JPS63232332A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JPS63232332A JPS63232332A JP62063980A JP6398087A JPS63232332A JP S63232332 A JPS63232332 A JP S63232332A JP 62063980 A JP62063980 A JP 62063980A JP 6398087 A JP6398087 A JP 6398087A JP S63232332 A JPS63232332 A JP S63232332A
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- JP
- Japan
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- resist
- wafer
- lamp
- light
- semiconductor wafer
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体クエへに塗布されたレジストの処理
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と処理台を用いた
レジスト処理方法に関するものである。
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と処理台を用いた
レジスト処理方法に関するものである。
［従来の技術］
半導体素子製造工程において、レジストパターンの形成
は大きく分けるとレジスト塗布、ブレベーク、露光、現
像、ボストベークの順に行われる。この後、このレジス
トパターンを用いて、イオン注入、あるいはレジスト塗
布前に予め半導体クエへ表面に形成されたシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、アルミニウムｐＪ膜等のエツチン
グ等が行われる。これらの工程の後にレジストが除去さ
れる。
は大きく分けるとレジスト塗布、ブレベーク、露光、現
像、ボストベークの順に行われる。この後、このレジス
トパターンを用いて、イオン注入、あるいはレジスト塗
布前に予め半導体クエへ表面に形成されたシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、アルミニウムｐＪ膜等のエツチン
グ等が行われる。これらの工程の後にレジストが除去さ
れる。
近年半導体素子の高集積化、微細化等に伴い、レジスト
がより高分解能のものが使われるようになっているが、
この場合レジストの耐熱性か悪くなる傾向にある。さら
にまた、エツチング時のレジストの劣化（ｇｉへり等）
が問題となっている。
がより高分解能のものが使われるようになっているが、
この場合レジストの耐熱性か悪くなる傾向にある。さら
にまた、エツチング時のレジストの劣化（ｇｉへり等）
が問題となっている。
レジストの耐熱性、耐エツチング性を高める方法として
、ボストベークにおいて段階的に温度を上げ充分な時間
加熱処理する方法や、現像後あるいはボストベーク時に
レタスｌ−パターンに紫外線を照射する方法が検討され
ている。しかし、前者の方法では充分な耐熱性、耐エツ
チング性が得られず、また、処理時間が大幅に長くなる
という欠点がある。後者の方法では低圧水銀灯のように
主として紫外線のみを発光するランプを用いた場合、強
度が弱く処理時間がかかり、充分な耐エツチング性が得
られないなどの欠点かあった。さらに後者の方法におい
て、より強力な紫外線を発光する高圧水銀灯のようなラ
ンプを用いた場合は処理時間は短くなるが、全体の放射
光の強度が強いため照射時にウェハ温度が上がりすぎて
、レジストパターンが劣化するという欠点があった。
、ボストベークにおいて段階的に温度を上げ充分な時間
加熱処理する方法や、現像後あるいはボストベーク時に
レタスｌ−パターンに紫外線を照射する方法が検討され
ている。しかし、前者の方法では充分な耐熱性、耐エツ
チング性が得られず、また、処理時間が大幅に長くなる
という欠点がある。後者の方法では低圧水銀灯のように
主として紫外線のみを発光するランプを用いた場合、強
度が弱く処理時間がかかり、充分な耐エツチング性が得
られないなどの欠点かあった。さらに後者の方法におい
て、より強力な紫外線を発光する高圧水銀灯のようなラ
ンプを用いた場合は処理時間は短くなるが、全体の放射
光の強度が強いため照射時にウェハ温度が上がりすぎて
、レジストパターンが劣化するという欠点があった。
［発明が解決しようとする問題点］
このように、従来のレジスト処理方法においては、現像
後あるいはボストベーク時に紫外線照射により耐熱性、
耐エツチング性の若干の改良を達成することができたに
しても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半導
体ウェハの温度か上がり、レジストパターンが劣化する
という問題かあった。
後あるいはボストベーク時に紫外線照射により耐熱性、
耐エツチング性の若干の改良を達成することができたに
しても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半導
体ウェハの温度か上がり、レジストパターンが劣化する
という問題かあった。
この発明は、こうした問題点に鑑みて１強力な紫外線を
含む高圧水銀灯等のランプからの放射光が照射される時
は、半導体ウェハをウェハ処理台に載置された状態とし
、レジストの耐熱温度以上にウェハ温度が上昇すること
を防止し、かつ高速に効果的にレジスト処理を行うこと
を目的とするものである。
含む高圧水銀灯等のランプからの放射光が照射される時
は、半導体ウェハをウェハ処理台に載置された状態とし
、レジストの耐熱温度以上にウェハ温度が上昇すること
を防止し、かつ高速に効果的にレジスト処理を行うこと
を目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
この目的を達成するために、この発明では、ウェハ処理
台上で、半導体クエへに塗布されたレジストを、３５０
ｎｓ以下の短波長を含むランプの放射光で照射するにあ
たり、減圧雰囲気中において、ウェハが処理台上にｔａ
