JPS62103655A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅ　　レーザーあるい
は半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波
長を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的であ
る。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後「ａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１（１１２Ω画以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７　４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザ一部が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起如、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００００Ｘの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照）　、（１））アルミニウ
ム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹
脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号
公報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状の
アルマイト処理したり、サンドブラストによシ砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報
参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。

（１））の方法については、黒色アルマイト処理では、
完全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存
してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は
、ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に票影鵞ｆ
ｆ−Ｊ５タスこ、Ｌ−笛の藺頚占を有するへ（Ｃ）の方
法については、例えば入射光についてみれば光受容層の
表面でその一部が反射されて反射光となり、残りは、光
受容層の内部に進入して透過光となる。透過光は、支持
体の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光と
なり、残りが正反射されて反射光となり、その一部が出
射光となって外部に出ては行くが、出射光は、反射光と
干渉する成分であって、いずれにしろ残留するだめ依然
として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してノ・レーションを生じ
てしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になシ、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒したたけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での応対光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。

ところで、表面層の層厚が不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉縞模様の現
出を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等を
もたらすところとなる。

こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの仲、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与オてしまう。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各穐
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可使光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ　−Ｓｉで構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−Ｏｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻智で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ノ・−フトーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることので
きる、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上にシリコン原子を母体とする
非晶質材料で構成された感光層と、／リコン原子と、酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なく
とも一種とを含有する非晶質材料で構成された表面層と
を有する光受容層を備えた光受容部材であって、前記感
光層と前記表面層との界面において光学的バンドギャッ
プが整合しておシ、前記支持体の表面が複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に
更に微小な複数の凹凸形状を有していることを骨子とす
る光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、以下に記述するところである。

即ち、支持体上に表面層と感光層とを有する光受容層を
備えだ光受容部材にあっては、表面層と感光層との界面
において、表面層の有する光学的バンドギャップと、該
表面層が直接設けられる感光層の有する光学的バンドギ
ャップとが整合するように構成した場合、表面層と感光
層との界面における入射光の反射が防止され、表面層の
形成時における層厚むら又は／及び表面層の摩耗による
層厚むらによってもたらされるところの干渉模様や感度
むらの問題が解消されるというものである。

また、支持体上に複数の層を有する光受容部材において
、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設け、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸
形状を設けることによシ、画像形成時に現われる干渉縞
模様の問題が著しく解消されるというものである。

ところで後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実験
により得だ事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であシ、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を有する支持体１（１１上に、その凹凸の傾
斜面に沿って、感光層１０２及び表面層１０３とからな
る光受容層を備えた光受容部材を示している。

第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。接口において、３（１１は感光層
、３０２は表面層、３０３は自由表面、３０４は感光層
と表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示すご
とく、支持体表面を切削加工等の手段により単に規則的
に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹凸形状
に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の凹凸
の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係をなす
ところとなる。

この・ことが原因で、例えば、光受容層が感光層３（１
１と、表面層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、感光層と表面層との界面３０４及び自由表面３０
３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光Ｒ１
と自由表面での反射光Ｒ２とは方向が一致し、表面層の
層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容部
材の一部を拡大して示しだ図である。読図において、２
（１１は感光層、２０２は表面層、２０３は自由表面、
２０４は感光層と表面層との界面をそれぞれ示している
。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小な球状
痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体上に設
けられる光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するだめ
、感光層２（１１と表面層２０２との界面２０４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に
沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界
面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ１、自由
表面に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ２とすると、
Ｒ１とＲ２とはＲ１％　Ｒ２となるため、界面２０４で
の反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各久異な
る反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ１、θ２が
θ、＋θ２であって、方向が異なるうえ、第２図に示す
Ｌｌ、Ｌｚ、ｔ３を用いてＬｘ　＋　Ａ２　　Ａ３で表
わされるところの波長のずれも一定とはならずに変化す
るため、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェ
アリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されると
ころとなる。これにより、こうした光受容部材を介して
現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出され
ていたとしても、それらは視覚にはとられられない程度
のものとなる。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することによシ、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部を拡大した図である。

第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡窪み４（１１内の表面の一部分乃至
全体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されて
いる。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２を設け
た場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効果
に加えて、該微小凹凸４０２による散乱効果がもたらさ
れて、これによシ干渉縞模様の発生がより一層確実に防
止される。

ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生を防止していた。

しかし、この様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばブレードを用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたり、り
ｌＪ−ニング性が悪く、また、光受容層の凸部とブレー
ド表面の摩耗が犬きくなシ、結果的に両者の耐久性がよ
くなく問題がある。

これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、クリーニング時において、ブレードが
光受容層の凹部に接触するということがなくなり、ブレ
ードや光受容層表面に大きな負荷がかからないという利
点も有している。

さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効果を効
率的に得るについて重要である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。

即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：−〉　０．０５５ Ｒ−一 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記−を０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とするこ止が望ましい。

また、−の上限は、望ましくは０．５とされる。

というのは、−が０．５より犬きくなると、窪みの幅り
が相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い状況と
なるためである。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、犬きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、よシ好ましくは
１００４ｍ以下とするのが望ましい。Ｄが５００μｍを
超えると、画像ムラを派生しゃすくなるとともに、解像
力をこえてしまうおそれがあり、こうした場合には、効
率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。

球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さγｍａＸは、０．５〜２０μｍ
の範囲であることが好ましい。γｍａｘが０．５μｍ以
下である場合には散乱効果が十分に得られず、また加μ
ｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比較して、球
状痕跡窪み内の微小凹凸が犬きくなりすぎ、痕跡窪みが
球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の発生を防止
する効果が充分に得られなくなる。また、こうした支持
体上に設けられる光受容層の不均一性を増長することと
もなり、画像欠陥を生じやすくなるため、好ましくない
。

