JPS62102247A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ１ｔｌＪｓ　　ｒ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光なとの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デソタル画像情報を画像として記録する方法として、ｒ
ノタル画像情報に応じて変調したレーデ−光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行ない、画像を記録する方法が知られてお
シ、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザー６るいは半
導体レーデ−（通常は６５０〜８２０ｎｍ　の発光波長
を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である
。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の間舶が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−３ｉｊ　　と略記する
）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容ｎＩ
ＩＩを単Ｍ構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を
保持しつつ、電子写真用として要求される１０１３−　
以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロダン原子
、或いはこれ等に加えてゲロ／原子とを特定の量範囲で
層中に制御され丸形で構造的に含有させる必要性がアシ
、ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロール
することが要求される等、光受容部材の設計についての
許容度に可成υの制限がある。そしてそうした設計上の
許容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光
感度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案が
なされている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２　号公報にみられるように光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容
層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたフして、
見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている
。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
デ−記録を行う場合、レーデ−光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）よｐ反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合ＶＣあって
は、識別性の著しく劣った陽画像を与えるところとなる
。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなシ、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（鳳）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００Ａ鑵１ｏｏｏｏｘの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中に
カーヴ７、着色顔料、染料を分散したシして光ａ収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参
照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したシ、サン−プラストによシ砂目状の微細凹
凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を設
ける方法（例えば４？開昭５７−１６５５４号公報参照
）等が提案され工いる。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全く解消する罠十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してし１うことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｔＭを形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、網
脂層がａ−３ム鳩形成の際のグラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後の１−８１層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれは
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となシ、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれＫしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するＫついて、光受容
層内部での多重反射が起らないように１支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１−１１表面での反射光、第２
層での反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体表
面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止するこ
とは不可能である。

又、ｔ／ドブ２スト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてパラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的プレークダクンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になシ、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなフ、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ　−Ｓｉで構成された光受容層を
有する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各
種要求を満たすものにすることを目的とするものである
。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定してお夛、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する　ａ　　Ｓｉで構成された光
受容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い、ａ−
８４で構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のｌケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る。ａ−８１で構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究ｔ−重
ねた結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明
を完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ｒルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種とを含有する非晶質材料で構成された第一の層と、シ
リコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構
成された第二の層とを有する光受容層を備えた光受容部
材であって、前記支持体の表面が複数の球状痕跡径みに
よる凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微
小な複数の凹凸形状を有していることを骨子とする光受
容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得７ヒ知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡ａみによる
凹凸を設け、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を設けることにより、画像形成時に現われる
干渉縞模様の問題が著しく解消されるというものである
。

この知見は、本発明者らが試みた６攬の実験によシ得た
事実関係に基づくものである。

このとζろを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００　ｏ層！Ｓ成
を示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な
複数の凹凸形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の
傾斜面に沿って、第一０層１０２及び第二の層１０３と
からなる光受容層を備えた光受容部材を示している。

第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に１多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。読図において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第一
の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図に
示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単に
規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面
の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係
をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一０層３０１
と、第二０層３０２との２つの１からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような開−
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ１と自由表面での反射光電とは方向が一致し、第二の
層の層淳に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、凌数の球状痕跡窪みＫよる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容部
材の一部を拡大して示した図である。読図において、２
０１は第一の層、２０２は第二の層、２０３は自由表面
、２０４は第一の１と第二の層との界面をそれぞれ示し
ている。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小
な球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体
上に設けられる光受容１Ｑは、該凹凸形状に沿って堆積
するため、第一の層２０１と第二のＮ２Ｏ２との界面２
０４、及び自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の
凹凸形状に沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成
される。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率を
Ｒ１、自由表面にｔｉｔ成される球状痕跡窪みの曲率を
Ｒはすると、Ｒ１とＲ８とはＲ１＼Ｒ２となるため、界
面２０４での反射光と、自由表面２０３での反射光とは
、各々異なる反射角度を有し、即ち、第２図における０
１、θ、がθ、＼θ、であって、方向が異なるうえ、第
２図に示すｌいＲ８，１，を用いてｌｌ＋ｌ。

ｌｓで表わされるところの波長のずれも一定とはならず
に変化するため、いわゆるニュートンリ／グ現象に相当
するシェアリング干渉が生起し、干渉縞は毬み内で分散
されるところとなる。

これにより、こうした光受容部材を介して現出される画
像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されていたとして
も、それらは視覚にはとられられない程度のものとなる
。

部ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を２ａ適した光が、層界面及び支持体
表面で反射し、それらが干渉することにより、形成され
る画像が縞模様となることを効率的に防止し、’＆ｉｔ
だ画像を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部を拡大した図である。

第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡窪み４０１内の表面の一部分乃至全
体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されてい
る。この様な文に微小な凹凸乃至凹凸群４０２を設けた
場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効果に
加えて、該微小凹凸４０２による散乱効果かも九らされ
て、これにより干渉縞模様の発生がよシ一層確実に防止
される。

ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面を：）／ダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞
模様の発生を防止していた。

しかし、この様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばか夛でなく、画像転写後のクリー
二／グにおいて、例えばブレードを用いてクリー二／グ
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
プレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたシ、ク
リー二／グ性が悪く、また、光受容層の凸部とグレード
表面の摩耗が大きくなり、結果的に両者の耐久性がよく
なく問題がある。

これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、りＩＪ　−ユング時において、グレー
ドが光受容層の凹部に接触するということがなくなり、
グレードや光受容層表面に大きな負荷がかからないとい
う利点も有している。

さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効果を効
率的に得るについて重要でおる。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。

即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅ｔ−
Ｄとした場合、次式： を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：ｔ−満足する場合には、各ｑの
痕跡窪み内にシェアリング干渉によるニュートンリング
が１本以上存在することとなる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記πを０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

というのは、πが０．５より大きくなると、窪みの幅り
が相対的に大きくな夛、画像ムラ等を派生し易い状況と
なるためでおる。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００１Ｉｍ以下、よシ好ましく
は１１００ｐ以下とするのが望ましい。Ｄが５００μｍ
を超えると、画像ム２を派生しやすくなるとともに、解
像力をこえてしまうおそれがあり、こうした場合には、
効率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。

球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さγｇは、０．５〜２０μｍ　の
範囲であることが好ましい。γ謳が０．５．ａｍ以下で
おる場合には散乱効果が十分に得られず、また、２０１
１ｍｔ−こえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比較して
、球状痕跡窪み内の微小凹凸が太きくなυすぎ、痕跡窪
みが球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の発生を
防止する効果が充分に得られなくなる。また、こうした
支持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長するこ
とともなシ、画像欠陥を生じやすくなるため、好ましく
ない。

上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される本
発明の光受容部材の光受容層は、第−の層と第二の層と
からなシ、該第−の層は、シリコン原子とｒルマニウム
原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方と、酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種と、好ましくはさらに水素原子（Ｈ）又はノ・ログン
原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方とを含有するアモ
ルファス材料〔以下、「ａ−Ｊ（Ｇｅ、５ｎ）（０，Ｃ
，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊ　　と表記する。〕で構成され、 さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめ
ることができる。そして、該第−の層は、多層構造を有
することもあり、特に好ましくは伝導性を制御する物質
を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つとして有する
か、または／及び、障壁層を構成層の１つとして有する
ものである。

また、前記第二のＮは、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と
、好ましくはさらに水素原子（、Ｈ）及びハロダン鳳子
（Ｘ）の少なくともいずれか一方とを含有するアモルフ
ァス材料〔以下、ｒ　ａ−８ｌ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ
）Ｊ　　と表記する。〕で構成される。

本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、そのｊ−厚
を光学的レベルで正確に制御する必要があることから、
グロー放電法、スパッタリング法、イオングレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、図示の実施例にし九がって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１ｏ４は自由表面を示している。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材ＶＣ要求される解偉力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもの
であシ、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な複数の
凹凸が形成されているものである。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該球状
痕跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示してい
る。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもめ５．４０３’は、表
面に微小な凹凸形状４０４′を有する剛体球を示してお
り、該剛体球４０３′を支持体表面４０２より所定高さ
の位置より自然落下させて支持体表面４０２に衝突させ
ることにより、窪み内に微小な凹凸形状４０４を有する
、球状痕跡窪みＫよる凹凸形状４０３を形成しうろこと
を示している。そして、ほぼ同一径にの剛体球４０３′
を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同時あるい
は遂時、落下させることＫよシ、支持体表面４０２に、
はソ同一の曲率Ｒ及びはｙ同一の幅りを有する複数の球
状痕跡窪み４０３を形成することができる。

