したが、この発明はこれ
に限らず別々の工具で別々に折り曲げと圧延工程
とを行つても全く同様の効果が得られることはい
うまでもない。要するにダイパツド部４に半導体
素子５をろう着する以前の工程において、宙吊リ
ード３を折り曲げる工程と圧延工程を経てダイパ
ツド部４を各リード６より所定量沈めるようにす
ればよい。
と、宙吊リード３の圧延工程を同一工具で同時に
行つた場合について説明したが、この発明はこれ
に限らず別々の工具で別々に折り曲げと圧延工程
とを行つても全く同様の効果が得られることはい
うまでもない。要するにダイパツド部４に半導体
素子５をろう着する以前の工程において、宙吊リ
ード３を折り曲げる工程と圧延工程を経てダイパ
ツド部４を各リード６より所定量沈めるようにす
ればよい。
以上説明したように、この発明によれば、リー
ドフレームの枠部と、半導体素子がろう着される
ダイパツド部を連結している宙吊リードを折り曲
げるとともに、宙吊リードの両側を圧延棒により
所定量だけ圧延することにより、宙吊リードには
ほとんど引張力が発生しなくなり、したがつてダ
イパツド部は変形することがないので、所定の形
状、寸法にダイパツドを安定して沈めることがで
きる。そのためダイパツド部に半導体素子をろう
着する場合、ダイパツド部は水平に沈められてい
るので、ヒートブロツク等との接触面積が大き
く、かつ一定となり、ダイパツド部は所定の温度
に安定して上昇することができ、かつ半導体素子
との接触面積も所定寸法となるため確実なろう着
が可能となる。また、折り曲げ後宙吊リードにほ
とんど引張力が発生しないため樹脂封止した場合
でもその内部で金属細線および半導体素子にスト
レスがかゝらず高信頼性の半導体装置が得られ
る。また、各リードにも変形作用がないため確実
な金属細線のボンデイングが行える。さらに、ポ
ンチとダイとの曲げ部のクリアランスも大きくと
ることができるためパワーの大きな設備を必要と
せず、簡単な装置で所定の形状、寸法にできるの
で経済的であるなど幾多の利点を有するものであ
る。
ドフレームの枠部と、半導体素子がろう着される
ダイパツド部を連結している宙吊リードを折り曲
げるとともに、宙吊リードの両側を圧延棒により
所定量だけ圧延することにより、宙吊リードには
ほとんど引張力が発生しなくなり、したがつてダ
イパツド部は変形することがないので、所定の形
状、寸法にダイパツドを安定して沈めることがで
きる。そのためダイパツド部に半導体素子をろう
着する場合、ダイパツド部は水平に沈められてい
るので、ヒートブロツク等との接触面積が大き
く、かつ一定となり、ダイパツド部は所定の温度
に安定して上昇することができ、かつ半導体素子
との接触面積も所定寸法となるため確実なろう着
が可能となる。また、折り曲げ後宙吊リードにほ
とんど引張力が発生しないため樹脂封止した場合
でもその内部で金属細線および半導体素子にスト
レスがかゝらず高信頼性の半導体装置が得られ
る。また、各リードにも変形作用がないため確実
な金属細線のボンデイングが行える。さらに、ポ
ンチとダイとの曲げ部のクリアランスも大きくと
ることができるためパワーの大きな設備を必要と
せず、簡単な装置で所定の形状、寸法にできるの
で経済的であるなど幾多の利点を有するものであ
る。
第１図は沈め加工されないダイパツド部に半導
体素子がろう着され、金属細線がボンデイングさ
れたリードフレームの平面図、第２図は樹脂封止
された半導体装置の外観斜視図、第３図は第１図
のＡ―Ａ断面図、第４図は第３図のダイパツド部
が沈められた場合の断面図、第５図は宙吊リード
を折り曲げ、ダイパツド部を沈めたリードフレー
ムの部分斜視図、第６図は従来のダイパツド部の
沈め工具の一例を示す正面図、第７図は第６図の
Ｂ―Ｂ断面図、第８図は従来の沈め工具で沈めら
れたダイパツド部および宙吊リードの変形を説明
するたの断面図、第９図はこの発明に用いられる
ダイパツド部の沈め工具の一実施例を示す正面
図、第１０図は第９図のＣ―Ｃ断面図である。 図中、１はリードフレーム、２は枠部、３は宙
吊リード、４はダイパツド部、５は半導体素子、
６はリード、７は金属細線、８はダイバー、１２
はポンチ、１３はダイ、１４は圧延棒である。な
お、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
体素子がろう着され、金属細線がボンデイングさ
れたリードフレームの平面図、第２図は樹脂封止
された半導体装置の外観斜視図、第３図は第１図
のＡ―Ａ断面図、第４図は第３図のダイパツド部
が沈められた場合の断面図、第５図は宙吊リード
を折り曲げ、ダイパツド部を沈めたリードフレー
ムの部分斜視図、第６図は従来のダイパツド部の
沈め工具の一例を示す正面図、第７図は第６図の
Ｂ―Ｂ断面図、第８図は従来の沈め工具で沈めら
れたダイパツド部および宙吊リードの変形を説明
するたの断面図、第９図はこの発明に用いられる
ダイパツド部の沈め工具の一実施例を示す正面
図、第１０図は第９図のＣ―Ｃ断面図である。 図中、１はリードフレーム、２は枠部、３は宙
吊リード、４はダイパツド部、５は半導体素子、
６はリード、７は金属細線、８はダイバー、１２
はポンチ、１３はダイ、１４は圧延棒である。な
お、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ リードフレームを構成する枠体に連結された
複数の宙吊リードによつて複数箇所で支持された
ダイパツド部に半導体素子をろう着してなる半導
体装置の製造方法において、前記半導体素子をろ
う着する工程以前に、前記ダイパツド部を前記半
導体素子と金属細線により電気的に接続するため
の各リード部分より所定量沈める前記各宙吊リー
ドの折曲げ工程と、前記各宙吊リードの少なくと
も一部に前記ダイパツド部を沈めるに必要な延び
を与える圧延工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8578578A JPS5512764A (en) | 1978-07-13 | 1978-07-13 | Semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8578578A JPS5512764A (en) | 1978-07-13 | 1978-07-13 | Semiconductor device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5512764A JPS5512764A (en) | 1980-01-29 |
| JPS6210019B2 true JPS6210019B2 (ja) | 1987-03-04 |
Family
ID=13868531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8578578A Granted JPS5512764A (en) | 1978-07-13 | 1978-07-13 | Semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5512764A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189957A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH061797B2 (ja) * | 1986-02-19 | 1994-01-05 | 住友金属鉱山株式会社 | リードフレームの製造方法 |
| JPH05144992A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に使用されるリードフレームおよびその製造方法 |
-
1978
- 1978-07-13 JP JP8578578A patent/JPS5512764A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5512764A (en) | 1980-01-29 |
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