上述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設ける
本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層とか
らなシ、該感光層は、シリコン原子を母体とするアモル
ファス材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓｉ　）と
、水素原子（司又は）・ロゲン原子（Ｘ）の少なくとも
一方を含有するアモルファス材料〔以下、ｔ−ａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）　ｊと表記する。〕、あるいは、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成されており、該感
光層には、さらに伝導性を制御する物質を含有せしめる
ことが好ましい。そして、該感光層は多層構造を有して
いることもあり、特に好ましくは、前記伝導性を制御す
る物質を含有する電荷注入阻止層又は／及び電気絶縁性
材料から成るいわゆる障壁層を構成層の一つとして有す
るものである。

また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを
含有する非晶質材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓ
ｉ　）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原
子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一種と、水素原子
（Ｈ）及びノ・ロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか
一方とを含有するアモルファス材料〔以下、［ａ−Ｅｌ
ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）ｊと表記する。〕で構成さ
れている。

本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、図示の実施例にしだがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１（１１は支持体、１０２は感光層、１０３は表面層
、１０４は自由表面を示している。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１（１１は、その表
面が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもの
であり、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な複数の
凹凸が形成されているものである。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図において４（１１は支持体、４０２は支持体表面
、４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該球
状痕跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示して
いる。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４０４′を有する剛体球を示してお
り、該剛体球４０３′を支持体表面４０２より所定高さ
の位置より自然落下させて支持体表面４０２に衝突させ
ることにより、窪み内に微小な凹凸形状４０４を有する
、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３を形成しうろこと
を示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体球４０３
′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同時ある
いは逐時、落下させることにより、支持体表面４０２に
、はｙ同一の曲率Ｒ及びはソ同一の幅りを有する複数の
球状痕跡窪み４０３を形成することができる。

第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。読図において、５（１１は支持体
、５０２は支持体表面、５０３は、窪み内に複数の更に
微小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図に
おいては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の
凹凸形状は図示していないが、球状痕跡窪み５０３内に
は各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする。）
、５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球（同
様にして、表面の微小な凹凸形状は図示していないが、
剛体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているものと
する。）をそれぞれ示している。

第５（Ａ）図に示す例では、支持体５（１１の表面５０
２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３′
、５０３′、・・・をほぼ同一の高さよシ規則的に落下
させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪
み５０３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密
に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである
。なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５０３、
・・・を形成するには、球体５０３′の支持体表面５０
２への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３′、
５０３′、・−・を自然落下せしめる必要のあることは
いうまでもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３′、５０３′、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５（１１の表
面５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０
３．５０３、・−・を互いに重複し合うように密に生じ
せしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成した
ものである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５旧の表面５０２に、ほぼ同一
の径の複数の球体５０３′、５０３′、・・・をほぼ同
一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複
数種の幅を有する複数の窪み５０３．５０３、・・・を
互いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸を
形成したものである。

以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛体
球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及び
大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均曲率
及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕跡
窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度で
形成することができる。即ち、上記諸条件を選択するこ
とによシ、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸の高
さや凹凸のぎツチ、あるいは凹凸形状の凹部に形成され
る更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチ等を
、目的に応じて自在に調節することが可能であり、所望
の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削によシネ可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明忙用いる支持体１（１１は、導電性のものであっ
ても、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支
持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンＬ／ス、Ａｔ
％Ｃｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ。

Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロぎレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＡ
、Ｃｒ、　ＭＯｌＡｕ、工ｒ１Ｎｂ、Ｔａ％Ｖ、　Ｔｉ
　、Ｐｔ。

Ｐａ、工ｎ２０３．５ｎ０２、工Ｔｏ（工ｎ２０３　＋
　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けることによって導
電性を付与し、或いは、ｄ　ＩＪエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡＬ、　Ａｇ
１Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、工ｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＬ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、
電子ビーム蒸着、ス・ξツタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状であることができるが、用途
、所望によって、その形状は適宜に決めることのできる
ものである。例えば、第１図の光受容部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば、連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成
しうる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内で可能な限シ薄くすることができる。しかし
ながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表面
に凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面′に前述のような凹凸形状を形成するについ
て用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウ
ム、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラ
スチック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ
耐久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び
鋼鉄の剛体球が望ましい。そしてそうした剛体球の硬度
は、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよ
いが、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度よ
りも高いものであることが望ましい。

本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理によシ凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することによシ作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕上げ研摩等、又は陽極酸化皮
膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸着
膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施して
凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することができ
る。

第６（Ａ）、（Ｂ１図は、製造装置の一例を説明するだ
めの模式的な断面図である。

図中、６（１１は支持体作成用のアルミニウム／リンダ
−であり、該シリンダー６旧は、予め表面を適宜の平滑
度に仕上げられていてもよい。

シリンダー６（１１は、回転軸６０２に軸支されておシ
、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほぼ
軸芯のまわりで回転可能にされている。

６０４は、軸受６０２に軸支され、シリンダー６（１１
と同一の方向に回転する回転容器であり、該容器６０４
の内部には、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０
５が収容されている。剛体球６０５は、回転容器６０４
の内壁に設けられている突出した複数のリブ６０６によ
って担持され、且つ、回転容器６０４の回転によって容
器上部まで輸送される。回転容器の回転速度がある適度
の速度の時に、容器壁について容器上部まで輸送された
剛体球６０５は、シリンダー６（１１上に向は落下し、
シリンダー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する。

なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を穿っておき、回
転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７よシ
洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６（１１と剛体
球６０５及び回転容器６０４を洗浄しうる様にすること
もできる。このようにした場合、剛体球どうし、又は剛
体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によって
付着したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すことと
なり、ゴミ等の付着がない所望の支持体を形成すること
ができる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むらや液だ
れのないものを用いる必要があり、こうしたことから不
揮発性物質単独、又ハトリクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の洗浄液との混合物を用いるのが好ましい。

感光層 本発明の光受容部材において、感光層１０２は前述の支
持体１（１１上に設けられるものであって、ａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）又は酸素原子、炭素°原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成されており、好壕しくばさらに伝導性を制御す
る物質が含有されているものである。

感光層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１０２中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ’）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合１〜４０ａ
ｔｏｍｉｃ　％、好適には５〜３ＱａｔＯｍｉＣ％とさ
れるのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効軍的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０
μ、よシ好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を
含有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感度
化と高暗抵抗化、そして支持体と感光層との間の密着性
の向上にある。

本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の量は、比較的少量でよい。

また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は、支持体との密着性の向上を確実に図るために
、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常はＱ、ＱＱＩ〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ　％とする。

ところで、感光層の全層領域に含有せしめるか、あるい
は、含有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中
に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる量
の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えば
、含有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚のτとな
るような場合には、含有せしめる量は通常３０ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ　１以下、
最適には１０　ａｔ、０ｍ１ｃ％以下にされる。

次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層側
の端部付近においては、比較的少量となるか、あるいは
実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型
的な例のいくつかを、第７図乃至第１５図によって説明
する。しかし、本発明はこれらの例によって限定される
ものではない。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原子
の中から選ばれる少くとも一種を［原子（０，Ｃ，Ｎ　
）Ｊと表記する。

第７乃至１５図ておいて、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢは支持
体と感光層との界面位置を、ｔＴは感光層の表面層との
界面の位置を示す。

第７図は、感光層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型列を示している。該
例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有する感光層と支持
体との界面位置ｔＢより位置ｔ１までは、原子（０，Ｃ
，Ｎ　）の分布濃度Ｃが（１１なる一定値をとり、位置
ｔ１より表面層との界面位置ｔＴまでは原子（０，Ｃ，
Ｎ　）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位
置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度が０
３となる。

第８図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せし
める原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃば、位置ｔＢか
ら位置１丁にいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減少し
、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。

第９図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは原子
（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ，から徐々に連続的
に減少して位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１Ｏ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置を丁にいたるまで、濃度ＣＢか
ら連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９
の一定値にあり、位置ｔ３から位置１Ｔの間においては
、濃度Ｃ９から濃度ＣＩＯとなるまで、−次関数的に減
少する。

第１２図に示す例では、原子（０，Ｃ９Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢよ多位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１ｌ
の一定値にあり、位置ｔ４よ多位置１Ｔにいたるまでは
濃度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで−次関数的に減少
する。

第１３図に示す例においては、原子（○、Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃
度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少
する。

第１４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１５
から濃度Ｃ１６となるまで−次関数的に減少し、位置ｔ
５から位置ｔＴまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第１５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ，であり、位置
ｔＢから位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆっ
くり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置ｔ
６では濃度Ｃ１８となる。次に、位置ｔ６から位置１．
までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに徐
々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ１Ｇ　となる。

更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆつくシと徐々
に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。また更
に、位置を日から位置１Ｔにいたるまでは、濃度Ｃ２０
から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第７図〜第１５図に示しだ例のごとく、感光層の支持体
側の端部に原子（０＋Ｃ＋Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布濃
度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層の
支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該
局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔＢから５
μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密着性
の向上をよシ一層効率的に達成することができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有せしめる
感光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される感光層に要求される特性に従って適宜法める。

局在領域に含有せしめる原子（ｏ、ｃ、Ｎ　）の量は、
原子（０，Ｃ２Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくはＢｏｏ　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

さらＫ、本発明の光受容部材においては感光層に伝導性
を制御する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又
は不均一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ呈示導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、ＴＬ（タリウム）等を挙げるこ
とができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａである。

また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）　、Ａ８（砒素）　
、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂ１（ビスマン）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂである
。

本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。

すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０−３
〜１　ｘ　ＩＱ”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好まし
くは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ　
ｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０”　〜２　ｘ　ＩＱ２
ａｔｏｍｉｃｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第■族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には
、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動をよ
り効率的に阻止することができる。

そして、この場合の含有量は比較的多量である。具体的
には、一般的には３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍとするが、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　ＩＱ’　ａ
ｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０２〜５　Ｘ
　ＩＱ３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。そして、該効果
を効率的に奏するだめには、一部の層領域あるいは高濃
度に含有する層領域の層厚をｔとし、それ以外の感光層
の層厚を１ｏとした場合、１／１＋１０≦０．４の関係
式が成立することが望ましく、より好ましくは該関係式
の値が０．３５以下、最適には０．３以下となるように
するのが望ましい。また、該層領域の層厚は、一般的に
は３Ｘ１０−”〜１０μとするが、好ましくは４Ｘ１０
−３〜８μ、最適には５　Ｘ　１０−３〜５μである。

次に感光層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層と接する側に向って減少し、表面層と接す
る付近においては、比較的少量となるかあるいは実質的
にゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分
布させる場合の典型的例は、前述の感光層に酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有せしめる場合に例示した、第７図乃至１５図の例
と同様の例によって説明することができる。しかし、本
発明は、これらの例によって限定されるものではない。