第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。該図において、５０１は支持体、
５０２は支持体表面、５０３は、窪み内に複数の更に微
小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図にお
いては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の凹
凸形状は図示′していないが、球状痕跡窪み５０３内に
は各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする。）
、５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球（同
様にして、表面の微小な凹凸形状は図示していないが、
剛体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているものと
する。）をそれぞれ示している。

第５（４）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３′、
５０３’、・・・をほぼ同一の高さよシ規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
５０３．５０３、−・・を互いに重複し′　合うように
密に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものであ
る。なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５０３
、・・・を形成するには、球体５０３′の支持体表面５
０２への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３’
、５０３’、・・・を自然落下せしめる必要のあること
はいうまでもない。

また、第５（６）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３’、５０３’、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面
５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０３
．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生じせ
しめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したも
のである。

更に、第５　（０図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３’、５０３’、・・・をほぼ
同一の高さよシネ規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び
複数種の幅を有する複数の窪み５０３、５０３、・・・
を互いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸
を形成したものである。

以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛体
球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及び
大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均曲率
及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕跡
窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度で
形成することができる。即ち、上記諸条件を選択するこ
とにより、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸の高
さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の凹部に形成され
る更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチ等を
、目的に応じて自在に調節することが可能であり、所望
の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。

ぞして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにょシ切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みによシ形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎ１（ｊ。

ステンレス、ｋｌ、　Ｏｒ％Ｍｏ、　Ａｕ％Ｎｂ、Ｔａ
。

Ｖ、　ＴＩ、ｐｔ、　ｐｂ　　等の金属又はとれ等の合
金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ホリエテレ
ン、ホリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
グロピレ／、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受答層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ。

ＡＪ％Ｃｒ、　ＭＯｌＡｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ％
Ｖ、　’ｌ’＋、ｐｔ、　ｐｄ。

Ｉｎ、Ｏ８，５ｎｏｆｆｉ、　ＩＴＯ（Ｉｎ、Ｑ、＋ｓ
ｎｏ、）等から成る薄膜を設けることによって導電性を
付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｌＣｒ、　Ａ／％Ａｇ％Ｐｂ％Ｚｎ、
　Ｎｌ、　’Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ％ＩｆＳＮｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔ６’、　ＰＩ等の金属の薄膜ヲ真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状であることができるが、用途
、所望によって、その形状は適宜に決めることのでさる
ものである。例えば、第１図の光受容部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば、連続高速
複写の場合には、無為ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様
に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６囚図及び第６の）図を用いて説明するが、本
発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ケートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、（Ｊ３）図に示した製造装ｍを用いて、支持体表
面に凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状全形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、グラス
チック等の各種剛体球を挙けることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が望ましい。そしてそうした剛体球の硬度は
、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度よシ
も高いものであることが望ましい。

本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各ａ剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要がわり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンゲス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することにより作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕上げ研ｊ＃等、又は陽極酸化
皮膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸
″４ａ形成、ＣＶＤ法による駒形底などの表面処理を施
して凹凸形状（高さ）、硬度など全適宜調整することが
できる。

第６囚、（８図は、製造装置の一例を説明するための模
式的な断面図である。

図中、６０１は支持体作成用のアルばニウムンリン〆−
であり、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑
度に仕上げられていてもよい。

シリンダー６０１は、回転軸６０２に軸支されており、
モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほぼ軸
芯のまわりで回転ＯＴ能にされている。

６０４は、軸受６０２に軸支され、シリンダー６０１と
同一の方向に回転する回転容器であり、該容器６０４の
内部には、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０５
が収容されている。剛体球６０５は、回転容器６０４の
内壁に設けられている突出した複数のりグ６０６によっ
て担持され、且つ、回転容器６０４０回転によって容器
上部まで輸送される。回転容器の回転速度がある適度の
速度の時に、容器壁について容器上部まで輸送された剛
体球６０５は、シリンダー６０１上に向は落下し、シリ
ンダー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する。

なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を穿っておき、回
転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７より
洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６０１と剛体球
６０５及び回転容器６０４を洗浄しうる様にすることも
できる。このようにした場合、剛体球どうし、又は剛体
球と回転容器との接触等によシ生ずる静電気によって付
着したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すこととな
り、ゴミ等の付着がない所望の支持体を形成することが
できる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むらや液たれ
のないものを用いる必要があり、こうしたことから不揮
発性物質単独、又はトリクロルエタン、トリクロルエチ
レン等の洗浄液との混合物を用いるのが好ましい。

第一の層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に第一０層１０２　を設けるものでメカ５該第−の層は
、シリコン原子とゲルマニウム原子又はスズ原子の少な
くともいずれか一方と、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種と、好ましくはさら
に水素原子又はハロダン原子の少なくともいずれか一方
を含有する非晶質材料で構成され、さらに、該第−の７
１１０２には、必要に応じて伝導性を制御する物質を含
有せしめることが可能である。

第一の層中に含有せしめるハロゲノ原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして、第一の層１０２中に含有せしめる水素原子
（）Ｉ）の盆又はハロｒ／＆子（Ｘ）の量又は水素原子
とハロゲノ原子の量の和（Ｉｉ＋Ｘ）は通常の場合１〜
４０ａｔｃｒｎｌｃ％１好適には５〜３Ｑａｔｏｍｌｃ
％とするのが望ましい。

また、本発明において、第一の層の層厚は、本発明の目
的全効率的に達成するには重要な要因の１つであって、
光受容部材に所望の特性が与えられるように、光受容部
材の設計の際には充分な注意を払う必要があり、通常は
ｌ　−１００μとするが、好ましくは１〜８０μ、より
好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第一の膚にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることによシ、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合に特に顕著である。

本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、第一の層の全層領域に均一な分
布状態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で
含有せしめるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平
行な面方向において均一であり、第一の層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、第
一の鳩の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する膚を設けるか、あるいは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せし
めることか望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
全極端に大きくすることにより、半導体レーデ−等の長
波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に近
い構成層又Ｆｉ場領域においては殆んど吸収しきれない
長波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層
領域において実質的に完全に吸収されるため、支持体表
面からの反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の第一の鳩にはゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せしめること
もでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分布せしめ
ることもできるが、以下、層厚方向の分布状態の典型的
な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例として、第７
乃至１５図により説明する。

第７図乃至第１５１．１において、横軸はゲルマニウム
原子の分布張度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、
ｔＢは支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔＴは支持
体側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち
、ゲルマニウム原子の含有される第一の層はｔ、側より
ｔＴ側に向って〜形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示は七の１１の値
で示すと各々の−の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しておりこれらの図はあくまでも理解を容易にす
るための説明のだめの模式的なものである。

第７図には、第一の層中に含有されるケ゛ルマニクム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層が形成される支持体表面と第一の鳩とが接す
る界面位置ｔＢより電、の位ｔまでは、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃが良度ＣＩなる一定の値を取シ乍らゲル
マニウム原子が第一の層に含有され、位置１．よりは濃
度Ｃ８より界′１ｌｋ１位ｆｌｌｉｔｔに至るまで徐々
に）！！α的に減少されている。位＆１１においてはダ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である。

） 第８図に示される例においては、含有されるケ゛ルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｉｓよシ位ｆｉ！Ｌｔｔに
至るまで良度Ｃ８から徐々に連続的の減少して位ｋｔＴ
において備度Ｃヨなる様な分布状態を形成している。

第９図の場合には、位置ｔａより位置ｔ！　までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１と一定位飯とさ
れ、位ｉｔｓと位置ｔｙ　　との間において、徐々に連
続的に減少され、位ｆｌｉｔにおいて、分布張度Ｃは実
質的に零とされている。

第１Ｏ図の場合には、ゲルマニウム原子の分布良度Ｃは
位ｆｔＥよ多位置ｔ７に至るまで、一度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位籠宜、よりは急速に連続的に
減少されて位ｆｉｔにおい１実質的に零とされている。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１と位置１４間においては、濃度Ｃ１と一
定値であり、位置ｔｙに於ては分布濃度Ｃは零とされる
。位置−と立置ＩＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的にｌ１ｆ１．より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第１２図に示さ九る例においては、分布濃度Ｃは位＊ｔ
ａよυ位置ｔ、まではａ度Ｃ８の一定値を取９、位［１
ｓよシ位瀘重〒までは濃度Ｃ０より鏝度Ｃ１゜まで−次
ＩＡ数的に減少する分布状態とされている。