されている間、放射光がウェハを照射し、かつウェハを
ランプからの放射光により加熱すると共にウェハの加熱
速度を制御する。
台上で、半導体クエへに塗布されたレジストを、３５０
ｎｓ以下の短波長を含むランプの放射光で照射するにあ
たり、減圧雰囲気中において、ウェハが処理台上にｔａ
されている間、放射光がウェハを照射し、かつウェハを
ランプからの放射光により加熱すると共にウェハの加熱
速度を制御する。
［作用］
このようにすると、レジストがランプからの放射光によ
っても加熱されるため、紫外線放射によるレジスト処理
に要する時間を短縮し、レジスト処理地力をアウプする
ことが可能となる。さらに、ウェハの加熱速度を制御す
ることによりウェハ温度かレジストの耐熱温度以上に上
昇することが阻止される。
っても加熱されるため、紫外線放射によるレジスト処理
に要する時間を短縮し、レジスト処理地力をアウプする
ことが可能となる。さらに、ウェハの加熱速度を制御す
ることによりウェハ温度かレジストの耐熱温度以上に上
昇することが阻止される。
［実施例］
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６はヒータ１０により加熱され、冷却孔１１に冷却水
を流すことにより冷却される。照射部は高圧水銀灯１．
凹面ミラー２゜シャッター３から構成されており、高圧
水銀灯ｌの放射光は、凹面ミラー２によりシャクター３
及び照射′Ｉ！ｉ８を介して、半導体ウェハ５及び塗布
されたレジスト４上に照射される。
を説明するためのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６はヒータ１０により加熱され、冷却孔１１に冷却水
を流すことにより冷却される。照射部は高圧水銀灯１．
凹面ミラー２゜シャッター３から構成されており、高圧
水銀灯ｌの放射光は、凹面ミラー２によりシャクター３
及び照射′Ｉ！ｉ８を介して、半導体ウェハ５及び塗布
されたレジスト４上に照射される。
次に、このレジスト処理装置を用いてレジスト処理する
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台上に＠置する。処理
室７は、半導体ウェハ５をウェハ処理台６上にＪ！置す
る前に、排気口１２から真空ポンプ（図示略）により排
気して減圧にするか、もしくは上記載置した直後に同様
にして排気して減圧にする。そして、半導体ウェハ５が
ウェハ処理台６に載置された状態でシャッター３を開き
、レジスト４に高圧水銀灯ｌから発光された放射光を照
射する。この状態において、ウェハ処理台をヒータによ
り加熱、あるいは冷却孔に冷却水を流して冷却し、ウェ
ハ処理台の温度を制御し、これによりウェハ処理台にａ
Ｘされた半導体ウェハ温度をも制御する。
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台上に＠置する。処理
室７は、半導体ウェハ５をウェハ処理台６上にＪ！置す
る前に、排気口１２から真空ポンプ（図示略）により排
気して減圧にするか、もしくは上記載置した直後に同様
にして排気して減圧にする。そして、半導体ウェハ５が
ウェハ処理台６に載置された状態でシャッター３を開き
、レジスト４に高圧水銀灯ｌから発光された放射光を照
射する。この状態において、ウェハ処理台をヒータによ
り加熱、あるいは冷却孔に冷却水を流して冷却し、ウェ
ハ処理台の温度を制御し、これによりウェハ処理台にａ
Ｘされた半導体ウェハ温度をも制御する。
また、ウェハの加熱速度を制御するには、ウェハ処理台
６の厚みを変えることによっても可能である。ウェハ処
理台６の厚みを変える方法としては、ウェハ処理台６を
厚みの異なるもので置き換える方法、あるいはウェハ処
理台６に金属板を付加する方法が適当である。
６の厚みを変えることによっても可能である。ウェハ処
理台６の厚みを変える方法としては、ウェハ処理台６を
厚みの異なるもので置き換える方法、あるいはウェハ処
理台６に金属板を付加する方法が適当である。
このようにして、紫外線′処理された半導体ウェハ５を
ウェハ処理台６上から取り去り、新たな半導体ウェハを
ウェハ処理台６上に−ａｉして、以下同様にレジスト処
理を行う。
ウェハ処理台６上から取り去り、新たな半導体ウェハを
ウェハ処理台６上に−ａｉして、以下同様にレジスト処
理を行う。
尚１本発明の処理方法である減圧雰囲気中での処理をし
た場合の処理時間は、大気圧中で同様の処理をした場合
の約１１５で済み、非常に大きな効果が得られる。
た場合の処理時間は、大気圧中で同様の処理をした場合
の約１１５で済み、非常に大きな効果が得られる。
また、以上の実施例ではシャッターを用いて照射のオン
・オフを行ったが、シャッターを用いる代りに高圧水銀
灯のオン・オフによって照射のオン・オフを行ってもよ
いことは言うまでもない。
・オフを行ったが、シャッターを用いる代りに高圧水銀
灯のオン・オフによって照射のオン・オフを行ってもよ
いことは言うまでもない。
また、照射する放射光の波長域を選択するために、凹面
ミラーのほかにフィルタを設けることも可能である。
ミラーのほかにフィルタを設けることも可能である。
また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫外線を放
射するものであればよく、水銀の外に、他の金属なハラ
イド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
射するものであればよく、水銀の外に、他の金属なハラ
イド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、強
力な紫外線を含む放射光を発光するランプを用い、減圧
雰囲気中にてランプからの放射光によって半導体ウェハ
を加熱することにより、紫外線照射によるレジスト処理
に要する時間を短縮できるばかりでなく、レジストの耐
熱性、耐エツチング性の向丘が可能となるので、その後
の工程におけるレジスト膜のいたみを減少することがで
きる等、レジスト処理を効果的に行うことか可１走とな
る。
力な紫外線を含む放射光を発光するランプを用い、減圧
雰囲気中にてランプからの放射光によって半導体ウェハ
を加熱することにより、紫外線照射によるレジスト処理
に要する時間を短縮できるばかりでなく、レジストの耐