そして、第７〜１５図に示した例のごとく、感光層の支
持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
Ｃの高い部分を、有し、感光層の表面層側においては、
該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体
側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が
比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以
内に設けることにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成す
るという前述の作用効果がより一層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有
せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する
物質を、電荷阻止層に含有される量よりも一段と少ない
量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｔ２０３．５ｉｎ２、Ｓｉ３Ｎ、等の
無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶縁
材料を挙げることができる。

表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
０２の上に設けられ、自由表面１０４を有している。該
表面層は、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原
子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一種、好ましくは
さらに水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少なく
ともいずれか一方を含有するａ−８ｉ〔以下、「ａ−８
ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成さ
れていて、光受容部材の自由表面１０４における入射光
の反射をへらし、透過率を増加させる機能を奏するとと
もに、光受容部材の耐湿性、連続繰返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性および耐久性等の諸特性を向上
せしめる機能を奏するものである。

そして、・本発明の光受容部材にあっては、表面層１０
３と感光層１０２との界面において、表面層の有する光
学的バンドギャップＥｏｐｔと、該表面層が直接設けら
れている感光層１０２の有する光学的バンドギャップＥ
Ｏｐｔとが、整合するか、あるいは表面層１０３と感光
層１０２との界面における入射光の反射を実質的に防止
しうる程度に整合するように構成される必要がある。

さらに、上述の条件に加えて、表面層１０３の自由表面
側の端部においては、表面層の下に設けられている感光
層１０２に到達する入射光の光量が充分に確保できるよ
うにするため、表面層１０３の自由表面側の端部におい
ては、表面層の有する光学的バンドギャップＥｏｐｔを
充分に犬きくするように構成されることが望ましい。そ
して、表面層１０３と感光層１０２との界面において光
学的バンドギャップＥｏｐｔが整合するように構成する
とともに、表面層の自由表面側の端部において光学的バ
ンドギャップＥｏｐｔを充分に犬きくするように構成す
る場合、表面層の有する光学的バンドギャップが、表面
層の層厚方向において連続的に変化するように構成され
る。

表面層の光学的バンドギャップＥｏｐｔの層厚方向にお
ける値を前述のごとく制御するには、光学的バンドギャ
ップの調整原子であるところの酸素原子（０）、炭素原
子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも
一種の表面層に含有せしめる量を制御することによって
行なわれる。

具体的には、感光層の表面層と接する側の端部において
酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の
中から選ばれる少なくとも一種〔以下、「原子（０，Ｃ
，Ｎ　）Ｊと表記する。〕が含有されていない場合には
、表面層の感光層と接する側の端部における原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の含有量をゼロ又はゼロに近い値とし、感光
層の表面層と接する側の端部において原子（０，Ｃ，Ｎ
　）が含有されている場合については、表面層の感光層
と接する側の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ　）の含有
量と、感光層の表面層と接する側の端部における原子（
○、Ｃ，Ｎ　）の含有量とが同じか、あるいは実質的に
差がないようにする。そして、表面層の感光層側の端部
から自由表面側の端部に向かって、原子（ｏ、Ｃ２Ｎ）
の量を連続的に増加させ、自由表面側の端部付近におい
ては、自由表面における入射光の反射を防止するのに充
分な量の原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有せしめる。以下、
表面層における原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布状態の典型
的な例のいくつかを、第２０乃至２２図によって説明す
るが、本発明はこれらの例によって限定されるものでは
ない。

第１６乃至１８図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ　
）およびシリコン原子の分布濃度Ｃ１縦軸は表面層の層
厚ｔを示しており、図中、ｔＴは感光層と表面層との界
面位置、１Ｆは自由表面位置、実線は原子（０，Ｃ，Ｎ
　）の分布濃度の変化、破線はシリコン原子（Ｓｌ）の
分布濃度の変化を示している。

第１６図は、表面層中に含有せしめる原子（○、Ｃ，Ｎ
）とシリコンぷ子（Ｓｌ）の層厚方向の分布状態の第一
の典型例を示している。該層では、界面位置ｔＴより位
置ｔ１まで、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃがゼロ
より濃度Ｃ１となるまで一次関数的に増加し、一方、シ
リコン原子の分布濃度は、濃度Ｃ２から濃度Ｃ３となる
まで一次関数的に減少し、位置１１から位置１．にいた
るまでは、原子（０，Ｃ，Ｎ）およびシリコン原子の分
布濃度Ｃは各々濃度Ｃ１および濃度Ｃ３の一定値を保つ
。

第１７図に示す例では、原子（０，Ｃ２Ｎ）の分布濃度
Ｃは界面位置ｔＴより位置ｔ３まではゼロから濃度Ｃ４
まで一次関数的に増加し、位置ｔ３より位置１Ｆにいた
るまでは、濃度Ｃ４の一定値を保つ。

一方、シリコン原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＴより位置
ｔ２までは濃度Ｃ５から濃度Ｃ６まで一次関数的に減少
し、位置ｔ２より位置ｔ３までは、濃度Ｃ６から濃度Ｃ
７まで一次関数的に減少し、位置ｔ３から位置１Ｆにい
たるまでは、濃度Ｃ７の一定値を保つ。表面層の形成の
初期において、シリコン原子の濃度が高い場合、成膜速
度が速くなるが、この例のようにシリコン原子の分布濃
度を２段階で減少することにより、成膜速度を補正する
ことができる。