第１３図に示す例においては、位ｋｔａより位置ｔ！に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布一度ＣはＱ度Ｃｔｔ
より一次関数的に減少されて、零に至っている。

Ｊ　１　、ｓ　Ｌｌｃオイテハ、位ｔＩ！１ｔＢｊ　リ
位ａｔ　ｔ、　Ｋ至るまではゲルマニウム原子の分布８
１度Ｃは、一度Ｃｔｔよりａ度Ｃ１ｍまで一次関数的に
減少され、位ｔｉ　ｔ、と位ｆｉｌｌＴとの間において
は、濃度Ｃ１ｍの一定値とされた例が示されている。

第１５図に示される例において、グルマニ’７ム原子の
分布濃度Ｃは、位置１９において＠度ＣＩＡであシ、位
ｔｔｖに至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆつくシ
と減少され、”ｔの位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ、では濃度ＣＩＳとされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位ｍ　ｔ
ａで濃度Ｃ１゜となシ、位置ｔ、と位置ｔ９との間では
、徐々に減少されて位置ｔ、において、濃度Ｃ□に至る
。位置ｔ、と位ｔｔｔとの間においては濃度Ｃ４よシ実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以上、第７図乃至第１５図によシ、第一の層中に含有さ
れるｒルマニクム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の
分布状態の典型例の幾つかを説明し九様に、本発明の光
受容部材においては、支持体側において、ｒルマニクム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、端面ｔｔｌｉｔｌにおいては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に比べてかなシ低くされた部分を有するｒルマニク
ム原子又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設け
られているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは上述した様に支持体側の方にｒルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
より５μ５μに設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢよυ５ｐ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中に含有されるｒルマニワム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又Ｆｉ／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘ
　　がシリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａ
ｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上、よシ好適に＃１５０００　ａ
ｔｏｍ（ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ０’ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態とな９％る様に
膚形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ｒルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の膚は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃ＋ｎａｘ　が存在する様に形成され
るのが好ましいものである。

本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るｒルマニウム原子又は／′及びスズ原子の含有量は、
本発明の目的を効果的に達成しうる様に所望に従って適
宜決める必要があり、通常は１〜６Ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　　とするが、好ましくはｌＯ〜３Ｘ　
ＩＱ’　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ　　、より好ましくは
ｌＸ１Ｏ’〜２ＸＩＯ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　　、
　　とする。

また、本発明の光受容部材の第一の１＝に、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を
含有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感度
化と高暗抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着
性の向上にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異な夛、シたがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、第一の１−の支持体側
端部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中
から選ばれる少くとも一部の分布濃度が高くなるような
分布状ｉで含有せしめ、この場合、第一の層に含有せし
める酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一種の量は、支持体との密着性の同上１に確
実に図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、第一の１−に含有せしめ
るｆＲ素原子、炭素原子、及び１ＭＬ素原子の中から選
ばれる少くとも一種の量は、しかし、上述のごとき第一
の鳩に要求される特性に対する考慮の他、支持体との接
触界面ＶＣおける特性等、有機的関連性にも考慮をはら
って決定されるものであり、通常は０．００１〜５０ａ
宣ｏｍｌｃ％、好ましくは０．００２〜４Ｑａｔｏｍｌ
ｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏ＋ｎｉｃ％　
とする。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚の
又となるような場合には、含有せしめる量は通常３０ａ
ｌｏｍｉｃ％以下、好１しくは２Ｑａｔｏｍｌｃ％以下
、最適にはｌｏｉｔｏｍｌｃ％以下にされる。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の
地部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の９ｓ部付近においては、比較的夕景とな
るが、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せし
める場合の典型的な例のいくつかを、第１６図乃至第２
４図によって説明する。しかし、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素
原子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，
Ｎ）　ｊと表記する。

第１６乃至２４図において、横軸は原子（０゜Ｃ，Ｎ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔＢは
支持体と第一の層との界面位置を、　ｔＴは第一の層の
第二の層との界面の位置を示す。

第１６図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ）０層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。該例では、原子（０，Ｃ。

Ｎ）を含有する第一の層と支持体との界面位置ｔＢよシ
位ｆｆ１ｔ＋までは、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
がＣＩなる一定値をとり、位置ｔ、より第二の１との界
面位置ｔｙまでは原子（０，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度ＣＩから連続的に減少し、位置
ｔ７においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度がＣ，と
なる。

第１７図に示す他の典型例の１つでは、第一の層に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢ
から位置を丁にいたるまで、一度Ｃ１から連続的に減少
し、位ｔｔＴにおいて一度Ｃ１となる。

第１８図に示す例では、位置ｔＢから位置量。

までは原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる
一定値を保ち、位置ｔ、から位ｆｌ！ｔｊＴにいたるま
では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布１１１１度Ｃは濃度Ｃ
１から徐々に連続的に減少して位置ｔ７においては原子
（０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔａｊり位置ｔｙにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐ｑに減少し、位ｆｌｔｔにおいては原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布浸度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２０図に示す例では、原子（０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度
ＣＦｉ、位ｆｌｉｔＢより位置ｔ、の間においては濃度
Ｃ９の一定値にあシ、位瀧奮、から位ｆｉ１１を丁の間
においては、一度Ｃ０から濃度Ｃ１゜となるまで、−次
間数的に減少する。

第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ、にい九るまでは一度Ｃｔ＋
の一定値にあり、位置ｔ、より位置型、にいたるまでは
濃度Ｃ１１から濃度Ｃｔａとなるまで一次関数的に減少
する。

第２２図に示す例においては、原子（０，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置型８から位ｔｔＴにいたるま
で、濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的
に減少する。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位ｔｔＢから位置ｔ、にいたるまで濃度Ｃ１ｓか
ら濃度Ｃ８，となるまで一次関数的に減少し、位置輸か
ら位置叫までは濃度Ｃ１゜の一定値を保つ。

最後に、第２４図に示す例では、原子（０゜Ｃ、Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位ｔｉｎにおいて濃度ＣＩ？であり、位
＆ｔＢから位置ｔ６までは、級友ｃｒｔからはじめはゆ
つくシ減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位１
１１．では濃度Ｃ１，とｌる。

次に、位置ｔ、から位ｔｉ　ｔｙまでははじめのうちは
急激に減少し、その後は緩かに徐々に減少し、位置ｔ、
においてはＩＩｌ［Ｃｓｓとなる。更に位置ｔ。

と位置−の間では極めてゆっくりと徐々に減少し、位置
型、において濃度Ｃ８゜となる。また更に、位ｆｆ１ｔ
、から位ｔ１ｔｔＴにいたるまでは濃度Ｃ，０から実質
的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては、
該分布α度Ｃがかな夛低い部分を有するか、あるいは実
質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合におっては、
第一の層の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ま
しくは該局在領域を支持体表面と第一の層との界面位ｆ
１１ｔＢから５μ以内に設けることにより、支持体と第
一の膚との密着性の向上をより一層効率的に達成するこ
とができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる第
一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、ちるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される第一の層に要求される特性に従って適宜決める
。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大′、、すが５ＱＱ
　ａｌｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００ａ　ｔ
　ｏｍｌ　ｃ　ｐｐｍ　　以上、最適には１０００ａ＋
ｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが
望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第１
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用されるう具体的には、第１族原子としては、
Ｂ（硼素）、ｋｌ　（アルばニウム）、Ｇａ　（ガリウ
ム）、ｉｎ　（インゾウム）、Ｔｌ　（タリウム）等を
挙けることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａ
である。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａ８　（
砒素）、Ｓｂ（アンチ七ン）、Ｂｔ（ヒスマ／）等を挙
けることができるが、特に好ましいものは、２％Ｓｂ　
　である。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第１族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、おるいは一部０層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なシ、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導製又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はｌ×１０°”
〜ｌ　Ｘ　ｌＯ”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好まし
くは５　Ｘ　１０”　〜５　Ｘ　１０”ａｔｏｍｌｃ　
ｐｐｍ　、　　最適にはｌＸｌ０°’〜２　Ｘ　１０”
　ａｔｏｍｔｃｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第１族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第１族原子又は第Ｖ族原子の分布洟度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第１族原子又は第Ｖ族原子
を含有する構成層あるいは第蓋族原子を高濃度に含有す
る層領域は、電荷注入阻止層として機能するところとな
る。