熱性、耐エツチング性の向丘が可能となるので、その後
の工程におけるレジスト膜のいたみを減少することがで
きる等、レジスト処理を効果的に行うことか可１走とな
る。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の−・実施
例を説明するためのレジスト処理装置である。 図中。
例を説明するためのレジスト処理装置である。 図中。
Claims (3)
- （１）ウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布されたレ
ジストを、３５０ｎｍ以下の短波長を含むランプによる
放射光で照射処理するにあたり、減圧雰囲気中において
、半導体ウェハがウェハ処理台上に載置されている間は
、ランプからの放射光により半導体ウェハを加熱すると
共に、半導体ウェハの加熱速度を制御することを特徴と
するレジスト処理方法。 - （２）ウェハ処理台の厚みを変えることにより加熱速度
を制御することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載のレジスト処理方法。 - （３）ウェハ処理台に加熱機構及び冷却機構を付加した
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のレジ
スト処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62063980A JPS63232332A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジスト処理方法 |
| EP88101169A EP0282704A3 (en) | 1987-03-20 | 1988-01-27 | Method of treating photoresists |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62063980A JPS63232332A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジスト処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232332A true JPS63232332A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13244939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62063980A Pending JPS63232332A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジスト処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0282704A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63232332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016724A1 (fr) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Dispositif de traitement de reserve, procede de traitement de reserve et structure de reserve |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234529A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPH0740547B2 (ja) * | 1987-03-24 | 1995-05-01 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58218126A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | リフトオフ加工用真空蒸着装置およびその使用方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0721643B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1995-03-08 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
| JPS62215265A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-21 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62063980A patent/JPS63232332A/ja active Pending
-
1988
- 1988-01-27 EP EP88101169A patent/EP0282704A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58218126A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | リフトオフ加工用真空蒸着装置およびその使用方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016724A1 (fr) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Dispositif de traitement de reserve, procede de traitement de reserve et structure de reserve |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0282704A3 (en) | 1989-05-10 |
| EP0282704A2 (en) | 1988-09-21 |
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