第１８図に示す例では、位置１Ｔから位置ｔ４までは、
原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度はゼロから濃度Ｃｅ’
ｌで連続的に増加し、一方、シリコン原子（Ｓｌ）の分
布濃度Ｃは、濃度Ｃ９から濃度ＣＩＯ４で連続的に減少
し、位置ｔ４から位置１．にいたるまでは、原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の分布濃度およびシリコン原子（Ｓｌ）の分
布濃度は、各々濃度Ｃ８および濃度ＣＩＯの一定値を保
つ。この例のごとく、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度
を徐々に連続して増加せしめる場合には、表面層の層厚
方向の屈折率の変化率をほぼ一定とすることができる。

本発明の光受容部材の表面層は、第１６乃至１８図に示
したごとく、表面層の感光層側の端部においては原子（
０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度を実質的にゼロに近い濃度と
し、自由表面側に向かって連続的に増加させ、表面層の
自由表面側の端部においては、比較的高濃度である層領
域を設けるようにすることが望ましい。そして、この場
合の該層領域の層厚は、反射防止層としての機能および
、保護層としての機能を果たすため、通常は０．１μｍ
以上となるようにされる。

表面層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有せしめることが望ましく、含有せしめる水素原
子（Ｉ（）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは５〜３Ｑ　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｑｌ、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃチと
する。

また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するだめの重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。

こうしたことから、表面層の層厚は通常は３Ｘ１０−３
〜３０μとするが、より好ましくは４　Ｘ　１０−３〜
２０μ、特に好ましくは５ＸＩＯ−３〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るだめ殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法だよって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと共に、水
素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、Ｓｉｎ、、Ｅｌｉ
２Ｈ６、Ｅｌｉ３ＨＢ、　Ｓｉ、Ｈｌｏ　等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ
、特に、層形成作業のし易さ、ｓ１供給効率の良さ等の
点で、ＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ，が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例エバハロケンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
た７ラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ７Ｆ　、　Ｃ６
Ｆ６、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３．　ＩＰ、７　、ＩＣｚ　、
よりｒ　　等のハロゲン間化合物、オヨびＳ　ｉ　Ｆ、
、Ｓｌ。Ｆ６．５ＩＣＬｃ、５ｉＢｒ、等ノハロゲン化
硅素等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガ
ス状態の又はガス化しうるものを用いる場合には、ｉ３
ｉ供給用の原料ガスを別途使用することなくして、ハロ
ゲン原子を含有するａ−８ｉで構成された層が形成でき
るので、特に有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ　、　ＨＯ２，ＨＢｒ　、　Ｈ工等のハｔｆｆ
ゲン化物、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ　、５ｉ
４Ｈ１ｏ等の水素化硅素、あルイはＳｉＨ２Ｆ２．５ｉ
Ｈ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ７２，５ｉＨＣム、５ｉＨ２Ｂｒ
２．８ｉＨＢｒ３　　等（７）　ハロゲン置換水素化硅
素等のガス状態の又はガス化しうるものを用いることが
でき、これらの原料ガスを用いた場合には、電気的ある
いは光電的特性の制御という点で極めて有効であるとこ
ろの水素原子（Ｉ（）の含有量の制御を容易に行うこと
ができるため、有効である。そして、前記ハロゲン化水
素又は前記ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハ
ロゲン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入される
ので、特に有効である。

また、ａ−８ｉ層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量の制御は、例えば支持体
温度、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
導入するために用いる出発物質の堆積室内へ導入する量
、放電電力等を制御することによって行われる。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のノ
・ロデン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｎ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ノ・ロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガ
スを必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ等の不活性ガスも含め
て堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ
ｉターゲットをスパッタリングすることによって、支持
体上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）はさらに第
■族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは
炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形
成するには、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第
■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、窒素原子導
入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質、あるいは
炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−８ｉ（Ｈ，
Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめてやることによ
って行なう。

例えば、グロー放電法、スフ２ツタリング法あるいはイ
オンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族
原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は
層領域を形成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層の形成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導
入用の出発物質を、ａ−Ａ９１（Ｈ，Ｘ）形成用の出発
物質とともに使用して、形成する層中へのそれらの量を
制御しながら含有せしめることによって行なう。

第ｍ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ、Ｈｏ。、Ｂ５Ｈ９、Ｂ
５Ｈ１ｌ、　Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の
水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣＬ３、ＢＢｒ３等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。

この他、ＡＬＣ４ａ、ＧａＣｊ！、ｌ、Ｇａ（ＣＨ３）
２、工ｎＣＬ３、Ｔ２Ｃム等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ，
工、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣ４３、ＰＣ＆、ＰＢｒ３、Ｐ
Ｂｒ３、Ｐ工３等のハロゲン比隣が挙げられる。この他
、Ａ８Ｈ３、Ａ８Ｆ３、ＡＢＣム、Ａ３Ｂｒ３、ＡＥＩ
Ｆ５．８１）Ｎ３、ＳｂＦ３．８１）Ｎ５．５ｂＣ４３
，８１）Ｃ４５、ＢｉＨ３、Ｂ１Ｃ７３、Ｂ１Ｂｒ３　
等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。

酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）、又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ　）、酸素原
子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（○）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ　）　、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四三酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（１１０３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子
（○）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ３）、トリシロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン
等を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又は５１０２ウエーハー、又はＳｌと５１０２が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でス・Ｒツタリングす
ることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターデッドとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエー・・−
をスパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと５ｉ０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成でき
る。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、ス・Ｑツタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

