JPS62101031A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS62101031A JPS62101031A JP24203185A JP24203185A JPS62101031A JP S62101031 A JPS62101031 A JP S62101031A JP 24203185 A JP24203185 A JP 24203185A JP 24203185 A JP24203185 A JP 24203185A JP S62101031 A JPS62101031 A JP S62101031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- check pattern
- integrated circuit
- single crystal
- crystal surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体分離構造を有する集積回路の作成にさい
し単結晶面を研摩するさいの研摩精度を出すチェックパ
ターンに関する。
し単結晶面を研摩するさいの研摩精度を出すチェックパ
ターンに関する。
従来この種のチェックパターンは第３図のごとく複数の
深さの異なった溝を作り、研摩中に現われた溝の数、大
きさをチェックし何着状態を監視していた。
深さの異なった溝を作り、研摩中に現われた溝の数、大
きさをチェックし何着状態を監視していた。
上述した従来のチェックパターンは、複数の深さの異な
った溝を作成するため、全体のチェックパターンの示め
る面積が広くなり、チップが小型化していくなかでチェ
ックパターンの承る位置が広くなりウェハー内での不要
面積が大きくなった。
った溝を作成するため、全体のチェックパターンの示め
る面積が広くなり、チップが小型化していくなかでチェ
ックパターンの承る位置が広くなりウェハー内での不要
面積が大きくなった。
また複数の深さの異なった溝を作成するため、この溝自
身の歩留シも悪く、さらにウェハー上での上下左右の研
摩ずれ（ソリ）が明確でなかったという欠点があった。
身の歩留シも悪く、さらにウェハー上での上下左右の研
摩ずれ（ソリ）が明確でなかったという欠点があった。
本発明のチェックパターンは形状をＬ形又は十形にする
ことにより従来複数の深さの異なったものを用いていた
ものが、１個のパターンで行なうことが出来、またＬ形
、＋型の各辺の縦、横の長さと幅を測定することによシ
研摩の深さ、ウェハーの研摩ずれ（ソリ）をチェックす
ることが出来る。
ことにより従来複数の深さの異なったものを用いていた
ものが、１個のパターンで行なうことが出来、またＬ形
、＋型の各辺の縦、横の長さと幅を測定することによシ
研摩の深さ、ウェハーの研摩ずれ（ソリ）をチェックす
ることが出来る。
そのためチェックパターンの占る面積を少くなく出来る
と同時に歩留りの向上を実施することが出来る。
と同時に歩留りの向上を実施することが出来る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例ではＬ形、第２図は＋型の研摩
チェックパターンの上面図であシ、第３図、第４図は第
１図、第２図のＡ−Ａ’断面図である。第５図は従来の
研摩チェックパターンの上面図であシ、第４図は第３図
のＡ−Ａ’の断面図である。
チェックパターンの上面図であシ、第３図、第４図は第
１図、第２図のＡ−Ａ’断面図である。第５図は従来の
研摩チェックパターンの上面図であシ、第４図は第３図
のＡ−Ａ’の断面図である。
単結晶面の研摩工程において、第３，４図、第６図の４
の研摩範囲を研摩することによシ第１図、第２図、第５
図の点線が研摩面に表われる。従来は第５図の点線のご
とくこの表われた溝の数により研摩寸法をチェックして
いた。そのため溝の深さの異なったパターンを複数作ら
なければならず全体のチェックパターンの示める面積が
広くなりまたパターンを複数作ることから製造上歩留り
が下がった。
の研摩範囲を研摩することによシ第１図、第２図、第５
図の点線が研摩面に表われる。従来は第５図の点線のご
とくこの表われた溝の数により研摩寸法をチェックして
いた。そのため溝の深さの異なったパターンを複数作ら
なければならず全体のチェックパターンの示める面積が
広くなりまたパターンを複数作ることから製造上歩留り
が下がった。
本発明は第１図又は第２図のパターンを１個おくだけで
よく、研摩によって表われた第１図又は第２図の点線の
波形のＬ１〜Ｌ４をチェックするだけでよくこの寸法に
よシ研摩寸法を監視することが出来る。
よく、研摩によって表われた第１図又は第２図の点線の
波形のＬ１〜Ｌ４をチェックするだけでよくこの寸法に
よシ研摩寸法を監視することが出来る。
また第７図のととぐウェハー上数ケ所に第１図の研摩チ
ェックパターンを挿入し、研摩後に表われた各個所の研
摩チェックパターンＬ形又は＋型の形状が非対称でなく
正しく各辺が均等に出来ているか、又各辺のＬｌ−Ｌ、
の寸法を測定することによりウェハー全体の研摩ずれ（
ソリ）を知ることが出来る。
ェックパターンを挿入し、研摩後に表われた各個所の研
摩チェックパターンＬ形又は＋型の形状が非対称でなく
正しく各辺が均等に出来ているか、又各辺のＬｌ−Ｌ、
の寸法を測定することによりウェハー全体の研摩ずれ（
ソリ）を知ることが出来る。
以上説明したように本発明は誘電体分離構造を有する集
積回路の基板作成にさいし単結晶面の研摩工程において
使用する研摩チェックパターンＫＬ形又は十形形状を使
用することによりチェックパターンの占める面積を少な
くすることが出来、またウェハーの歩留りの向上を実施
することが出来る。
積回路の基板作成にさいし単結晶面の研摩工程において
使用する研摩チェックパターンＫＬ形又は十形形状を使
用することによりチェックパターンの占める面積を少な
くすることが出来、またウェハーの歩留りの向上を実施
することが出来る。
第１図は本発明のチェックパターンの一実施例の上面図
、第２図は本発明のチェックパターンの別の一実施例の
上面図、第３図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第４図は
第２図のＡ−Ａ’線断面図、第５図は従来のチェックパ
ターンの上面図、第６図は第３図のＡ−Ａ’線断面図、
第７図はウェハー上に挿入したチェックパターンの一実
施例を示す図である。 １・・・・・・研摩チェックパターン上面形状、２・・
・・・・研摩チェックパター／研摩面形状、３・・・・
・・ウェハー単結晶面、４・・・・・・単結晶面研摩範
囲、５・・・・・・チェックパターン実装位置、Ｌ１〜
Ｌ４・・・・・・研摩面に表われたチェックパターン寸
法。 第３ 図 茅４ 図 井 タ 回 茅 ど 図 茅 ７ 固
、第２図は本発明のチェックパターンの別の一実施例の
上面図、第３図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第４図は
第２図のＡ−Ａ’線断面図、第５図は従来のチェックパ
ターンの上面図、第６図は第３図のＡ−Ａ’線断面図、
第７図はウェハー上に挿入したチェックパターンの一実
施例を示す図である。 １・・・・・・研摩チェックパターン上面形状、２・・
・・・・研摩チェックパター／研摩面形状、３・・・・
・・ウェハー単結晶面、４・・・・・・単結晶面研摩範
囲、５・・・・・・チェックパターン実装位置、Ｌ１〜
Ｌ４・・・・・・研摩面に表われたチェックパターン寸
法。 第３ 図 茅４ 図 井 タ 回 茅 ど 図 茅 ７ 固
Claims (1)
- 誘電体分離構造を有する集積回路の基板作成にさいし単
結晶面の研摩工程において研摩方法のチェック用として
Ｌ形又は＋型の形状のチェックパターンを設けることを
特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203185A JPS62101031A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203185A JPS62101031A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101031A true JPS62101031A (ja) | 1987-05-11 |
Family
ID=17083239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24203185A Pending JPS62101031A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101031A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0361331U (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-17 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24203185A patent/JPS62101031A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0361331U (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-17 |
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