即ち、第１族原子を含有せしめた場合には、光受容層の
自由表面がｅ極性の帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻
止することができ、又、第１！原子を含有せしめた場合
には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動
をよシ効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有量は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５×ｌび、ａ　＠　Ｏｍ　Ｉ　Ｃ９
９ｍｓ好１しくは５０＝　ｌ　Ｘ　１０’　ａ　ｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ、最適にはＩ　Ｘ　ｌｏ”〜５　Ｘ　１０
”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。さらに、鉄電荷注入
阻止層としての効果を効率的に奏するためには、第１族
原子を含有する支持体側の端部に設けられる〜又は層領
域の層厚を竜とし、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ
／Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好
ましくは該関係式の値が０．３５　　以下、最適には０
．３以下となるようにするのが望ましい。また、該層又
は層領域の層厚ｔは、一般的には３ＸｌＯ−”〜ｌＯｐ
とスル力、好’！　Ｌ　＜　Ｕ　４　Ｘ　１０−ｓ〜８
μ、　最Ｊには５　Ｘ　１０−”〜５＃　とするのが望
ましい。

第一の層に含有せしめる第１族原子又は第Ｖ族原子の量
が、支持体側においては、比較的多量であって、支持体
側から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付
近においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼ
ロに近くなるように第１族原子又は第Ｖ族原子を分布さ
せる場合の典型的な例祉、前述の第一の層に酸素原子、
炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つ
を含有せしめる場合に例示した第１６乃至２４図のと同
様な例によって説明することができるが、本発明はこれ
らの例によって限定されるものではない。

そして、第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第１族原子又は紀ｖ族原子の
分布偵ＫＣの高い部分を有し、第二の層の第二のｊ−に
近い側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部
分あるいは実質的にゼロに近いａ度の部分を有する場合
にあっては、支持体側に近い部分に第厘族原子又はＷＪ
ｖ族原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設
けること、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触す
る界面位置から５μ以内に設けることにより、第１族原
子又は第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電
荷注入阻止ｔｉｉ　を形成するという前述の作用効果が
より一層効果的に奏される。

以上、第１族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を優るについ１は、これ
らの第鳳族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および斗−ｏ
　／＃　ｐｃ金含有しめる第１族鳳子又は第Ｖ族原子の
量を、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものである
ことは、いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側
の端部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層
以外の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝
導性を制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御
する物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝
導性を制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量
よりも一段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の溜
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気？３縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けること
もでき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方
金慣成層とすることもできる。こうしたｌｌａ壁層金構
成する材料としては、ＡらＯｌ、Ｓ山、、　　Ｓｉ３Ｎ
、等の無機電気絶縁材料やポリカーゴネート等の有慎寛
気絶縁材料を挙けることができる。

第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、す
なわち表面層であり、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つを均一な分布状態で含
有するアモルファスシリコン〔以下、「ａ−８＋　（０
、Ｃ＋　Ｎ）　（ＨｒＸ）Ｊと表記する。」で構成され
ている。

本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける目的は、
耐湿性、連続繰返し使用特性、−気的耐圧性、使用環境
時性、および耐久性等を向上させることにあシ、これら
の目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、酸
素原子、炭：Ｊｇ原子又は窒Ｓ原子のうちの少なくとも
いずれか１つを含有せしめることにより達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々が、
シリコン原子という共通した構成原子を有しているので
、第一の層１０２と第二の層１０３との界面において化
学的安定性が確保できる。

第二の層１０３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、これ
らの原子含有せしめる量の増加に伴って、前述の緒特性
は向上する。しかし、多すぎると層品質が低下し、電気
的および機械的特性も低下する。こうしたことから、こ
れらの原子の含有量は、通常０．ＯＯ１〜９０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層にも、水素原子又はへログン原子の少なくとも
いずれか１万を含有せしめることが望ましく、第二の層
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、又は／Ｎｏグン
原子（Ｘ）のｉｌあるいは水素原子とへＯダン原子の憬
の和（ＨｒＸ）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好
ましくは５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、Ｉ＆適には５〜２５
　ａ　ｌｏｍｉ　ｃ％とする。

第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、およ
び酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及びへ
ログン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有
量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から非
晶質状態までをとり、シ気的物性は導゛１性から、半導
遡性、絶縁性までを、さらに光磁的性質は光導磁的性質
から非光導曳的性實までを、各々示すため、目的に応じ
た所亀の特性を有する第二の層１０３を形成しうるよう
に、各構成１京子の含有量や作成条件等を選ぶことが重
要である。

例えば、第二０層１０３を一気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二の層１０３を構成する
非晶員材料は、使用条件下において磁気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する。父、第二のＮ１０３を連続繰
返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として
設ける場合には、第二の層１０３を構成する非晶實材料
は、前述の４気的絶縁性の度合はある程度緩和するが、
照射する光に対しである程反の感度を有するものとして
形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであシ、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、へログン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される特
性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要
がある。更に、生産性やＱ産性をも加味した経済性の点
においても考鷹する必要もある。こうしたことから、第
二の層の層厚は通常は３　Ｘ　１０〜３０μとするが、
よシ好ましくは４　Ｘ　１０−”〜２０μ、特に好まし
くは５×１０″′３〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とし九ことに
よｐ１前記したアモルファスシリコンで構成され走光受
容１−を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、
特に、”Ｊ干渉性の単色光であるレーザー光を光源とし
て用い九場合にも、干渉現象による形ｇ画像における干
渉縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画
像を形成することができる。

盪た、本発明の光受容部材は、金町視光城に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに浸れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて漬れた電気的、光学的、光
導４的特性、−気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、１儂形成への残留４位の影響が全くなく、その１気的
特性が安定しており高感度−へ高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、１度が高く
、八−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグミ
ー放４法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放１現象を利用する礪空堆檀法てよって行わ
れる。これ等の製造法は、！Ｍ４造条件、設備資本投下
の負荷稈ツ、製造規模、作表される光受容部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望の特性を有する光受′８！ｌＩ材を製造するに当
っての条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と
共に炭素原子及び水素１填千の導入を容易に行い優る等
のことからして、グロー放纏法或いはス・量ツタリング
法が好適である。

そして、グミー放′４法とスパッタリング法とを同一装
置系内で併用して形成してもよい。

グロー放４＠によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ　）
を供給しうる８１供給用の原料ガスと、ダルマニウム原
子（Ｏｅ）を供給しうる（ｊｅ供給用の原料ガスと、水
２原子（Ｈ）父は／及びハａグン原子（Ｘ）を供給しり
る水素原子（）Ｉ）又は／及びへログン原子（Ｘ）供給
用の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望の
ガス圧状、聾で導入し、該堆積室内にグミ−族４を生起
せしめて、予め所定位ａＫ８置しである所定の支持体表
面上ＫＸａ−８ｉＱｅ（ｌ（、Ｘ）で構成されるノーを
形成する。

＠記８Ｉ供給用の原料ガスとなりうる′＠負としては、
８ｉＨい８ｉ、Ｈ，，８ｉ、）（６、Ｓｔ、１１．。咎
のガス状態の又はガス化しりる水素化硅素（シラン鋼）
が挙げられ、特に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供
給効率の長さ等の点から、５ＩＨ４およびＳｉ、Ｈ４が
好ましい。

ま九、薊ｋＧｅ供帖用の原料ガスとなりうる物置として
は、ＧｅＨイＧｅ、　Ｈ＠、Ｇｅ３Ｈ＠、Ｇｅ４１４ｏ
。

ＧＣＩ　”ＩＩｓ　　”＠　’１４％　　Ｇｅｔ　１（
１６％　　ＧＣＩ　ＨＩＩｓ　　”Ｑ　Ｈ２１３等のガ
ス状態の又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いる
ことができる。特ＫＸ鳩作成作業時の取扱い易さ、ＧＣ
供給効率の良さ等の点から、ＧｅＨ４，（ｊｅｔ）（＠
および（ｌｅ３Ｈ，が好ましい。