窒素原子を含有する層まだは層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればほとん
どのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及び・・ロデン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及ば水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、とドラ、）　：、ｔ　（Ｈ２ＮＮＨ２）、ア
ジ化水素（ＩＪＨ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ
３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に
、窒素原子（障の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の
導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四
弗化窒素（Ｆ４Ｎ２　）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＳｉ３Ｎ４　ウェーハー、又はＳｉとＳｉ３
Ｎ、が混合されて含有されているウェーハーをターデッ
ドとして、これ等を１種のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパック−用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
ス／にツタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳ　ｉ３Ｎ４とは別々のターゲット
として、又はＳｌとＳ　ｉ３　Ｎ、の混合した一枚のり
−ゲットを使用することによって、ス、ｅツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とし
て含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って形成できる。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

まだ、例えば炭素原子を含有する層又は層領域をグロー
放電法により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ　）を
構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子
とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はシリコン原子
（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、／リコン原子（
Ｓｌ）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子
とする原料ガスを混合するか、更にまだ、シリコン原子
（ｓｌ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスと
炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスを混合して使
用する。

スパッタリング法によってａ−６ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層まだは層領域を形成するには、単結晶又は多結
晶のＳｉウェーハー又はＣ（グラファイト）ウェーハー
、又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェーハー
をターデッドとして、これ等を所望のガス雰囲気中でス
・？ツタリンダすることによって行う。

例えばＳｉウェーハーをターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入するだめの原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈ
ｅ等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳ
１ウエーハーをスパッタリングすればよい。

又、ＳｌとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積室内に導
入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよ
い。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料
ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスが
そのまま使用できる。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ４，５１２Ｈ６、Ｓｉ３
Ｈ８、Ｓｉ、ＨｌＯ等のシラ７　（５ｉｌａｎｅ　）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロ・ξン（Ｃ３Ｈ［］）、］
ｎ−ブタン　ｎ’４Ｈ１，Ｏ）、啄ンタン（Ｃ５Ｈ１２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）　、ブテン−Ｌ　（Ｃ，Ｈ
８）　、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４
Ｈ８）　、啄ンテン（Ｃ５Ｈ１０）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセ
チレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられ
る。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈ５）、等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法、ｈ　ルイｋｉイオン
ブレーティング法により本発明の感光層および表面層を
形成する場合、ａ−６ｉ（Ｈ，Ｘ）に導入する第■族原
子又は第■族原子あるいは原子（０，Ｃ，Ｎ　）の含有
量は、堆積室中に流入される出発物質のガス流量、ガス
流量比を制御することにより行なわれる。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電ノξワー等の条件は、所望の特性を有する光受容
部材を得るだめには重要な要因であり、形成する層の機
能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに
、これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記
の各原子の種類及び量によっても異なることもあること
から、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考
慮をはらって決定する必要もある。

具体的には、支持体温度は、通常５０〜３５０″Ｃとす
るが、特に好ましくは５０〜２５０′Ｃとする。

堆積室内のガス圧は、通常０．（１１　％　Ｉ　Ｔｏｒ
ｒとするが、特に好ましくは０．５〜Ｑ、５　ＴＯｒｒ
とする。

また、放電、ｅワーは０．００５〜５０　Ｗ　／ｃｒｒ
１２とするのが通常であるが、より好ましくは０．（１
１〜３０　Ｗ　７ｃｍ２、特に好ましくは０．（１１〜
２０　Ｗ　／ｃｒＸとする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電、ｅワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、
炭素原子、窒素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、ある
いは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態を均一
とするだめＫは、光受容層を形成するに際して、前記の
諸条件を一定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の除に、該層中
に含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、あるい
は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態を有する光受容層を
形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば、酸
素原子、炭素原子、窒素原子あるいは第■族原子又は第
Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する
際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ、
その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス
流量を変化させるには、具体的には、例えば手動あるい
は外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法
により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードル
バルブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。この
とき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマ
イコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に
従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもで
きる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、酸素原子、炭素原子、窒素原子あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化
させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グロ
ー放電法を用いた場合と同様に、酸素原子、炭素原子、
窒素原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入す
る際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１０に従って、よシ詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第１９図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の１９０２．１９０３．１９０４．１９０５．１９
０６　　のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るだめの原料ガスが密封されており、その−例として、
たとえば、１９０２はＥｌｉＨ，ガス（純度９９．９９
９チ）ボンベ、１９０３はＨ２で稀釈されたＢ２１（６
ガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２と
略す。）ボンベ、１９０４はＣＨ，ガス（純度９９．９
９９％）ボンベ、工９０５はＮＨ３ガス（純度９９．９
９９　％　）ボンベ、１９０６はＨ２ガス（純度９９．
９９９％）ボンベでアル。

これらのガスを反応室１９（１１に流入させるにはガス
ボンベ１９０２〜１９０６のバルブ１９２２〜１９２６
、リークバルブ１９３５が閉じられていることを確認し
又、流入７ｅルブ１９１２〜１９１６、流出バルブ１９
１７〜１９２１、補助ノζルブ１９３２．１９３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ１９３４
を開いて反応室１９（１１、ガス配管内を排気する。次
に真空計１９３６の読みが約５　Ｘ、１０＝　ｔｏｒｒ
になった時点で、補助バルブ１９３２．１９３３　、流
出バルブ１９１７〜１９２１を閉じる。