史Ｖζ、前記へロｒン原子供給用の原料ガスとなりうる
物置としては、多くのへログン化合物があシ、例えはへ
ロケ゛ンガス、へログン化物、へログン閲化合物、へロ
グンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化しうる〕ＸＯグン化合物を用いることができる。具体
的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のへログンガス、
ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣＩＦ、、ＢｒＦ、、ＢｒＦ
、、ＩＰ、、ＩＰ、、ＩＣ４１１Ｂｒ等のへログン間化
合物、および８１Ｆ３、Ｓｒ！Ｆ＠、５ＩＣＪ４．８ｉ
Ｂｒ４等の／Ｎ　Ｉｆｆグン化硅素等が好ましいものと
して挙げられる。

上述のごときへロｒン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓ！原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にへログン原子を含有するａ−８ｉで構成される
層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、８１供給用の原料ガスとなるへログン化硅素
とＧｅ供給用の原料とをる水素化ゲルマニウム、！：　
Ａｒ　、　Ｈ，、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス
流源になるようＫして堆檀室に導入し、グロー放Ｉａを
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
により、支持体上に光受容層を形成するものであるが、
心気的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有効
であるところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容
易にするためには、これ等のガスに更に水素原子供給用
の原料ガスを混合することもできる。該水素原子供給用
のガスとしては、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４，８ｉ１
Ｈ６、Ｓｒ、Ｈ＠、８ｉ４Ｈ，、、等の水素化硅素のガ
スが用いられる。また、水素原子供給用ガスとして、Ｈ
Ｐ、　ＨＣＪ、ＨＢｒ。

Ｈｌ等（７）　ハＯｊ’　ン化物、８ｒＨ＠Ｆ２．８ｊ
Ｈ，Ｉ、、ＳＩＨ，Ｃ４ｆ、　５ｉＨ（Ｊ３．８ｒＨ＠
Ｂｒｚ　、５ｉＨＢｒ、等のへ０グン冒換水素化硅素等
のガス状態のあるいはガス化しうるものを用いた場合に
は、ハロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に水素原子（Ｈ）
も導入されるので、有効である。

ス／？　ツタリング法によってａ−８ｊＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成される光受容層を形成するには、シリコンから成
るターゲットと、ゲルマニウムかう成るターゲットとの
二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるタ
ーゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗原熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｂ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ！あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆檀堅内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＨＦ　。

ＨＣＩ　ＸＨＢｒ％ｋＨ等のへＣＦグン化水素、５ｉＨ
ｔＦｈＳｉＨ１１，、ＳｉＨ，Ｃ１１１，８１ＨＣ１８
、ＳｉＨ，Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ、等のハｏｆｆン置換水
素化硅素、およびＧｅＨＦ　３、ＧｅＨ！　Ｆ　！、Ｇ
ｅＨ８Ｆ、　ＧｅＨＣＪ、、ＧｅＨ，Ｃｌｔ％ＧｅＨ８
（Ｊ。

ＧｅＨＢｒ、、ＧｅＨｌＢｒｔ、ＧｅＨ１Ｂｒ％ＧｅＨ
Ｉ３、ＧｅＨ２１１、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ４、ＧｅＢｒ４、
ＧｅＩ、、ＧｅＦ、、ＧｅＣ１１゜Ｇｅａｒ、、ＧｅＩ
、　％のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又は
ガス化しうる物質も有効な出発物質として使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の盪又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０．０１〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ％、ヨシ好適には０、０５〜３０　ａ　ｔｏｍ
ｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍ　ｔｃ％と
されるのが望ましい。

グロー放電法、ス・ぜツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、「ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するＫは、上述の
ａ−８ＩＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層の形成の際に
、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓ
ｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその僅を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（８ｎ　）供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（８ｎＨｉ　）やＳ　ｎ　Ｆ　
１．８ｎＦ、、８ｎＣ１＊、８ｎＣ４，、８ｎＢｒ＠、
　８ｎＢｒ、、８ｎｌ、、８ｎｌ、等のハロゲン化スズ
等のガス状態の又はガス化しうるものを用いることがで
き、ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上
にハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。

なかでも層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良
さ等の点から、８ｎＣ１，が好ましい。

そして、８ｎＣ４，をスズ原子（ａｎ　）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するＫは、固体状
の８　ｎｃｌ　４を加熱するとともに、Ａｒ。

Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いて
バブリングするのがｉｔしく、こうして生成したガスを
、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入
する。

グロー放心法を用いて、酸素原子、炭ｇ原子、又は窒素
ＪＩＡ子を含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）、ａ−８ｉ
ｓｎ（Ｈ、Ｘ　）又はａ−８ｉＧｅＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層又は一部の層領域を形成するには、上述のａ
−８ｉＧａ（Ｈ，Ｘ）又は／及び１−８盪ａｎ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層の形成の際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）導
入用の出発物質を、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及び
ａ−８ｉ８ｎ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用
して、形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有
せしめることくよって行なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０，）、オゾン（０，）、−酸化窒！１ｅ
（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏり、−二酸化窒素（ＮｔＯ
）、三二酸化窒素（ＮｔＯｓ）、四三酸化窒素（Ｎ１０
４）、三二酸化窒素（Ｎ！ＯＩ）、三酸化窒素（Ｎ０ｘ
）、シリコン１京子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原
子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（
Ｈ，８ｉ０８ｉ）１．　）、トリシロキチン（Ｈ，８ｉ
０８１Ｈ，０ＩＩＨ，）等の低級シロキチン等が挙げら
れ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質としては、例えば
、メタン（ＣＨ４）、エタン（ｃ、Ｈｓ）、ブ””（Ｃ
ｓＨａ）、ｎ−ブタ７　（ａ−Ｃ，Ｈ，。）、ペンタン
（ＣｓＨ＋ｔ　）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エ
チレン（Ｃ，Ｈ，）　、プロピレン（ＣｓＨｅ）、ブテ
ン−１（ＣｉＨｓ）、ブテン−２（Ｃａｕｍ）、インブ
チレン（ｃａｉ’ｉａ）、ペンテン（ＣｓＨ＋。）等の
炭素数２〜５のエチレン系膨化水素、アセチレン（ｃｔ
ｎｔ）、メチルアセチレン（ＣｇＨｓ）、ブテン（Ｃ４
Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙
げられ、窒業原子（Ｎ）導入用の出発物質としては、例
えば、窒１（Ｎｔ）、アンモニア＜　ＮＨ３）、ヒドラ
ジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（夏（Ｎ、　）、ア
ジ化アンモニウム（Ｎ８４　’ｐ’ｓ　）、三弗化窒素
（ＦＩＮ）、四弗化窒！（Ｆ＊Ｎ）等が挙げられる。

′また、ス・中ツタリング法を用いて原子（０゜Ｃ，Ｎ
）を含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）、ａ　−８１Ｓｎ
（Ｈ，Ｘ）またはａ−８ｉＧｅ８ｎ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成する場合には、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入
用の出発物質としては、グミー放４＠の際にダ」挙した
前記のガス化可能な出発物質の外に、固体化出湯物質と
して、８ｉ０．、ＳＩ３Ｎ４、カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットとし
ての形で使用することができる。

グロー放１法、スズやツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法分用いて、＃Ｊ！Ｉ族１京子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８
ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される１又は一部の層領域を形
成するには、上述のａ−８ｉ（）ｅ（）Ｉ、Ｘ）又は／
及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、第■族原子又は第Ｖ　１４１県子導入用の出発物質
を、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又：は／及びａ−８ｉ８ｎ
（Ｈ，Ｘ）形成用の出・発物質とともに使用して、形成
する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめるこ
とによって行なう。

第１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、ＢＩ　Ｈｅ％　”４”Ｉｌｌ、Ｂ、Ｈ
，、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ６　Ｈｌｌｌ　ｓ　Ｂ＠　’（１１
、ＢａＨ１４等の水素化硼素、Ｂ　Ｆ３　、ＢＣＪ３　
、ＢＢｒｓ等の／Ｎ　ｏ　’ｒ’　７化硼素等が挙げら
れる０この他、ＡｅＣ６，、ＧａＣＪｓ、Ｇａ　（Ｃ１
４５）ｈＩｎＣ１＠　、　ＴｌＣｌ３　％も挙げること
ができる。