基体シリンダー１９３７上に光受容層を形成する場合の
一例をあげる。ガスボンベ１９０２よすＳｉＨ４ガス、
ガスボンベ１９０３よりＢ２　Ｈ６／　Ｈ２ガスの夫々
をバルブ１９２２．１９２３を開いて出口圧デージ１９
２７．１９２８の圧を１　ｋｌｉｌ　７ｃｍ２に調整し
、流入バルブ１９１２　、１９１３を徐々に開けて、マ
スフロコントローラ１９０７．１９０８内に流入させる
。引き続いて流出バルブ１９１７　、１９１８　、補助
バルブ１９３２を徐々に開いてガスを反応室１９（１１
内に流入させる。このときのＳｉｎ、ガス流量、Ｂ２Ｈ
６／　Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出バ
ルブ１９１７．１９１８を調整し、又、反応室１９（１
１内の圧力が所望の値になるように真空計１９３６の読
みを見ながらメインバルブ１９３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー１９３７の温度が加熱ヒーター１
９３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定され
ていることを確認された後、電源１９４０を所望の電力
に設定して反応室１９（１１内にグロー放電を生起せし
めるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）を
用いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、Ｂ２
　Ｈ６／　Ｈ２ガス流量とＳｉＨ。

ガス流量とを制御しながら、基体シリンダー１９３７上
に先ず、硼素原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
された感光層を形成する。

感光層の上に表面層を形成するには、上記の操作に引き
続き、例えばＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの夫々を、必要
に応じてＨｅ、Ａｒ、Ｈ２等の希釈ガスで希釈し、所望
のガス流量で反応室１９（１１内に流入し、マイクロコ
ンピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率線に従って、ＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスのガ
ス流量を制御しながら、炭素原子を含有するａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）で構成された表面層を形成する。

感光層および表面層を形成する際、原料ガスの流量をマ
イクロコンピュータ−等を用いて制御するが、この際、
各原子導入用の原料ガスとともに希釈ガスを用いること
により、反応室１９（１１内のガス圧を安定させ、安定
しだ成膜条件を確保することができる。

まだ、夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ
以外の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、
又夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが
反応室１９（１１内、流出バルブ１９１７〜１９２１か
ら反応室１９（１１内に至るガス配管内に残留すること
を避けるために、流出バルブ１９１７〜１９２１を閉じ
補助バルブ１９３２．１９３３を開いてメインバルブ１
９３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行なう。

試験例１ 径０．６ＭのＳＵＳステンレス製剛体球に化学的処理を
施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する処
理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸、
苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試験
例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４の容量比で
混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時間、酸濃度等
を変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。

試験例２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さγｍａｘ　＝　５　μｍ　）を用い、第６（Ａ）、
（Ｂ）図に示した装置を用いて、アルミニウム合金製シ
リンダー（径６０ｗｔｒ、長さ２９８ｍｍ）の表面を処
理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅ｒと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅ｒとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。

更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
、０．１ｇ未満であると、剛体球を小さく軽くして落下
高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成をコント
ロールしにくくなるため好ましくないこと、Ｒが２．Ｏ
Ｍを超えると、剛体球を大きく重くして、落下高さを調
節するため、例えばＤを比較的小さくしだい場合に落下
高さを極端に低くする必要があるなど、痕跡窪みの形成
をコントロールしにくくなるため好ましくないこと、更
に、Ｄが０．０２ｍ未満であると剛体球を小さく軽くし
て落下高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成を
コントロールしにくくなるため好ましくないことが、夫
々確認された。

更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された。

実施例１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面
を処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ及−Ｎα１（１１〜１
０６）を得だ。

次に、該Ａｔ支持体（試料Ｎα１（１１〜１０６）上に
、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第１９図に示した製造
装置により光受容層を形成した。この際、表面層形成時
におけるＣＨ，ガス、Ｈ２ガス、ＳｉＦ４ガスのガス流
量は第２１図に示す流量変化線に従って、マイクロコン
ピュータ−制御により、自動的に調整した。

さらに、これらの光受容部材について、第加図に示す画
像露光装置を用い、波長７８０　ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザーを照射して画像露光を行ない、現像、転
写を行なって画像を得た。

得られた画像は、いずれも干渉縞模様は全く観察されず
、そして極めて良質のものであった。

なお、第２０　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であシ、第２０　（Ｂ１図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、２０（１１は光
受容部材、２００２は半導体レーザー、２００３はｆθ
レンズ、２００４はポリゴンミラーを示している。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトによシ表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ｎｎ１０
７）（径６０Ｍ、長さ２９８朋、凹凸ピッチ１００μｍ
、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にして光受
容部材を作製した。得られた光受容部材を電子顕微鏡で
観察したところ、支持体表面と光受容層の層界面及び光
受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容部材を
用いて、前述と同様にして画像形成をおこない、得られ
た画像について前述と同様の評価を行なった。その結果
は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ｄ支持体（ンリン
ダーＮｎ　１（１１〜１０７）上に光受容層を形成した
。なお、感光層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６
／　ＳｉＦ、　＝、　１００　ｐｐｍであって、該層全
層について約２００　ｐＩ）ｍ　＋−″−ピングされて
いるようＫなるべく導入した。また表面層形成時におけ
るＮＨ３ガス、ＳｉＦ、ガスおよびＨ２ガスのガス流量
は第２２図に示す流量変化線に従って、マイクロコンピ
ュータ−制御により、自動的に調整した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例３ 第３Ａ表上欄に示す表面凹凸の高さくγｍａＸ）の剛体
球を用いた以外はすべて実施例１と同様にして、球状痕
跡窪み（Ｄ　＝　４５０±５０（μｍ）、−ｆｌ＝ｏ、
ｏｓ）を有するＡｔ支持体（シリンダー陽３（１１〜３
０６）を得た。

次に該Ａｔ支持体（シリンダーＮｃＬ３（１１〜３０６
）上に、以下の第３Ｂ表に示す条件で、第加図に示しだ
製造装置を用いて光受容層を形成した。

なお、感光層形成時におけるＢ２Ｈ６／　Ｈ２ガス、Ｈ
２ガス、および表面層形成時におけるＮＯガス、ＳｉＦ
’。

ガス、Ｈ２ガスのガス流量は、各々第ｎ図および第２４
図に示す流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−
制御により自動的に調整した。また、感光層中に含有せ
しめる硼素原子については、実施例２と同様の条件で導
入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像における干渉縞
の発生状況は、第３Ａ表下欄に示すとおシであった。