第ｖ１ｓ原−ｆ−導入用の出発物質として、具体的には
燐原子導入用としてはＰＨ，、Ｐ、）１．等の水素北隣
、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ、、ＰＦ、　、ＰＣＢｓ、　ＰＣ（２
，、ＰＢｒ、、ＰＢｒ、、ＰＩｓ等のハロゲン化燐が挙
げられる。この他、＾ｓＨ３、ＡｓＦ３　、ＡｓＣ１５
、ＡｓＢｒ３、Ａｓｈ、、８ｂ）（、，５ｂＦ１．８ｂ
Ｆ’、、５ｂｃｌｓ％　ｓｂｃら、ＢｉＨｌ、ＢｉＣｌ
２、Ｂ　＋　Ｂ　ｒ　５等も第Ｖ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング＠を用いて、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つを含有するアモルファ
スシリコン、即ち、易−ａｔ（０，Ｃ，Ｎ）（）Ｉ、Ｘ
）で構成される第二のノー１０３を形成するには、ａ−
８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質を使用
して、上述の原子（０，Ｃ，Ｎ）を含むａ−８ｉＧｏ（
Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一のＭを形成する場合と同様にして行なう０ 例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロー散−法
により形成するには、シリコン原子（別）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）ｔ−構成原子とする原
料ガスと、必要に応じて水素原子（）（）又は及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、シリコン胞子（Ｓｌ
）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水
素原子（工１）を構成原子とする原料ガスとを、これも
又所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（
Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（８
７）、酸素原子（０）及び水素原子（）工）の３つを構
成原子とする原料ガスとを混合して使用することができ
る。

父、別には、シリコン原子（８ｉ　）と水素原子（Ｈ）
とを構ｇ１京子とする原料ガスに酸累原す（０）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような＃１素原子導入用の出発＠實としては酸素原
子を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物員を
ガス化したものでおれば、いずれのものであってもよい
。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０，）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ（Ｊ）
、二酸化窒素（ＮＯ，）、−二酸化窒素（ＮｔＯ）、三
二酸化窒素（ｈｔ　ａｓ　）、四三酸化窒素（Ｎｔ　０
４　）、三二酸化窒素（Ｎ、０う）、三酸化窒素（ＮＯ
３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸＃Ｊ：廟子（０）と水
素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサ
ン（Ｈ，８ｉ０８１Ｈ，）、トリシロキチン（Ｈ，８ｉ
０８ｉ１（，０８＋Ｈｓ　）等の低級シσキチン等を挙
げることができる。

スノ４　ツタリング法によって、酸素原子を含有する層
を形成するには、単結晶又は多結晶の８ｉウエー八又は
Ｓ　＋　０１ウエーハ、父は８４と８１０゜が混合され
て含有されているウェー八をターゲットとして、これ等
を櫨々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行えばよい。

例えば、Ｓｉミラニーへターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子父は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、ス・ぐツタリング用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８ｉウエー八
をスノぐツタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉと５ｉＯｔとは別々のターゲットとし
て、又は８１と８ｉ０．の混合した一つのターゲットを
使用することＫよって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（ｆ（
）又は／及びへＣ：Ｉグン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
′（の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

また、例えば炭素原子を含有する第二のｍをグミー放砿
法により形成するには、シリコン原子（８１）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の
混合比で混合して使用するか、又はシリコン原子（Ｓｌ
）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水
素原子（工１）を構成原子とする原料ガスとを、これも
又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ
）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）　ｔ−構成１京
子とする原料ガスを混合するか、史Ｋまた、シリコンＩ
ｊｌｊｔ子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする
原料ガスと炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスを
混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする８ｉＨ４，８ｉ　、Ｈ６，８ｉ
１Ｈ＠、８１４　Ｈｌｔｌ等のシラン（５ｉ７ｊａｎｅ
　）　基等の水素化珪素ガス、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具１４′市には、飽和炭化水素としては、メタン（Ｑ（
、）、エタン（ＣｔＨｖ）、プｃ７１４７　（Ｃ３Ｈ６
）、ｎ−ブタン（’−ＣａＨｔｏ　）、ペンタンＣＣ！
ＨＨ）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（ＣＩ
Ｈ，λプロピレン（Ｃ５Ｈａ　）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ
Ｉ）％　　ブチ７−２（Ｃ，Ｈａ）、イソプｔレン（Ｃ
ｎ）１ｍ）、ペンテン（ＣｓＨ＋。）、アセチレン系炭
化水素とじては、アセチレン（ＣｔＨｗ）、メチルアセ
チレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４）（＠）等が挙げら
れる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ｃＨ，）４．５ｔ（Ｃ！ＨＩ）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ３も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８ＩＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の膚を形成するには、単結晶又は多結晶の８
１クエー八又はＣ（グラファイト）クエーへ、又は８ｉ
とＣが混合されて含有されているクエーへをターゲット
として、これ等を所望のガス雰囲気中でス・譬ツタリン
グすることによって行う。

例えば８１ウエー八をターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハａグン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じて＾ｒ、Ｈｅ
等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の唯１室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳｊ
クエー八へス・譬ツタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スノリＩ　ＩＪソングのガスとして水素原子又
は／及び八Ｃ７ｆン原子導入用の原料ガスを、必要に応
じて稀釈ガスで稀釈して、ス・母ツタリング用の堆檀室
内に導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングす
ればよい。該スフ４ツタリング法に用いる各原子の導入
用の原料ガスとしては、前述のグロー放電性に用いる原
料ガスがそのまま使用できる。

更に１例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグミー放４法により形成するに
は、シリコン原子（８Ｉ）を構成原子とする原料ガスと
、窒Ａ原子（Ｎ）　ｆ：構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びへログン原子（Ｘ）
　ｔ−構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（８１）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素１皇チ（
Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混
合比で混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（）ｆ）
とを構成原子とする原料ガスに窒素、原子（Ｎ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物貰又はガス化し
得る物質をガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。

窒素原子導入用の出発物質としては、異体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎｔ）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨり、アジ化水素（ＨＮａ）、
アジ化アンモニウム（Ｎ）（４Ｎり等の窒素、窒化物及
びアジ化物等の！素化合物を挙げることができる。この
他に、三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗化窒ｇ（Ｆ４Ｎｔ）
等のへログン化窒素化合物を挙げることができ、これら
の八〇ダン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（Ｎ）
の導入（加えて、ハロゲン原子（Ｘ）　尋人もできるＯ
ス・々ツタリング法によって、窒素原子を含有する層領
域を形成するＫは、単結晶又は多結晶の８１ウエーハ又
はＳｉ、Ｎ４クエー八、又は８ｉとＳｉ、Ｎ、が混合さ
れて含有されているウェーハをターデッドとして、これ
等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って行えばよい０ 例えば、Ｓ１ウエー八をターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びへロダン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、ス・ぜツタリング用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエー八
をスパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８ｉ、〜４とは別々のターゲットと
して、又は８１と８ｉ、Ｎ、の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スノーツタリング法のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て成される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述
し九グａ−放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導
入用の原料ガスが、ス・臂ツタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スノーツタリング法等を用いて形成す
るが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及び／
Ｎ　Ｏダン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御するこ
とによシ行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放４ノやワー等の条件は、所望の特性
を有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、
形成する層の機能に考慮をはらって適Ｘ選択されるもの
である。さらに、これらの層形成条件は、第一の層およ
び第二の層に含有せしめる上記の各Ｌｌｉ子の種類及び
量によっても異なることもあることから、含有せしめる
原子の種類あるいはそのｆｆ１等にも考慮をはらって決
定する必要もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めｆ＜ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第二０層を形成する
場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが
、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内のガ
ス圧は、通常０．Ｏ１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとするが、特に好
ましくは０．１〜０．５ＴＯ「「とする。また、放電パ
ワーは０．００５〜５０シーとするのが通常であるが、
よシ好ましくは０．０１〜３ＱＷ／ａｒｔ！％特に好ま
しくは０．０１〜２ＱＶｉとする。

ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の鳩を形成する場
合、あるいは第１肢原子又は第Ｖ族原ｆｔ含有せしめた
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する場
合については、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とす
るが、よシ好ましくは５０〜３００℃、特に好ましくは
１００〜３００℃とするＯそして、堆積室内のガス圧は
、通常ｏ、ｏｉ〜５Ｔａｒｔとするが、好ましくは、０
．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０．１ｚ
ｌ　Ｔｏｒｒとする。また、放題・９ワーは０．００５
〜５０　Ｗ／ｃＨＩとするのが通常であるが、好ましく
は０．０１〜３０Ｗ／ａＪ！とし、特に好ましくは０．
０１〜２ＱＷ／ｃｆｆｌとする０しかし、これらの、層
形成を行うについての支持体温度、放゛磁パワー、堆積
室内のガス圧の具体的条件は、通常には個々に独立して
は容易には決め難いものである。したがって、所望の特
性の非晶質材料層を形成すべく、相互的且つ有機的関連
性に基づいて、層形成の至適条件を決めるのが望ましい
０ ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ）、第１
族原千又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又は／及びへ
ログンｊ原子の分布状態を均一とするためには、光受容
層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つこと
が必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム１１Ａ子又はスズ原子、原
子（０，Ｃ，Ｎ）あるいは第１族１京子又は第Ｖ族原チ
の分布濁度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分
布状態を有する光受容層を形成するには、グロー放（法
を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子父は／及びス
ズ１京子、１京子（０，Ｃ，Ｎ　）、あるいは第厘族原
子又は第Ｖ族摩子導入用の出発物貰のガスの堆撞室内に
導入する濠のガス流通を、所望の変化率に従って適′Ｘ
変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そ
して、ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば
手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定
のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えば
よい。このとき、流歇の変化率は線型である必要はなく
、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変
化率曲線に従って流潰を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。

また、光受容層をス・母ツタリング法全用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，
Ｎ）、あるいは第１族原子又は第ＶＭ原千の層厚方向の
分布濃賀を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布
状憩を形成するには、グロー放（法を用いた場合と同様
に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、１京子（０，Ｃ，
Ｎ）あるいは第１族原子又は第Ｖ展１原子導入用の出発
物′ＩＩｉをガス状態で使用し、該ガスを堆＃′ＩＩ室
内へ導入する際のガス流口を所望の変化率に従って変化
させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１３に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放磁法を用いて
形成した。第２５図はグミー放峨法による本発明の光受
容部材の装造装置である。

図中の２５０２．２５０３．２５０４．２５０５．２５
０６のガスがンベには、本発明の夫々の層を形成する丸
めの原料ガスが密封されており、その１例として、たと
えば、２５０２は８ｉＦ４ガス（純度９９．９９９％）
がンペ、２５０３はＨｌで稀釈されたＢ、　Ｈｌ、ガス
（純度９９．９９９％、以下ＢｔＨｓ／Ｈｔと略す。）
ボンベ、２５０４はＣＨ４ガス（１８１９９，９９９％
）ボンベ、２５０５はＧｅＦ、ガス（純度９９．９９９
％〕ｌンベ、２５０６は不活性ガス（Ｈｅ）−ンペであ
る。

そして、２５０６’は８ｎＣ４，が人った密閉容器であ
る。

これらのガスを反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６　
、リークバルブ２５３５が閉じられていることを礒誌し
又、流入バルブ２５１２〜２５１６、ｄ出パルプ２５１
７〜２５２１　、補助バルブ２５３２．２５３３が開か
れていることｔａ認して、先ずメインバルブ２５３４を
開いて反応室２５０１　、ガス配管内を排気する。次に
真空Ａｌシリンダー２５３７上に第一０層及び第二の層
を形成する場合の１例を以下に記載する〇 まず、ガスぎンべ２５０２よ５　ＳＩＦ、ガス、ガス＆
ンぺ２５０３よｔ）　Ｂ、　Ｈａ　／　Ｈｅガス、ガス
メンべ２５０４　ヨ’）　ＣＨ４ｉｆ　ス、ガス＆　ン
ペ２５０５よりＧｅｍ４ガスの夫々をバルブ２５２２．
２５２３．２５２４．２Ｓ２５を開いて出口圧ゲージ２
５２７．２５２８．２５２９．２５３０の圧をＩ　Ｋ９
７−に調整し、流入バルブ２５１２．２５１３．２５１
４．２５１５を徐々に開けて、マスフロフントａ−ラ２
５０７．２５０８．２５０９％２５１０　ＦＦ３に流入
される。引き続いて流出バルブ２５１７．２５１８．２
５１９．２５２０、補助バルブ２５３２を徐々に開いて
ガスを反応室２５０１内に流入される。このときのＳｉ
ｒ、ガス流口、ＧｅＦ、ガス流量、ＣＨ４ガス流口、Ｂ
、）ｉ・／Ｈ鵞ガス流−の比が所望の値になるように流
出バルブ２５１７．２５１８．２５１９．２５２０　ｔ
−調整し、又、反応室２５０１内の圧力が所望の値にな
るようにｇ莫計２５３６の読みを見ながらメインバルブ
２５３４の開口を調整する。そして基体シリンダー２５
３７の温度が加熱ヒーター２５３８によシ５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後、
−源２５４０を所望の４カに設定して反応室２５０１内
にグロー放磁を生起せしめるとともに１マイクロコンピ
ュータ−（図示せず）（２用いて、あらかじめ設計され
た流−変化率線に従って、８ｉＦ、ガス、ＧｅＦ４ガス
、ＣＨ，ガス及びＢ、　）Ｉ、／Ｈ，ガスのガス流ｍを
制御しながら、基体シリンダー２５３７上に先ず、シリ
コン原子、グルフニウム原子、炭素原子及び硼素原子を
含有する第一の１−を形成する。

上記と同様の操作によシ、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えば８ｉＦ、ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ、　Ａｒ、　Ｈ。

等の稀釈ガスで稀釈して、所望のガス流橡で反応室２５
０１内に流入し、所望の条件に従って、グロー放磁を生
起せしめることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２５０１内、流出バルブ２５１７〜２５２１から反応室
２５０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助バルブ
２５３２．２５３３を開いてメインバルブ２５３４を全
開して系内金一旦１％真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ５＋　ｆ出＠物質としたガス
を用いる場合には、２５０６’に入れられた固体状５ｎ
ＣＪ、を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するととも
に、該８ｎＣ４，中にＡｒ　。

Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２５０６よＦ）Ａｒ、Ｈｅ等
の不活性ガスを吹き込み、バブリングする。発圧した８
ｎＣ１４のガスは、前述の８　ｒ　Ｆ　４ガス、ＧｅＦ
４ガス、ｚ、、ＣＨ４ガス、Ｂｘｌ（ａ／Ｈｚガス等と
同様の手順によシ反応室内に流入させる。

試験例１ 径０．６−のＳＵＳステンレス裏剛体球に化学的処理を
施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する処
理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸、
苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試験
例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４の容量比で
混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時間、酸濃度等
１に変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。

試験例２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さｒｍａｘ＝５μｍ）を用い、第６（Ａ）　、　（Ｂ
）図に示した装置を用いて、アルミニウム合金製シリン
ダー（径６０−１長さ２９８ａｍ）の表面を処理し、凹
凸を形成させた。

真球の径Ｒ１落下島さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１＠ｒとの
関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと＠ｒとは、真
球の径Ｒと落下高さｈ等の条件に、−り決められること
が確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの密
度、また凹凸のピッｙ−）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下琺等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。

更に％ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
０．１　ｍ未満であると、剛体球を小さく軽くして落下
高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成をコント
ロールしにくくなるため好ましくないこと、Ｒが２．０
　ｍを超えると、剛体球を大きく重くして、落下高さを
調節するため、例えばＤを比較的小さくしたい場合に落
下高さを極端に低くする必要があるなど、痕跡望みの形
成をコントロールしにくくなるため好ましくないこと、
更に、Ｄが０．０２　ａｍ未満であると剛体球を小さく
軽くして落下高さを確保しなければならず、痕跡窪みの
形成をコントロー／ｌ／　Ｌにくくなる九め好ましくな
いことが、夫々確認された。

更に１形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された０ 実施例１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面
を処理し、第１＾表上捕に示すＤ１及び瓦を有するシリ
ンダー状ＡＪ支持体（シリンダーＮｏ、　１０１〜１０
６　）を得た。

次に該ＡＪ支持体（シリンダーＮｏ、　１０１〜１０６
）上に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第２５図に示し
た製造装置により光受容層を形成した。

々お、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、ＢＩＨ６
／　５ＩＦ４　＋Ｃ１ｅｋ　＋　”＝　１００　ｐＰ”
であって、該層の全層について約２００ｐＰｍドーピン
グされているようになるべく導入した。

これらの光受容部材について、第２６図に示す１ｆｉＩ
像露光ｆ！置を用い、波長７８０■、スポット径８０μ
ｍのレーザー光を照射して画［１１光を行ない、現像、
転写を行なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発
生状況は第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