貝施例４ 第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層士形成した
以外は、すべて実施例３と同様にしで、Ａｔ支持体（シ
リンダーＮｎ３．（１１〜３０６）上に光受容層を形成
した。なお、感光層形成時におｔ　ルＢ２Ｈ６／　Ｈ２
ガスおよびＨ２ガスのガス流量、および表面層形成時に
おけるＮＨ３ガス、ＳｉＦ、ガス２よびＨ２ガスのガス
流量は、各々第５図および第２６図に示す流量変化線に
従って、マイクロコンピュータ−制御によシ、自動的に
調整した。

また、感光層に含有せしめる硼素原子は、実施ｌｌＩ２
と同様の条件で導入した。

得られた光受容部材について実施例１と同様でして画像
を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発生
状況は、第４Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例５〜１０ 実施例１のＡｔ支持体（シリンダーＮｎ　１０３〜１σ
６）上に、第５〜１０表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受
容部材を作製した。なお、各実施例において、感光層形
成時および表面層形成時における使用ガスのガス流量の
変化は各々、第１１表に記語゛シた流量変化図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により
、自動的に調整した。また感光層中に含有せしめる硼素
原子は実施例２と同じ条件で導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

第　　　１１　　　　表 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総て全解決でき、荷
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出全顕著に防止し、きわめて良質な可゛視画像
を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例全
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の
感光層における酸素原子、炭素原子および窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種、および第■族原子又は第
Ｖ族原子の層厚方向の分布状態を表わす図、第１６〜１
８図は、本発明の表面層における酸素原子、炭素原子お
よび窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種の層厚方
向の分布状態を表わす図であり、各図において、縦軸は
光受容層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わ
している。第１９図は、本発明の光受容部材の光受容層
を製造するための装置の一例で、グロー放電法による製
造装置の模式的説明図である。第加図はレーザー光によ
る画像露光装置を説明する図である。 第２１乃至あ図は、本発明の光受容層形成におけるガス
流量の変化状態を示す図であり、縦軸は、横軸はガス流
量を示している。 第１乃至３図について。 １００・・・光受容部材、１（１１・・・支持体、１０
２．２（１１．３（１１・・・感光層、１０３．２０２
．３０２・・・表面層、１ｏ４．２０３．３０３・・・
自由表面、２０４．３０４・・・感光層と表面層との界
面 第４．５図について、 ４（１１．５（１１・・・支持体、４０２．５０２・・
・支持体表面、４０３．５０３・・・球状痕跡窪み、４
０３′、５０３’・・表面に凹凸形状を有する剛体球、
４０４・・・球状痕跡窪み内に形成された微小凹凸形状
、４０４′・・・剛体球表面に形成された凹凸形状 第６図について、 ６（１１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸（受）
、６０３・・・駆動手段、６０４・・・回転容器、６０
５・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・・
容器内壁に設けられたリブ、６０７・・・シャワー 管第１９図について、 １９（１１・・・反応室、１９０２〜１９０６・・・ガ
スボンベ、１９０７〜１９１１・・・マスフロコントロ
ーラ、１９１２〜１９１６・・・流入バルブ、１９１７
〜１９２１・・・流出バルブ、１９２２〜１９２６・・
・バルブ、１９２７〜１９３１・・・圧力調整器、１９
３２．１９３３・・・補助バルブ、１９３４・・・メイ
ンノ９ルブ、１９３５・・・リークバルブ、１９３６・
・・真空計、１９３７・・・基体シリンダー、１９３８
・・・加熱ヒーター、１９３９・・・モーター、１９４
０・・・高周波電源第加図について。 ２０（１１・・・光受容部材、２００２・・・半導体レ
ーザー、２００３・・・ｆθレンズ、２００４・・・ポ
リゴンミラー。 脣許出願人　キャノン株式会社 図面の浄Ｃ（１’　ｆ　’ｇ７ｆこ変更なし）第６〔Ａ
３図 第６〔８０図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 □Ｃ 第１３図 第１４図 第１５図 □Ｃ ＳＣＣＭ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＣＣ
ＭＨ２がス　　　　　　Ｂ２Ｈ，／Ｈ２ガス第２５図 Ｈ２ガス　　　　　　　　　Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス手続補
正書（方式） 昭和６１年１月２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿　　虐１、事件の表示 昭和６０年特許願第２４２７８６　号 ２、発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンピル ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成された感光層と、シリコン原子と、酸素原子、
   炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
   とを含有する非晶質材料で構成された表面層とを有する
   光受容層を備えた光受容部材であつて、前記感光層と前
   記表面層との界面において光学的バンドギャップが整合
   しており、前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによ
   る凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小
   な複数の凹凸形状を有していることを特徴とする光受容
   部材。 （２）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
   から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。 （５）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
   注入阻止層を構成層の一つとして有する特許請求の範囲
   第（４）項に記載の光受容部材。 （６）感光層が、構成層の一つとして障壁層を有する特
   許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に、表面
   に凹凸を有する複数の剛体球を自然落下させて得られた
   前記剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１０）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有す
   る、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さ
   から落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形
   状である特許請求の範囲第（９）項に記載の光受容部材
   。 （１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
   ０３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１２）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１１）項に記載
   の光受容部材。 （１３）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１４）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。