なお、第２６　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であシ、第２６（Ｂ）図は露光装置の全体ｔ
−模式的に示す側面略図である。図中、２６０１は光受
容部材、２６０２は牛導体レーザー、２６０３はｆθレ
ンズ、２６０４はメリゴンミラーを示している。

次に、　比較として、従来のダイヤモンドバイトによシ
表面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ｎｏ、
　１０７　）　（径Ｓｏｗ、長さ２９８ｍ。

凹凸ピッチ１００μｍ１凹凸の深さ３μｍ）を用いて、
前述と同様にして光受容部材を炸裂した。

得られた光受容部材を１子顕微鏡で観察したところ、支
持体表面と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平
行をなしていた。この光受容部材を用いて、前述と同様
にして１ｉｉｌｌ像形成をおこない、得られた画像につ
いて面述と同様の評価を行なった。その結果は、第１Ａ
表下欄に示すとおりであった。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｄ支持体（シリ
ンダーＮｏ、　１０１　＝　１０７　）上に光受容層を
形成した。

得られ走光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下禰に示すとお夛であった。

実施例３ 第３Ａ表上欄に示す表面凹凸の高さく７”ｍａｘ）の剛
体球を用いた以外はすべて実施例１と同様にして、球状
痕跡窪み（Ｄ−４５０±５０　μｍ　）、■−ｏ、ｏｓ
）ｔ−有するへｌ支持体（シリンダーＮ□、３０１〜３
０６　）　ｔ−得た。

次に該＾Ｅ支持体（シリンダーＮｏ、　３０１〜３０６
）上に、以下の第３Ｂ表に示す条件で、第２５図に示し
た製造装置を用いて光受容層を形成した。

なお、第一の層形成時における使用ガスのガス流量は、
第２７図に示す流量変化機に従って、マイクロコンピュ
ータ−制御によシ、自動的に調整した。また、第一の層
中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と同様の条件で
導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られ良画像における干渉縞
の発生状況は、第３八真下実施例４ 第４Ｂ表に示す１形成条件に従って光受容層を形成した
以外は、すべて実施例３と同様にして、Ａ／ｇ支持体（
シリンダーＮｏ、　３０１〜３０６　）上に光受容層を
形成し丸。なお、第一の層形成時におけるＢ＊Ｈｓ／Ｈ
ｔガス及びＨ，ガスのガス流量は絽２８図に示す流量変
化線に従って、マイクロコンピュータ−制御によシ、自
動的に調整し九。まえ、第一の層中に含有せしめる硼素
原子は、実施例１と同様の条件で導入し九。

得られた光受容部材について実施例１と同様にして１ｉ
ｌＤ儂を形成したところ、得られ九＃Ｊ像における干渉
縞の発生状況は、第４Ａ表下掴に示すとおシであり九。

実施例５〜１３ 実施例１のＡｌ支持体（シリンダーＮｏ、　１０３〜１
０６）上に、第５〜１３表に示す層形成条件に従って光
受容層を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光
受容部材を作製した。

なお、実施例５．６．８〜１１において、第一の層形成
時における使用ガスのガス流量は、各々、＠２９．３０
．３１〜３４図に示す流源変化曲線に従って、マイクロ
コンピュータ−制御により自動的に調整した。また各実
施例において、第一の層中に含有せしめる硼素原子は実
施例１と同様の条件で導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は＠記のごときＦｇＪ構成としたこ
と（ｌこより、Ｍｉ［己したアモルファスシリコンで構
成された光受容層を有する光受容部材の諸萌題の総てを
解決でき、符に、可干渉性の単色光であるレーザー光を
光源として用いた場せにも、干渉現象による形成画像に
おける干渉縞模様の現出ｔ−顕著に防止し、きわめて良
質な可視画像を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全町視光域に於いて光感
度が簡く、ま九、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に牛導体レーザーとのマツチングに浚ｎ１且つ
光応答が速く、さらに極めて潰れた植気的、光学的、光
導シ的特性、磁気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、４子写真用光受容部材として適用させた１ｊｌｈ
甘には、画像形成への残留セ位の影響が全（なく、その
−気的特性が安定しており高感度で１．ＱＳＮ比を有す
るものであって、耐光疲労、ｆｉ５１ＡＬ使用特性に長
け、濃度が高く、〕〕１−フトーが鮮明に出て、且つ解
偉度の高い高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例（ｆ−模式的に示し
た図であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡
大図であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによ
る凹凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生
が防止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規
則的に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部
材において、干渉縞が発生することを示す図である。第
４及び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸
形状及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模
式図である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に
設けられる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成
例を模式的に示す図であって、第６囚図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。 第７〜１５図は、本発明の第一の層中におけるダルマニ
ウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状慧を表わす図
でちり、第１６〜２４図は、本発明の第一の層中におけ
る酸素原子、炭素原子及び窒禦原子の中から選ばれる少
くとも一種、および第１族原子又は第Ｖ族原子の層厚方
向の分４１ｉ状Ｕ”＆表わす図であり、各図において、
縦紬は第一の層の層厚を示し、横軸は各原子の分、（′
５Ｊ文？表わしている。第２５図は、本発明の光受容部
材の第一の層及び第二の層を製造するための装置の１例
で、グロー成畦法による製造装置の模式的説明図である
。８ｇ２６図はレーザー光による画像ｉ光装置を説明す
る図である。 第２７乃至３４図は、本発明の第一の層゛形成における
ガス流層の変化状、聾を示す図であり、！！ｉｌｌは第
一の層の層厚、横軸は使用ガスのガス流証を示している
。 第１乃至第３図について、 １００・・・光受容部材　　１０１・・・支持体１０人
２０１．３０１・・・第一の層 １０未　２０２．　３０２・・・第二の層１０４％　２
０人３０３・・・自由表面２０屯　３０４・・・第一の
層と第二の層との界面第４．５図について、 ４０１、５０１・・・支持体　　４０２．５０２・・・
支持体表面４０３％　５０３・・・球状痕跡窪み ４０３’、５０３’・・・表面に凹凸形状を有する剛体
球４０４・・・球状μ跡よみト１に形成きれた微小凹凸
形状　　４０４′・・・−・ｊ１４：球表面に形成場れ
た凹凸形状第６図について、 ６０１・・・シリンダー　　６０２・・・回転軸（受）
６０３・・・駆動手段　　　６０４・・・回転容器６０
５・・・表面に凹凸形状？有する剛体球６０６・・・容
ｆｊ　ＦＦ３璧に設けられたリブ６０７・・・シャワー
管 第２５図について、 ２５０１・・・反応Ｍ　　　２５０２〜２５０６・・・
ガスボンベ２５０６”　５ｎＣ６＊　ｍ ２５０７〜２５１１・・・マスフロコントローラ２５１
２〜２５１６・・・流入バルブ ２５１７〜２５２１・・・流出パルブ ２５２２〜２５２６・・・バルブ ２５２７〜２５３１・・・圧力調整器 ２５３２％　２５３３・・・補助バルブ２５３４・・・
メインバルブ　　２５３５・・・リークバルブ２５３６
・・・真空計　　２５３７・・・基体シリンダー２５３
８・・・加熱ヒーター　　２５３９・・・モーター２５
４０・・・高周波電源 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材　　２６０２・・・牛導体レ
ーザー２６０３・・・ｆθレンズ　　　２６０４・・・
ポリゴンミ５−図一ノ片ン１か（内＝；−−２ｊ梃コ・
シ）第６（Ａ３図 ６０７晃　　６６０７ 第６〔８０図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１９図 □Ｃ 第２２図 Ｃ 第２６図 手　続　補　正　書（方式） 昭和６０年１２月２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２４１５７３号 ２発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 性　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ＼、“、；、。 ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子、炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
   する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子
   と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
   少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構成された第
   二の層とを有する光受容層を備えた光受容部材であって
   、前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによる凹凸形
   状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の
   凹凸形状を有していることを特徴とする光受容部材。 （２）第二の層がシリコン原子と、酸素原子、炭素原子
   、窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを均一な
   分布状態で含有する非晶質材料で構成された特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。 （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲（１）項に記載の光受容部材。 （９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に、表面
   に凹凸を有する複数の剛体球を自然落下させて得られた
   前記剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１０）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有す
   る、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さ
   から落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形
   状である特許請求の範囲第（９）項に記載の光受容部材
   。 （１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
   ０３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１２）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲（１１）項に記載の
   光受容部材。 （１３）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１４）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。